第一章(模电)

模拟电子技术基础复习要点

一、常用半导体器件

1.半导体二极管

（1）掌握二极管具有单向导电的特性。用电位的方法来判断二极管是否导通，即，哪个二极管的阳极电位最高，或哪个二极管的阴极电位最低，哪个二极管就优先导通。

（2）注意：理想二极管导通之后相当短路，截止后相当开路。

（3）掌握二极管的动态电阻小，静态电阻大的概念（直流通路恒压源，交流通路小电阻）。

交流的时候把二极管当成一个交流的小电阻，用静态工作点和公式求二极管的电阻值

（4）熟悉二极管的应用（开关、钳位、隔离、保护、整流、限幅）作业：1.3

2. 半导体稳压管

（1）掌握稳压管工作在反向击穿区的特点

只要不超过稳压管的最大功率，电流越大越好

（2）掌握稳压管与一电阻串联时，在电路中起的稳压作用。

（3）掌握稳压管的动态电阻小，静态电阻大的概念。

（3）熟悉稳压管的应用（稳压、限幅）作业：1.5 , 1.6

3. 晶体三极管

（1）熟悉晶体管的电流放大原理（重点掌握Ic=βIb ）

（2）掌握NPN 型三极管的输出特性曲线。

晶体管有三个级，必然就有BE 间的输入，CE 间的输出，所以有两组特性曲线。

iB 和Ube 之间的关系，但是保证Uce 是一个恒定值

iC 和Uce 之间的关系，保证Ib 是一个恒定值

关于NPN 型管子：管子处于何种状态要根据电压之间的关系来确定。主要是饱和区和截止区之间的区别

（3）掌握三极管的放大、饱和与截止条件。

（4）理解CEO CBO I I 和的定义及其对晶体管集电极电流的影响。作业：1.9，1.12 ，

共射交流放大倍数β，共基交流放大倍数α≈1

《模电》第一章重点掌握内容：

一、概念

1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。它们在外电

场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。

5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，

空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。

6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，

电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN

结反向截止。所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏

时截止，呈大电阻，零电流。其死区电压：S i管约0。5V，G e管约为0。1 V ，

其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。

其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的：

①加正向电压时，相当正向导通的二极管。（压降为0.7V，）

②加反向电压时截止，相当断开。

判断题

第一章

半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。(对）

二极管

1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)

2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。(错)

3、晶体二极管击穿后立即烧毁。（错)

三极管

1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。（错）

2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。 (错）

3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。（错）

4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。（错）

5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。（错）

6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。(错）

场效应管

1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)

第二章

1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对

2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。（对）

3、放大电路的三种组态

射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。（错)

三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。(对）

射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。（错）

射极输出器不具有电压放大作用.（对）

4、多级放大电路

直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。（错）

直流放大器只能放大直流信号。（错）

现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。（错）

第一章半导体二极管

一。半导体的基础知识

1。半导体—--导电能力介于导体和绝缘体之间的物质（如硅Si、锗Ge)。

2.特性———光敏、热敏和掺杂特性。

3。本征半导体-—--纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子—--—带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体————在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体.体现的是半导体的掺杂特性.

＊P型半导体：在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体：在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子,少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性

＊载流子的浓度--—多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关.

＊体电阻-——通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体.

7。 PN结

* PN结的接触电位差---硅材料约为0。6~0.8V,锗材料约为0。2～0。3V。

＊ PN结的单向导电性——-正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性

二。半导体二极管

＊单向导电性--——-—正向导通，反向截止.

＊二极管伏安特性-———同ＰＮ结。

*正向导通压降---——-硅管0.6～0。7V，锗管0。2～0。3V.

＊死区电压——--—-硅管0.5V，锗管0。1V。

3.分析方法-——-——将二极管断开，分析二极管两端电位的高低：

若 V阳〉V阴（正偏），二极管导通（短路）;

若 V阳〈V阴（反偏 )，二极管截止(开路)。

1）图解分析法

该式与伏安特性曲线

的交点叫静态工作点Q。

模拟电子技术习题答案

电工电子教学部

2012.2

、填空题:

I. 自然界的各种物理量必须首先经过 传感器 将非电量转换为电量，即 电信号 。

2•信号在频域中表示的图形或曲线称为信号的

频谱 。

3. 通过傅立叶变换可以实现信号从 时域 到频域的变换。

4. 各种信号各频率分量的 振幅 随角频率变化的分布，称为该信号的幅度频谱。

5. 各种信号各频率分量的 相位随角频率变化的分布，称为该信号的相位频谱。

6. 周期信号的频谱都由 直流分量、基波分量以及无穷多项高次谐波分量

组成。

7. 在时间上和幅值上均是连续的信号 称为模拟信号。 8.

在时间上和幅值上均是离散的信号

称为数字信号。

9. 放大电路分为 电压放大电路 、电流放大电路、互阻放大电路 以及 互导放大电路

四

类。

10. 输入电阻、输出电阻、增益、频率响应和非线性失真 等主要性能指标是衡量

放大电路的标准。

II. 放大电路的增益实际上反映了 电路在输入信号控制下，将供电电源能量转换为信号能

量的能力。

12. 放大电路的电压增益和电流增益在工程上常用“分贝”表示，其表达式分别是

电压增益 =20lgA v dB 、电流增益 =20lgA i dB 。

13. 放大电路的频率响应指的是，在输入正弦信号情况下，输出随 输入信号频率连续变化

的稳态响应。 14.

幅频响应是指 电压增益的模与角频率 之间的关系。

15. 相频响应是指 放大电路输出与输入正弦电压信号的相位差与角频率_______ 之间的关系 。 10pA 时，输出为500mV ，它的增益是多少？属于哪一类放大电 路？ 三、某电唱机拾音头内阻为 1M Q ，输出电压为1V （有效值），如果直接将它与10Q 扬声器 连接，扬声器上的电压为多少？如果在拾音头与扬声器之间接入一个放大电路， 它的输入电

第一章半导体二极管

一.半导体的基础知识

1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性

*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.PN结

*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8.PN结的伏安特性

二.半导体二极管

*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:

若V

阳>V

阴

(正偏)，二极管导通(短路);

若V

阳

阴

(反偏)，二极管截止(开路)。

1）图解分析法

该式与伏安特性曲线

的交点叫静态工作点Q。

2)等效电路法

直流等效电路法