极大规模集成电路制造装备及成套工艺

中国科学院A类先导科技专项中国科学院A类先导科技专项和承担的国家科技重大专项简介一、A类先导科技专项战略性先导科技专项，是中科院在中国至2050年科技发展路线图战略研究基础上，瞄准事关我国全局和长远发展的重大科技问题提出的，是集科技攻关、队伍和平台建设于一体，能够形成重大创新突破和集群优势的战略行动计划。

2010年3月31日，国务院第105次常务会议审议通过中国科学院“创新2020”规划，确认中科院组织实施战略性先导科技专项，形成重大创新突破和集群优势。

1.干细胞与再生医学研究“干细胞与再生医学研究”是现代生命科学发展的前沿，2011年中科院已将其列为战略性先导科技专项之一。

战略性先导科技专项实施以来，在“细胞谱系的建立与发育调控”、“功能性细胞获得的关键技术”、“人工组织器官构建”、“干细胞应用策略的集成研究”四个项目取得的阶段性进展。

2.未来先进核裂变能中科院于2011年启动了"未来先进核裂变能"战略性先导科技专项，其中ADS嬗变系统项目和钍基熔盐堆(TMSR)核能系统项目作为其两大部署内容。

加速器驱动次临界系统(ADS,Accelerator Driven Sub-critical System),以加速器产生的高能强流质子束轰击靶—2—核(如铅等)产生散裂中子作为外源中子驱动和维持次临界堆运行,具有固有安全性。

ADS系统的中子能谱硬、通量大、能量分布宽,嬗变长寿命核素能力强,既可大幅降低核废料的放射性危害,实现核废料的最少化处置,同时还有能量输出,可以提高核资源的利用率,被国际公认为核废料处理的最有效手段。

钍基熔盐堆(TMSR)核能系统项目研究目标是研发第四代裂变反应堆核能系统，计划至2020年之前建成2MW钍基熔盐实验堆，形成支撑未来TMSR核能系统发展的若干技术研发能力,并解决钍铀燃料循环和钍基熔盐堆相关重大技术挑战,研制出工业示范级钍基熔盐堆,实现钍资源的有效使用和核能的综合利用。

附件1“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项2013年度课题申报指南二○一二年五月1.项目任务：22/20nm先导产品工艺开发项目编号：2013ZX02302项目类别：工艺研发与产业化项目目标：基于专项“十一五”支持的22纳米关键工艺项目的成果与进展，进入12英寸生产线上开发22/20nm低功耗先导产品工艺。

（1）实现2-3种引导产品的成功开发，良率达到50%以上，集成度达到4×109 /cm2；（2）研发关键设备和材料（刻蚀机、ALD、颗粒检测等）并在工艺研发中得到应用和集成;（3）研究开发新结构器件模块、高k/金属栅工艺模块、源漏工艺模块及STI模块，低温选择性SiGe外延技术、浸没式双曝光、超低k（<2.5）材料相关工艺；（4）完成整个工艺模块的集成和模型开发；（5）联合设计用户共同开展研发，建立完整的设计单元库、模型参数库和IP库，形成完善的产品设计服务体系；（6）完成可制造性设计解决方案；（7）完成针对22/20nm产品工艺技术的知识产权分析，建立知识产权共享机制。

2014年先导产品流片成功，可实现成套工艺的产业化转移及引导产品的生产，能够提供后续的工艺支持与服务，保障终端用户量产规模的持续提升。

项目承担单位要求：主承担单位要求是大型的集成电路制造企业，联合十一五“22nm关键工艺先导研究”的产学研联合体及专项先导技术研发中心共同承担。

组织实施方式：公开发布指南资金来源：中央：地方：企业=1:0.5:0.5执行期限：2013-20142.项目任务：16/14nm关键工艺研究项目编号：2013ZX02303项目类别：工艺研发与产业化项目目标：在专项“十一五”22nm关键工艺项目研发成果的基础上，开展16/14nm及以下技术代集成电路的关键核心技术研究，取得自主知识产权。

