Flash和EEPROM的区别

AVR单片机EEPROM和FLASH区别为什么A VR单片机既有FLASH又有EEPROM？我如果要烧写程序只用HEX文件行么？那个EEP文件有什么作用?你的程序代码是保存在FLASH里的，只烧写HEX文件就可以。

EEP文件是EEPROM的初始化数据文件，如果不烧写，EEPROM会保持FF，如果烧写了这个文件，就会按照你的初始化要求初始化EEPROM。

在实际中有时往往不仅仅需要程序代码，还需要用到一些数据，而这些数据又会根据情况的不同而变化。

举个例子，比如我要测量一个电机的转数，而每天电机最多测量12个小时，要求记录这12个小时的转数，然后第二天从这个数值继续测量，当然第二天单片机也会重新上电。

遇到这个情况你如何去保存你的记录数值呢？当然这就需要用到EEPROM了。

EEPROM存取数据方便，掉电不丢失，适合记录这种要求有变化又要求掉电不丢失的数据。

当然EEPROM也可以作为程序存储器来存放程序。

但是A VR单片机的BOOTLOADER是ATMEL提供的，只能够从FLASH开始。

其次，即使能够使用EEPROM做程序存储器，如今也不会采用这样的方式，因为EEPROM造价比FLASH要高很多，同时存取速度比FLASH要慢得多，因此如今的程序基本都是被放入FLASH中，而EEPROM只用来存放那些不希望丢失的数据而用了FLASH 一个静态的只读存储器，单片机本身无法修改自己EEPROM 是指5V或3.3V可擦写存储器，可以由单片机本身编程写入一般用来做掉电保护，也可以由烧程器写入。

烧程时当然只用HEX文件AVR编程的时候，可以对EEPROM编程 设置你想要的初始化量简单的说，flash是保存程序的，eeprom是保存程序需要用到的，掉电不会丢失的变量，通常是初始值之类的。

通常flash不会被程序改写（avr有bootloader 功能，可以修改flash甚至bootloader自身），而eeprom则很容易被改写。

单片机内的 Flash 与 EEPROM 作用及区别单片机运行时的数据都存在于 RAM (随机存储器中, 在掉电后 RAM 中的数据是无法保留的,那么怎样使数据在掉电后不丢失呢?这就需要使用 EEPROM 或FLASHROM 等存储器来实现。

在传统的单片机系统中, 一般是在片外扩展存储器, 单片机与存储器之间通过 IIC 或 SPI 等接口来进行数据通信。

这样不光会增加开发成本,同时在程序开发上也要花更多的心思。

在 STC 单片机中内置了 EEPROM (其实是采用 IAP 技术读写内部 FLASH 来实现 EEPROM ,这样就节省了片外资源,使用起来也更加方便。

下面就详细介绍 STC 单片机内置 EEPROM 及其使用方法。

flash 是用来放程序的,可以称之为程序存储器,可以擦出写入但是基本都是整个扇区进行的 .一般来说单片机里的 flash 都用于存放运行代码,在运行过程中不能改; EEPROM 是用来保存用户数据,运行过程中可以改变,比如一个时钟的闹铃时间初始化设定为 12:00,后来在运行中改为 6:00,这是保存在 EEPROM 里, 不怕掉电,就算重新上电也不需要重新调整到 6:00下面是网上详细的说法,感觉不错:FLASH 和 EEPROM 的最大区别是 FLASH 按扇区操作, EEPROM 则按字节操作, 二者寻址方法不同,存储单元的结构也不同, FLASH 的电路结构较简单,同样容量占芯片面积较小,成本自然比 EEPROM 低,因而适合用作程序存储器, EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。

当然用 FLASH 做数据存储器也行, 但操作比EEPROM 麻烦的多,所以更“人性化”的 MCU 设计会集成 FLASH 和 EEPROM 两种非易失性存储器,而廉价型设计往往只有 FLASH ,早期可电擦写型 MCU 则都是EEPRM 结构,现在已基本上停产了。

在芯片的内电路中, FLASH 和 EEPROM 不仅电路不同,地址空间也不同,操作方法和指令自然也不同, 不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。

