晶体加工 演示文稿

晶体加工材料物理 0910245 卢家汉[实验目的]1. 了解制作晶体元器件及晶体样品所必须进行的加工过程和加工工艺。

2. 学习加工晶体的光学表面必须进行的定向、研磨、抛光工艺和检验方法。

[实验原理和实验方法]一、晶体定向晶体加工中的定向是在晶体的坐标系统已经确定的前提下，根据所加工晶体的具体特性，采取各种方法找出晶体零件要求的加工方向或测定已知晶体的实际晶面与要求晶面的偏角，进而通过切割或研磨校正这一偏角使之满足要求的一种操作过程。

不同方向生长的LN晶体其外部特征是不同的。

Z 轴生长的晶体三条棱的夹角各是120 度，任意两条棱的连线方向为X 轴向。

任意一条棱截点与园心连线的方向是Y 轴向，与X 、Y 都垂直的方向就是Z 轴向。

X 轴生长的晶体外形呈椭圆形，平行于短轴方向为Z 轴向，平行于长轴方向为Y 轴向。

Y 轴生长的晶体外形也是椭圆形，垂直于两棱连线的方向既椭圆的短轴方向是Z 轴向，平行于两棱连线的方向既椭圆的长轴方向是X 轴向。

本实验主要介绍X 射线衍射法定向：当高速运动得带电粒子与金属物质的内层电子相碰撞而产生的单色X 射线束入射到晶面时，晶体内部的电子因受迫振动而发射出与入射线相同波长的衍射线，这种衍射线在本质上是一种电磁波。

实验证明，当X 射线以满足布拉格定律2D=SINθ=Nλ的θ角入射时，其衍射线有可能相互增强而形成衍射极大值，这种衍射极大值可以通过计数器接收转化为电流并经电路放大后在仪器的微安表上显示出来。

二、晶体切割晶体切割有外圆切割法，内圆切割法，线切割法三种。

实验中用到内圆切割法，，将一氦氖激光束调整到与内园切割机刀片垂直，再把经过研磨和X光定向的晶体固定再刀架上，使激光束照射在待切的晶面上，调整刀架，使反射光回到激光器。

