模拟电子技术综合复习题(有答案)
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《模拟电子技术》复习试题一一、填空(每空1分,共20分)1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。
2. 放大器级间耦合方式有三种:直接耦合;阻容耦合;变压器耦合;在集成电路中通常采用直接耦合。
3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真,要消除此失真,应改用甲乙类推挽放大器。
5. 图1所示两级放大电路,图中级间采用阻容耦合方式,T接成共基1组态,T接成共集组态,1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。
6. 在阻容耦合放大器中,若要降低下限频率,应将耦合电容的值增大。
7. 共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。
8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ,相应的振幅条件是1)(=ωj T ,相位条件是()πωϕ±=T 。
二、简答(共3小题,每小题5分,共15分)1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示(1)判断它们各是NPN 管还是PNP 管,在图中标出e ,b ,c 极; 答:见图中标识(判断NPN 管还是PNP 管各1分,标出e ,b ,c 极1分, 共3分)(2)估算(b)图晶体管的β和α值。
601.06===B C I I β, 985.01≈+=ββα (各1分,共2分)2.电路如图3所示,试回答下列问题(1)要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻,应接入何种负反馈?R应如何接入?(在图中连接)f答:应接入电压串联负反馈(1分)R接法如图(1分)f(2)根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性(在图中“□”处标出),并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。
答:见图中标识(3分)(共6空,两个1分)3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。
答:直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成,其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压,滤波电路的作用是减小电压的脉动,稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响,从而获得足够高的稳定性。
模电复习题答案一、选择题1. 在模拟电路中,运算放大器的基本工作模式包括:A. 非线性区B. 线性区C. 饱和区D. 所有以上答案:B. 线性区2. 理想运算放大器的输入阻抗是:A. 有限的B. 无穷大C. 零D. 1欧姆答案:B. 无穷大3. 一个理想的运算放大器的输出阻抗是:A. 无穷大B. 零C. 有限的D. 1欧姆答案:B. 零4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减少增益C. 提高稳定性D. 降低噪声答案:B、C、D5. 差分放大器的主要优点是:A. 提高增益B. 抑制共模信号C. 减少噪声D. 降低功耗答案:B. 抑制共模信号二、填空题1. 运算放大器的________特性使其在模拟电路设计中得到广泛应用。
答案:高输入阻抗,低输出阻抗2. 在设计放大器时,通常使用________来提高电路的稳定性和增益。
答案:负反馈3. 差分放大器能够有效地放大两个输入端之间的________,而抑制两个输入端共同的信号。
答案:差模信号4. 理想运算放大器的开环增益是一个非常大的数值,通常表示为________。
答案:无穷大5. 在模拟电路中,________是用来描述电路对信号进行线性或非线性处理的能力。
答案:放大能力三、简答题1. 简述运算放大器的基本组成及其工作原理。
答案:运算放大器通常由输入级、中间级和输出级组成。
输入级通常为差分放大器,用于接收两个输入信号并放大它们之间的差异。
中间级通常由多级放大器构成,用于提供增益。
输出级则将信号转换为适合负载的电压或电流。
运算放大器的工作原理基于负反馈原理,通过调整反馈网络,可以实现不同的放大功能。
2. 解释什么是负反馈,并说明它在放大器设计中的作用。
答案:负反馈是指将放大器的输出信号的一部分以相反相位反馈到输入端的过程。
在放大器设计中,负反馈可以减少增益,但同时可以提高电路的稳定性和线性度,降低非线性失真和噪声,改善频率响应。
四、计算题1. 假设有一个非理想的运算放大器,其开环增益为1000,输入阻抗为2MΩ,输出阻抗为100Ω。
模拟综合试卷一一.填充题1.集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ,b 。
2.通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器,其目的是a ,b 。
3.在晶体三极管参数相同,工作点电流相同条件下,共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。
4.一个NPN晶体三极管单级放大器,在测试时出现顶部失真,这是失真。
5.工作于甲类的放大器是指导通角等于,乙类放大电路的导通角等于,工作于甲乙类时,导通角为。
6.甲类功率输出级电路的缺点是,乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。
7.若双端输入,双端输出理想差动放大电路,两个输入电压u i1=u i2,则输出电压为V;若u i1=1500µV, u i2=500µV,则差模输入电压u id为µV,共模输入信号u ic为µV。
8.由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。
9.晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降,主要是因为的影响。
10.在共射、共集、共基三种组态的放大电路中,组态电流增益最;组态电压增益最小;组态功率增益最高;组态输出端长上承受最高反向电压。
频带最宽的是组态。
二.选择题1.晶体管参数受温度影响较大,当温度升高时,晶体管的β,I CBO,u BE的变化情况为()。
A.β增加,I CBO,与u BE减小 B. β与I CBO增加,u BE减小C.β与u BE减小,I CBO增加 D. β、I CBO与u BE都增加2.反映场效应管放大能力的一个重要参数是()A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3.双端输出的差分放大电路主要()来抑制零点飘移。
