真空磁控溅射镀膜设备用户手册

JSD450-Ⅲ型磁控溅射镀膜机
操作步骤及规范
开机
1、打开冷水机。

设定温度：冬天10-15℃，夏天5℃
2、打开放气阀破真空，然后关闭放气阀（之后整个工作过程务必保证放气
阀均是关闭状态。

本机阀门均是逆时针打开，顺时针关闭）
3、打开总控电源
4、打开真空计（电阻单元真空范围10Pa，电离单元0.1-10-6Pa）
5、打开灯，检查镀膜腔是否关紧（观察腔四周是否有光线）
6、打开机械泵电磁阀，此时务必保证放气阀已经关闭！！！
7、打开预抽阀
8、当压强达到10Pa以下打开分子泵→运行→关闭预抽阀→完全打开插板阀工作
1、当腔内压强真空度达到要求后，打开气罐（指针调至刻度1-2之间），关
小插板阀，仪器的工作气压为1-10Pa。

2、关闭电离单元按下“自动”→电离→打开进气阀→流量计（mL/min）
3、在保持输入气体比例基本不变的条件下调节进气量或者调节插板阀使气
压处于1-10Pa，最好是5Pa，流量计开关一般在“阀控”。

4、打开射频开关“ON”观察有无起灰，若无起灰再调节功率或进气量
关机
气体流量计归零→关闭状态→关闭进气阀→关闭控气阀→关闭插板阀→关闭气瓶→射频/直流功率归零→“OFF”→温度电源归零关闭→流量计关闭→分子泵停止待转速归零→关闭开关→关闭电磁阀→关闭机械泵→放气阀打开→放完气以后关闭。

JCP-200磁控溅射/蒸发镀膜机使用说明书北京泰科诺科技有限公司2008年6月目录1.设备简介2.设备技术参数及功能3.设备环境要求4.设备安装5.设备操作及注意事项6.设备保养及维护附图1.JCP-ZZ-200B多功能磁控溅射镀膜机外形图2.磁控靶结构示意图3.基片台结构示意图4.真空系统示意图5.电器控制原理图一.设备简介JCP-200磁控溅射镀膜机以磁控溅射技术为主体（兼容蒸发镀膜技术）该设备由真空系统、镀膜室、磁控溅射靶、基片台（架）、真空系统、工作气体供给、电气控制等部分组成，主要应用于沉积金属膜、介质膜及半导体膜。

1.1.真空系统该设备采用110L/S分子泵、2L/S机械泵、前级阀真空系统。

为了尽量减小“出气”量、降低真空压强，整个系统（包括所有法兰及管道）全部采用不锈钢材料。

真空测量采用数字式复合真空计，测量范围从大气至10-5Pa，具有自身保护测量规管的功能。

真空联锁保护采用断水保护磁控靶的措施。

1.2.镀膜室镀膜室采用不锈钢柱状两层结构：上层安装旋转基片台，可手动打开，下层安装磁控溅射靶、进气装置，便于更换基片、靶材及日常维护；磁控靶装在下，基片台在上。

该方式的优点在于：防止颗粒物对膜表面的侵害。

在镀膜室的前面、侧面配有玻璃观察窗，观察其镀膜过程的状况，一旦出现非正常情况可采取应对措施。

1.3.磁控溅射靶磁控溅射靶（简称磁控靶）是该设备的核心部件，它的性能决定了沉积薄膜的质量。

按形状及用途不同可分为：圆形平面靶、矩形靶、柱状靶及S枪形靶。

该设备采用圆形平面靶，靶材尺寸为Ф50×δ4mm（2”），表面磁感应强度约为Br=400Gs。

靶电源采用Ａ２Ｋ双极性脉冲电源，可沉积金属膜、半导体膜及反应膜。

磁控靶工作原理可简述为：自由电子在阴极靶材表面正交电磁场的作用下，电子获得约400eV以上的能量并做曲线运动，运动过程中与工作气体原子（如Ar、O2、N2 、CH4……）相互碰撞形成正离子，正离子与处在负电位的阴极靶材相互作用溅射出靶材的中性粒子，这些中性粒子沉积于基片表面（阳极）形成薄膜。

磁控溅射仪操作手册一．设备开机：1.确认室内工作环境适合磁控溅射仪工作。

2.开电源。

在总闸打开的情况下，打开控制磁控溅射仪用电的设备开关②；开磁控溅射仪的电源开关。

3.等显示屏上能看见炉腔真空度开冷却循环水。

4.将空气阀开关调至半开状态,开氩气瓶，氧气瓶和氮气瓶至0.1MPa。

5.开分子泵。

显示屏进入正常模式之后，调制AUTO档点“AUTO PUMP”自动开启机械泵和分子泵。

然后仪器自动抽取分子泵待。

前级阀（Backing Valve）和高阀（Hi-Va）依次变绿开始抽取主真空室真空。

二．放样Ⅰ.进样1）在Arm@Home是绿色的情况下，点击“LL AUTO VENT”，送样室开始放气。

2）放完气之后，开送样室的大门，将放有待镀膜的样品的工件盘放入送样线的机械手上，关上送样室的大门，合上大门的开关。

3）点击“LL AUTO PUMP”（根据需要可能需要两次），开始给送样室抽取真空。

待LL AUTO PUMP由绿变红时，抽取真空完毕。

Ⅱ.送样1）点击“LL ISOLATION VALVE”,将进样室和主真空室的阀门打开即可开始送样。

2）传送样品时，将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“UP”档,逆时针转动转盘，当带有工件盘的机械手到达主真空室的对应位置。

3）将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“DOWN”档，即将工件盘送入主真空室对应工的件台上。

