半导体晶圆针测与测试制程
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简述晶圆测试流程
晶圆测试流程主要包括以下步骤:
1. 准备阶段:配置并校准测试设备,制作或安装适合的测试卡(探针卡),编写或导入测试程序。
2. 探针接触:将待测晶圆放置在探针台上,通过探针卡上的微细探针与晶圆上的每个芯片焊盘精确接触,建立电气连接。
3. 功能及参数测试:执行直流(DC)参数测试,如阈值电压、漏电流等;以及交流(AC)特性测试,如增益、频率响应等,以验证芯片功能是否正常。
4. 缺陷检测:进行电性缺陷扫描和故障分析,定位潜在问题区域。
5. 数据记录与统计:收集测试数据,生成晶圆地图,标识出良品与不良品的位置,并统计整体良率。
6. 后续处理:依据测试结果对合格芯片进行后续封装加工,不合格芯片则根据情况予以标记或废弃。
半导体制造工艺流程N型硅:掺入V族元素--磷P、砷As、锑SbP型硅:掺入III族元素—镓Ga、硼BPN结:半导体元件制造过程可分为前段(FrontEnd)制程晶圆处理制程(WaferFabrication;简称WaferFab)、晶圆针测制程(WaferProbe);後段(BackEnd)构装(Packaging)、测试制程(InitialTestandFinalTest)一、晶圆处理制程晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件(如电晶体、电容体、逻辑闸等),为上述各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程,以微处理器(Microprocessor)为例,其所需处理步骤可达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,动辄数千万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘(Particle)均需控制的无尘室(Clean-Room),虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关;不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗(Cleaning)之後,接著进行氧化(Oxidation)及沈积,最後进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤,以完成晶圆上电路的加工与制作。
二、晶圆针测制程经过WaferFab之制程後,晶圆上即形成一格格的小格,我们称之为晶方或是晶粒(Die),在一般情形下,同一片晶圆上皆制作相同的晶片,但是也有可能在同一片晶圆上制作不同规格的产品;这些晶圆必须通过晶片允收测试,晶粒将会一一经过针测(Probe)仪器以测试其电气特性,而不合格的的晶粒将会被标上记号(InkDot),此程序即称之为晶圆针测制程(WaferProbe)。
然後晶圆将依晶粒为单位分割成一粒粒独立的晶粒三、IC构装制程IC構裝製程(Packaging):利用塑膠或陶瓷包裝晶粒與配線以成積體電路目的:是為了製造出所生產的電路的保護層,避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。
半导体制造工艺分类半导体制造工艺分类一双极型IC的基本制造工艺:A在元器件间要做电隔离区(PN结隔离、全介质隔离及PN结介质混合隔离)ECL(不掺金)(非饱和型)、TTL/DTL(饱和型)、STTL(饱和型)B在元器件间自然隔离I2L(饱和型)半导体制造工艺分类二MOSIC的基本制造工艺:根据栅工艺分类A铝栅工艺B硅栅工艺其他分类1、(根据沟道)PMOS、NMOS、CMOS2、(根据负载元件)E/R、E/E、E/D半导体制造工艺分类三Bi-CMOS工艺:A以CMOS工艺为基础P阱N阱B以双极型工艺为基础双极型集成电路和MOS集成电路优缺点半导体制造环境要求主要污染源:微尘颗粒、中金属离子、有机物残留物和钠离子等轻金属例子。