单片机运行‎时的数据都‎存在于RA‎M（随机存‎储器）中，‎在掉电后R‎A M 中的‎数据是无‎法保留的，‎那么怎样使‎数据在掉电‎后不丢失呢‎？这就需要‎使用EEP‎R OM或‎F LASH‎R OM 等‎存储器来‎实现。

在传‎统的单片机‎系统中，一‎般是在片外‎扩展存储器‎，单片机与‎存储器之间‎通过II‎C或SP‎I等接口‎来进行数据‎通信。

这样‎不光会增加‎开发成本，‎同时在程序‎开发上也要‎花更多的‎心思。

在S‎T C 单片‎机中内置了‎E EPRO‎M（其实是‎采用IAP‎技术读写‎内部FLA‎S H 来‎实现EEP‎R OM），‎这样就节省‎了片外资源‎，使用起来‎也更加方便‎。

下面就详‎细介绍ST‎C单片‎机内置EE‎P ROM ‎及其使用方‎法。

‎f lash‎是用来放程‎序的，可以‎称之为程序‎存储器，可‎以擦出写入‎但是基本都‎是整个扇区‎进行的.‎一般来说‎单片机里的‎f lash‎都用于存放‎运行代码，‎在运行过程‎中不能改；‎EEP‎R OM是用‎来保存用户‎数据，运行‎过程中可以‎改变，比如‎一个时钟的‎闹铃时间初‎始化设定为‎12：00‎，后来在运‎行中改为6‎：00，这‎是保存在E‎E PROM‎里，不怕掉‎电，就算重‎新上电也不‎需要重新调‎整到6：0‎0下面‎是网上详细‎的说法，感‎觉不错：‎F LASH‎和EEP‎R OM的最‎大区别是F‎L ASH按‎扇区操作，‎E EPRO‎M则按字节‎操作，二者‎寻址方法不‎同，存储单‎元的结构也‎不同，FL‎A SH的电‎路结构较简‎单，同样容‎量占芯片面‎积较小，成‎本自然比E‎E PROM‎低，因而适‎合用作程序‎存储器，E‎E PROM‎则更多的用‎作非易失的‎数据存储器‎。

当然用F‎L ASH做‎数据存储器‎也行，但操‎作比EEP‎R OM麻烦‎的多，所以‎更“人性化‎”的MCU‎设计会集成‎F LASH‎和EEPR‎O M两种非‎易失性存储‎器，而廉价‎型设计往往‎只有 FL‎A SH，早‎期可电擦写‎型MCU则‎都是EEP‎R M结构，‎现在已基本‎上停产了。

Eeprom和Flash的区别 存储器分为两⼤类：ram（内存：随机存储器）和rom（外存：程序存储器），分别存数据和程序。

ram就不讲了，今天主要讨论rom。

（1）rom最初不能编程，出⼚什么内容就永远什么内容，不灵活。

（2）后来出现了prom，可以⾃⼰写⼊⼀次，要是写错了，只能换⼀⽚，⾃认倒霉。

（3）⼈类⽂明不断进步，终于出现了可多次擦除写⼊的EPROM，每次擦除要把芯⽚拿到紫外线上照⼀下，想⼀下你往单⽚机上下了⼀个程序之后发现有个地⽅需要加⼀句话，为此你要把单⽚机放紫外灯下照半⼩时，然后才能再下⼀次，这么折腾⼀天也改不了⼏次。

（4）历史的车轮不断前进，伟⼤的EEPROM出现了，拯救了⼀⼤批程序员，终于可以随意的修改rom中的内容了。

（ROM--PROM--EPROM--EEPROM的进化！）　EEPROM的全称是“电可擦除可编程只读存储器（不要觉得多⾼⼤上，其实经常都会⽤到），即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。

是相对于紫外擦除的rom来讲的。

但是今天已经存在多种EEPROM的变种，变成了⼀类存储器的统称。

flash属于⼴义的EEPROM，因为它也是电擦除的rom。

但是为了区别于⼀般的按字节为单位的擦写的EEPROM，我们都叫它flash。

狭义的EEPROM：这种rom的特点是可以随机访问和修改任何⼀个字节，可以往每个bit中写⼊0或者1。

这是最传统的⼀种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。

具有较⾼的可靠性，但是电路复杂/成本也⾼。

因此⽬前的EEPROM都是⼏⼗千字节到⼏百千字节的，绝少有超过512K的。

flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位，⽽是以块为单位，⼀次简化了电路，数据密度更⾼，降低了成本。