4）顺时针转动转盘，直至机械手移至送样室对应的部位，这时能听到进样室和主真空室的阀门关闭的响动信号，此时机械手已经归位。

三．样品清洗（AUTO模式）1.选择自动模式，依次点击“Navigate”,“AUTO CONFIGURATION”进入自动挡的电源选择界面。

2.在自动挡的电源选择界面选取偏压溅射，设置偏压溅射的参数，可以参考如下图。

设置好偏压功率，溅射时间，工件盘旋转速率，本地真空，气体流量。

3.点击“Overview”进入主界面，观察腔室的真空度，如果真空度未达到5×10-6Torr需要灌液氮辅助抽真空。

磁控溅射操作步骤（有下划线为着重注意）一、抽真空1.循环水开，总电源开2.检查所有阀门必须关闭3.总电源开4.开（2个）“镀膜室机械泵”，“样品室机械泵”5.打开（2个）35角阀，开到最大（35角阀是机械泵的开口）6.看真空显示表，开“热偶”，DL-70 镀膜室DL -90样品室7.当热偶真空计显示数（当压强﹤10pa时，关闭2个35角阀）（当压强长时间不减小时，可能是封闭不严）8.打开（2个）“镀膜室前级阀”，“样品室前级阀”9.分子泵显示，启动分子泵（2个），按绿色“运行”10.打开镀膜室和样品室闸板阀（2个）开到底（逆时针转）等到分子泵频率到稳定状态（镀膜室400Hz，样品室450HZ）11.打开真空显示窗中的“电离”（2个）两室工作时压强都要达到5.0×10-4pa，真空度最高可达：镀膜室6.0×10-6pa。

二、镀膜1.通气体前，关闭真空显示计“电离”开关2.打开射频匹配器开关，进行预热3.打开16进气阀，开一圈，看显示计示数变化，要求气体流入时，气压平衡增大，不能大于100pa4.打开蓝色Ar气的截止阀，开一圈5.打开流量控制电源“开关”，打开Ar流量的“阀控”，旋转调节旋钮，顺时针旋转，至示数20（30）6.打开Ar气瓶开关阀，控制输出气压0.1～0.2Pa之间7.调节镀膜室的真空度，关（镀膜室）闸板阀（顺时针转是关），转到最后时微调，看显示器热偶的数字达到要求（0.5～5Pa）（注意：气压显示会出现延迟，并且溅射开始时气压可能还会变化，故溅射时应注意气压的大小要与设定的数据一致）8.射频匹配器打开一段时间后，预热好则Ua的红灯亮9.再打开Ua的绿灯开关，调节“Ua粗调”至20，观察SWR仪表，调C2、C1旋钮，使REFLECTED指针到“0”，则可发生辉光放电。

先调C2使指针至最小值，再调C1使指针至最小值，如此反复至指针为“0”10.预溅射10分钟左右，打开样品台控制电源，按“启动”，样品台开始旋转。

磁控溅射仪操作手册一．设备开机：1.确认室内工作环境适合磁控溅射仪工作。

2.开电源。

在总闸打开的情况下，打开控制磁控溅射仪用电的设备开关②；开磁控溅射仪的电源开关。

3.等显示屏上能看见炉腔真空度开冷却循环水。

4.将空气阀开关调至半开状态,开氩气瓶，氧气瓶和氮气瓶至0.1MPa。

5.开分子泵。

显示屏进入正常模式之后，调制AUTO档点“AUTO PUMP”自动开启机械泵和分子泵。

然后仪器自动抽取分子泵待。

前级阀（Backing Valve）和高阀（Hi-Va）依次变绿开始抽取主真空室真空。

二．放样Ⅰ.进样1）在Arm@Home是绿色的情况下，点击“LL AUTO VENT”，送样室开始放气。

2）放完气之后，开送样室的大门，将放有待镀膜的样品的工件盘放入送样线的机械手上，关上送样室的大门，合上大门的开关。

3）点击“LL AUTO PUMP”（根据需要可能需要两次），开始给送样室抽取真空。

待LL AUTO PUMP由绿变红时，抽取真空完毕。

Ⅱ.送样1）点击“LL ISOLATION VALVE”,将进样室和主真空室的阀门打开即可开始送样。

2）传送样品时，将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“UP”档,逆时针转动转盘，当带有工件盘的机械手到达主真空室的对应位置。

3）将控制进样的“UP-DOWN”开关调到“DOWN”档，即将工件盘送入主真空室对应工的件台上。

4）顺时针转动转盘，直至机械手移至送样室对应的部位，这时能听到进样室和主真空室的阀门关闭的响动信号，此时机械手已经归位。

三．样品清洗（AUTO模式）1.选择自动模式，依次点击“Navigate”,“AUTO CONFIGURATION”进入自动挡的电源选择界面。

2.在自动挡的电源选择界面选取偏压溅射，设置偏压溅射的参数，可以参考如下图。

设置好偏压功率，溅射时间，工件盘旋转速率，本地真空，气体流量。

3.点击“Overview”进入主界面，观察腔室的真空度，如果真空度未达到5×10-6Torr需要灌液氮辅助抽真空。

磁控溅射沉积系统用户手册声明：感谢您购买中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司（以下简称沈阳科仪公司）的设备，请您在使用该设备之前认真阅读本说明书，当您拿到该说明书时，请认真阅读以下声明。

如不接受本声明，请立即与本公司联系，否则视为全部接受本声明。

1.本说明书所有内容，未经沈阳科仪公司书面同意，任何人均不得以任何方式（复制、扫描、备份、转借、转发、转载、上传、摘编、修改、出版、展示、翻译成其它语言、传播以及任何其它方式）向第三方提供本说明书的部分或全部内容。

