西安理工大学电力电子技术历年真题2003、2005、2007-2011汇编考研真题

电力电子技术试题集合1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。

2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。

3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。

4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波。

5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为100A安。

6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。

7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、、正反向漏电流会下降、；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、、正反向漏电流会增加。

8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。

环流可在电路中加电抗器来限制。

为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。

9、常用的过电流保护措施有快速熔断器、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。

（写出四种即可）10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º度。

11、直流斩波电路按照输入电压与输出电压的高低变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

试试卷( 9 )卷一、填空题（本题共7小题，每空1分，共20分）1、晶闸管除了在门极触发下可能导通之外，在以下几种情况下也可能被触发导通：阳极电压升高至相当高的数值造成效应；阳极电压过高；结温较高和光触发。

但只有是最精确、迅速而可靠的控制手段。

对于其它几种情况，在晶闸管的应用中要采取措施防止因其造成晶闸管误导通。

2、在PWM控制电路中，根据载波和信号波是否同步及载波比的变化情况，PWM调制方式可分为__________调制和_______调制，______调制方法克服了以上二者的缺点。

3、设DC/DC变换器的Boost电路中，E=10V，α=0.5，则U o=________。

4、整流电路中变压器漏抗对电路的影响是________ 、______、______、。

5、换流的方式有____________、_____________、____________、____________，全控型器件用_______________方式换流6、电力电子器件在实际应用中应采取的主要保护措施有：、、。

7、防止单相桥式半控整流电路失控的最有效方法是。

二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为（）A、157AB、100AC、80AD、246.5A2、下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（）。

A、P-MOSFETB、SITC、GTRD、IGBT3、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( )A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器4、在PWM逆变电路的相电压正弦波调制信号中叠加适当的3次谐波，使之成为鞍形波的目的在于（）A、消除谐波分量B、包含幅值更大的基波分量C、减少开关次数D、削弱直流分量5、带反电动势负载的电路，当晶闸管关断时负载上的电压U d为（）A、U d=0B、U d=EC、U d=E/2D、U d= – E6、若减小SPWM逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（）A、减小三角波频率B、减小三角波幅值C、减小输入正弦波控制电压幅值D、减小输入正弦波控制电压频率7、三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、交流相电压的过零点B、本相相电压与相邻相电压正半周的交点处C、比三相不可控整流电路的自然换相点超前30ºD、比三相不可控整流电路的自然换相点滞后60º8、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来（）A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9、可实现有源逆变的电路为（）。

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM 控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为___分段同步_________调制。

4、面积等效原理指的是，___冲量______相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是__MOSFET_，单管输出功率最大的是__GTO_，应用最为广泛的是__IGBT___。

6、设三相电源的相电压为U 2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为 逆变，如果接到负载，则称为 逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为___VD1_____；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为___V1____；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为__VD2_____；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为__V2_____；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为___VD1____；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（B ）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（ C ）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

考试试卷( 15 )卷一、填空题（本题共11小题，每空1分，共20分）1、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是________。

2、选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大倍，使其有一定的电压裕量。

3、当晶闸管加上正向后，门极加上适当的正向，使晶闸管导通的过程，称为触发。

4、阻感负载的特点是________，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是________5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差________，当它带阻感负载时，a的移相范围为________。

6、大、中功率的变流器广泛应用的是________触发电路，同步信号为锯齿波的触发电路，可分为三个基本环节，即________、________和________。

7、直流斩波电路中最基本的两种电路是________和________。

8、三相桥式全控整流电路，电阻性负载，当控制角时，电流连续。

9、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值。

10、逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为________，当直流侧为电流源时，称此电路为________。

11、使开关开通前其两端电压为零的开通方式称为____，它需要靠电路中的_____来完成。

二、选择题（本题共10小题，每题1分，共10分）1、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( )A、有源逆变器B、A/D变换器C、D/A变换器D、无源逆变器2、在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）A、可靠触发区B、不可靠触发区C、安全工作区D、不触发区3、关于单相桥式PWM逆变电路，下面说法正确的是（）A、在一个周期内单极性调制时有一个电平，双极性有两个电平B、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有三个电平C、在一个周期内单极性调制时有三个电平，双极性有两个电平D、在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有一个电平4、晶闸管稳定导通的条件（）A.晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流B.晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流C.晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流D.晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流5、三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。

考试试卷一、填空题（本题共17 小题，每空 1 分，共 20 分）1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有与2、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以。