半导体制造工艺流程半导体相关知识本征材料:纯硅 9-10个250000Ω.cm3N型硅:掺入V族元素--磷P、砷As、锑SbP型硅:掺入 III族元素—镓Ga、硼BPN结:半导体元件制造过程可分为前段(Front End)制程晶圆处理制程(Wafer Fabrication;简称 Wafer Fab)、晶圆针测制程(Wafer Probe);后段(Back End)构装(Packaging)、测试制程(Initial Test and Final Test)晶圆边缘检测系统一、晶圆处理制程晶圆处理制程之主要工作为在矽晶圆上制作电路与电子元件,为各制程中所需技术最复杂且资金投入最多的过程,以微处理器(Microprocessor)为例,其所需处理步骤可达数百道,而其所需加工机台先进且昂贵,有时可达数千万一台,其所需制造环境为为一温度、湿度与含尘(Particle)均需控制的无尘室(Clean-Room),虽然详细的处理程序是随著产品种类与所使用的技术有关;不过其基本处理步骤通常是晶圆先经过适当的清洗(Cleaning)之后,接著进行氧化(Oxidation)及沉积,最后进行微影、蚀刻及离子植入等反覆步骤,以完成晶圆上电路的加工与制作。
晶圆与晶片的区别制造半导体前,必须将硅转换为晶圆片。
这要从硅锭的生长开始。
单晶硅是原子以三维空间模式周期形成的固体,这种模式贯穿整个材料。
多晶硅是很多具有不同晶向的小单晶体单独形成的,不能用来做半导体电路。
多晶硅必须融化成单晶体,才能加工成半导体应用中使用的晶圆片。
晶片由晶圆切割成,直径和晶圆相同,厚度为300μm 由于硅很硬,要用金刚石锯来准确切割晶圆片,以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。
激光锯也有助于减少对晶圆片的损伤、厚度不均、弯曲以及翘曲缺陷。
切割晶圆片后,开始进入研磨工艺。
晶圆的测试方法与流程(一)晶圆的测试方法与流程一、测试方法的选择 - 引言 - 传统测试方法 - 1. 探针测试 -2. 凸显光刻技术测试 -3. 基于射频电路测试 - 现代测试方法 - 1. 基于MEMS技术的测试 - 2. 声波检测测试 - 3. 无线通信测试二、探针测试流程 - 引言 - 测试前准备 - 1. 制备测试样品 -2. 准备测试设备 - 探针测试步骤 - 1. 设置测试参数 - 2. 探针接触测试样品 -3. 进行电性能测试 -4. 分析测试结果 - 测试结论与改进 - 1. 提取测试数据 - 2. 判定测试结果 - 3. 提出改进措施三、凸显光刻技术测试流程 - 引言 - 测试前准备 - 1. 准备测试材料 - 2. 安装光刻仪设备 - 光刻技术测试步骤 - 1. 设计测试图案 - 2. 草图转换为光刻模板 - 3. 将模板与样品结合 - 4. 进行光刻曝光 - 测试结果分析与改进 - 1. 观察光刻结果 - 2. 分析测试数据 - 3. 提出改进建议四、基于射频电路测试流程 - 引言 - 测试前准备 - 1. 准备测试样品 - 2. 配置测试设备 - 射频电路测试步骤 - 1. 设计测试方案- 2. 搭建测试电路 - 3. 进行信号发射与接收 - 4. 分析信号质量 - 测试结论与改进 - 1. 汇总测试数据 - 2. 判定信号性能 - 3. 提出改进方案五、基于MEMS技术的测试流程 - 引言 - 测试前准备 - 1. 准备测试样品 - 2. 配置测试设备 - MEMS测试步骤 - 1. 设计测试方案 - 2. 搭建测试平台 - 3. 施加测试力或电场 - 4. 观察及测量变化 -测试结果分析与改进 - 1. 提取测试数据 - 2. 分析测试结果 - 3.提出改进建议六、声波检测测试流程 - 引言 - 测试前准备 - 1. 准备测试样品 - 2. 安装测试设备 - 声波检测测试步骤 - 1. 设计声波测试模板- 2. 激发声波 - 3. 接收并分析声波信号 - 4. 提取声波特征 - 测试结论与改进 - 1. 汇总测试数据 - 2. 判定测试结果 - 3. 提出改进建议七、无线通信测试流程 - 引言 - 测试前准备 - 1. 准备测试设备 - 2. 配置测试环境 - 无线通信测试步骤 - 1. 设计测试方案 - 2. 进行信号发送与接收 - 3. 分析通信质量 - 4. 评估测试结果 - 测试结论与改进 - 1. 汇总测试数据 - 2. 判定通信质量 - 3. 提出改进建议综上所述,晶圆的测试方法与流程涉及多个方面的技术,包括探针测试、凸显光刻技术测试、基于射频电路的测试、基于MEMS技术的测试、声波检测测试和无线通信测试等。