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4.关于知识产权，请严格遵守知识产权保护的相关法律法规。

5.本说明书解释权归中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司所有。

保护知识产权、促进创新发展；运用知识产权、发展知识经济；打击盗版侵权、繁荣文化事业；保护知识产权、激励自主创新；加强知识产权保护、规范市场经济秩序；保护知识产权从你我做起！人人应该做到这样！前言：首先感谢购买我们的设备，本着对您负责的精神，并为了确保给您提供最优质的售后服务，特别为您准备了本手册，请您耐心读取相关信息。

您的义务请您在使用过程中，将发生故障的操作步骤填写在用户反馈问题清单中，我们将参考此表内容尽我们最大的能力在最短的时间内完成维修。

如何使用本手册如果您是初次使用该设备，那么您需要通读用户手册。

如果您是一位有经验的用户，则可以通过目录查找相关信息。

本手册涉及的字体及符号说明：字体的大小直接反应父、子关系，符号说明见下表：符号指示性说明代表意义➢描述性说明没有先后顺序之分，是比❑和■高一级目录❑详细描述性说明没有先后顺序之分■详细描述性说明有先后顺序之分提示性说明有利于深刻认识系统，并且可以避免不必要的故障发生警告性说明必须严格遵守的内容，否则会发生严重事故目录绪言 (1)一、系统简介 (1)1、概述 (1)2、工作原理以及技术指标 (2)工作原理： (2)技术指标： (2)3、系统主要组成 (3)溅射真空室组件： (3)上盖组件： (4)真空获得和工作气路组件： (5)安装机台架组件： (7)4、设备安装 (7)安装尺寸： (7)配套设施： (7)二、系统主要机械机构简介 (8)1、磁控溅射靶组件 (8)2、单基片加热台组件 (9)3、基片加热公自转台组件 (10)4、基片挡板组件 (11)三、操作规程： (11)1、开机前准备工作 (11)2、开机（大气状态下泵抽真空） (12)启动总电源： (12)大气状态下溅射室泵抽真空： (12)3、溅射室处于真空状态时抽真空： (13)4、工作流程： (13)➢装入样品： (13)➢磁控溅射镀膜： (14)5、靶材的取出和更换: (15)6、停机： (16)四、电源及控制 (16)分类： (17)供电要求： (17)使用说明 (18)电控单元使用说明： (19)五、注意事项 (20)1、安全用电操作注意事项: (20)2、操作注意事项： (21)六、常见故障及排除 (22)七、紧急状况应对方法 (23)1、突然断电 (23)2、突然断水 (24)3、出现严重漏气 (24)八、用户反馈问题清单 (25)九、维护与维修 (26)绪言磁控溅射沉积系统是高真空多功能磁控溅射镀膜设备。

磁控溅射仪操作步骤（C114）1.溅射前检查设备各电源连接是否正常；各开关是否置于“关”的位置；各旋转按钮是否归零；各个阀门有没有关闭。

2.开水泵给设备送水（室外放置）。

3.开启总电源送电（西墙电源盒左下角的上下开关）。

4.开腔、取样、放样1)调靶位至最高位置2)开溅射仪设备总电源3)降下样品库4)打开放气阀（听不到进气声后，再停1分钟左右升起上盖）5)升起上盖、取样、换样；降下上盖，关闭放气阀（一定记得关闭！！）5.抽真空6)启动机械泵7)打开CF35角阀8)打开分子泵总电源（预热）9)打开热偶计10)热偶计读数在5Pa左右，关闭角阀11)打开分子泵前级阀（旁抽阀Ⅱ），抽1-2分钟左右12)按下分子泵“启动”按钮13)分子泵转速高于100后，开启闸板阀（缓慢开启，至全开）14)打开电离计，真空度达到所需气压值，记下基底气压值，准备溅射6.充Ar气16)调靶位17)打开所需要的电源（预热）和冷水增压泵A：流量计电源、样品台电源、挡板电源；B：灯丝电源（射频溅射）、排风扇+励磁电源+直流电源Power（直流溅射）18)关闭电离真空计（溅射期间不可打开电离真空计！）19)关闭闸板阀27~28圈20)打开热偶计21)打开Ar瓶、减压器旋钮，打开混气阀（缓慢开启，观察气压）22)流量计拨到“阀控”，设定电位器（缓慢调节，气压读数有滞后）7.溅射23)检查Ua粗、细调是否置0，功率量程是否200W打开靶Ⅱ24)开启射频按钮“On”（进气后灯丝预热基本结束）25)先调Ua粗调，后调细调，同时调节C1、C2，观察输出功率和反射功率指针读数（反射Pf接近0）26)观察是否有自偏压起辉（*若不起辉，开挡板或增大气压值）23)打开靶Ⅱ（开/关），调整励磁电流（1.6A）24)按蓝色按钮“SETPT”,调Level设定所需功率25)按下OUTPUT的蓝色“On”挡（开始处于Off档），使其起辉26)打开“Right Display”的Autual,查看工作功率、工作电压和工作电流（*如不起辉，开挡板或者增大气压或者增大励磁电流或者增大功率）27)预溅10~30分钟起辉稳定后，打开样品台“正转/反转”按钮，旋钮旋至2.5圈以上，打开样品挡板，立即计时。

