北京光电子技术实验室简介
北京光电子技术实验室隶属于北京工业大学及北京市科委，成立于1993年，是首批组建的北京市高技术实验室，现在是教育部和北京市共建的国家重点实验室, 是微电子和固体电子学专业的二级学科博士点和项目博士后基地, 是在国内较早从事光电子技术研究的科研实体。
实验室总面积超过3000m2，其中包括价值300万元的超净实验室1000 m2。
现有固定资产近4000万元，包括国际上先进的MOCVD系统，光荧光谱仪，X－双晶衍射仪，霍耳检测仪等。
实验室还具有一条完整的光电子器件工艺研制生产线，其中包括用于薄膜生长的真空镀膜机，磁控溅射台，PECVD设备，电子束蒸发台，干湿法刻蚀机&ICP，压焊及倒装焊设备，各类扩散、氧化设备，光刻机多台，超纯水供应设备，各类显微镜、测试设备和老化设备，可满足器件加工工艺的要求。
`
实验室首席专家、学科带头人沈光地先生是实验室室主任、教授、博士生导师。
他多年从事光电子技术核心内容—物理构想和结构设计的研究，是该领域国内外知名专家。
早在1985年以前，他在半导体激光器理论和电荷耦合器件（CCD）的研究方面处于当时国内领先水平。
从1986年开始，在瑞典林雪平大学，主持研制发表了世界上第一批SiGe/Si异质结晶体管。
1992年，沈光地教授回国从事半导体光电子与高速微电子科研教学工作。
在高效耦合大光腔激光器、高效高亮度发光管、新型逐级增强红外探测器和超高速微电子器件等方向均提出了独到的创新思想，取得了一系列高科技成果。
相继被评为北京市和全国模范教师，国务院有突出贡献的科技专家，建立了博士点和博士后流动站，建立北京光电子技术实验室，被聘为首席专家，室主任。
在他的带领下，集中了一批光电子器件理论研究及制造技术领域中的精英，在高功率激光器和高效高亮度发光管领域取得了突破性成果。
实验室现有人员共120人，其中在职教职工21名，返聘外聘技术人员26名，共47人，其中正教授4名，副教授10名，具有博士学位的教师9名。
实验室现有在读博士研究生23名，在读硕士研究生48名，博士后2名。
实验室有着广泛而有效的国内外合作基础，与中科院半导体所、微电子
研究所和物理所，复旦大学等科研单位有着密切的合作关系，还与国外瑞典Linkoping大学、香港大学、美国UCLA、加拿大和德国等国家的高校和科研单位有着良好的信息交流，始终能够把握国际最新动向，掌握该领域前沿信息。
实验室有9位教师曾在国外学习和工作。
实验室的主要研究方向为：
●信息光电子学及光通讯领域中的各类半导体激光器、光电探测器及
其应用系统；
●半导体照明工程中的各类高效高亮度发光二极管及其应用系统；
●超高速微电子学和高速通信技术领域中的超高速、高效大功率
SiGe/Si HBT和SiGe/Si IC及其应用系统。
实验室主任沈光地教授提出的创新性理论：即采用多层内部再生大光腔机构，使注入的一对电子-空穴在大光腔有源区中产生多个光子，而使量子效率远大于一，并使多个有源区耦合为一个整体大光腔，从内部物理机制上解决了半导体激光器电发热与端面灾变烧毁的难题，从而获得大功率的高质量光束输出。
上述创新构想已取得理论与实践证明，并成功应用于半导体光电子器件，得到了多有源区耦合高效大功率激光器和高效高亮度发光二极管器件。
实验室已承接了包括国家863计划、973计划、国家自然科学基金重点和重大项目、国家九五攻关重点项目、市科委、市教委、市自然科学基金、国家教委等四十项创新性强、科学水平高、应用前景大的科研项目，近几年年均到校纵向科研经费500万元。
研究生培养课题丰富，紧密结合国家和首都经济建设需要。
实验室有先进完善的实验设备，给科研与人才培养创造了很好的条件。
实验室获得多项原始创新成果和自主知识产权，其中自1998年以来获得的发明专利有：“高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法“项目在2003年第十四届全国发明展览会获得了银奖。
高效大功率大光腔半导体激光器（专利号：ZL 99 1 00395.0）；获得2004年第十五届全国发明博览会金奖；高效逐级增强高亮度发光二极管及其设计方法（专利号：ZL 99 1 00397.7）；红外探测器（专利号：ZL 99 1 00398.5）；异质结双极型晶体管（专利号：ZL 99 1 09641.0）；高效高亮度半导体发光二极管获五部委颁发
的2002年国家重点新产品证书（项目编号：2002ED600019）；SiGe/Si异质结双极晶体管获1998年北京市科学技术进步二等奖（No 97电－2－05－01）；同时实验室申请已受理的专利达20余项，包括一项美国发明专利。
实验室成立以来发表论文近500篇，其中SCI、EI等三大检索200多篇。