A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4.典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出,共模电压放大倍数()。
A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5.差分放大电路的共模抑制比K CMR越大,表明电路()A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6.负反馈放大电路以降低电路的()来提高嗲路的其他性能指标。
模拟电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子技术中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻器B. 电容器C. 电感器D. 晶体管2. 理想运算放大器的输入阻抗应该是:A. 无穷大B. 零C. 有限值D. 负值3. 以下哪个不是运算放大器的基本应用?A. 放大器B. 比较器C. 振荡器D. 整流器4. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 提高稳定性D. 降低噪声5. 在模拟电子电路中,若要实现电压跟随器,应该使用运算放大器的哪种配置?A. 反相放大器B. 非反相放大器C. 差分放大器D. 积分器6. 一个理想的二极管在正向偏置时,其导通电压是:A. 0VB. 0.7VC. 无穷大D. 负值7. 以下哪个不是模拟滤波器的类型?A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 逻辑滤波器8. 一个理想稳压二极管的正向导通电压是:A. 变化的B. 固定的C. 无穷大D. 零9. 在模拟电路设计中,为了减少噪声,通常采用以下哪种方法?A. 增加增益B. 使用高阻值电阻C. 使用低阻值电阻D. 增加电源电压10. 以下哪个不是模拟信号的特点?A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大答案:1-5 D A C B B;6-10 B D D C B二、填空题(每空1分,共10分)1. 一个理想的运算放大器的输出电压范围是_________。
2. 运算放大器的开环增益通常表示为_________。
3. 一个理想的二极管在反向偏置时,其电流是_________。
4. 模拟滤波器按照频率特性可以分为_________、_________和_________。
5. 稳压二极管的工作原理是利用PN结的_________特性。
答案:1. 正负电源电压 2. 无穷大 3. 零 4. 低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器 5. 齐纳击穿三、简答题(每题10分,共20分)1. 简述模拟电子技术中负反馈的概念及其在放大器设计中的作用。
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是自由电子;在P型半导体中,多数载流子是空穴。
2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类,它属于电压控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入共射(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的输出电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_____负反馈_______。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的(b)组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入( c )后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( e)场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-104、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( b )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况5、集成运放中间级的作用是( c )。
A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( a )的值。
A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中,自由电子浓度 B空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后自由电子数和空穴数都增多,且数目相同6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
变宽 D. 无法确定。
反向击穿、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
B. 前者正偏、后者反偏11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C 从1mA变为2mA,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时,它的低频跨导g m将 A 。
A.增大B.不变C.减小D. 都有可能14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量U CE。
16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
图1为 D ;图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN硅管B.PNP硅管C.NPN锗管D.PNP锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时,其栅源电压 B ,耗尽型PMOS 管工作在放大状态时,其栅源电压 D 。
A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负,也可为零18、在放大电路中,场效应管工作在漏极特性的 C 。
A.可变电阻(欧姆)区B.截止区C.饱和区 D.击穿区20、场效应管是 D 器件。
D.电压控制电流21、基本共射放大电路中,基极电阻R b的作用是 A 。