磁控溅射镀膜机使用说明磁控溅射镀膜机是一种广泛应用于材料科学、电子制造领域的设备，通过磁控溅射技术，可以在各种基底材料上沉积一层或多层金属、非金属或半导体薄膜。

该设备主要由真空室、磁控溅射源、进样室、控制系统等部分组成。

（1）确认电源连接正常，检查真空泵、冷却循环水等设备是否正常工作。

（2）打开真空室门，将基底材料放置在样品台上。

（3）关闭真空室门，启动真空系统，将室内抽至高真空状态。

（4）打开磁控溅射源，进行预溅射清洗靶材。

（5）调整工艺参数，如溅射功率、时间、气压等，开始进行溅射镀膜。

（6）镀膜过程中，监控各种参数，如气压、电流、功率等，确保设备正常运行。

定期检查和维护设备部件，如真空泵、冷却循环水系统等。

避免在镀膜过程中触摸设备内部部件，以免造成人身伤害。

如遇设备故障或异常情况，请立即停机检查，并专业人员进行维修。

保持设备清洁和整洁，定期进行清洁和维护。

磁控溅射镀膜技术的研究始于20世纪70年代，最初是为了满足空间电子器件对抗辐射损伤的需求。

随着科技的发展，磁控溅射镀膜技术的应用领域越来越广泛，然而也存在一些问题，如薄膜应力大、耐磨性差等，需要进一步研究和改进。

磁控溅射镀膜技术的基本原理是利用磁场控制下的电场放电，使靶材表面上的原子或分子被激发后沉积到基材表面，形成一层薄膜。

具体工艺过程包括：真空泵抽气、加热靶材、加磁场、加电场、溅射沉积等步骤。

该技术的特点在于沉积速度快、薄膜质量高、适用范围广等。

磁控溅射镀膜技术在光电领域的应用主要是在太阳能电池上制备减反射膜和抗反射膜。

在光学领域，磁控溅射镀膜技术可以用来制备各种光学薄膜，如增透膜、反射膜、滤光片等。

在电子领域，磁控溅射镀膜技术可以用来制备各种电子薄膜，如半导体薄膜、绝缘薄膜、导电薄膜等。

未来，磁控溅射镀膜技术的发展趋势主要体现在以下几个方面：一是进一步完善磁控溅射镀膜技术的工艺参数，提高薄膜的质量和性能；二是研究磁控溅射镀膜技术在新型材料制备中的应用，如纳米材料、石墨烯等；三是探索磁控溅射镀膜技术在生物医学、环境治理等领域的应用可能性。

本文部分内容来自网络整理，本司不为其真实性负责，如有异议或侵权请及时联系，本司将立即删除！== 本文为word格式，下载后可方便编辑和修改！ ==磁控溅射说明书篇一：溅射台说明书超高真空磁控溅射设备使用说明书沈阳奇汇真空技术有限公司一设备简介该设备是用于在真空状态下进行磁控溅射试验的科学仪器。

设备的密封采用金属密封与氟胶圈密封相结合的方式，电极采用陶封技术，运动采用金属焊接波纹管结构。

设备整体用优质不锈钢制造，系统可靠，运动灵活，定位准确。

1 设备的主要结构及介绍设备按外观结构可分为三部分，磁控溅射室、磁控靶、工作台如图（一）2.1磁控溅射室磁控溅射室由加热水冷样品架、真空获得及测量系统等组成。

如图（二）。

2.1.1 加热及其水冷样品台加热样品台安装在磁控溅射室的上方，采用陶瓷炉盘及高温炉丝盘制而成，升温与降温速度快，温度均匀性良好。

可加热到600℃，长时间在500℃条件下工作，控温精度±2℃。

水冷样品台可以和加热样品台更换使用，安装在磁控溅射室上方，采用不锈钢焊接而成，冷却效果良好。

（如图三）加热样品台（图三）水冷样品台2.1.2真空获得系统由2X—4B机械泵1台，620C分子泵（中科科仪KYKY 620C）1台，上海三井的100L离子泵一台，K-100扩散泵一台，CF150超高真空闸板阀1台，CF100超高真空闸板阀1台，CF35超高真空角阀1只。

通断蝶阀一只，KF40电磁真空阀3只，Ф32金属波纹管路3段，(总长6.5米)构成。

详见配套部分的《插板阀说明书》《110A分子泵说明书》《2XZ-4B机械泵使用说明书》，《三井离子泵使用说明书》2.1.3真空获得系统真空测量系统由测量规管和超高真空真空计组成。

该机配有KF电阻规、超高真空金属电离规。

详见《正华真空计说明书》。

2.2 磁控靶3寸磁控溅射靶，靶体采用无氧铜加工而成，无磁力干扰，磁场部分模拟，提高靶材利用率，内置水冷结构，保证靶材使用寿命，水冷结构特殊设计，抗污染能力强（建议还是要使用纯净水，水中的杂质太多，大大的缩短靶水道清洗的周期。

真空磁控溅射镀膜控制系统用户手册2008-07-09V1.1目录1.系统简述 (4)1.1真空系统 (4)1.2 传送系统 (4)1.3 加热系统 (4)1.4 溅射电源 (4)1.5 冷却水 (4)1.6 工艺气路 (5)2.系统供电 (5)2.1 柜体通电前检查 (5)2.2 现场设备通电前检查 (5)2.3 电源送电顺序 (5)2.3.1 PLC控制柜 (5)2.3.2 电加热柜 (6)2.3.3 泵组柜 (6)3.PLC运行程序 (6)3.1 环境模式 (7)3.2 工作模式 (7)3.3 安全连锁 (9)3.4 系统报警 (10)4.上位机软件操作 (12)4.1 上位机画面 (12)4.1.1 介绍 (12)4.1.1.1 图例 (12)4.1.2总貌 (14)4.1.3 真空 (15)4.1.4 传动 (17)4.1.5加热 (19)4.1.6 参数设定 (21)4.1.7 溅射电源 (23)4.1.8 控制模式 (25)4.1.9 分子泵使能操作 (27)4.1.10 历史报警 (28)4.1.11 框架信息 (29)4.1.12运行注意事项 (30)4.1.12.1 开机注意事项 (30)4.1.12.1 停机注意事项 (31)5. 工程维护 (31)5.1 传输设置 (31)5.1.1 传输工程文件 (32)5.2 WINGP运行 (33)6.变量地址表 (34)TFT系统需要实现玻璃在真空环境下自动化的连续镀膜，生产线布置为“回”字型矩形结构，生产线划分为4个区，位于生产线左右侧的上片区和下片区，位于上下片平台间的工艺区和回传区，其中呈”->”方向移动的区域为工艺区，呈”<-“方向移动的区域为回送区。