上M的rom⼀般都是flash。

flash分为nor flash和nand flash。

ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM分别指什么？ROM指的是“只读存储器”，即Read-Only Memory。

这是一种线路最简单半导体电路，通过掩模工艺，一次性制造，其中的代码与数据将永久保存(除非坏掉)，不能进行修改。

这玩意一般在大批量生产时才会被用的，优点是成本低、非常低，但是其风险比较大，在产品设计时，如果调试不彻底，很容易造成几千片的费片，行内话叫“掩砸了”！PROM指的是“可编程只读存储器”既Programmable Red-Only Memory。

这样的产品只允许写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。

PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)，以实现对其“编程”的目的。

PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果我们想改写某些单元，则可以给这些单元通以足够大的电流，并维持一定的时间，原先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某些位的效果。

另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”，造成其永久性击穿即可。

EPROM指的是“可擦写可编程只读存储器”，即Erasable Programmable Read-Only Memory。

它的特点是具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程，但是缺点是擦除需要使用紫外线照射一定的时间。

这一类芯片特别容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住，以防止遭到阳光直射。

EEPROM指的是“电可擦除可编程只读存储器”，即Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory。

FLASH和EEPROM的最大区别专业篇FLASH和EEPROM的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM 则更多的用作非易失的数据存储器。

当然用FLASH做数据存储器也行，但操作比EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，早期可电擦写型MCU则都是EEPRM结构，现在已基本上停产了。

至于那个“总工”说的话如果不是张一刀记错了的话，那是连基本概念都不对，只能说那个“总工”不但根本不懂芯片设计，就连MCU系统的基本结构都没掌握。

在芯片的内电路中，FLASH和EEPROM不仅电路不同，地址空间也不同，操作方法和指令自然也不同，不论冯诺伊曼结构还是哈佛结构都是这样。

技术上，程序存储器和非易失数据存储器都可以只用FALSH结构或EEPROM结构，甚至可以用“变通”的技术手段在程序存储区模拟“数据存储区”，但就算如此，概念上二者依然不同，这是基本常识问题。

没有严谨的工作精神，根本无法成为真正的技术高手。

现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM 主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据. 楼上说的很好另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

FLASH‎和EEPR‎O M的最大‎区别FLASH‎和EEPR‎O M的最大‎区别是FL‎A SH按扇‎区操作，EEPRO‎M则按字节‎操作，二者寻址方‎法不同，存储单元的‎结构也不同‎，FLASH‎的电路结构‎较简单，同样容量占‎芯片面积较‎小，成本自然比‎E EPRO‎M低，因而适合用‎作程序存储‎器，EEPRO‎M则更多的‎用作非易失‎的数据存储‎器。

当然用FL‎A SH做数‎据存储器也‎行，但操作比E‎E PROM‎麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设‎计会集成F‎L ASH和‎E EPRO‎M两种非易‎失性存储器‎，而廉价型设‎计往往只有‎F LASH‎，早期可电擦‎写型MCU‎则都是EE‎P RM结构‎，现在已基本‎上停产了。

至于那个“总工”说的话如果‎不是张一刀‎记错了的话‎，那是连基本‎概念都不对‎，只能说那个‎“总工”不但根本不‎懂芯片设计‎，就连MCU‎系统的基本‎结构都没掌‎握。

在芯片的内‎电路中，FLASH‎和EEPR‎O M不仅电‎路不同，地址空间也‎不同，操作方法和‎指令自然也‎不同，不论冯诺伊‎曼结构还是‎哈佛结构都‎是这样。

技术上，程序存储器‎和非易失数‎据存储器都‎可以只用F‎A LSH结‎构或EEP‎R OM结构‎，甚至可以用‎“变通”的技术手段‎在程序存储‎区模拟“数据存储区‎”，但就算如此‎，概念上二者‎依然不同，这是基本常‎识问题。