晶圆的制作流程
晶圆的制作流程包括以下步骤:
1. 晶圆处理工序:主要工作是在晶圆上制作电路及电子元件(如晶体管、电容、逻辑开关等)。
处理程序通常与产品种类和所使用的技术有关,但一般基本步骤是先将晶圆适当清洗,再在其表面进行氧化及化学气相沉积,然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀等反复步骤,最终在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作。
2. 晶圆针测工序:经过上道工序后,晶圆上就形成了一个个的小格,即晶粒。
一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品;但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。
在用针测(Probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不合格的晶粒标上记号后,将晶圆切开,分割成一颗颗单独的晶粒,再按其电气特性分类,装入不同的托盘中,不合格的晶粒则舍弃。
其目的是用以保护晶粒避免受到机械刮伤或高温破坏。
请注意,这只是大致流程,具体的生产流程可能会根据不同工厂的设备、技术和生产需求有所不同。
简述晶圆测试流程晶圆测试流程通常包括以下几个步骤:1. 准备工作在进行晶圆测试之前,首先需要对测试设备进行准备工作。
这包括清洁测试设备和测试工具,确保它们的精度和准确性。
同时,还需要准备好测试程序和测试规范,以确保测试的质量和准确性。
2. 外延片测试在晶圆测试的第一步是对外延片进行测试。
外延片是由单晶硅生长而成的薄片,它是晶圆的基础。
在外延片测试中,通常使用探针测试仪来测试外延片的电性能和其他关键参数,以确保外延片的质量和稳定性。
3. 晶圆测试一旦外延片测试通过,接下来就是对晶圆进行测试。
晶圆测试通常包括以下几个步骤:a. 探针测试在探针测试中,测试仪将探针接触到晶圆表面的不同位置,测量不同位置的电性能和其他关键参数。
这些参数包括电导率、电阻率、电容率等。
通过这些测试,可以了解晶圆的整体质量和性能。
b. 光学测试光学测试是对晶圆表面进行光学检测和测量的过程。
通过光学测试,可以检测晶圆表面的缺陷、杂质和其他问题,以确保晶圆的表面质量和稳定性。
c. 热测试热测试是对晶圆进行热性能测试的过程。
通过热测试,可以了解晶圆在不同温度下的性能和稳定性,以确保其可以在各种环境下正常工作。
4. 数据分析和报告一旦完成晶圆测试,就需要对测试数据进行分析,并生成测试报告。
测试报告包括测试结果、测试数据、测试参数、测试结论等。
通过数据分析和报告,可以评估晶圆的质量和稳定性,以确保其符合要求。
总之,晶圆测试是半导体制造过程中的一个非常关键的环节。
它是确保晶圆质量和性能的关键步骤,需要进行外延片测试、晶圆测试、数据分析和报告等多个步骤。
只有通过严格的测试流程,才能确保晶圆的质量和稳定性,从而保证最终芯片的性能和可靠性。
A.晶圆封装测试工序一、IC检测1. 缺陷检查Defect Inspection2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy)用来检测出晶圆上是否有瑕疵,主要是微尘粒子、刮痕、残留物等问题。
此外,对已印有电路图案的图案晶圆成品而言,则需要进行深次微米范围之瑕疵检测。
一般来说,图案晶圆检测系统系以白光或雷射光来照射晶圆表面。
再由一或多组侦测器接收自晶圆表面绕射出来的光线,并将该影像交由高功能软件进行底层图案消除,以辨识并发现瑕疵。
3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement)对蚀刻后的图案作精确的尺寸检测。
二、IC封装1. 构装(Packaging)IC构装依使用材料可分为陶瓷(ceramic)及塑胶(plastic)两种,而目前商业应用上则以塑胶构装为主。
以塑胶构装中打线接合为例,其步骤依序为晶片切割(die saw)、黏晶(die mount / die bond)、焊线(wire bond)、封胶(mold)、剪切/成形(trim / form)、印字(mark)、电镀(plating)及检验(inspection)等。