TFT控制系统实现对生产过程中的真空、加热、传动、电源、冷却水、工业气体在镀膜过程中的连续控制。

1.1真空系统真空系统设备集中于真空室区域，由抽气设备（机械泵、罗茨泵、分子泵）检测设备（PG 表，CG表）、安全阀（分子泵前蝶阀、机械泵罗茨泵间自吸阀、管道阀和破空阀）；通过机械泵 ->罗茨泵->分子泵接力抽气，将腔室内压力由大气变为真空，并在生产过程中保持适合生产的真空环境；1.2 传送系统传送系统共24台操作电机，上下片平台各4台，工艺区11台，回传区5台传动电机，除上下片平台各有2台电机可实现双向传动外，其余电机均为单向传动；其中除M3 –M9 可以通过端子通断和模拟量信号协同控制电机转速外，其余电机的传动速度由端子通断直接控制；1.3 加热系统加热系统共66台，在连续生产过程中，逐段加热工艺区腔室内的温度，以确保在玻璃在镀膜过程中的环境温度，加热系统进行PID运算，通过固态继电器的电压脉冲控制加热器的加热频率；1.4 溅射电源在工艺区有4个溅射室，室内配置MF中频溅射电源和DC直流溅射电源，通过电源产生的高电压电离气体分子；1.5 冷却水机械泵、分子泵、溅射电源冷却管路安装有压力检测设备，通过水流开关检测冷却水压力是否符合设备冷却的要求；1.6 工艺气路气路由供气管道，流量计和切断阀组成；2.1 柜体通电前检查➢柜间连接线校核；➢所有断路器，熔断器处于断开状态；➢检查泵组柜，电加热柜一次主排、母排绝缘和是否短路；➢检查泵组柜，PLC柜，电加热柜，电源柜是否短路；2.2 现场设备通电前检查➢电缆接线的校核；➢接线的电源电压等级是否与设备匹配；➢机械泵，罗茨泵，传动电机通电前进行三相对地绝缘（电阻>0.5M欧）测试；➢其它现场设备是否有短路现象，例如分子泵，阀门等；➢控制回路的功能测试；2.3 电源送电顺序2.3.1 PLC控制柜➢传动控制柜PLC模块电源供电(220V)QF51->SB54（面板）->QF81;➢PLC控制柜及PLC模块触摸屏供电(220V)QF51->SB54（面板）->QF82;➢检修插座供电(220V)QF51->SB54（面板）->QF86;➢传动控制柜I/O模块供电(24V)QF51->SB54->QF71->QF74;➢PLC控制柜I/O模块供电(24V)QF51->SB54->QF71->QF71.1;➢流量计供电(±15V)QF51->SB54->QF61;➢温度控制器供电(24V)QF51->SB54->QF64->QF64.1;➢中频/直流控制电源(24V)QF51->SB54->QF64->QF66;➢阀门，机械泵气镇，油镇供电(24V)QF51->SB54->QF84->QF84.1;➢光电开关及真空计电源(24V)QF51->SB54->QF84->QF85;传动电机供电(380V)QF51(泵组控制柜)-->QF165(泵组控制柜)-->(QF52-QF311)2.3.2 电加热柜➢电加热供电(220V)QF51(泵组控制柜)->QF166(泵组控制柜)->(QF54~QF185)2.3.3 泵组柜➢机械泵供电(380V)QF51->QF111(进片室)QF51->QF114(工艺区)QF51->QF116(出口室)➢罗茨泵供电(380V)QF51->QF112(进片室)QF51->QF115(工艺区)QF51->QF118(出口室)➢分子泵供电(380V)QF51->(QF111-QF162)➢中频溅射电源供电(380V)QF411->(QF412-QF416)直流溅射电源供电(380V)QF411->(QF421-QF432)3.PLC运行程序PLC程序采用三菱GX Works2 1.31H开发。

磁控溅射镀膜机使用说明
1、检查水箱液面高于冷却管，三相电指示灯，出气管放到窗外。

（推荐用纯净水）
2、放样品
a、打开放气阀，打开侧门，关闭放气阀。

（或看真空计示数）
b、升顶盖
c、放靶材，放样品，用万用表检查靶材与外壳是否短路
d、降顶画，关侧门
3、抽真空
a、手按住侧门，开机械泵，开电磁阀，开预抽阀
b、清洗Ar气管，将Ar气减压阀关闭（逆时针），将Ar气开关打向（D08－1F）清洗，示数降为零（0.1－0.2）打到关闭，打开Ar气瓶上减压阀0.2Mpa
c、当气压计小于5pa，开分子泵（先合上电源，再按运行，运行一段时间后自动停止），关预抽阀，开抽板阀
d、烘烤（约半小时），关烘烤（未做）
e、等待真空至要求值。

4、溅射
关小抽板阀，打开Ar气开关至阀控，流量设置为要求值（文献），调节抽板阀令腔内气压至工作气压（文献Ar气压）20pa
打开偏压电源（直流），打开基底挡板，清洗基底（清洗完关基底挡板）。