（1）研究面向16/14nm及以下技术代的新型器件结构及相关模型，如TFET、FinFET、SGT、GAA等；（2）研究关键工艺技术，如刻蚀工艺及硅表面处理、离子注入、阈值电压调整、超薄栅介质与金属栅等；（3）研究新型互连结构和互连工艺；（4）研究新概念的有产业化前景的新型存储器；（5）研究实现16/14nm技术节点的光刻技术途径；（6）研究设计与工艺的协同实现技术；（7）针对16/14nm及以下先导工艺技术的知识产权及技术发展战略开展分析研究，建立知识产权共享机制；（8）同步支持16/14nm装备和材料的研发和应用，促进先进装备、材料与工艺的协同创新。

2021年中国及各地区光刻胶行业相关政
策汇总
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。

2021年中国光刻胶行业分析报告-行业现状与投资前景研究显示，为加快推进中国光刻胶产业发展、突破“卡脖子”技术瓶颈，国家层面先后印发鼓励性、支持性政策，推动中国半导体材料产业的集聚和发展，例如；今年三月份发改委、工信部、财政部、海关总署等联合印发的关于做好享受税收优惠政策的集成电路企业或项目、软件企业清单制定工作有关要求的通知，该政策提出光刻胶生产企业入围“清单”，可享受税收优惠政策。

国家层面光刻胶行业相关政策
此外，其他省市也有有关光刻胶行业的支持政策：。

极大规模集成电路制造装备及成套工艺一、引言随着信息技术的飞速发展和智能电子设备的不断普及，集成电路技术得到了迅猛地发展，而在集成电路产业链上，制造环节又是整个链条中最具挑战性的一环。

极大规模集成电路（Very Large Scale Integration, VLSI）制造装备及成套工艺的研究、开发和生产，对于推动我国集成电路产业的快速发展具有重要的战略意义。