(1) 晶片切割(die saw)晶片切割之目的为将前制程加工完成之晶圆上一颗颗之晶粒(die)切割分离。
举例来说:以0.2微米制程技术生产,每片八寸晶圆上可制作近六百颗以上的64M微量。
欲进行晶片切割,首先必须进行晶圆黏片,而后再送至晶片切割机上进行切割。
切割完后之晶粒井然有序排列于胶带上,而框架的支撑避免了胶带的皱褶与晶粒之相互碰撞。
(2) 黏晶(die mount / die bond)黏晶之目的乃将一颗颗之晶粒置于导线架上并以银胶(epoxy)粘着固定。
黏晶完成后之导线架则经由传输设备送至弹匣(magazine)内,以送至下一制程进行焊线。
(3) 焊线(wire bond)IC构装制程(Packaging)则是利用塑胶或陶瓷包装晶粒与配线以成集成电路(Integrated Circuit;简称IC),此制程的目的是为了制造出所生产的电路的保护层,避免电路受到机械性刮伤或是高温破坏。
晶圆检测是半导体制造工艺中非常重要的环节,用于确保晶圆质量和产品可靠性。
以下是晶圆检测的一般流程:1.准备工作:首先,需要准备晶圆检测所需的设备和测试工艺。
这可能包括测试设备、探针卡、测试程序等。
此外,还需要准备相关的测试标准和规范,以作为判断晶圆是否合格的依据。
2.晶圆上机:将待测晶圆安装到测试设备上,通常是使用专用的晶圆探针卡将晶圆与测试设备连接起来。
探针卡上的针脚与晶圆上的测试点相对应,以实现对晶圆上各个区域的测试。
3.电性能测试:对晶圆进行电性能测试,以评估晶体管、寄生电容、电阻等电器特性。
这通常涉及在不同测试点进行电压和电流的测量,并记录相应的电器参数。
4.光性能测试:对晶圆进行光学性能测试,以评估其光学特性。
这可能包括测量晶圆上的光散射、透明度、反射系数等参数。
对于光电器件,还可能需要进行光功率、谱响应等测试。
5.结果分析:对测试数据进行分析和比较,以确定晶圆是否符合规格要求。
通过与标准进行对比,评估晶圆的良品率和缺陷类型。
对于有缺陷的晶圆,可能需要进一步分析其缺陷的位置、大小、形态等信息。
6.结果判定:基于测试数据和分析结果,进行晶圆的结论判定。
通常会根据设定的标准和规范,将晶圆分为合格品、不良品或需进一步验证的品质。
7.记录和报告:对测试结果进行记录和报告,包括测试数据、缺陷分布、结论判定等重要信息。
这有助于跟踪晶圆的质量和缺陷情况,并为日后的制程改进提供参考。
在整个流程中,关键是准确选择合适的测试方法、保证测试设备的稳定性和可靠性,并按照标准和规程进行操作。
只有经过细致和全面的检测,才能确保生产出质量可靠的晶圆和半导体产品。
半导体晶圆级检测方案目标半导体晶圆级检测旨在确保半导体晶圆的质量和性能符合要求,提高生产效率和产品可靠性。
该方案的目标是设计一个全面、高效、可行的半导体晶圆级检测方案,确保在生产过程中能够及时发现和排除不合格产品,从而提高产品质量和生产效率。
实施步骤步骤1:确定检测项目需要确定要进行的检测项目。
半导体晶圆级检测通常包括以下几个方面:1.尺寸和形状:检测晶圆的直径、厚度、平整度等参数是否符合要求。
2.表面缺陷:检测晶圆表面是否存在划痕、氧化、污染等缺陷。
3.显微结构:检测晶圆内部是否存在晶界、位错等缺陷。
4.电性能:检测晶圆的电阻率、载流子浓度等电性能参数是否符合要求。
5.光学性能:检测晶圆透明度、折射率等光学性能参数是否符合要求。
步骤2:选择检测方法和设备根据确定的检测项目,选择合适的检测方法和设备。
常用的半导体晶圆级检测方法包括:1.光学显微镜:用于检测晶圆表面缺陷和显微结构。
2.原子力显微镜:用于高分辨率的表面缺陷检测。
3.电子显微镜:用于显微结构和晶界缺陷的检测。
4.电子探针测试仪:用于电性能参数的测试。
5.激光扫描仪:用于光学性能参数的测试。
根据实际需求和预算,选择合适的设备,并进行相应的调试和校准,确保其准确可靠。
步骤3:制定检测流程制定一个完整的半导体晶圆级检测流程,包括样品准备、设备调试、数据采集、数据处理等环节。
具体步骤如下:1.样品准备:将待测试的半导体晶圆按照预定标准进行清洁、切割等处理,确保样品符合要求。
2.设备调试:对所选设备进行调试和校准,确保其正常工作并能够准确地检测样品。
3.数据采集:使用所选设备对样品进行检测,并记录相关数据,包括尺寸、形状、表面缺陷、显微结构、电性能、光学性能等参数。
4.数据处理:对采集到的数据进行处理和分析,与标准进行比对,判断样品是否合格。