恒电流：
打开射频电源，调节功率至要求值，打开靶材挡板，开始溅射。

射频电源要令Pr尽可能至零（调节LOAD，TUNE调占空比）。

打开基底挡板，开始溅射。

5、停机
溅射完，关射频电源off,流量调至0，关Ar气至关闭，打开抽板阀，抽真空1小时。

关抽板阀，关分子泵（先按STOP，一直到示数为0，再关闭电源），关电磁阀，关机械泵。

6、关气瓶（主）
注意：
1、不允许真空状态下，打开顶盖升降。

2、不允许分子泵，运行时，打开充气阀。

3、Ar气减压阀，一定逆时针关闭后才能清洗Ar气管。

磁控溅射仪使用说明一、放入样品1、在仪器关闭前提下，缓慢开启V5对进样室进行放气至听不到V5进气声音；2、打开进样室观察窗口，将样品放在样品托上后，将样品托放入进样室内样品架上；3、关闭观察窗口，旋紧螺母；4、关闭V5。

二、开机1、溅射室暴露大气后开机法：1)开循环水电源、阀门；2)开总控电源，确认电源指示灯正常；3)打开G2，开主溅射室机械泵R1，缓慢打开旁抽阀V4；4)当低真空计示数都<30Pa时，关闭V4、G2；5)开机械泵R2，电磁阀DF；6)启动分子泵（进样室－工作，溅射室－启动）；7)打开闸板阀G1、G3。

2、溅射室未暴露大气开机法：1）开循环水电源、阀门；2）开总控电源，确认电源指示灯正常；3）开主溅射室机械泵R1，缓慢打开旁抽阀V4；4）当低真空计进样室示数<30Pa时，关闭V4；5）开机械泵R2，电磁阀DF；6）启动分子泵（进样室－工作，溅射室－启动）；7）打开闸板阀G1、G3。

三、关机1）关闭两个高真空计（溅射室－按“电源”键，进样室按“复合”键）；2）关闭两个闸板阀G1、G3；3）给分子泵降速（进样室分子泵－按“工作”键，溅射室分子泵－按“停止”键）4）进样室分子泵频率降至50Hz后关闭机械泵R2；溅射室分子泵频率降至50Hz时依次关闭电磁阀DF、机械泵；5）分子泵频率降至0Hz后，关闭其电源；6）关闭总电源、冷却水电源、阀门。

四、溅射实验1、溅射实验1）确认高真空计关闭；2）从真空室到气瓶方向开阀（不包括气瓶阀门）；3）打开气瓶高压阀，调节低压阀至低压表示数为1-2个大气压；4）把流量计打到阀控档，调节进气旋钮进行流量调节；5）通过调节闸板阀G1控制起辉压强（3-5Pa）；6）用直流电源起辉直接调功率；溅射电源必须预热3-5分钟；7）调节相应功率计的C1和C2使入射功率最高，反射功率最低。

2、试验结束1）把功率调到0点；2）把闸板阀打开；3）关闭气瓶高压阀；4）把流量计打倒清洗档至高、低压表示数都为0时，关闭低压阀；5）从气瓶到溅射室顺序关气。

磁控溅射镀膜操作流程下载温馨提示:该文档是我店铺精心编制而成，希望大家下载以后，能够帮助大家解决实际的问题。

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1. 准备工作。

清洁镀膜基底，去除氧化层和其他污染物。

磁控溅射沉积系统用户手册声明：感谢您购买中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司（以下简称沈阳科仪公司）的设备，请您在使用该设备之前认真阅读本说明书，当您拿到该说明书时，请认真阅读以下声明。

如不接受本声明，请立即与本公司联系，否则视为全部接受本声明。

1.本说明书所有内容，未经沈阳科仪公司书面同意，任何人均不得以任何方式（复制、扫描、备份、转借、转发、转载、上传、摘编、修改、出版、展示、翻译成其它语言、传播以及任何其它方式）向第三方提供本说明书的部分或全部内容。

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2.本说明书仅供使用者参考，可作为使用者所在公司学习、培训的内部资料。

3.本说明书所详述的内容，不排除有误或遗漏的可能性。

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4.关于知识产权，请严格遵守知识产权保护的相关法律法规。

5.本说明书解释权归中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司所有。

保护知识产权、促进创新发展；运用知识产权、发展知识经济；打击盗版侵权、繁荣文化事业；保护知识产权、激励自主创新；加强知识产权保护、规范市场经济秩序；保护知识产权从你我做起！人人应该做到这样！前言：首先感谢购买我们的设备，本着对您负责的精神，并为了确保给您提供最优质的售后服务，特别为您准备了本手册，请您耐心读取相关信息。