二、 VLSIXXX设备VLSIXXX是一家专业从事极大规模集成电路生产设备的研制和制造的企业。

VLSIXXX设备具有以下特点：1. 可靠性高VLSIXXX设备采用了特殊的材料和工艺，使其设备具有较高的可靠性，大大提高了生产效率和降低了成本。

2. 稳定性好VLSIXXX设备在设计的时候，考虑了工艺的稳定性，使其在使用过程中，操作简单，稳定性好，提高了用户使用的体验。

3. 精度高VLSIXXX设备在使用的过程中，有高精度的加工工艺，能够满足不同厂商的需求。

同时，VLSIXXX设备还可以适用于不同的工艺过程，具有较高的应用价值。

三、成套工艺要完成一整套VLSI芯片的制造需要一系列工艺流程。

工艺流程包括：晶片设计、掩模设计、晶片制造、测试、封装等各环节。

常用的成套工艺包括：1. 晶片设计晶片设计指设计芯片电路的各个组成部分，如处理器、存储器、控制器等。

晶片设计分为前端设计和后端设计两个阶段，其中前端设计是模拟层面的设计，后端设计是物理层面的设计。

2. 掩模制作掩模是晶圆制造过程中的重要环节，也是晶圆上图形的信息传输通道。

掩膜制造工序主要分为电子束曝光和接触式曝光两个工艺流程，其中每个流程都包含了测量、校正、检查等环节。

3. 晶圆制造晶圆制造包括切割、磨制、清洗等工序。

晶圆工艺流程中最核心的是光刻技术。

光刻技术是利用光学原理，在硅片表面进行图形转移的高精度工艺。

4. 接线与封装接线与封装是电路设计的最后阶段，主要工艺包括接线、填充树脂、封装、表面覆铜、焊接等多个环节。

·13·第3期莫斯科大学的研究人员研制出一种新型高分子复合材料，该材料相对于同类材料拥有良好的耐热性，且生产技术及成本具有较好的市场应用性。

目前，莫斯科大学合成的该系列材料正在巴拉诺夫中央航空发动机制造研究所、喀山图波列夫国家研究技术大学以及其它俄航空工业机构进行测试。

在莫斯科大学研制出该系列耐热高分子复合材料之前，科学界普遍认为复合材料最高能承受的温度为250摄氏度。

但莫斯科大学研制出的复合材料经测试耐受了450摄氏度的高温，其强度超过了航空铝及钛金属材料。

该复合材料的合成基于两个比较简单的聚合物：不饱和炔烃及苯与氮的化合物。

这些材料一般被用来制造橙色颜料，但这些材料的组合却能形成高强度的耐高温复合材料，也正因为原料容易获取，使得该新材料的制备成本远低于类似的具有较高硬度的复合材料。

河南科技创新动态近日，省科技厅新批准建设28个省级重点实验室,我省省级重点实验室总数达到153个。

此次批准建设的省级重点实验室涉及材料与机械工程、电子信息、化学化工、农业、医学、食品安全与资源环境、管理科学等7个领域，建设主体涵盖高校、科研院所和企业，基本实现了科研领域和创新主体的全覆盖。

此次批建的省级重点实验室具有以下特点：一是推动科技成果转化。

改变以往重点实验室重基础研究、轻成果转化的导向，新建了一批以成果转化为主要任务的省级重点实验室。

比如，依托解放军信息工程大学建设的“河南省量子信息与量子密码重点实验室”，将加强量子密码基础理论研究、核心设备研制和组网试验应用等创新成果转化的研究，使这些创新成果加速成为我省现实生产力，推动我省相关产业占领未来发展制高点。

二是注重发展民生科技。

加大对医疗卫生、生态环境等民生科技的支持力度，更多依靠科技创新提升民生福祉。

比如，依托河南大学建设的“河南省大气污染综合防治与生态安全重点实验室”，将综合运用大气科学、地理学和生态学的理论和技术体系，重点研究解决大气污染对我省经济发展和粮食安全造成的双重威胁，为打赢大气污染防治攻坚战提供技术支撑。

先进制造技术北京市重点实验室面积1500m2，设备总值4000余万元。

现有固定科研人员36人，以中青年教师为主，其中教授17人，副教授9人。

实验室主任由刘志峰教授担任，学术委员会主任为蔡鹤皋院士。

实验室工作人员中，教育部新世纪优秀人才1人，北京市特聘教授2人，长城学者1人，北京市百千万人才工程入选者1人，北京市拔尖创新人才1人。

实验室与北京装备制造业建立了长期紧密的产学研合作关系，共建了“北京智能制造创新联盟重型机床开放实验室”等4个省部级以上科技创新平台，有利促进服务北京装备制造业科技创新的水平，确保实验室的可持续发展。

以产学研用为导向，在重型机床数字化设计与制造、谐波减速器/RV 减速器研发与产业化、在线监控与故障诊断、超精密加工与装备、深海液压装备关键技术等方面的技术创新和产业推广达到国内领先水平。

研究方向与发展思路近年来，为深入贯彻“中国制造2025”战略，结合自身的科研实际，实验室确立了以极限制造、智能制造、精密制造为核心的研究方向。

今后的发展思路有如下几点：（1）以极限制造、精密/超精密制造、智能制造为核心研究领域，以高端数控装备、工业机器人和智能生产线相关技术为研究载体，面向航空航天、IC装备、高档数控机床、轨道交通等京津冀支柱性行业提供理论和技术支持；（2）通过重大科研项目锻炼培养创新人才队伍，深化校企合作科技创新平台建设；（3）通过原始创新，形成更多的具有自主知识产权的关键技术和产品，提升实验室科技竞争力。

科研成果及应用极限制造领域，承担了多项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺专项”国家科技重大专项，在器件封装/集成可靠性、工艺可靠性和TSV热机械可靠性研究、仿真模型与方法等方面积累了丰富的研究基础。

在重型数控机床关键共性技术等方面，通过校企融合持续投入，在近几年承担和完成10余项重大专项课题、北京市科委重点项目等的基础上，“高精超大尺度重型车铣复合机床精准制造关键技术及应用”获北京市科学技术奖一等奖。

一、路漫漫，群雄逐鹿，山头林立，一部跨越三十年的现代移动通信史惊心动魄上世纪70年代，贝尔实验室突破性的提出了蜂窝网络概念。

所谓蜂窝网络，就是将网络划分为若干个相邻的小区，整体形状酷似蜂窝，以实现频率复用，提升系统容量。

蜂窝网络概念解决了公共移动通信系统的大容量需求与有限的频率资源之间的冲突，并随着上世纪80年代集成电路、微处理器、计算机等技术的迅速发展，随后，世界各地移动通中国的“芯”路历程（二）­——全球视野下的我国芯片产业发展. All Rights Reserved.信网络如雨后春笋般不断涌现。