如果发现不合格的样品,需要及时排除并记录相应信息。
5.结果反馈:将检测结果反馈给生产部门,并提供相应建议和改进措施,以提高产品质量和生产效率。
晶圆针测制程
晶圆针测(Chip Probing;CP)之目的在于针对芯片作电性功能上的测试(Test),使IC 在进入构装前先行过滤出电性功能不良的芯片,以避免对不良品增加制造成本。
半导体制程中,针测制程只要换上不同的测试配件,便可与测试制程共享相同的测试机台(Tester)。
所以一般测试厂为提高测试机台的使用率,除了提供最终测试的服务亦接受芯片测试的订单。
以下将此针测制程作一描述。
上图为晶圆针测之流程图,其流程包括下面几道作业:
(1)晶圆针测并作产品分类(Sorting)
晶圆针测的主要目的是测试晶圆中每一颗晶粒的电气特性,线路的连接,检查其是否为不良品,若
为不良品,则点上一点红墨水,作为识别之用。
除此之外,另一个目的是测试产品的良率,依良率
的高低来判断晶圆制造的过程是否有误。
良品率高时表示晶圆制造过程一切正常,若良品率过低,表示在晶圆制造的过程中,有某些步骤出现问题,必须尽快通知工程师检查。
(2)雷射修补(Laser Repairing)
雷射修补的目的是修补那些尚可被修复的不良品(有设计备份电路在其中者),提高产品的良品率。
当晶圆针测完成后,拥有备份电路的产品会与其在晶圆针测时所产生的测试结果数据一同送往雷射
修补机中,这些数据包括不良品的位置,线路的配置等。
雷射修补机的控制计算机可依这些数据,尝试将晶圆中的不良品修复。
(3)加温烘烤(Baking)
加温烘烤是针测流程中的最后一项作业,加温烘烤的目的有二:
(一)将点在晶粒上的红墨水烤干。
(二)清理晶圆表面。
经过加温烘烤的产品,只要有需求便可以出货。
半导体测试制程
测试制程乃是于IC构装后测试构装完成的产品之电性功能以保证出厂IC功能上的完整性,并对已测试的产品依其电性功能作分类(即分Bin),作为IC不同等级产品的评价依据;最后并对产品作外观检验(Inspect)作业。
电性功能测试乃针对产品之各种电性参数进行测试以确定产品能正常运作,用于测试之机台将根据产品不同之测试项目而加载不同之测试程序;而外观检验之项目繁多,且视不同之构装型态而有所不同,包含了引脚之各项性质、印字(mark)之清晰度及胶体(mold)是否损伤等项目。
而随表面黏着技术的发展,为确保构装成品与基版间的准确定位及完整密合,构装成品接脚之诸项性质之检验由是重要。
以下将对测试流程做一介绍
上图为半导体产品测试之流程图,其流程包括下面几道作业:
1.上线备料
上线备料的用意是将预备要上线测试的待测品,从上游厂商送来的包箱内拆封,并一颗颗的放在一
个标准容器(几十颗放一盘,每一盘可以放的数量及其容器规格,依待测品的外形而有不同)内,以利在上测试机台(Tester)时,待测品在分类机(Handler)内可以将待测品定位,而使其内的
自动化机械机构可以自动的上下料。
2.测试机台测试(FT1、FT2、FT3)
待测品在入库后,经过入库检验及上线备料后,再来就是上测
试机台去测试;如前述,测试机台依测试产品的电性功能种类
可以分为逻辑IC测试机、内存IC测试机及混合式IC(即同时包
含逻辑线路及模拟线路)测试机三种,测试机的主要功能在于
发出待测品所需的电性讯号并接受待测品因此讯号后所响应
的电性讯号并作出产品电性测试结果的判断,当然这些在测试
机台内的控制细节,均是由针对此一待测品所写之测试程序
(Test Program)来控制。
即使是同一类的测试机,因每种待测品其产品的电性特性及测试机台测试能力限制而有所不同。
一般来说,待测品在一家测试厂中,会有许多适合此种产品电性特性的测试机台可供其选择;除了测试机台外,待测品要完成电性测试还需要一些测试配件:
A)分类机(Handler)
承载待测品进行测试的自动化机械结构,其内有机械机构将待测品一
颗颗从标准容器内自动的送到测试机台的测试头(Test Head)上接受测试,
测试的结果会从测试机台内传到分类机内,分类机会依其每颗待测品的电
性测试结果来作分类(此即产品分Bin)的过程;此外分类机内有升温装置,
以提供待测品在测试时所需测试温度的测试环境,而分类机的降温则一
般是靠氮气,以达到快速降温的目的。
不同的Handler、测试机台及待测品