3、晶闸管的导通条件是。

4、晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电压U BO在数值大小上应为U DSMU BO。

5、从晶闸管的伏安特性曲线可知，晶闸管具有的特性。

6、把晶闸管承受正压起到触发导通之间的电角度称为。

7、触发脉冲可采取宽脉冲触发与双窄脉冲触发两种方法，目前采用较多的是触发方法。

8、可控整流电路，是三相可控整流电路最基本的组成形式。

9、在三相半波可控整流电路中，电感性负载，当控制角时，输出电压波形出现负值，因而常加续流二极管。

10、三相桥式整流电路中，当控制角α＝300时，则在对应的线电压波形上触发脉冲距波形原点为。

11、考虑变压器漏抗的可控整流电路中，如与不考虑漏抗的相比，则使输出电压平均值。

12、有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回的逆变电路。

13、有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压须保证与直流电源电势E d的极性成相连，且满足14、为了防止因逆变角β过小而造成逆变失败，一般βmin 应取U d的极性必|U d|<|E d |。

，以保证逆变时能正常换相。

15、载波比 (又称频率比 )K 是 PWM 主要参数。

设正弦调制波的频率为角波的频率为 f c，则载波比表达式为K=。

f r，三16、抑制过电压的方法之一是用吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。

17、斩波器的时间比控制方式分为二、选择题（本题共10 小题，每题1、晶闸管的伏安特性是指()A、阳极电压与门极电流的关系C、阳极电压与阳极电流的关系、、三种方式。

1 分，共 10 分）B、门极电压与门极电流的关系D、门极电压与阳极电流的关系2、晶闸管电流的波形系数定义为 ()A 、 K fIdTB 、 K fI TC f=I dT T D 、K f=I dT - I T I T IdT 、 K ·I3、接有续流二极管的单相半控桥式变流电路可运行的工作象限是 () A 、第二象限 B 、第三象限 C 、第四象限 D 、第一象限4、电阻性负载三相半波可控整流电路，相电压的有效值为 U 2，当控制角 α≤ 30° 时，整流输出电压平均值等于 ( ) C 、 1.41U cos αD 、 A 、 1.17U cos α B 、 1.17U sin α2 2 21.41U 2sin α5、在大电感负载三相全控桥中，整流电路工作状态的最大移相范围是（ ）A 、60°B 、180°C 、 120°D 、90°6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关 ( )A 、α、 U 2、负载电流 I d 以及变压器漏抗 X CB 、α和 U 2C 、α以及负载电流 ID 、α、U 2 以及变压器漏抗 X C 7、单相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，在逆变角 β期间，处于换相进 行关断的晶闸管承受的电压是 ( ) A 、反向电压 B 、正向电压 C 、零电压 D 、交变电压 8、三相全控桥式有源逆变电路，晶闸管电流的有效值 I T 为( )A 、 1I dB 、1I dC 、 2I dD 、I d3339、若增大 SPWM 逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是()A 、增大三角波幅度B 、增大三角波频率C 、增大正弦调制波频率D 、增大正弦调制波幅度 10、晶闸管固定脉宽斩波电路，一般采用的换流方式是 ( )A 、电网电压换流B 、负载电压换流C 、器件换流D 、LC 谐振换流三、简答题（本题共 5 小题，每小题 5 分，共 25 分）1、 维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能由导通变为关断？（5 分）2、 要实现有源逆变，必须满足什么条件？哪些电路类型不能进行有源逆变？ （ 5分）3、 什么是直流斩波电路？分别写出降压和升压斩波电路直流输出电压源电压 U d 的关系式。

1.考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，_________损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_________调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。

.考试十二一、选择题：（本题共10小题，每小题2分，共20分）1、晶闸管的伏安特性是指( ) A.阳极电压与门极电流的关系 B.门极电压与门极电流的关系 C.阳极电压与阳极电流的关系D.门极电压与阳极电流的关系2、晶闸管电流的波形系数定义为( )A.T dTf I I K =B.dTT f I I K =C. K f =I dT ·I TD.K f =Id T -I T3、取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( ) A.转折电压B.反向击穿电压C.阈值电压D.额定电压4、单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为( )A.2U 221B.2U 2C.2U 22D.2U 65、在三相桥式不可控整流电路中，整流输出电压的平均值为( )A.22U 34.2U 63≈π或B.22U 17.1U 263≈π或C ．22U 56.1U 62≈π或D.22U 78.0U 6≈π或6、将直流电能转换为交流电能供给负载的变流器是( ) A.有源逆变器 B.A/D 变换器 C.D/A 变换器D.无源逆变器7、全控桥式变流器直流电动机卷扬机拖动系统中，当降下重物时，Ud 与Ed 的比值为( )A.1E U dd> B.1E U dd< C.1E U dd= D.0E U dd=8、三相全控桥式有源逆变电路，晶闸管电流的有效值I T 为( ).A.d I 31B.dI 31C.d I 32D.I d9、三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态的条件是( )A.3π=αB.2π<α C.4π=αD.2π>α10、触发电路中的触发信号应具有（ ） A.足够大的触发功率 B.足够小的触发功率 C.尽可能缓的前沿D.尽可能窄的宽度二、问答题：（本题共4小题，每小题5分，共20分）1、什么是控制角а？导通角θ？为什么一定要在晶闸管承受正向电压时触发晶闸管？（5分）2、什么是有源逆变？实现有源逆变的条件是什么？哪些电路可以实现有源逆变？（5分）3、为什么半控桥的负载侧并有续流管的电路不能实现有源逆变？（5分）4、用单结晶体管的触发电路,当移相到晶闸管达到某一导通角时,再继续调大导通角时,忽然晶闸管变成全关断是何原因?（5分）三、计算题：（本题共1小题，共10分）1、具有续流二极管VDR 半波可控整流电路，对发电机励磁绕组供电。