1G时代作为移动通信开天辟地的时代，群雄逐鹿，山头林立，通信标准也是五花八门。

随着人们对移动通信的要求越来越高，业界提出向2G数字时代发展，以代替1G模拟通信。

以AMPS和TACS为代表1G时代几乎被美国垄断，. All Rights Reserved.也意味着美国掌握了标准话语权和产业主动权。

不甘落后于美国的欧洲采用数字时分多址（TDMA）和码分多址（CDMA）两种技术，分别对应GSM和CDMA系统于是迎来了2G时代，一场由美国和欧洲为代表的两大利益集团之间的竞争掀起高潮。

到上世纪90年代中期，欧洲主要国家的GSM渗透率已达80%。

欧洲GSM标准迅速蔓延全球，远远把美国抛在身后。

3G时代主要有WCDMA、CDMA2000、TD-SCDMA三种标准。

1G、2G落伍，3G不能落于人后，（2） 英特尔 美国 处理器（3） 台积电 中国台湾 晶圆代工（4） SK海力士 韩国 存储芯片（5） 美光 美国 存储芯片（6） 高通 美国 通信芯片（7） 博通 新加坡 通信芯片（8） 德州仪器 美国 模拟芯片. All Rights Reserved.（9） 东芝 日本 存储芯片（10） 西部数据 美国 存储芯片二、正视差距，迎战封锁，我国制定战略推进芯片研发从低端向高端冲刺（一）中国芯片产业技术发展相关重要政策（时间 政策名称 要点）2014年6月，《国家集成电路产业发展推进纲要》到2020年，集成电路产业与国际先进水平的差距逐步缩小，全行业销售收入年均增速超过20%；到2030年，集成电路产业链主要环节达到国际先进水平，一批企手，利用核心技术垄断优势对深圳华为、中兴等我国芯片产业龙头企业进行全供应链打压。

北方华创收到2.1亿元国家科技重大专项资金
 北方华创发布公告，公司及全资子公司北方华创微电子当日收到北京市经信委通过北京电子控股有限责任公司拨付的国家科技重大专项地方政府配套资金合计20978万元。

上述政府补助预计不会影响公司2018年度税前利润总额。

 具体项目补助情况分别为：
 1、“45-32nm LPCVD设备产业化”项目
 根据“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项实施管理办公室下发的《关于02专项2011年度项目立项批复的通知》【ZX02[2011]003号】及其附件，北方华创承担了国家科技重大专项“45-32nm LPCVD设备产业化”项目，项目执行期六年（2011年-2016年）。