《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中,多数载流子是;在P型半导体中,多数载流子是。
2、场效应管从结构上分为结型和两大类,它属于控制性器件。
3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合,可以在信号源与负载之间接入(共射、共集、共基)组态放大电路。
4、在多级放大器中,中间某一级的电阻是上一级的负载。
5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入____________。
6、根据下图中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。
7、正弦波振荡电路通常由,,和四部分组成。
二、选择题1、利用二极管的()组成整流电路。
A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入()后形成的杂质半导体。
A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示,其类型为( )场效应管。
A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2-10 4、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=-4V,V 2=-1.2V,V 3=-1.4V,试判别管子的三个管脚分别是( )。
A 1:e、2:b、3:cB 1:c、2:e 、3:bC 1:c、2:b、3:eD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是( )。
A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件,判断图2-6所示振荡电路中( )发生振荡。
A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压( )的值。
A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中,已知变压器二次电压有效值U 2=24V ,设二极管为理想二极管,用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ,问电路的现象是( )。
A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路,要求输入电阻大,输出电流稳定,应选( )负反馈。
模拟电子技术模拟试题及参考答案模拟电子技术模拟试题一、填空题(每小题1分,共10分)1、PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。
( )2、集电结处于正偏的BJT,它一定工作在饱和区。
( )3、BJT的.值越大,放大能力越强,但在选用BJT时,并不是值越大越好。
( )4、集电极电阻RC的作用是将集电极电流的变化转换成电压的变化,实现电压放大。
因此, RC的值越大,输出电压越高。
( )5、只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的线性放大区,则不论输入什么信号,都不会产生非线性失真。
( )6、分压偏置电路的发射极电阻Re越大,工作点稳定性越好。
但Re过大,会使BJT的VCE减小,影响放大器的正常工作。
( )7、射极输出器的输入电流是IB,输出电流是IE,因此,具有较高的电流放大倍数。
( )8、在OTL 功放电路中,输出耦合电容的主要作用是“隔直”,防止直流经负载短路。
( )9、在运放电路中,闭环增益AF是指电流放大倍数。
( )10、只要满足AF=1,a+f=2n这两个条件,就可以产生正弦波振荡。
模拟电子技术模拟试题二、判断题(每小题1分,共10分)1、PN结在外加正向电压的作用下,扩散电流( )漂移电流。
a.大于b. 小于c. 等于2、当环境温度降低时,二极管的反向电流( )a.不变b. 增大c.减小3、测得BJT各极对地电压为VB=4V,VC=3.6V,VE=3.4V,则该BJT工作在( )状态。
a.截止 b.饱和 c.放大4、NPN管工作在放大区时,三个极的电位特征是( )。
a.VCVBVEb.VCVC d.VEVB5、为了减小输出电阻,集成运放的输出级多采用( )电路。
a.共射或共源b.差分放大c.互补对称6、运放的共模抑制比越大越好,因为它越大,表明运放的( )a.放大倍数越稳定b.交流放大倍数越大c.抑制温漂能力越强7、希望接上负载RL后,VO基本不变,应引入( )负反馈。
《模拟电子期末练习题》填空题:1、 PN结正偏时(导通),反偏时(截止),因此 PN结拥有(单向)导电性。
2、漂移电流是(反向)电流,它由(少量)载流子形成,其大小与(温度)相关,而与外加电压(没关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无量大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管拥有放大作用外面电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度高升时,晶体三极管集电极电流Ic (增添),发射结压降(减小)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共射极)、(共基极)、(共集电极)放大电路。
8、为了稳固三极管放大电路的静态工作点,采纳(直流)负反应,为了稳固沟通输出电流采纳(电流)负反应。
9 、负反应放大电路的放大倍数A F=( A/ (1+AF)),关于深度负反应放大电路的放大倍数A F=( 1/F )。
10、 P型半导体中空穴为(多半)载流子,自由电子为(少量)载流子。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性同样的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了除去乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采纳(甲乙)类互补功率放大器。
13 、反向电流是由(少量)载流子形成,其大小与(温度)相关,而与外加电压(没关)。
14、共集电极电路电压放大倍数(小于近似等于1),输入电阻(大),输出电阻(小),常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够克制(零点)漂移,也称(温度)漂移,因此它宽泛应用于(集成)电路中。
16 、晶体三极管拥有放大作用时,发射结(正偏),集电结(反偏)。
17、为了稳固三极管放大电路和静态工作点,采纳(直流)负反应,为了减小输出电阻采纳(电压)负反应。
18、共模信号是大小(相等),极性(同样)的两个信号。
19、乙类互补功放存在(交越)失真,能够利用(甲乙)类互补功放来战胜。
