大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题与答案详解

大学《模拟电子技术》模电期末考试模拟试题一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

《模拟电子技术》期末复习试题及参考答案一、填空题（每空1分，共32分）1、自由电子为（）载流子，空穴为（）载流子的杂质半导体称为（）半导体。

2、PN结的单向导电性，就是PN结正偏时（），反偏时（）。

3、扩展运动形成的电流是（）电流，漂移运动形成的电流是（）。

4、所谓理想二极管就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成开断。

5、场效应管的漏极电流I D=( ),所以它是（）控制文件。

6、当温度升高时三极管的集电极电流IC（），电流放大系数β（）。

7、为了提高三极管放大电路的输入电阻，采用（）负反馈。

为了稳定输出电流，采用（）负反馈。

8、负反馈使放大电路增益（），但（）增益稳定性。

9、（）称为负反馈深度，其中F=( ),称为（）。

10、差模信号是大小（），极性（），差分电路不抑制（）漂移。

11、甲乙类互补功率放大器，可以消除（）类互补功率（）失真。

12、用低频信号去改变高频信号的（）称为调幅，高频信号称为（）信号。

13、当频率升高时，晶体管电流放大系数（）共基极电路比共射极电路的高频特性（），fδ=（）fβ14、振荡电路的平衡条件是（），正反馈才能保证振荡电路的（）。

15半波整流电路电阻负载时，理想二极管承受的最高反压是（）。

二、选择题（每空2分，共30分）1、三端集成稳压器CW7906的输出电压是（）A -6VB -9vC -12v2、测得某电路中三极管各极电位分别是3V、2.3V、12V则三极管的三个电极分别是（），该管是（）型。

A (E、B、C) B(B、C、E) C(B、E、C) D(PNP) E(NPN)3、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（）失真。

共射极放大电路的交流输出波形下半周失真时为（）失真。

A 饱和B 截止C交越D频率4、差分放大电路是为了（）而设置的。

A稳定Au B放大信号 C抑制零点漂移5、K MCR是差分放大电路的一个主要技术指标，它反映放大电路（）能力。

《模拟电子技术》期末考试试卷一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。

2、漂移电流是（）电流，它由（）载流子形成，其大小与（）有关，而与外加电压（）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（），等效成断开；4、三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（），集电结（）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（），发射结压降（）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（）、（）、（）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（）负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（）。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。

13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。

二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。

A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、，则三个电极分别是（），该管是（）型。

《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。

（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。

二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。

（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。

（A ）感性 （B ） 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。

（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ） 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。

《模拟电子技术》期末考试复习题班级：学号：姓名：成绩：一、填空题1．硅二极管导通时的正向管压降约为____ V，锗二极管导通时的管压降约为____ V。

二极管的两端加正向电压时，有一段死区电压，锗管约为____V，硅管约为____V。

0.70.30.20.52．半导体具有____特性、____特性和____的特性。

掺杂热敏光敏3．电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会____；如果施加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会____。

烧坏（开路）击穿（短路）4．使用二极管时，应考虑的主要参数是________和________。

最大整流电流（额定电流）最高反向工作电压（耐压）5．理想二极管的特点是正向导通时管压降为____，反向截止时反向电流为____。

0V0A6．用万用表测量二极管的正反向电阻时，若正、反向电阻均接近于零，则表明该二极管已____；若正、反向电阻均接近于无穷大，则表明二极管已____。

击穿烧坏7．在晶体管中，I E与I B、I C的关系为_________。

I E=I B+I C8．示波器是电子技术中常用的测量仪器，用于观察被测信号的____及测量被测信号的_________、_________和_________。

波形频率大小相位9．硅晶体管发射结的死区电压约为_____V，锗晶体管发射结的死区电压约为____V。

晶体管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约为_____V，锗管发射结的导通电压约为____V。

0.50.20.70.310．某晶体管的U CE不变，基极电流I B =30μA时，集电极电流I C =1. 2mA，则发射极电流I E =____ mA，若基极电流I B增大到50μA时，I C增大到2mA，则发射极电流I E =_____mA，晶体管的电流放大系数β=_____。