本次，北方华创收到地方政府配套资金2,328.00万元。

 2、“14nm立体栅等离子体刻蚀机研发及产业化”项目。

国极大规模集成电路制造装备及成套工艺随着信息技术和半导体产业的发展，大规模集成电路（VLSI）已经成为当今电子产品中不可或缺的核心组成部分。

VLSI制造和装备技术的发展水平直接影响到一个国家在半导体产业链中的地位和竞争力。

为了提高国内VLSI制造的自主能力和降低对进口设备的依赖，我国在VLSI制造装备及成套工艺方面也在不断进行研发和改革。

1. VLSI制造装备的总体需求随着智能手机、物联网、人工智能等新兴技术的快速发展，对VLSI 制造装备的需求也越来越大。

VLSI制造装备主要包括光刻机、薄膜沉积设备、等离子刻蚀设备、化学机械抛光设备以及离子注入设备等。

这些设备在半导体工艺中起着至关重要的作用，直接影响到芯片的性能和工艺的稳定性。

由于VLSI制造装备的研发和生产技术要求极高，目前我国仍然存在对进口VLSI制造装备的依赖，满足国内需求的能力有待提高。

2. 国内VLSI制造装备的发展现状在VLSI制造装备领域，国内一些企业和研究机构也在努力进行研发和生产。

然而，与国际先进水平相比，我国在VLSI制造装备领域仍然存在一定差距。

生产设备的性能、精度、稳定性和寿命方面还有待提高，尤其是在大规模生产、高性能芯片制造以及先进工艺技术方面，国内VLSI制造装备仍然面临着挑战。

3. 国内VLSI制造装备的发展趋势随着国内半导体产业的迅速发展和自主研发能力的提升，国内VLSI制造装备的发展前景也变得更加乐观。

未来，国内VLSI制造装备将朝着高性能、高精度、高稳定性和智能化方向发展。

还将会面临一些新的挑战，比如新材料的应用、环保要求的提高、工艺自动化程度的提升等。

4. 政府政策支持和产业投资促进政府在VLSI制造装备及成套工艺方面也一直给予了大力支持，鼓励国内企业加大技术研发和创新投入，提高自主生产能力。

政府还加大了对半导体产业的产业投资促进力度，鼓励外资企业在国内设立生产基地，并注重合作共赢的发展模式。

5. 国际合作与交流在VLSI制造装备领域，国际合作与交流也是非常重要的。

中国国务院于二00三年启动中长期科技发展规划的制定工作，并于二00六年完成发布《国家中长期科学和技术发展规划纲要(二00六--二0二0年)》(以下简称《规划纲要》)。

《规划纲要》确定了核心电子器件、高端通用芯片及基础软件、极大规模集成电路制造技术及成套工艺、新一代宽带无线移动通信、大型飞机、载人航天与探月工程等十六个重大专项，完成时限为十五年左右。

这16个重大专项包括：核心电子器件、高端通用芯片及基础软件，极大规模集成电路制造技术及成套工艺，新一代宽带无线移动通信，高档数控机床与基础制造技术，大型油气田及煤层气开发，大型先进压水堆及高温气冷堆核电站，水体污染控制与治理，转基因生物新品种培育，重大新药创制，艾滋病和病毒性肝炎等重大传染病防治，大型飞机，高分辨率对地观测系统，载人航天与探月工程，其中许多专项受到国内外的高度关注。

目前公布的十三个：核心电子器件、高端通用芯片及基础软件产品专项核高基重大专项的主要目标是：在芯片、软件和电子器件领域，追赶国际技术和产业的迅速发展。

通过持续创新，攻克一批关键技术、研发一批战略核心产品。

通过核高基重大专项的实施，到2020年，我国在高端通用芯片、基础软件和核心电子器件领域基本形成具有国际竞争力的高新技术研发与创新体系，并在全球电子信息技术与产业发展中发挥重要作用；我国信息技术创新与发展环境得到大幅优化，拥有一支国际化的、高层次的人才队伍，形成比较完善的自主创新体系，为我国进入创新型国家行列做出重大贡献。

极大规模集成电路制造装备与成套工艺专项“十一五”期间重点实施的内容和目标分别是：重点实现90纳米制造装备产品化，若干关键技术和元部件国产化；研究开发出65纳米制造装备样机；突破45纳米以下若干关键技术，攻克若干项极大规模集成电路制造核心技术、共性技术，初步建立我国集成电路制造产业创新体系。

新一代宽带无线移动通信网专项“十一五”期间重点实施的内容和目标分别是：研制具有海量通信能力的新一代宽带蜂窝移动通信系统、低成本广泛覆盖的宽带无线通信接入系统、近短距离无线互联系统与传感器网络，掌握关键技术，显著提高我国在国际主流技术标准所涉及的知识产权占有比例，加大科技成果的商业应用，形成超过1000亿元的产值。

02专项的主要内容
02专项，即《极大规模集成电路制造装备及成套工艺》项目，是中国科技
发展的重大专项之一，旨在提升中国集成电路制造装备和成套工艺的自主创新能力。

其主要内容包括：
1. 关键制造装备的研发和攻关：重点进行45-22纳米关键制造装备的研发
和攻关，如光刻机、刻蚀机、镀膜机等关键设备。

2. 集成电路制造工艺的研发：开发32-22纳米互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺、90-65纳米特色工艺，以及开展22-14纳米前瞻性研究。