2005年硕士研究生入学考试试卷课程名称：电力电子技术（本试卷共有八道大题，满分为100分，考试时光为120分钟）一、填空题（10分，每题1分）1、某晶闸管若其断态重复峰值电压为500V，反向重复峰值电压为700V，则该晶闸管得额定电压为。

2、若流过晶闸管的电流有效值是157A，则其额定电流为。

（不考虑晶闸管的电流裕量）3、列四种电力电子器件中，属于半控型器件。

a. SCRb. GTOc. IGBTd. MOSFET。

4、三相三电平逆变器共有种工作状态。

？a. 8b. 9c. 16d. 275、获得SPWM波形的基本主意有：硬件生成法、和。

6、在采用SPWM控制的电压型逆变电路中，载波频率越高，则输出电压中的谐波频率越。

7、晶闸管交流调压电路的工作状态与负载性质。

a. 有关b. 无关8、在大电感负载可控整流电路中，换相压降ΔU d与控制角α。

a. 有关b. 无关9、可控整流电路，电阻性负载，当I d一定时，流过晶闸管的电流有效值I T随控制角α的增大而。

a. 增大b. 减小c. 不变10、下列功率器件中，最相宜于小功率、高开关频率的变换器。

a. SCRb. IGBTc. MOSFETd. GTO二、判断题，准确的划“√”，不准确的划“×”（共20分，每题2分）（注重：本题共有10个小题。

每个小题后面有4个判断，答对4个判断得2分；答对3个判断得1.5分；答对2个判断得0.5分；其它不得分）1、电力电子器件的驱动电路通常采用的隔离技术有：①磁隔离（）②电容隔离（）③电感隔离（）④光藕隔离（）2、整流变压器漏抗对整流装置的影响有：①使整流装置的功率因数下降（）②使整流装置的输出电压下降（）③使整流装置中晶闸管上流过电流的di/dt下降（）④使电网电压波形中的谐波分量减小（）3、三相半波整流电路的特点有：①整流变压器存在直流磁化（）②可用于有源逆变（）③要求触发脉冲必须为宽脉冲或双窄脉冲（）④存在失控问题（）4、晶闸管有源逆变电路：①当某个晶闸管发生故障、失去开通能力时，绝对会导致逆变失败（）②不论什么缘故导致逆变失败，其后果都会造成电流急剧增大（）③可以采用全控电路，也可以采用半控电路（）④交流侧可以与电网衔接，也可以与负载衔接（）5、Buck—Boost DC—DC变换器：①工作状态（延续或断续）是按照负载电流的情况定义的（）②在延续工作状态下，输入电流是延续的（）③传递能量的元件是电感（）④属于第一象限DC—DC变换器（）6、电压型无源逆变电路：①输出电压与负载性质无关（）②输出电流与负载性质无关（）③直流侧电流有脉动（）④上、下桥臂的控制需遵循“先断后开”的原则（）7、SPWM电压型逆变器采用同步调制，其特点有：①在调频过程中载波频率不变（）②在调频过程中载波比不变（）③低频运行时输出电压波形对称性好（）④低频运行时输出电压谐波分量较小（）8、单相晶闸管交流调压电路接电感性负载：①晶闸管通常采用宽脉冲触发（）②控制角α的移相范围是：0︒~180︒（）③当控制角α增大时，功率因数减小（）④当控制角α增大时，输出电压增大（）9、晶闸管交—交变频电路：①普通采用PWM方式工作（）②可四象限运行（）③与交—直—交变频电路相比输入侧功率因数较高（）④低频输出特性较好，相宜于低速大功率交流调速系统（）10、PWM整流器：①可四象限运行（）②功率因数可临近于±1 （）③可用于电力牵引（）④可用于太阳能并网发电系统（）三、单相全控桥式整流电路，带电阻电感反电势负载，工作在有源逆变状态。