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案:C2. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。
A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案:B3. 理想运算放大器的输入阻抗是()。
A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。
A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:B5. 负反馈可以()放大器的放大倍数。
A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案:B6. 场效应管的控制方式是()。
A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案:A7. 模拟乘法器的主要功能是()。
A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案:D8. 集成电路的电源电压通常为()。
A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案:D9. 差分放大电路可以()。
A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案:C10. 模拟电路中的“地”通常是指()。
A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案:C二、填空题(每题2分,共20分)11. 放大器的增益通常用表示,单位是。
答案:增益;分贝(dB)12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。
答案:高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。
答案:电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。
答案:非线性15. 负反馈可以提高放大器的。
答案:稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。
答案:阻容;变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。
答案:对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。
答案:平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。
答案:参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。
模拟电子技术试题及答案一、选择题1. 在模拟电子技术中,以下哪种元件不是基本的模拟电路元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 逻辑门答案:D2. 运算放大器的主要作用是什么?A. 信号放大B. 信号整形C. 信号转换D. 信号滤波答案:A3. 以下哪种滤波器能够通过高频信号而阻止低频信号?A. 高通滤波器B. 低通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:A4. 在模拟电路设计中,为了减小温度对电路性能的影响,通常采用哪种方法?A. 温度补偿B. 自动增益控制C. 负反馈D. 电源滤波答案:A5. 哪种类型的半导体材料具有P型半导体的特性?A. 锗(Ge)B. 硅(Si)C. 氮化镓(GaN)D. 氧化锌(ZnO)答案:B二、填空题1. 在模拟电子技术中,______和______是构成振荡器的基本元件。
答案:电阻、电容2. 为了实现信号的放大,通常需要在电路中引入______。
答案:负反馈3. 在模拟信号处理中,______是用来描述信号频率内容的工具。
答案:傅里叶变换4. 电流放大器的主要功能是放大______信号。
答案:低频5. 在模拟电路中,为了提高电路的稳定性和可靠性,常常使用______电源。
答案:稳压三、简答题1. 请简述晶体管的主要工作原理及其在模拟电路中的应用。
晶体管是一种半导体器件,主要通过控制基极电流来调节集电极与发射极之间的电流。
在模拟电路中,晶体管可以作为放大器使用,通过小信号控制大信号的放大过程,实现信号的增益。
同时,晶体管还可以用作开关,控制电路的导通与截止。
2. 描述运算放大器的基本特性及其在模拟电路设计中的重要性。
运算放大器是一种高增益、高输入阻抗、低输出阻抗的放大器。
其基本特性包括开环增益高、输入阻抗大、输出阻抗小、频率响应宽等。
在模拟电路设计中,运算放大器因其优良的放大性能和灵活性,被广泛应用于信号放大、滤波、积分、微分等电路中,是模拟电路设计中不可或缺的核心组件。
《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章)一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P 型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中,自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 C 。
UT U U I e C. )1e (S -T U U I D. I S 。
C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将 A 。
A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量 D 。
A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电子电路中,放大器的基本功能是()。
A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是()。
A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是()。
A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ,输出电阻是50Ω,那么它的电压增益是()。
A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V,当通过它的电流为20mA时,消耗的功率是()。
A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线,说明这个电路是()。
A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10,电压增益是-100,那么它的输出电阻是()。