1.23mA2.05mA4011．用万用表测量晶体管时，应将万用表置于_____挡，并进行_____。

模拟电子技术(模电)模拟试题模拟电路复习预习方法：1、掌握基本理论：二极管、三极管的特点和用途，反馈的定义、分类、判断，功率放大的原理与分类，滤波器的基本原理，波形发生器的原理与能否起震的判断，直流电源的基本原理及构成。

2、掌握的计算：三极管放大电路的静态、动态分析，集成远放的相关计算，振荡电路频率计算，直流电源的简单计算。

3、除开本次提供的例题外同学们要重点复习预习课本习题。

习题一、半导体二极管及其应用1．本征半导体中的自由电子浓度______空穴浓度 a大于 b 小于 c 等于答案：C2.在掺杂半导体中，多子的浓度主要取决于______ a温度 b 材料 c掺杂工艺 d掺杂浓度答案：B3.在掺杂半导体中，少子的浓度受______的影响很大 a 温度 b掺杂工艺 c 掺杂浓度答案：C4.在掺杂半导体中，多子的浓度越高，少子的浓度越______ a 高 b 低 c不变答案：B5.N 型半导体______a 带正电b 带负电c 呈中性答案：C6.温度升高 N 型半导体的电阻率将______ a 增大 b 减小 c 不变答案：C7. 当 PN 结正向偏置时，耗尽层将______ a 不变 b 变宽小于 c 变窄答案：C8.当环境温度升高时，二极管的正向电压将 a 升高 b 降低 c 不变答案：b●9.当环境温度升高时，二极管的死区电压将______ a 升高 b 降低 c 不变答案：b10.当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流将______ a 增大 b 减小 c 不变答案：a11.二极管的正向电压降一般具有______温度系数 a 正 b 负 c 零答案：b12.确保二极管安全工作的两个主要参数分别是______和______ a UD,IF b IF,IS c IF,UR答案：c13.理想二极管的主要性能指标为 ______a UD=0,IR=0,b UD =0.3V ，IR=0c UD =0.5V ，IR =IS 答案：a13.稳压管通常工作于______，来稳定直流输出电压 a 截止区 b 正向导通区 c 反向击穿区答案：c12.对于稳定电压为 10V 的稳压管，当环境温度升高时，其稳定电压将 ______ a 升高 b 降低 c 不变答案：c13.二极管的反偏电压升高，其结电容 ______ a 增大 b 减小 c 不变答案：b17.二极管正向偏置时，其结电容主要是 ______ a 势垒电容 b 扩散电容 c无法判断答案：b18.锗二极管的死区电压约为 ______ 答案：aa 0.1Vb 0.2Vc 0.3V19.硅二极管的完全导通后的管压降约为 ______ a 0.3V b 0.5V c 0.7V 答案：c20.由二极管的伏安特性可知，二极管的管压降越高，二极管的电阻越 ______ a 大b 小c 不变答案：b22.已知二极管的静态工作点 UD 和ID ，则二极管的静态电阻为 ______ a UD/ID b UT /ID c UD/IS 答案：a24. 一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。

《模拟电子技术》模拟题及答案（本题共5小题, 每小题4分, 共 20 分）一、填空题1.在本征硅中掺入三价杂质元素, 可获得 型半导体, 其多子是 载流子, 少子是 载流子, 不能移动的定域离子带 电。

2.稳压二极管正常工作......区；光电二极管正常工作...... 区；变容二极管正常工作......区；发光二极管正常工作......区, 其导通压降至少应... V 以上。

3.双极型晶体管是以基极小电流控制集电极大电流的器件, 所以称....控制型器件；单极型场效应管则是以栅源间小电压控制漏极大电流的器件, 因之称... 控制型器件。

4.放大电路静态分析的目的是找出合适......., 以消除非线性失真；动态分析的目的是寻求放大电路......., 根据动态分析结果来确定放大电路的适用场合。

5.文氏桥正弦波振荡器主要......网络和集成运放构成..... 构成的。

电路中的正反馈环节起.....作用；电路中的负反馈环节则起.....作用。

6.小功率并联型直流稳压电源的输出电压是.......调整的；串联型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态；开关型直流稳压电源中的调整管正常工作.....状态。

（本题共11小题, 每小题1分, 共11分）二、 判断正、误题 1.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿, 不会损坏二极管。