您的义务请您在使用过程中，将发生故障的操作步骤填写在用户反馈问题清单中，我们将参考此表内容尽我们最大的能力在最短的时间内完成维修。

如何使用本手册如果您是初次使用该设备，那么您需要通读用户手册。

如果您是一位有经验的用户，则可以通过目录查找相关信息。

本手册涉及的字体及符号说明：字体的大小直接反应父、子关系，符号说明见下表：符号指示性说明代表意义➢描述性说明没有先后顺序之分，是比❑和■高一级目录❑详细描述性说明没有先后顺序之分■详细描述性说明有先后顺序之分提示性说明有利于深刻认识系统，并且可以避免不必要的故障发生警告性说明必须严格遵守的内容，否则会发生严重事故目录绪言 (1)一、系统简介 (1)1、概述 (1)2、工作原理以及技术指标 (2)工作原理： (2)技术指标： (2)3、系统主要组成 (3)溅射真空室组件： (3)上盖组件： (4)真空获得和工作气路组件： (5)安装机台架组件： (7)4、设备安装 (7)安装尺寸： (7)配套设施： (7)二、系统主要机械机构简介 (8)1、磁控溅射靶组件 (8)2、单基片加热台组件 (9)3、基片加热公自转台组件 (10)4、基片挡板组件 (11)三、操作规程： (11)1、开机前准备工作 (11)2、开机（大气状态下泵抽真空） (12)启动总电源： (12)大气状态下溅射室泵抽真空： (12)3、溅射室处于真空状态时抽真空： (13)4、工作流程： (13)➢装入样品： (13)➢磁控溅射镀膜： (14)5、靶材的取出和更换: (15)6、停机： (16)四、电源及控制 (16)分类： (17)供电要求： (17)使用说明 (18)电控单元使用说明： (19)五、注意事项 (20)1、安全用电操作注意事项: (20)2、操作注意事项： (21)六、常见故障及排除 (22)七、紧急状况应对方法 (23)1、突然断电 (23)2、突然断水 (24)3、出现严重漏气 (24)八、用户反馈问题清单 (25)九、维护与维修 (26)绪言磁控溅射沉积系统是高真空多功能磁控溅射镀膜设备。

全自动真空离子镀膜机操作手册地址：中国广东省潮州市潮安区凤塘镇创高真空 备工艺厂电话：+86－0768*******+86－0768*******第一打开择需作系一章：用开控制电源需要用的用系统。

用户登陆源后，触用户名，在陆画面说明摸屏启动在密码窗明动进入止画口输入相画面。

在“应的密码“用户名”码后点击确下拉菜单确定键进入点单的单选入操击下拉菜单选择相应用户名输入相应的密码报警显示示设备冷却开关压缩空气开关工关工件加热开关工件加热关热时间设置镀膜计延时计数时关机时间设设置工艺选择择输入手动设置跳至当前工动镀膜气体置曲线画第五工五章：工工艺层数 度工艺参数数设置画面气号面说明体编号说明工艺状态显示延时开源时间设弧电设置氩气输入框此层镀膜第六本画绿色六章：IO 画面显示色代表此O 监控画示PLC 的此IO=ON画面说明的输入输出N出状态，红色代代表此IO ＝OFF第七章：开机步骤说明1、打开控制柜上主断路器2、打开控制电源开关后等待触摸屏启动3、选择相应用户名称4、输入相应用户密码后点击“确定”进入系统画面5、点击“功能画面”6、打开“冷却水泵”开关后返回系统画面7、打开维持泵开关8、打开扩散泵开关9、检查设备冷却水、压缩空气是否正常，等待扩散泵温度达到90摄氏度以上。

10、打开弧电源的总电源开关和气瓶开关12、打开“滑阀泵”13、设定好需要的工艺参数并选择14、打开“系统自动开关”和“镀膜自动”15、装好工件后关闭大门开始粗抽直到充气完成后开门取出工件第七章：关机步骤说明1、“系统自动”和“系统手动”开关关闭2、关闭弧电源的总电源开关3、关闭滑阀泵和扩散泵4、点击“功能画面”设定好自动关机时间（一般是120分钟）5、打开“自动关机”功能开关6、达到设定的时间后系统自动关闭“维持泵”和“冷却水泵”7、关闭总电源。

真空磁控溅射镀膜控制系统用户手册2008-07-09V1.1目录1.系统简述 (4)1.1真空系统 (4)1.2 传送系统 (4)1.3 加热系统 (4)1.4 溅射电源 (4)1.5 冷却水 (4)1.6 工艺气路 (5)2.系统供电 (5)2.1 柜体通电前检查 (5)2.2 现场设备通电前检查 (5)2.3 电源送电顺序 (5)2.3.1 PLC控制柜 (5)2.3.2 电加热柜 (6)2.3.3 泵组柜 (6)3.PLC运行程序 (6)3.1 环境模式 (7)3.2 工作模式 (7)3.3 安全连锁 (9)3.4 系统报警 (9)4.上位机软件操作 (11)4.1 上位机画面 (11)4.1.1 介绍 (12)4.1.1.1 图例 (12)4.1.2总貌 (13)4.1.3 真空 (14)4.1.4 传动 (16)4.1.5加热 (19)4.1.6 参数设定 (21)4.1.7 溅射电源 (23)4.1.8 控制模式 (25)4.1.9 分子泵使能操作 (27)4.1.10 历史报警 (28)4.1.11 框架信息 (29)4.1.12运行注意事项 (30)4.1.12.1 开机注意事项 (30)4.1.12.1 停机注意事项 (31)5. 工程维护 (31)5.1 传输设置 (31)5.1.1 传输工程文件 (32)5.2 WINGP运行 (33)6.变量地址表 (33)1.系统简述TFT系统需要实现玻璃在真空环境下自动化的连续镀膜，生产线布置为“回”字型矩形结构，生产线划分为4个区，位于生产线左右侧的上片区和下片区，位于上下片平台间的工艺区和回传区，其中呈”->”方向移动的区域为工艺区，呈”<-“方向移动的区域为回送区。