A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是()。
A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中,什么是“饱和区”?A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波,输出信号是方波,这个放大器可能应用在()。
A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案:1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电子电路中,________是用来测量电路输出电压的仪器。
2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。
3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。
4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。
5. 负反馈可以提高放大器的________和________。
模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共10分)1. 模拟电路中,以下哪个元件不是基本的线性元件?A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案:D2. 在理想运算放大器中,输入阻抗是:A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案:B3. 晶体管的放大作用主要取决于其:A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案:C4. 以下哪种波形不是周期性波形?A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案:D5. 在运算放大器电路中,虚短是指:A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案:A二、多项选择题(每题3分,共15分)1. 以下哪些是模拟信号的特点?A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案:ACD2. 运算放大器的典型应用包括:A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案:ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括:A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案:ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力?A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案:ABD5. 在模拟电路中,负反馈的作用包括:A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案:ABD三、填空题(每题2分,共10分)1. 在模拟电路中,信号的放大是通过________来实现的。
答案:晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。
答案:零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。
答案:电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流(DC)到________赫兹。
答案:几十兆5. 在模拟电路设计中,________是用来减少信号失真的。
答案:负反馈四、简答题(每题5分,共20分)1. 简述模拟电路与数字电路的区别。
一、填空题:(要求)1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。
制造这些器材的主要材料是半导体,例如和等。
半导体中中存在两种载流子:和。
纯净的半导体称为,它的导电能力很差。
掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。
杂质半导体分为两种:型半导体——多数载流子是;型半导体——多数载流子是。
当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个结,这是制造半导体器件的基础。
2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区:区、区和区。
为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重的非线形性失真,应使三极管工作在区。
当三极管的静态工作点过分靠近区时容易产生截止失真,当三极管的静态工作点靠近区时容易产生饱和失真。
3、半导体二极管就是利用一个加上外壳,引出两个电极而制成的。
它的主要特点是具有性,在电路中可以起整流和检波等作用。
半导体二极管工作在区时,即使流过管子的电流变化很大,管子两端的电压变化也很小,利用这种特性可以做成。
4、场效应管利用栅源之间电压的效应来控制漏极电流,是一种控制器件。
场效应管分为型和型两大类。
5、多极放大电路常用的耦合方式有三种:耦合、耦合和耦合。
6、在本征半导体中加入价元素可形成N型半导体,加入价元素可形成P型半导体。
7、集成运放中常用的偏置电路有电流源、电流源和电流源等。
8、不同类型的反馈对放大电路产生的影响不同。
正反馈使放大倍数;负反馈使放大倍数;但其他各项性能可以获得改善。
直流负反馈的作用是,交流负反馈能够。
9、电压负反馈使输出保持稳定,因而了放大电路的输出电阻;而电流负反馈使输出保持稳定,因而了输出电阻。
串联负反馈了放大电路的输入电阻;并联负反馈则了输入电阻。
在实际的负反馈放大电路中,有以下四种基本的反馈组态:式、式、式和式。
10、将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带通滤波器;将一个RC低通电路与一个RC高通电路联在一起,可以组成带阻滤波器。
《模拟电子技术》复习题综合(半导体基础知识、单管共射放大电路)一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
图1为 D ;图2为 A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中,基极电阻R b 的作用是 A 。
A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中,集电极电阻R c 的作用是 B 。