2.双极型三极管各种组态的放大电路, 输入、输出均为反相关系。

3.本征半导体中掺入五价杂质元素后, 生成N 型半导体, 其多子是自由电子载流子。

..）4.OCL 甲乙类功放采用了单电源供电方式, 其输出大电容起负电源的作用。

..）5.功率放大器中, 甲乙类功放的性能最优良, 高保真较甲类强, 效率较乙类高。

..）6.NPN 型三极管工作在放大状态时, 其发射极电位最低, 集电极电位最高。

..）7.“虚短”和“虚断”两个重要概念, 无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。

《模拟电子技术》期末考试卷一、填空题（20 分）1、二极管最主要的特性是。

2、当三极管处于放大状态时其放射结、集电结的偏置方式为、。

3、多级放大电路中，常见的级间的耦合方式有、、。

4、负反馈放大电路中的四种组态为、、、。

5、正弦波振荡电路的振荡条件为、。

二、选择题（20分）1、P型半导体中的多数载流子是，N型半导体中的多数载流子是。

A、电子B、空穴C、正离子2、杂质半导体中少数载流子的浓度本征半导体载流子的浓度。

A、大于B、小于C、等于3、温度升高，二极管在正向电流不变的情况下的正向电压，反向电流。

A、增大B、减小C、不变（）。

A．1500 B.80 C.505、RC串并联网络在f=f0=1/2RC时呈。

A、感性B、阻性C、容性三、判断题（10分）（对的打“√”，错的打“×”）1、本征半导体温度升高后，两种载流子浓度还是相等。

（）2、参数理想对称的双端输入双端输出差分放大电路只能放大差模信号，不能放大共模信号。

（）3、放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

( )4、负反馈越深，电路的性能越稳定。

（ ）5、集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。

（ ） 四、简答题：（ 25分）1．写出下图所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D ＝0.7V 。

2、判断下图所示电路中是否引入了反馈，如果有反馈试判断反馈类型？u ou o -3、电路下图所示：请将图中左右两部分正确连接起来，使之能够产生正弦波振荡五、计算题（25分）1、电路如下图所示，试求出电路A U、R i、和R0的表达式。

2、电路如下图所示，求下列情况下U0和U I的关系式。

模拟电子技术期末考试卷答案一、填空题1、单向导电性2、正偏、反偏。

3、变压器、阻容、直接4、电压并联、电压串联、电流并联、电流串联5、AF=1，相位平衡条件二、选择题1、B A2、B3、B A4、A5、B三、判断题1、V2、V3、V4、X5、V四、简答题1、1．①D截至，U O＝2V ②D导通，U O＝1.3V2、电压并联负反馈，电压并联负反馈3、解：N-H,J-M,K-F五、计算题1、解：V B=B b2/B b1+B b2V CC,I C=I E=V B-V BE/R EU CEQ=V CC-R C I C, A V=-B(R C//R L)/r be2、解：U O=-55U ITHANKS !!!致力为企业和个人提供合同协议，策划案计划书，学习课件等等打造全网一站式需求欢迎您的下载，资料仅供参考。

模拟电子技术模拟试题及参考答案模拟电子技术模拟试题一、填空题(每小题1分，共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的，因而它的电阻率很高。

( )2、集电结处于正偏的BJT，它一定工作在饱和区。

( )3、BJT的.值越大，放大能力越强，但在选用BJT时，并不是值越大越好。

( )4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化，实现电压放大。

因此， RC的值越大，输出电压越高。

( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区，则不论输入什么信号，都不会产生非线性失真。

( )6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大，工作点稳定性越好。

但Re过大，会使BJT的VCE减小，影响放大器的正常工作。

( )7、射极输出器的输入电流是IB，输出电流是IE，因此，具有较高的电流放大倍数。

( )8、在OTL 功放电路中，输出耦合电容的主要作用是“隔直”，防止直流经负载短路。

( )9、在运放电路中，闭环增益AF是指电流放大倍数。

( )10、只要满足AF=1，a+f=2n这两个条件，就可以产生正弦波振荡。

模拟电子技术模拟试题二、判断题(每小题1分，共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下，扩散电流( )漂移电流。

a.大于b. 小于c. 等于2、当环境温度降低时，二极管的反向电流( )a.不变b. 增大c.减小3、测得BJT各极对地电压为VB=4V，VC=3.6V，VE=3.4V，则该BJT工作在( )状态。

a.截止 b.饱和 c.放大4、NPN管工作在放大区时，三个极的电位特征是( )。

a.VCVBVEb.VCVC d.VEVB5、为了减小输出电阻，集成运放的输出级多采用( )电路。

a.共射或共源b.差分放大c.互补对称6、运放的共模抑制比越大越好，因为它越大，表明运放的( )a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强7、希望接上负载RL后，VO基本不变，应引入( )负反馈。