此时待切晶面和切割刀片是平行的，如此切割出的晶片必是想要获得的晶向。

实际应用中往往需要切割出与晶体的三个轴成适当角度的晶体。

我们将激光束与刀片调垂直后，在激光束正上方做一直线N并保证N上任意点的垂线M通过激光束。

晶体加工流程范文晶体加工是一种利用材料特性将原始晶体加工成具有特定形状和性能的工艺过程。

晶体加工广泛应用于电子、光电子、光通信、光纤传感等领域。

下面我们将详细介绍晶体加工的流程。

首先，晶体加工的第一步是晶体生长。

晶体生长可以通过多种方法实现，包括典型的晶体生长方法有溶液法、熔融法和气相法。

溶液法是指将溶解有晶体原料的溶液缓慢冷却或者蒸发，使晶体原料逐渐结晶。

熔融法是指将晶体原料加热至熔点，然后冷却使其重新结晶。

气相法是指通过在高温下使物质重新重新结晶。

在这一步骤中，需要选择合适的原始晶体成分和合适的生长条件，以获得高质量的晶体。

第二步是对得到的晶体进行切割。

通常情况下，制备好的大晶体是不适于直接使用的，因此需要将其切割成适当大小的晶片。

切割晶体时需要采用合适的工具和技术，如钻石刀、金刚石刀等。

切割晶体时需要考虑到晶向和晶片尺寸的要求。

切割完成后，晶片需要进行机械加工。

这一步骤包括研磨和抛光。

研磨主要是通过研磨机和研磨液将晶片的表面磨平，去除切割过程中产生的缺陷和残留物。

抛光是为了得到更加光滑和平整的表面。

通常采用机械抛光或者化学机械抛光的方法。

第四步是对晶片进行腐蚀加工。

在腐蚀加工中，采用酸性溶液或者碱性溶液对晶片进行腐蚀。

腐蚀加工主要是通过改变晶体表面的形貌和化学性质来实现对晶片的加工。

腐蚀加工可以实现对晶片的去除或者表面凹凸的形成。

第五步是晶片表面的清洗。

在晶片加工过程中，会产生一些污染物和杂质，需要对晶片进行清洗。

清洗主要是采用有机溶剂、蒸馏水等去除晶片表面的污染物。

最后一步是晶片的检测和测量。

在晶体加工完成后，需要对晶片的质量进行检测和测量。

检测和测量的方法包括光学显微镜、扫描电子显微镜、X射线衍射等。

通过对晶片的检测和测量，可以评估晶片的质量和性能。

总之，晶体加工是一种将原始晶体加工成具有特定形状和性能的工艺过程。

其主要步骤包括晶体生长、切割、机械加工、腐蚀加工、清洗和检测测量。

通过合理选择和控制晶体加工的方法和条件，可以获得高质量的晶体产品。

晶体生产工艺流程
嘿，朋友们！今天咱来聊聊晶体生产工艺流程这档子事儿。

你想啊，晶体就像是大自然里藏着的小宝贝，要把它们弄出来可不容易呢！这就好比咱要从一大袋混杂的糖果里挑出自己最喜欢的那一颗，得有一套办法才行。

首先呢，得有原料呀！就像做饭得有食材一样，这原料就是晶体的“妈妈”。

这些原料得精心挑选，可不能随随便便找一些来充数。

然后呢，就是加工啦！这就好像给原料来个大变身，让它们慢慢变成我们想要的晶体的样子。

这过程可不简单，温度啦、压力啦，都得控制得恰到好处。

温度高了，晶体可能就“烧焦”啦；压力低了，晶体又长不出来，你说这得多难把握呀！
接着，就是等待啦！晶体的生长就像是小娃娃慢慢长大，得给它时间，不能着急。

在这个过程中，你得时刻关注着，就像看着自己的宝贝一样，生怕出点啥问题。

等晶体长出来啦，还得给它“梳妆打扮”一下，把那些不完美的地方修整修整。

这就好比我们出门前要整理整理头发、衣服一样，得让晶体漂漂亮亮地出来见人。

哎呀，你说这晶体生产工艺流程是不是挺有意思的？就像一场奇妙的冒险！在这个过程中，每一个环节都至关重要，一个小差错可能就会前功尽弃。

你想想看，如果没有仔细挑选原料，那长出来的晶体能好吗？如果加工的时候马马虎虎，晶体还能完美吗？这可都是环环相扣的呀！
所以说呀，晶体生产工艺流程可真是个神奇又有趣的事情呢！它需要我们的细心、耐心和智慧。

朋友们，你们觉得呢？是不是对晶体生产工艺流程有了更深的了解呀？反正我觉得挺好玩的，就像在探索一个神秘的世界一样！
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晶体工程PPT范文晶体工程是关于晶体生长与晶体结构控制的学科，包含了晶体生长理论与方法、晶体学、晶体结构与性质、晶体工艺与应用等方面的内容。

晶体工程在材料学、化学、物理学等领域具有重要的应用价值和研究意义。

本文将从晶体生长理论与方法、晶体学、晶体结构与性质以及晶体工艺与应用四个方面介绍晶体工程的相关内容。

一、晶体生长理论与方法晶体生长理论包括经典理论和非经典理论两个方面。

经典理论主要研究晶体生长的传统过程，如溶液生长、气相生长和固相生长等；非经典理论则主要研究晶体生长中的非平衡与非线性现象。

晶体生长方法主要有溶液生长、气相生长、固相生长、熔体生长、气凝胶法、光学法等。

二、晶体学晶体学研究晶体的结构、形貌、对称性等方面的内容。

晶体学主要包括晶体的对称性、构造与晶体结构的方法和晶体形态控制等。

晶体学的主要应用包括晶体生长、材料的结构控制、表面和界面分析等。

三、晶体结构与性质晶体结构与性质研究晶体结构与其性能之间的关系，包括晶体的热力学性质、力学性质、电学性质、磁学性质以及光学性质等。

晶体的结构与性质对于材料的设计与应用有重要的影响。

四、晶体工艺与应用晶体工艺主要研究将晶体材料应用于实际生产过程中的工艺方法和技术。

晶体工艺方法包括前驱体浸渍法、溶胶凝胶法、模板法、微乳液法等。

晶体材料在电子、光电、光学、生物医学等领域具有广泛的应用，如半导体器件、激光器、纳米材料、生物传感器等。

综上所述，晶体工程是一个综合性的学科，涉及晶体生长理论与方法、晶体学、晶体结构与性质、晶体工艺与应用等多个方面的内容。

通过对晶体工程的研究与应用，可以实现晶体材料的结构控制和性能调控，推动材料科学的发展。

同时，晶体工程也为材料制备和材料应用提供了重要的理论基础和实践支持。

∙晶片加工过程图解∙来源：中国IC技术交易网∙结晶晶片制造的第一步是形成大的硅单晶锭。

该过程是从在石英坩埚中熔化多晶硅原料及微量的电活性元素，如III.V 族搀杂剂开始的。

一旦熔液达到规定的温度，将硅“籽晶”放入熔液中，溶液缓慢冷却至规定的温度，开始与“籽晶”融合长大。

“籽晶”慢慢地从熔液中拉出。

用熔液温度和拉晶速度控制晶锭直径。

熔液中点活性元素的浓度决定所制成的硅晶片的电学性能。

晶锭磨削晶锭长成后，将其从单晶炉中拉出并冷却。

将晶锭磨削至规定直径。

切片用线锯将晶锭割成薄的景片。

线切割原理是：将晶锭送入由超细的，快速运动的线组成的网中。

当线快速、前后横向运动时，向线网上分配磨料液而实现切割。

在线网作用时候，单根线从一个大线轴送到另一个大线轴。

根据现径大小。

一个大线轴可绕几百公里的线。

线切割使得整支晶锭能在同时被切成片。

这样，可减少加工时间，同时使“切口”损失最小。

仿形磨削线切割后中，单个切片有尖锐的，易碎的棱。

这些棱角必须磨圆或仿行磨削，使景片具有强度。

仿行磨削归根结底防止晶片在随后的内部加工及器件制作中修理或碎裂。

磨片磨片工艺通过使用磨料液可以在晶体上去除控制数量的硅。

该工艺去除切割损伤并积极影响到晶片的平直度。

电子检测为了确认要求，采用最新粒子探测设备对晶体进行100%检测。

这些设备使用扫过晶片表面的扫描激光束。

任何出现在晶片表面上的粒子将散射在入射的激光束中。

通过测量反射光，可测定出任何粒子的数量、尺寸和位置。

抛光最后抛光和清洗工艺使晶片洁净并具有半导体器件制作所需的超平镜面抛光表面。

晶片抛光是一个化学、机械过程。

抛光使固态器件从单个电路转变到当今集成电路的复杂性。

外延对某些进一步加工成外延晶片。

外延晶片是在基本晶片基地抛光表面上长成一层薄的单晶磨膜。

晶片基体与晶片表面上的单晶硅膜表面上的单晶硅膜具有不同的充分和电学性能，其中包括，有助于改善制作在晶体硅膜表面上的电路元件之间的绝缘。

将三氯硅烷气体注入一个高温，单个切片的EPI反映炉中。