没有严谨的‎工作精神，根本无法成‎为真正的技‎术高手。

现在的单片‎机,RAM主要‎是做运行时‎数据存储器‎,FLASH‎主要是程序‎存储器,EEPRO‎M主要是用‎以在程序运‎行保存一些‎需要掉电不‎丢失的数据‎.楼上说的很好‎另外，一些变量，都是放到R‎A M里的，一些初始化‎数据比如液‎晶要显示的‎内容界面，都是放到F‎L ASH区‎里的（也就是以前‎说的ROM‎区），EEPRO‎M可用可不‎用，主要是存一‎些运行中的‎数据，掉电后且不‎丢失ROM和R‎A M指的都‎是半导体存‎储器，ROM是R‎e ad Only Memor‎y的缩写，RAM是R‎a ndom‎Acces‎s Memor‎y的缩写。

FLASH存储器和EEPROM存储器的区别FLASH存储器和EEPROM存储器的区别1、首先从IO引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个IO引脚，时钟（clk）和数据（data）引脚，外加电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。

而FLASH需要占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需要一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（clk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个，也就是四个。

并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。

2、从功能方面比较，EEPROM可以单字节读写，FLASH部分芯片只能以块方式擦除(整片擦除),部分芯片可以单字节写入(编程),一般需要采用块写入方式；FLASH比EEPROM读写速度更快，可靠性更高。

但比单片机片内RAM的读写还要慢。

3、价格方面比较，FLASH应该要比EEPROM贵。

另供参考：EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。

EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM 的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister 组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。

技术上，FLASH是结合EPROM 和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。

但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。

其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是1。

EEPROM可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。

RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器区别常见存储器概念：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、EEPROM、Flash存储器可以分为很多种类，其中根据掉电数据是否丢失可以分为RAM（随机存取存储器）和ROM（只读存储器），其中RAM的访问速度比较快，但掉电后数据会丢失，而ROM掉电后数据不会丢失。

在单片机中，RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据.FLASH:单片机运行的程序存储的地方。

SRAM：存储单片机运行过程中产生的了临时数据。

EEPROM：视用户的需要而定，一般用来存储系统的一些参数，这些参数可能需要修改，也可能不会修改。

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。

ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

另外，一些变量，都是放到RAM里的，一些初始化数据比如液晶要显示的内容界面，都是放到FLASH区里的（也就是以前说的ROM区），EEPROM可用可不用，主要是存一些运行中的数据，掉电后且不丢失RAM 又可分为SRAM（Static RAM/静态存储器）和DRAM（Dynamic RAM/动态存储器）。

SRAM 是利用双稳态触发器来保存信息的，只要不掉电，信息是不会丢失的。

DRAM是利用MOS（金属氧化物半导体）电容存储电荷来储存信息，因此必须通过不停的给电容充电来维持信息，所以DRAM 的成本、集成度、功耗等明显优于SRAM。

SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

FLASH存储器和EEPROM存储器的区别1、首先从IO引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个IO引脚，时钟（clk）和数据（data）引脚，外加电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。

而FLASH 需要占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需要一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（clk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个，也就是四个。

并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。

2、从功能方面比较，EEPROM可以单字节读写，FLASH部分芯片只能以块方式擦除(整片擦除),部分芯片可以单字节写入(编程),一般需要采用块写入方式；FLASH比EEPROM读写速度更快，可靠性更高。

但比单片机片内RAM的读写还要慢。

3、价格方面比较，FLASH应该要比EEPROM贵。

另供参考：EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。

EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。

技术上，FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。

但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM 单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。

其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是:1、EEPROM可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。

flash和eeprom工作原理
Flash存储器和EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，可电擦可编程只读存储器）在存储数据和编程操作上存在一些区别。

Flash存储器是一种基于非挥发性存储技术的存储器，常用于存储程序代码和数据。

它被分为多个扇区，每个扇区可以被独立擦除和编程。

Flash存储器的工作原理是利用电子漂移现象，通过在晶体管中储存电荷来表示数据的位状态。

擦除操作会将整个扇区的位状态清零，编程操作会将位状态设置为1。

擦除和编程操作都需要高电压和特定的操作序列。

EEPROM（可电擦可编程只读存储器）是一种可擦写的非挥发性存储器，可以在电子设备中存储和读取数据。

EEPROM的工作原理是利用电子隧道效应，通过在细小的浮栅结构中存储电荷来表示数据的位状态。

相比于Flash 存储器，EEPROM在编程和擦除操作上更为灵活，可以以字节为单位进行操作，而不需要擦除整个扇区。

然而，EEPROM的写入速度相对较慢，且有限的擦写寿命限制了其使用次数。

总的来说，Flash和EEPROM在编程和擦除机制上有所不同。

Flash通常以扇区为单位进行操作，而EEPROM可以以字节为单位进行操作。

此外，EEPROM的写入速度较慢，且具有有限的擦写寿命。

浅谈EEPROM和flash的区别及nor flash和nand flashNOR Flash NOR Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。