《模拟电子技术》期末试卷及答案（本题每空1分，共20分）一、填空题：1. 二极管的伏安特性上分有四个区，分别是区、区、区和。

2. 双极型三极管属于控制型器件，单极型三极管属于控制型器件。

3. 理想运放的电路模型中，开环电压放大倍数A O＝，差模输入电阻r i= ，输出电阻r O= ，共模抑制比K CMR= 。

4. 击穿属于碰撞式的击穿，击穿属于场效应式的击穿，这两种击穿均属于击穿，具有互逆性。

5. 共发射极组态、共集电极组态和共基组态这三种放大电路中，其中组态的放大电路放大能力最强，组态的放大电路只有电流放大能力而没有电压放大能力，组态的放大电路只有电压放大能力而没有电流放大能力。

6. 放大电路中的负反馈类型可分有负反馈、负反馈、负反馈和负反馈。

（本题每小题1分，共10分）二、判断下列说法的正确与错误：1. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会造成永久型损坏。

（）2. 无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。

（）3. 甲类、乙类和甲乙类功放均存在“交越失真”现象。

（）4. 射极输出器是典型的电流串联交流负反馈放大电路。

（）5. 共模信号和差模信号都是放大电路需要传输和放大的有用信号。

（）6. 所有放大电路的输入电压信号和输出电压信号都是反相的。

（）7.设置静态工作点的目的，就是让交流信号叠加在直流载波上全部通过放大器。

（）8.三极管工作中若耗散功率超过它的最大耗散功率P CM时，该管必须烧损。

（）9. 理想集成运放构成的线性应用电路中，电压增益与其内部参数无关。

（）10.即使是单门限电压比较器，其输出也必定是两种状态。

（）（本题每小题2分，共16分）三、单选题1. P型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。

A．三价 B. 四价 C. 五价 D. 六价2. 测得NPN三极管各电极对地电压分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，则该管必工作在（）。

模电期末考试试题及答案模拟电子技术期末考试试题一、选择题（每题2分，共20分）1. 在理想运算放大器中，输入电阻是：A. 无穷大B. 0欧姆C. 1欧姆D. 10欧姆2. 以下哪个不是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 离散变化C. 随时间变化D. 可表示声音3. 一个共射放大电路的静态工作点是：A. 0VB. 5VC. 12VD. 取决于电源电压4. 负反馈在放大器中的作用是：A. 增加增益B. 降低增益C. 增加失真D. 稳定工作点5. 以下哪个不是模拟电子电路中的滤波器？A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器二、填空题（每空2分，共20分）6. 运算放大器的_________端是虚拟地，即电压为0V。

