HZS30N中文资料
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(完整版)HZS50型拌和站性能参数及设备基础图【性能简介】HZS50型混凝土搅拌站是由配料、搅拌、电气控制等部分组成的全自动混凝土拌制成套设备,因控制系统配置不同分为HZS50型、HZS50-Ⅱ型、HZS50-Ⅲ型,它适用于中等以上规模的建筑工地、预制件厂和商品混凝土生产厂。
本机主要特点:采用组合式结构,整机安装、搬迁十分方便。
搅拌主机及骨料提升采用JS1000型双卧轴强制式混凝土搅拌机,搅拌质量好、效率高。
骨料配料采用PLD1600A型配料机,计量准确,生产效率高。
水泥、水、液体外加剂的配料均采用电子秤计量,配料精度高。
供水系统采用虹吸式水泵加压原理,使水流速加快,喷洒均匀,该结构原理已获得国家专利。
HZS50型:采用方圆集团自行研制的FHK系列控制系统,进口元件,有打印功能,带空调。
HZS50-Ⅱ型:控制系统为HBK50-4A型,进口元件,有打印功能,带空调。
HZS50-Ⅲ型:控制系统为HJK50-4A型,进口元件。
【主要技术参数】【结构介绍】HZS50 系列砼搅拌站简图方圆集团有限公司生产的HZS系列混凝土搅拌站是由骨料配料系统(配料机)、骨料输送系统、计量系统、搅拌系统、电气控制系统、供水系统、供气系统、添加剂供给系统、水泥螺旋输送机、水泥筒仓等部分组成的全自动混凝土拌制成套设备,适用于各种规模的建筑工地和商品混凝土生产厂。
(一)骨料配料系统(配料机)PLD1600A配料机简图该搅拌站所采用的PLD1600A型混凝土配料机是一种与搅拌机配套使用的前台自动配料设备。
该机由给料机构、称量系统、电气控制系统等组成。
其特点是给料机构呈“品”字形排列,皮带机给料,称量方式为杠杆+单传感器,计量准确。
(二)骨料输送系统该搅拌站骨料输送系统采用的是提升斗方式,其最大的优点是占地面积小,可节约土地资源。
(三)搅拌系统该搅拌站的搅拌主机采用JS1000双卧轴强制式搅拌机,可用于建筑工程施工部门搅拌干硬性混凝土、流动性混凝土、轻骨料混凝土及各种砂浆。
HZS90混凝土搅拌站配置(pèizhì)说明HZS90是我公司综合近年来国内外多种机型的优点和先进技术,结合本公司多年生产混凝土搅拌设备(shèbèi)的经验而开发的系列混凝土搅拌站。
该系列混凝土搅拌站是制备新鲜混凝土的成套专用设备,适用于各类大中型建筑施工,如水电、公路、港口(gǎngkǒu)、桥梁、机场、大中型预制件厂和商品混凝土生产厂等。
HZS90配有我公司自行研制的计算机管理系统和自动控制系统,操作简单、方便(fāngbiàn)。
采用Windows2000操作系统,全中文菜单显示,各设备状态(zhuàngtài)全过程模拟显示并配有声光报警。
在搅拌站工作时,只需操作少量的按钮后,整个工作过程就全部转交计算机控制。
搅拌主机选用SICOMA双卧轴强制式搅拌主机,主要电气元件采用进口产品。
使HZS90系列搅拌站的配置具有:搅拌性能优良、计量精确稳定、可靠性高、保养维修方便、高环保性能、模块化程度高等特点。
是混凝土施工及商品混凝土生产的理想和首选设备。
一、技术参数1、生产能力:90 m3/h;2、搅拌主机:MAO2250/1500SDYHO仕高玛双卧轴搅拌主机;3、密实混凝土出料:1500L;4、骨料粒径:≤80mm;5、出料高度:≥4m;6、配料机:料仓容积16m3,秤斗容积1.4m3,共3个仓,单独计量;7、计量范围(fànwéi)及精度:骨料(ɡǔ liào): 0~2000Kg±2%水泥(shuǐní): 0~800Kg±1%粉煤灰: 0~400Kg±1%水: 0~350Kg±1%外加剂(液):0~20Kg±1%说明(shuōmíng):在动态(dòngtài)时,以上各种配料精度为计量范围从等于或大于满量程30%到满量程以内。
Proximity Sensors Capacitive Thermoplastic Polyester Housing Types CA30CAN/CAF.....• 4TH Generation TRIPLESHIELD TM• Adjustable sensing distance: 2 - 20 mm Flush or 4-30 mm Non-flush• Protection: short-circuit, transients and reverse polarity • Dust and humidity compensation • Dust or Temperature alarm output • Rated operational voltage: 10-40 VDC • Output: DC 200 mA, NPN or PNP • Standard Output: NO and NC• LED indications for Power-supply, Output and Stability • IP67, IP68, IP69K, Nema 1, 2, 4, 4X, 5, 6, 6P, 12• Cable and M12 connector versions availableProduct DescriptionThe CA30CA.. capacitive proximity switches feature an improved 4TH Genera-tion TRIPLESHIELD