TFT控制系统实现对生产过程中的真空、加热、传动、电源、冷却水、工业气体在镀膜过程中的连续控制。

1.1真空系统真空系统设备集中于真空室区域，由抽气设备（机械泵、罗茨泵、分子泵）检测设备（PG 表，CG表）、安全阀（分子泵前蝶阀、机械泵罗茨泵间自吸阀、管道阀和破空阀）；通过机械泵->罗茨泵->分子泵接力抽气，将腔室内压力由大气变为真空，并在生产过程中保持适合生产的真空环境；1.2 传送系统传送系统共24台操作电机，上下片平台各4台，工艺区11台，回传区5台传动电机，除上下片平台各有2台电机可实现双向传动外，其余电机均为单向传动；其中除M3 –M9 可以通过端子通断和模拟量信号协同控制电机转速外，其余电机的传动速度由端子通断直接控制；1.3 加热系统加热系统共66台，在连续生产过程中，逐段加热工艺区腔室内的温度，以确保在玻璃在镀膜过程中的环境温度，加热系统进行PID运算，通过固态继电器的电压脉冲控制加热器的加热频率；1.4 溅射电源在工艺区有4个溅射室，室内配置MF中频溅射电源和DC直流溅射电源，通过电源产生的高电压电离气体分子；1.5 冷却水机械泵、分子泵、溅射电源冷却管路安装有压力检测设备，通过水流开关检测冷却水压力是否符合设备冷却的要求；1.6 工艺气路气路由供气管道，流量计和切断阀组成；2.系统供电2.1 柜体通电前检查柜间连接线校核；所有断路器，熔断器处于断开状态；检查泵组柜，电加热柜一次主排、母排绝缘和是否短路；检查泵组柜，PLC柜，电加热柜，电源柜是否短路；2.2 现场设备通电前检查电缆接线的校核；接线的电源电压等级是否与设备匹配；机械泵，罗茨泵，传动电机通电前进行三相对地绝缘（电阻>0.5M欧）测试； 其它现场设备是否有短路现象，例如分子泵，阀门等；控制回路的功能测试；2.3 电源送电顺序2.3.1 PLC控制柜传动控制柜PLC模块电源供电(220V)QF51->SB54（面板）->QF81;PLC控制柜及PLC模块触摸屏供电(220V)QF51->SB54（面板）->QF82;检修插座供电(220V)QF51->SB54（面板）->QF86;传动控制柜I/O模块供电(24V)QF51->SB54->QF71->QF74;PLC控制柜I/O模块供电(24V)QF51->SB54->QF71->QF71.1;流量计供电(±15V)QF51->SB54->QF61;温度控制器供电(24V)QF51->SB54->QF64->QF64.1;中频/直流控制电源(24V)QF51->SB54->QF64->QF66;阀门，机械泵气镇，油镇供电(24V)QF51->SB54->QF84->QF84.1;光电开关及真空计电源(24V)QF51->SB54->QF84->QF85;传动电机供电(380V)QF51(泵组控制柜)-->QF165(泵组控制柜)-->(QF52-QF311)2.3.2 电加热柜电加热供电(220V)QF51(泵组控制柜)->QF166(泵组控制柜)->(QF54~QF185)2.3.3 泵组柜机械泵供电(380V)QF51->QF111(进片室)QF51->QF114(工艺区)QF51->QF116(出口室)罗茨泵供电(380V)QF51->QF112(进片室)QF51->QF115(工艺区)QF51->QF118(出口室)分子泵供电(380V)QF51->(QF111-QF162)中频溅射电源供电(380V)QF411->(QF412-QF416)直流溅射电源供电(380V)QF411->(QF421-QF432)3.PLC运行程序PLC程序采用三菱GX Works2 1.31H开发。

FJL-560型磁控与离子束复合溅射沉积系统操作说明A、操作说明1、打开角阀V4，往真空室内充气，直到真空室内气压为一个大气压。

2、打开右侧控制柜电源（先不通水，关闭报警按钮），电动抬升真空室上盖。

3、取出旧样品，并放入新基片后，电动下降真空室上盖（现将上盖右旋些许以免定位片凸片顶上真空室壁体上沿，等定位凸片下端低于真空室壁体上沿再及时左旋上盖使定位凸片贴紧真空室壁体）。

4、打开机械泵开关，并打开角阀V1，进行粗真空的获得。

5、打开真空计电源，测量真空室的气压（不要开启左边的电离规管）。

6、当真空室气压小于10.0Pa时，开启左侧控制柜电源，开启循环水，并打开右侧控制柜电源的报警按钮。

7、党真空室气压小于5.0Pa时，关闭角阀V1，打开电磁阀后再打开分子泵运行按钮。

（开泵前确认是否已开循环水）。

8、在第七步完成10秒左右后，再打开板阀（板阀的开启：开始会有些重，听到打开的声音后必须是很轻松地旋出的，卡紧时要退些回来再往外旋，开到底后再回旋半圈）。

9、依靠分子泵获取自己所需的真空，注意V3，的开启或闭合（电力规管在气压小于0.1Pa会自动开启，但要自己手动关闭，请不要长期观察高真空情况，更不要反复开关电离规管，以延其寿命）。

B、溅射部分B1.磁控溅射1、当气压达到5*10-4Pa时，打开显示按钮（阀控）进行预热(需15 分钟)。

2、打开所需溅射靶位对应的电源，进行预热（需8分钟）。

3、关闭电离规管后，打开所需管路通道，使管路抽真空数分钟。

4、将左边一支流量显示仪拨到阀控档，右旋按钮（要预热充分后），调节流量到20SCCM。

5、内旋板阀，降低分子泵的抽气速度，将真空室内气压调节到4Pa左右。

6、打开所需溅射靶位上部的扇形挡板，开启所需溅射靶位对应的电源。

7、增加溅射电压，直到辉光放电现象产生。

8、调节溅射功率及气压所需值。

（2.4Pa→Cu）9、溅射功率计气压稳定，预溅射15分钟，再将圆形大挡板镂空处对准靶位，开始沉积（疤电源工作2小时后要关闭冷却半个小时）。