红河学院成人高等学历教育2021学年春季学期电气工程及其自动化（2019级高起本/2020级专升本）《电力电子技术》课程期末考试试卷卷别： B考试单位：工学院 考试日期： 年 月日一、填空题(每小题2分，共20分)1.电力电子技术就是使用电力电子器件对电能进行 的技术。

2. 斩波电路的控制方式有 、频率调制型和混合型。

3. 是在开关过程前后引入谐振，使开关开通前电压先降到零，关断前电流先降到零，来降低开关损耗和减小开关噪声。

4.三相桥式全控整流电路带阻感性负载工作时，当α=0°时，其直流侧的电压谐波次数为 次。

5.为防止逆变失败，设计逆变电路时，最小取逆变角的取值范围为 。

6.逆变电路可把直流电变成交流电，当交流侧和负载连接时，称为 。

7.升压斩波电路中占空比α和升压比的倒数β之间的关系为 。

8. PWM 控制技术的重要理论基础是 。

9.交—交变频电路的输出上限频率约为 。

10.电力电子器件应用的共性问题有 、电力电子器件的保护、电力电子器件的串联和并联使用。

二、选择题(每小题2分，共20分)1.IGBT 是一种（ ）。

A.半控型器件B.电流驱动型器件C.电压驱动型器件D.不可控型器件 2.Power MOSFET 是一种（ ）。

A.单极型器件B.双极型器件C.复合型器件D.混合型器件 3.当晶闸管阳极和阴极之间承受反向电压时，不论控制极加何种极性触发电压，管子都将工作在（ ）。

A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定4.星形连接三相三线制三相交流调压电路，α=0°时，任意时刻晶闸管的导通情况是（ ）。

A.三个晶闸管导通 B. 三个晶闸管导通与两个晶闸管导通交替出现 C.两个晶闸管导通 D. 两个晶闸管导通与无晶闸管导通交替出现5.将IGBT 及其辅助器件与其保护和驱动电路进行封装集成的模块，称（ ）。

A.IPM B.IPEM C.PEBB D.PIC6.三相桥式全控整流电路，带阻感性负载工作时，若电感值极大，α的移相范围是（ ）。

西安理工大学849电力系统分析真题、典型题解析西安理工大学849电力系统分析真题、典型题解析第1讲2007年真题解析( 一 )一、填空题(每空2分，共20分)1．联结110kV和35kV网络的降压变压器的额定电压为( ) 。

【考点分析】：本题主要考察对变压器变比知识点的掌握情况。

【解题思路】：先分析题干，抓重点关键词“额定电压”。

2．有一35kV系统，容性电流超过10A时，中性点运行方式为() 。

【考点分析】：本题主要考察对中性点运行方式知识点的掌握情况。

【解题思路】：先分析题干，抓重点关键词“容性电流”。

3．若系统的节点数为n，其中PV节点数为r，在N－L潮流计算中，极坐标表示的雅克比矩阵的阶数为( )，直角坐标表示的雅克比矩阵的阶数为( ) 。

【考点分析】：本题主要考察对复杂电网潮流计算的掌握情况。

【解题思路】：先分析题干，抓重点关键词“极坐标、直角坐标”。

4．若负荷端电压为线路额定电压，则相应的自然功率为( ) 。

【考点分析】：本题主要考察对自然功率知识点的掌握情况。

【解题思路】：先分析题干，抓重点关键词“自然功率”。

5．环形网络中的循环功率与( )有关，与( )无关。

【考点分析】：本题主要考察对循环功率计算公式知识点的掌握情况。

【解题思路】：先分析题干，抓重点关键词“循环功率”。

6．当系统发生不对称故障时，凸极发电机定子绕组中将产生一系列高次谐波，其中偶次谐波产生的原因是( ) 。

【考点分析】：本题主要考察高次谐波产生原因知识点的掌握情况。

【解题思路】：先分析题干，抓重点关键词“定子绕组，偶次谐波”。

7．当中性点绝缘系统发生(两相接地)故障时，故障处非故障相电压为短路前正常电压的1．5倍。

【考点分析】：本题主要考察故障类型与电压关系知识点的掌握情况。

【解题思路】：先分析题干，抓重点关键词“非故障相电压，正常电压的1．5倍”。

8．不对称故障可以用三个相互独立的序网求解，其原因是( ) 。

ΔP i ΔP i ΔQ i ΔQ i6 u 6 u 二、分析简答题(每题 10 分)1．简述节点导纳矩阵中互导纳和自导纳的物理含义？【考点分析】：本题主要考察对节点导纳矩阵知识点的掌握情况。

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括_____和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。

2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在_________状态。

当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。

3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为_____________，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。

在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为____________调制。

4、面积等效原理指的是，_________相等而_______不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。

5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。

6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。

7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。

8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。

(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；.二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。