模拟试卷一一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是___________ 。
2.三极管工作在放大区时,发射结为____ 偏置,集电结为_____偏置;工作在饱和区时发射结为___偏置,集电结为____偏置。
3.当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的__倍,或者是下降了__dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为_____ 。
4.为提高放大电路输入电阻应引入___反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入_____反馈。
5.乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ =____、静态时的电源功耗PDC =______。
这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到_____,但这种功放有______失真。
6.在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在____区域。
二、选择正确答案填空(24分)1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是( )。
A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为( )。
A.P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管3.在图示2差分放大电路中,若uI = 20 mV,则电路的( )。
A.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为10 mV。
B.差模输入电压为10 mV,共模输入电压为20 mV。
C.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为10 mV。
D.差模输入电压为20 mV,共模输入电压为20 mV。
4.通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的( )。
A.输入电阻高 B.输出电阻低 C.共模抑制比大 D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应( )。
A.减小C,减小Ri B.减小C,增大RiC.增大C,减小Ri D.增大C,增大 Ri6.如图所示复合管,已知V1的 b1 = 30,V2的 b2 = 50,则复合后的 b 约为( )。
《模拟电子技术》复习题综合(第1、2章)一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N 型半导体。
A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P 型半导体。
A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中,自由电子浓度 B 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。
A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后, C 。
A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。
A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 C 。
UT U U I e S C. )1e (S -T U U I D. I S 。
C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将 A 。
A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA ,那么它的β约为 C 。
A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将 A 。
A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中,判别晶体管是否饱和,最简单的方法是测量 D 。
A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中,测得晶体管三个电极的对地电位如图所示,试判断管子的类型和材料。
图1为 D ;图2为A 。
[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管17、增强型PMOS 管工作在放大状态时,其栅源电压 B ,耗尽型PMOS 管工作在放大状态时,其栅源电压 D 。
① 0V5.7V 图1① 9V2.3V图2A.只能为正B.只能为负C.可正可负D.可正可负,也可为零18、在放大电路中,场效应管工作在漏极特性的 C 。
A.可变电阻(欧姆)区B.截止区C.饱和区D.击穿区19、表征场效应管放大能力的重要参数是 B 。
A.夹断电压U GS(off)B.低频跨导g mC.饱和漏极电流I DSSD.开启电压U GS(th)20、场效应管是 D 器件。
A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流21、基本共射放大电路中,基极电阻R b的作用是 A 。
A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路22、基本共射放大电路中,集电极电阻R c的作用是 B 。
A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C.防止信号源被短路D.保护直流电压源E C23、基本共射放大电路中,如果使用直流电压表测出U CE≈0,可能是因为 A 。
A.R b短路B.R b开路C.R c短路D.β过小24、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压u o和晶体管集电极电压u c的波形,二者相位 A 。
A.相同B.相反C.相差90°D.相差270°25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小R b失真消除,这种失真一定是 B 失真。
A.饱和B.截止C.双向D.相位26、分压式偏置工作点稳定电路,当β=50时,I B=20μA,I C=1mA。
若只更换β=100的晶体管,而其他参数不变,则I B和I C分别是 A 。
A. 10μA,1mAB. 20μA,2mAC. 30μA,3mAD. 40μA,4mA27、有两个空载放大倍数相同,输入和输出电阻不同的放大器甲和乙,对同一信号源进行放大,在负载开路的情况下,测得甲的输出电压小,这说明甲的 B 。