的搭配下,其测试效果会有所同,因此对测试产品而言,对可适用的Handler
与Tester就会有喜好的选择现象存在。
测试机台一般会有很多个测试头(Test Head),个数视测试机台的机型规格而定,而每个测试头同时可以上一部分类机或针测机,因此一部测试机台可以同时的与多台的分类机及针测机相连,而依连接的方式又可分为平行处理,及乒乓处理,前者指的是在同一测试机台上多台分类机以相同的测试程试测试同一批待测品,而后者是在同一测试机台上多台分类机以不同的测试程序同时进行不同批待测品的测试。
B)测试程序(Test Program)
每批待测产品都有在每个不同的测试阶段(FT1、FT2、FT3),如果要上测试机台测试,都需要不同的测试程序,不同品牌的测试机台,其测试程序的语法并不相同,因此即使此测试机台有能力测试某待测品,但却缺少测试程序,还是没有用;一般而言,因为测试程序的内容与待测品的电性特性息息相关,所以大多是客户提供的。
3)测试机台接口
这是一个要将待测品接脚上的讯号连接上测试机台的测试头上的讯号传送接点的一个转换接口,此转换接口,依待测品的电性特性及外形接脚数的不同而有很多种类,如:Hi-Fix(内存类产品)、Fixture Board(逻辑类产品)、Load Board(逻辑类产品)、Adopt Board + DUT Board(逻辑类产品)、Socket(接脚器,依待测品其接脚的分布位置及脚数而有所不同)。
每批待测品在测试
机台的测试次数并不相同,这完全要看客户的要求,一般而言逻辑性的产品,只需上测试机台一次
(即FT2)而不用FT1、FT3,如果为内存IC则会经过二至三次的测试,而每次的测试环境温度要求
会有些不同,测试环境的温度选择,有三种选择,即高温、常温及低温,温度的度数有时客户也会
要求,升温比降温耗时许多,而即于那一道要用什么温度,这也视不同客户的不同待测品而有所不
同。
每次测试完,都会有测试结果报告,若测试结果不佳,则可能会产生Hold住本批待测品的现象
产生。
3.预烧炉(Burn-In Oven)(测试内存IC才有此程序)
在测试内存性产品时,在FT1之后,待测品都会上预烧炉里去Burn In,其目的在于提供待测品一个
高温、高电压、高电流的环境,使生命周期较短的待测品在Burn In的过程中提早的显现出来,在
Burn In后必需在96个小时内待测品Burn In物理特性未消退之前完成后续测试机台测试的流程,否
则就要将待测品种回预烧炉去重新Burn In。
在此会用到的配件包括Burn-In Board及Burn In Socket..
等。
4.电性抽测
在每一道机台测试后,都会有一个电性抽测的动作(俗称QC或Q货),此作业的目的在将此完成测
试机台测试的待测品抽出一定数量,重回测试机台在测试程序、测试机台、测试温度都不变下,看
其测试结果是否与之前上测试机台的测试结果相一致,若不一致,则有可能是测试机台故障、测试
程序有问题、测试配件损坏、测试过程有瑕疵..等原因,原因小者,则需回测试机台重测,原因大
者,将能将此批待测品Hold住,等待工程师、生管人员与客户协调后再作决策。
5.卷标扫描(Mark Scan)
利用机械视觉设备对待测品的产品上的产品Mark作检测,内容包括Mark的位置歪斜度及内容的清
晰度..等。
6.人工检脚或机器检脚
检验待测品IC的接脚的对称性、平整性及共面度等,这部份作业有时会利用雷射扫描的方式来进行,也会有些利用人力来作检验。
7.检脚抽检与弯脚修整
对于弯脚品,会进行弯脚品的修复作业,然后再利用人工进行检脚的抽验。
8.加温烘烤(Baking)
在所有测试及检验流程之后,产品必需进烘烤炉中进行烘烤,将待测品上水气烘干,使产品在送至
客户手中之前不会因水气的腐蚀而影响待测品的质量。
9.包装(Packing)
将待测品依其客户的指示,将原来在标准容器内的待测品的分类包装成客户所指定的包装容器内,并作必要的包装容器上之商标粘贴等。
10.出货的运送作业
由于最终测试是半导体IC制程的最后一站,所以许多客户就把测试厂当作他们的成品仓库,以避免
自身工厂的成品存放的管理,另一方面也减少不必要的成品搬运成本,因此针对客户的要求,测试
厂也提供所谓的「Door to Door」的服务,即帮助客户将测试完成品送至客户指定的地方(包括客
户的产品买家),有些客户指的地点在海外者,便需要考虑船期的安排,如果在国内者,则要考虑
货运的安排事宜。