TM tech-nology. F urthermore, these sensors feature increased immunity to electromagnetic inteference (EMI), especial-ly to frequency drives. Not only does 4TH Generation TRIPLESHIELD TM feature an increased EMI, but it also increases the immuni-ty to humidity and dust. The implementation of stability indication eases the setup procedure as both Stable ON and Stable OFF positions are indicated by the Green and yellow LEDs.increased by 20 – 25 % allowing room for additional stable detection.gives an early warning that have to be cleaned.The Temperature alarm func-tion raises an alarm if the sensing surface goes beyond 60 degree celcius.The sensor housing is featur-ing IP69K as well as approval by ECOLAB for cleaning- and disinfection agents.Rated operating distance (S n ) Non-flush mounted sensor 0 - 25 mm (factory setting 25 mm), (ref. target 75x75 mm ST37, 1 mm thick, grounded) Flush mounted sensor 0 - 16 mm (factory setting 16 mm - non-flush mounted) (ref. target 48x48 mm ST37, 1 mm thick, grounded)Specifications EN 60947-5-2Housing Sensor Output Output ConnectionRated operating Ordering no. Ordering no. Ordering no.diameter type type function distance (S n ) StandardDust alarmTemperature alarmM 30 Flush NPN NO+NC Cable 0 - 16 mm CA30CAF16NA M 30 Flush NPN NO+NC M12 Plug 0 - 16 mm CA30CAF16NAM1M 30 Flush PNP NO+NC Cable 0 - 16 mm CA30CAF16PA M 30 Flush PNP NO+NC M12 Plug 0 - 16 mm CA30CAF16PAM1M 30 Flush PNP NO Cable 0 - 16 mm CA30CAF16PODU CA30CAF16POTAM 30 Flush PNP NC Cable 0 - 16 mmCA30CAF16PCDU CA30CAF16PCTA M 30 Flush PNP NC M12 Plug 0 - 16 mm CA30CAF16PCM1DUM 30 Non-Flush NPN NO+NC Cable 0 - 25 mm CA30CAN25NA M 30 Non-Flush NPN NO+NC M12 Plug 0 - 25 mm CA30CAN25NAM1M 30 Non-Flush PNP NO+NC Cable 0 - 25 mm CA30CAN25PA M 30 Non-Flush PNP NO+NC M12 Plug 0 - 25 mm CA30CAN25PAM1M 30 Non-Flush PNP NO Cable 0 - 25 mm CA30CAN25PODU CA30CAN25POTA M 30Non-FlushPNPNCCable0 - 25 mmCA30CAN25PCDU CA30CAN25PCTAType SelectionCA30CAN/CAF.....Specifications (cont.) EN 60947-5-2* The IP69K test according to DIN 40050-9 for high-pressure, high-temperature wash-down applications. The sensor must not only be dust tight (IP6X), but also able to withstand high-pressure and steam cleaning. The sensor is exposed to high pressure water from a spray nozzle that is fed with 80°C water at 8’000– 