A.输入电阻大B.输入电阻小C.输出电阻大D.输出电阻小28、放大电路产生零点漂移的主要原因是 A 。
A.环境温度变化引起参数变化B.放大倍数太大C.采用了直接耦合方式D.外界存在干扰源29、要求组成的多级放大电路体积最小,应选 B 耦合方式。
A.阻容B.直接C.变压器D.阻容或变压器30、放大电路的三种组态( C )。
A. 都有电压放大作用B. 都有电流放大作用C. 都有功率放大作用D. 都不是一个放大器由两级相同的放大器组成,已知它们的增益分别为30dB和40dB,则放大器的总增益为( C )。
A. 30dBB. 40dBC. 70dBD. 1200dB31. 多级放大器与单级放大器相比,电压增益将( A )。
A. 提高B. 降低C. 不变D. 不确定二、填空1、PN结中扩散电流的方向是:从P区到N区,漂移电流的方向是从N区到P区。
2、PN结的最大特点是单向导电性。
3、使PN结正偏的方法是:将P区接高电位,N区接低电位。
4、PN结正偏时,有利于多数载流子的运动,阻碍少数载流子的运行。
5、PN结反偏时,内电场与外电场的方向相同,空间电荷区变宽,有利于少数载流子的漂移运动,阻碍多数载流子的扩散运动,此时PN结呈现的电阻大,PN结处于截止状态。
6、温度增加PN结呈现的电阻将会变小。
7、P型半导体中的多数载流子是空穴,N型半导体中的多数载流子是电子。
以上为第一章习题8、从基极输入,从集电极输出的是共射极电路,从基极输入,从发射极输出的是共集电极电路。
9、从栅极输入,从漏输出的是共源极电路;从栅极输入,从源极输出的是共漏极电路。
10、共集电极放大电路的电压放大倍数不可能大于1,共基极放大电路的电流放大倍数不可能大于111、某多级放大器中各级电压增益为:第一级25dB、第二级30dB、第三级-15dB、第四级60dB,放大器的总增益为100 ,总的放大倍数为10 。
12、当电压放大倍数下降为最大电压放大倍数Avo的0.707 时,所对应的两个频率分别称为上限频率和下限频率,它们之间的频率范围,称为放大电路的通频带,它是放大电路频率特性的一个重要质量指标。
13、多级电压放大器级间耦合方式有直接耦合、变压器耦合和阻容耦合三种。
三、判断题1、漂移运动是少数载流子运动而形成的。
(√)2、PN结正向电流的大小由温度决定的。
(×)3、PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。
(×)4、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。
(√)5、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
(×)6、PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
(√)7、处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)8、结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS大的特点。
(√)9、若耗尽型N沟道MOS管的U GS大于零,则其输入电阻会明显变小。
(×)以上为第一章习题10、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;(×)11、可以说任何放大电路都有功率放大作用;(√)12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;(×)13、电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;(×)14、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;(√)15、由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;(×)16、只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。
(×)17、某两级放大器中各级电压增益为:第一级2dB、第二级3dB,放大器的总增益为6 dB。
(×)四、分析题1、已知稳压管的稳定电压U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA,最大功耗P ZM=150mW。
试求左图所示电路中电阻R的取值范围。
解:稳压管的最大稳定电流I ZM=P ZM/U Z=25mA电阻R的电流为I ZM~I Zmin,所以其取值范围为Ω=-=k8.136.0ZZI~IUUR2、下图示电路中,已知输入R1=1kΩ,R L=3kΩ,U I=12V,U Z=6V,I Z=5mA,P ZM=90mW,问输出电压U O能否等于6V?解:稳压管正常稳压时,工作电流I DZ应满足I Z<I DZ<I ZM,而mAVmWUPIZZMZM15690===即5mA<I DZ<15mA设电路中D Z能正常稳压,则U O=U Z=6V。
可求得:mARURUUIIILZZILRDZ4=--=-=显然,I DZ不在稳压工作电流范围内。
以上为第一章习题3、测得工作在放大电路中三极管1、2、3脚的电位分别是3.5V,2.8V,7.8V。
试判断它是NPN型还是PNP型,是硅管还是锗管,并在图上分别标出e、b、c。
4、管子对地电位如图所示。
判断管子的工作状态和材料。
解:(A)NPN型管。
U BE=0.1-(-0.2)=0.3V,J E正偏,U BC=0.1-6=-5.9V,J C反偏。
故该管工作在放大状态,为锗管。
(B)PNP型管。
U EB=1-0.3=0.7V,J E正偏,U CB=-2-0.3=-2.3V,J C反偏。
故该管工作在放大状态,为硅管。
(C)NPN型管。
U BE= -3-(-2)=-1V,J E反偏,(A)+0.1V+6V-0.2V-3V(C)-2V0V+0.3V+1V(B)+5.5V+6V+5.3V(D) (E)+4V+4V+4VU BC=-3-0=-3V,J C反偏。
故该管工作在截止状态。
(D)PNP型管。
U EB=6-5.3=0.7V,J E正偏,U CB=5.5-5.3=0.2V,J C正偏。
故该管工作在饱和状态,为硅管。
(E)NPN型管。
U BE= 4-4=0V,U BC=4-4=0V。
则该管可能被击穿损坏,也可能电路接线问题。
5、判断以下两工作电路处于何种状态图(a)没有放大作用。
V BB对信号有短接作用;U BE过大,J E可能烧毁。
在V BB中串接电阻R B。
图(b)没有放大作用。
放大元件T没有合适的偏置状态。
R B接点移至到C1后。
五、计算题(都为第二章习题)1、在右图所示电路中,已知R B1=5kΩ, R B1=20kΩ, R E=2.3kΩ, R C=R L=10kΩ, V CC=15V,β=80, r bb′=100Ω,U BEQ=0.7V。