3. 形成集成电路制造产业链：通过关键装备和工艺的研发，形成65-45纳
米装备、材料、工艺配套能力，建立完整的集成电路制造产业链。

通过02专项的实施，中国的集成电路制造产业将进一步缩小与世界先进水
平的差距，提升自主创新能力和核心竞争力。

同时，这也将为中国未来的科技发展和经济转型升级提供重要支撑。

国家重大科技专项02专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”摘要：一、引言二、国家重大科技专项02 专项简介三、极大规模集成电路制造装备及成套工艺的重要性四、我国在相关领域的发展现状五、面临的挑战与机遇六、结论正文：一、引言随着科技的飞速发展，集成电路制造技术在我国的地位日益重要。

作为国家重大科技专项02 专项的一部分，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”项目对我国集成电路产业的发展具有重大意义。

二、国家重大科技专项02 专项简介国家重大科技专项是为了实现国家科技战略目标，提高我国科技创新能力而设立的项目。

其中，02 专项主要针对极大规模集成电路制造装备及成套工艺进行研究，以满足国家在信息技术领域的需求。

三、极大规模集成电路制造装备及成套工艺的重要性极大规模集成电路制造装备及成套工艺是现代信息技术产业的基础，对我国经济、国防、民生等方面具有重大战略价值。

发展该技术不仅可以提高我国在国际竞争中的地位，还可以推动我国集成电路产业的整体发展。

四、我国在相关领域的发展现状近年来，我国在极大规模集成电路制造装备及成套工艺方面取得了一定的成绩，但与世界先进水平相比仍存在一定差距。

目前，我国在核心设备、关键材料、制造工艺等方面仍需加大研发力度。

五、面临的挑战与机遇在发展极大规模集成电路制造装备及成套工艺的过程中，我国面临着技术、人才、资金等多方面的挑战。

然而，随着国家对科技创新的重视，相关政策的扶持以及市场需求的不断扩大，我国在极大规模集成电路制造装备及成套工艺领域的发展机遇也在不断增加。

六、结论总之，发展极大规模集成电路制造装备及成套工艺是我国科技发展的重要任务。

国家重大科技专项02专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”1. 引言1.1 概述国家重大科技专项是中国政府为推动科技创新和促进国家经济发展而设立的一项资助计划。

其中，02专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”是该专项中的一个具体项目，旨在加强我国在极大规模集成电路制造装备及成套工艺方面的研发和创新能力。

本文将围绕着该专项内容展开，首先简要介绍国家重大科技专项的概况，随后详细介绍02专项的背景、目标与意义。

接着，我们将对极大规模集成电路制造装备进行定义和回顾其发展历程，并探讨该领域所面临的关键技术与挑战。

同时还会对相关研究与应用现状进行深入剖析。

另外，在本文中还将对成套工艺进行阐述。

我们将解释成套工艺的概念和特点，并探讨工艺创新在此领域中的重要性和需求。

此外，作者还会分享国内外在成套工艺研究方面取得的进展和重要成果。

最后，在文章的结尾部分中，我们将对全文进行总结，概括主要研究成果，并展望未来发展方向和前景。

1.2 文章结构本文共分为五个主要章节。

首先是引言部分，其后是专项背景介绍、极大规模集成电路制造装备、成套工艺研究与创新以及结论与展望。

每个章节都包含了若干小节，具体内容会在后续章节中详细介绍。

1.3 目的通过撰写此长文，目的在于全面介绍国家重大科技专项02专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”。

通过对该专项的背景、定义和发展历程、关键技术与挑战以及研究进展等方面进行阐述，并分享国内外在成套工艺领域的研究成果，希望能够促进我国在该领域的科技创新和产业发展。

最终，期望能够为未来该领域的发展提供一定的参考和启示。

2. 专项背景2.1 国家重大科技专项概述国家重大科技专项是指由国务院决策部署、面向我国经济社会发展中具有关键性和战略性作用的重要领域，采取统一组织、集中管理、明确目标、强化保障的科技研发项目。

这些专项旨在推动我国科技创新能力提升，促进高质量发展，推动产业结构升级与转型发展，提高国际竞争力和自主创新能力。