10’000 KPa (80–100bar) and a flow rate of 14–6L/min. The nozzle is held 100 –150 mm from the sensor at angles of 0°, 30°, 60° and 90° for 30s each. The test device sits on a turntable that rotates with a speed of 5 times per minute. The sensor must not suffer any damaging effects from the high pressure water in appear-ance and function.90°60°30°0°The environments in which capacitive sensors are in s tall e d can often be un s ta-ble as regards to tempera-ture, humi d ity , object dis-tance and industrial (noise) inter f erence. Because of this, Carlo Ga v azzi offers as standard features in all TRIPLESHIELD TM capacitive sensors a user-friendly sen-sitivity adjustment instead of a fixed sensing range. Likewise, these sensors provide an extend e d sen-sing range to accommodatemechanically de m and i ng are-as and tem p erature stability to en s ure high immunity to elec t ro m agnetic interference (EMI) and a minimum need for adjusting sensitivity if the temperature varies.Note:Sensors are factory set (default) to nominal sensing range S n .Adjustment GuideCA30CAN/CAF.....Wiring DiagramDetection DiagramCA30CAN/CAF.....Detection Stability IndicationDimensionsInstallation HintsCapacitive sensors have a unique ability to detect al-most any material in li q uid or solid form. Capa c i t ive sen-sors are able to detect me-tallic as well as non-metallic ob j ects. How e ver, their tradi-tional use is for non-metallic materials such as:• Plastics Industry Resins, regrinds or mould-ed products.• Chemical IndustryCleansers, fertilizers, liq-uid soaps, corrosives andpe t r o c hemicals.• Wood IndustrySaw dust, paper products,door and window frames.• Ceramics & GlassI ndustryRaw materials, clay orfinish e d products, bottles.• Packaging IndustryPackage inspection for lev-el or contents, dry goods,fruits and vegetables, dairyproducts.Materials are detected due totheir dielectric constant. Thebigger the size of an object,the higher the density of ma-terial, the better or easier it isto detect the object.The nominal sensing di s tan-ce for a capacitive sensoris refe r r ed to a groundedme t al plate (ST37). For addi-tional information regardingdi e lec t ric ratings of materi-als please re f er to TechnicalInformation.Relief of cable strain Protection of the sensing face Switch mounted on mobile