7. 电压跟随器的特点是_________，输出阻抗小。

8. 一个理想的电压源的内阻是_________。

9. 模拟乘法器常用于实现_________和_________。

10. 波形发生器电路可以产生_________、_________、_________等波形。

三、简答题（每题10分，共30分）11. 解释什么是差分放大器，并简述其主要优点。

12. 描述一个基本的RC低通滤波器的工作原理。

13. 什么是振荡器？请列举至少两种常见的振荡器类型。

四、计算题（每题15分，共30分）14. 给定一个共射放大电路，其静态工作点为VB=10V，VC=20V，VE=5V，β=100。

假设晶体管的饱和压降VBE=0.7V，计算该电路的静态工作电流IE。

15. 设计一个简单的RC低通滤波器，要求截止频率为1kHz，输入信号频率为10kHz，计算所需的电阻和电容值。

答案：一、选择题1. A2. B3. D4. B5. D二、填空题6. 反向输入7. 高输入阻抗，低输出阻抗8. 0欧姆9. 调幅、解调10. 正弦波、方波、三角波三、简答题11. 差分放大器是一种差动放大电路，它能够放大两个输入端之间的差值信号，而抑制共模信号。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题1. 下列选项中，哪种元器件可以将一个信号的幅度提高到较高水平？A. 电感B. 二极管C. 发射管D. 收音机答案：C. 发射管2. 以下哪个不是模拟电子技术中常见的电子元器件？A. 电阻B. 电容C. 电子管D. 电池答案：D. 电池3. 在模拟电子技术中，下面哪个元器件常用于放大电压信号？A. 开关B. 反射器C. 放大器D. 混频器答案：C. 放大器4. 下面哪个元器件可以将直流电信号转换成交流电信号？A. 容器B. 反射器C. 变压器D. 调制器答案：D. 调制器5. 在模拟电子技术中，以下哪个元器件常用于对电流进行控制？A. 电流计B. 混频器C. 电容D. 二极管答案：D. 二极管二、填空题6. 电阻的单位是________。

答案：欧姆（Ω）7. 二极管有两个基本电极，分别是阳极（A）和________。

答案：阴极（K）8. 在放大器中，输入信号的强度被放大器增大到预期的输出水平，这个功能叫做________。

答案：放大9. 电容存储的电荷量与其电压的关系是________。

答案：线性关系10. 以下哪个元器件可以将交流信号转换成相同频率的直流信号？答案：整流器三、解答题11. 请简要阐述电子管的工作原理及其在模拟电子技术中的应用。

答案：电子管是一种由真空或带有特殊气体的封闭空间中的电子流控制器件。

电子管工作原理基于热电子发射和电子聚焦的原理，通过在电子管中加入电场和磁场，可以控制电子流的流动和放大信号。

在模拟电子技术中，电子管经常用于放大电压信号。

它具有高放大系数和低噪声的特点，因此在音频放大器、射频放大器等方面得到广泛应用。

同时，电子管还常用于整流、调制和混频等电路中。

12. 请列举并简要介绍两种常见的放大器类型。

答案：两种常见的放大器类型分别是：a. 甲类放大器：甲类放大器是一种线性放大器，输出信号的整个周期都以较小的偏置电流进行放大，即电流在整个传输特性曲线上运行。

《模拟电子技术》期末考试试卷12010.05一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、共集电 三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频特性。

（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波 和稳压电路。

二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。

（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。

（A ）感性 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）ββ2（C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输出电阻最小的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。

《模拟电子技术》期末考试试卷1班级_ ______ 学号___ ___ 姓名___ ___ 分数___ ___一．填空（25分）（1）本征硅中若掺入五价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，掺杂越多，则其数量一定越 多 ，相反，少数载流子应是 空穴 ，掺杂越多，则其数量一定越 少 。

（2）把PN 结外加正向电压时导通、外加反向电压时截止的特性叫做 单向导电 特性。

（3）当PN 结外加正向电压时，PN 结内多子 扩散 形成较大的正向电流。

（4）硅二极管的导通电压值约为 0.6V ，锗二极管的导通电压约为 0.2V 。

（5）晶体三极管作开关应用时一般工作在输出特性曲线的 饱和 区和 截止 区。

（6）对于由三极管组成的放大电路而言，就其输入回路和输出回路的公共端不同，可以组成 共基、 共射 、 共集电 三种组态。

（7）放大电路的频率特性是指 放大倍数值 随信号频率而变，称为 幅频特性，而输出信号与输入信号的 相位差 随信号频率而变，称为 相频 特性。

（8）假设n 级放大电路的每一级的放大倍数分别为unu u u A A A A ......321、、，那么多级放大电路的放大倍数uA ＝ un u u A A A (21)（9）要使电路产生稳定的振荡，必须满足 振幅平衡 和 相位平衡 两个条件。

（10）小功率直流电源一般由四部分组成，分别是 电源变压器 、 整流 、 滤波和稳压电路。

二．选择题（每题2分，共20分）（1）为了减小输出电阻，应在放大电路中引入 ； 。

（A ）电流负反馈 （B ） 电压负反馈 （C ） 直流负反馈 （D ）交流负反馈（2）RC 串并联网络在RC f f π210==时呈 。

（A ）感性 （B ） 阻性 （C ）容性 （3）通用型集成运放的输入级多采用 。

（A ）共基接法 （B ）共集接法 （C ）共射接法 （D ） 差分接法 （4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 。