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cadence实验：PMOS、NMOS设计步骤

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PMOS、NMOS 版图设计尺寸参考
说明：数字1、2、3……代表画版图时，第一层、第二层、第三层……或说成第一步、第二步、第三步……，一步一步做下来。

一、PMOS版图有关尺寸参考
1、THIN （薄氧化层）：与DIFF（扩散区/有源区）等价，在画版图时可以用DIFF代替。

长度3.4 宽度1.2 （默认单位um）
2、GPOL Y：多晶硅导电层做mos管的栅极，可以用POL Y1代替，也可以做互
连线。

长：2.4 宽：0.4 离有源区(即上面的THIN)左边缘1.5u ，比有源区上下各长出0.6u
3、CONT：引线孔，连接金属与多晶硅/有源区，第一层金属的接点。

大小0.4*0.4 离有源区上边缘0.4 左边缘0.3
4、METAL1：第一层金属，用于水平布线，如电源和地，器件之间的连接必须依靠它。

大小：0.8*0.8 离CONT各0.2
5、THIN（或DIFF）：大小1.0*1.0 离CONT各0.3 , 或离METAL1 各0.1
6、PPIMP (或PIMP）：P型注入掩膜。

长：4.0 宽：1.8 离有源区上边缘0.3 ，离有源区左边缘0.3
7、NWELL：N阱，不仅用在制造P型器件，常在隔离的时候也看到它。

长6.5
宽5.7 ，离PPIMP 左边缘1.2 ，离PPIMP 上边缘2.7
8、再另外做一个节点：CONT（0.4*0.4），METAL1（0.8*0.8），THIN （1.0*1.0）
在已经画好图形的上方，CONT 离PPIMP 上端1.35 ，离NWELL 左端1.8 9、在新节点上加一个NPIMP（或NIMP）：N型注入掩膜，大小为1.7*1.7 ，
离THIN 各0.35
二、NMOS版图有关尺寸参考
1、THIN ：长3.4 宽0.4
2、GPLOY ：与PMOS 相同
离有源区(即上面的THIN)左边缘1.5u ，比有源区上下各长出0.6u
3、CONT ：0.4*0.4 ，离有源区上边缘0.3 ，左边缘0.3
4、METAL1 ：与PMOS 相同
5、THIN ：与PMOS 相同
6、NPIMP ：长4.0 宽1.6 离有源区上边缘0.3 ，离有源区左边缘0.3
7、再另外做一个节点：CONT（0.4*0.4），METAL1（0.8*0.8），THIN （1.0*1.0）
在已画好图形的下方，CONT 离NPIMP 下端1.15 ，离NPIMP 左端0.6 8、在新节点上加一个PPIMP：大小1.7*1.7 离THIN 各0.35
第三部分：画一个反相器时要做一个输入引脚
1、GPOL Y：大小为1.6*1.6 （大小可以随意），离PMOS 的NWELL 下边缘0.7u
（距离可以随意），此线框进入PMOS与NMOS 相连的GPOL Y 深度为0.2 。

2、METAL1 ：大小0.8*0.8 ，离GPOLY 各0.4
3、CONT ：0.4*0.4 ，离METAL1 各0.2。