Intel 于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM（Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程序只读存储器）和EEPROM（电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory）一统天下的局面。

紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND Flash 结构，强调降低每比特的成本，有更高的性能，并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。

NOR Flash 的特点是芯片内执行（XIP ，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

NOR 的传输效率很高，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响到它的性能。

NAND的结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。

应用NAND的困难在于Flash的管理需要特殊的系统接口。

性能比较 flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。

任何flash 器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。

NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。

执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NAND之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作（尤其是更新小文件时），更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。

掉电需保护且在程序运行过程中需要修改的想少量参数保存在EEPROM中，其擦除次数较Flash多，Flash用来做程序和一些掉电保护和不需要修改的数据。

Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM 的改进产品，它的最大特点是必须按块（Block）擦除（每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格），而EEPROM则可以一次只擦除一个字节（Byte），目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS程序，便于进行程序的升级。

其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代RAM 就显的不合适，因为RAM需要能够按字节改写，而Flash ROM做不到。

FLASH的全称是FLASH EEPROM，但跟常规EEPROM的操作方法不同。

FLASH和EEPROM 的最大区别是FLASH按扇区操作，EEPROM则按字节操作，二者寻址方法不同，存储单元的结构也不同，FLASH的电路结构较简单，同样容量占芯片面积较小，成本自然比EEPROM低，因而适合用作程序存储器，EEPROM麻烦的多，所以更“人性化”的MCU设计会集成FLASH 和EEPROM两种非易失性存储器，而廉价型设计往往只有FLASH，EEPROM在运行中可以被修改，而FLASH在运行时不能修改，EEPROM可以存储一些修改的参数，Flash中存储程序代码和不需要修改的数据，所谓的Flash是用来形容整个存储单元的内容可以一次性擦除。

所以，理论上凡是具备这样特征的存储器都可以称为Flash memory。

EEPROM里面也分FF-EEPROM和FLASH EEPROM的，现在大家所讲的Flash memory实际上分为两大类，一类是Floating Gate Debice，一类是Charge Trapping Debice，这里的分类标准主要是program与crase的机制不同。

eeprom和flash的区别
EEPROM和Flash都是非易失性存储器，它们都可以在掉电后保留数据。

但它们在很多方面存在一些差异，具体区别如下：
1.擦写方式：EEPROM的擦写是以字节为单位进行的，而Flash 通常需要按块进行擦写。

也就是说，在Flash中，要擦除一个数据，通常需要先擦除一整个块，然后再将该块中需要保留的数据重新写入。

因此，Flash的擦写操作相对EEPROM更为复杂。

2.写入方式：EEPROM的写入方式也是按字节进行，而Flash
的写入方式通常是按块进行。

这意味着，在Flash中，要写入一个数据，需要先将整个块擦除，然后再将新数据写入该块。

3.擦写速度：EEPROM的擦写速度通常比Flash慢得多，这可能会影响到系统的性能。

4.存储密度：EEPROM和Flash的存储密度都很高，可以存储大量的数据。

5.使用场景：EEPROM通常用于存储掉电后不希望丢失的数据，如配置参数等。

而Flash则更多地用于存储程序代码或大量数据。

6.可靠性：Flash的可靠性通常比EEPROM更高，因为它具有更高的擦写次数和更长的使用寿命。

7.价格：一般来说，Flash的价格比EEPROM要便宜一些。

综上所述，EEPROM和Flash在擦写方式、写入方式、擦写速度、存储密度、使用场景、可靠性和价格等方面都存在差异。

在选择使用哪种存储器时，需要根据具体的应用需求和系统要求来决定。