carrier To avoid interference from inductive voltage/current peaks, separate the prox. switch pow-er cables from any other power cables, e.g.motor, contactor or solenoid cablesNot correctCorrectThe cable should not be pulled A proximity switch should not serve asmechanical stopAny repetitive flexing of thecable should be avoided Delivery Contents•Capacitive switch: CA30CAN/CAF.......• User manual• 2 x M30 fingernuts• Screwdriver• Packaging: Cardboard boxAccessories• Connector type CONM14NF.. -series.• Mounting Brackets AMB30-S.. (straight),AMB30-A.. (angled)CA30CAN/CAF.....。
HZS30混凝土搅拌站使用说明HZS30混凝土搅拌站是本公司开发的集自动配料、称料以及双向搅拌出料的混凝土搅拌站设备。
其具有称料准确、配料迅速,单位时间出料量大,操作简单、方便等特点。
本系统有手动、自动二种方式控制。
客户可根据现场的实际情况来进行选择。
操作步骤:
1.把电源开关打上。
2.全机急停开关打开。
选择全机自动或手动运行。
(1)手动时把粉称和沙石称放在手动位置选择手动左或右手动卸料即可单独控制全机的各部分电器动作。
动作为不联贯性。
(2)自动时把粉称和沙石称放在自动位置选择自动左或右方向卸料。
在右(右)提升斗需按下左(右)提升斗自动锁定。
在运行过程中粉称、沙石称以及卸料都可进行暂停操作。
如遇到紧急情况可马上按下急停按钮使运行过程停下。
使用前请详细阅读JY500A1配料控制器技术说明书。
以及搅拌站流程图
大路机电有限公司。
HZS系列混凝土搅拌站技术参数1.生产能力:HZS系列混凝土搅拌站的生产能力通常以小时为单位来衡量。
不同型号的HZS系列混凝土搅拌站的生产能力不同,一般从25立方米/小时到240立方米/小时不等。
2.搅拌主机:搅拌主机是HZS系列混凝土搅拌站的核心部件之一,它负责将骨料、水泥、水和外加剂等原材料进行充分混合。
搅拌主机的型号和容量会影响到混凝土生产的效率和质量。
3.配料机:配料机是将骨料、水泥、水和外加剂等原材料按照一定比例进行准确计量并输送到搅拌主机的设备。
HZS系列混凝土搅拌站一般采用PLD系列配料机,它具有配料准确、速度快、操作方便等特点。
4.控制系统:HZS系列混凝土搅拌站的控制系统可以实现全自动、半自动和手动操作三种模式。
控制系统可以监测和控制搅拌主机、配料机、输送机和控制阀等设备的运行状态,确保混凝土生产的稳定性和质量。
5.卸料系统:卸料系统是将混凝土从搅拌主机中卸出并排放到混凝土搅拌车或运输设备中的系统。
HZS系列混凝土搅拌站的卸料系统通常采用液压或气动方式,可以实现高速卸料和完全清空。
6.料仓:料仓是用于储存骨料、水泥等原材料的设备。
HZS系列混凝土搅拌站通常具有多个料仓,可以存放不同粒径的骨料,以满足不同混凝土配方的需求。
7.控制室:控制室是HZS系列混凝土搅拌站的操作中心,操作员可以在控制室中对搅拌站进行监控和控制。
控制室一般配有空调设备,以保证操作员在任何天气条件下都可以进行操作。
总结起来,HZS系列混凝土搅拌站的技术参数包括生产能力、搅拌主机、配料机、控制系统、卸料系统、料仓和控制室等。
掌握这些技术参数可以帮助用户选择适合自身需求的搅拌站,并确保混凝土生产的高效率和高质量。
越南农山30MW机组低压厂用干式变压器技术规范一、总则1.1 本设备技术规范书仅适用于30MW Nong Son Thermal Power Plant工程的低压厂用干式变压器,它包括变压器本体及其附属设备的功能设计、结构、性能安装和试验等方面的技术要求。
1.2本技术规范提出的是最低限度的技术要求,并未对一切的技术细节做出规定,也未充分引述有关标准和规范的条文,卖方保证提供符合本技术规范和国家有关最新标准的优质产品。
1.3如果卖方没有以书面形式对本规范书的条文提出异议,则意味着卖方提供的设备(或系统)完全符合本技术规范书的要求。
如有异议,不管是多么微小,都应在报价书中以“对规范书的意见和同规范书的差异”为标题的专门章节中加以详细描述。
1.4 本设备技术规范书所使用的标准如遇与卖方所执行的标准不一致时,按较高标准执行。
1.5在签订合同之后,买方保留对本技术规范提出补充要求和修改的权利,卖方应允诺予以配合。
如提出修改,具体项目和条件由买、卖双方商定。
1.6合同生效后1个月,卖方提出合同设备的设计、制造、检验、试验、装配、安装、调试、试运、验收、运行和维护等标准清单给买方,买方确认。
1.7本设备技术规范书经买、卖双方确认后作为订货合同的技术附件,与合同正文具有同等法律效力,在技术协议书签订后,应互相按时交换资料,满足各方设计和制造进度的要求。
1.8本设备规范书未尽事宜,由买卖双方协商确定。
1.9供货范围以本技术协议书中文为准,第一级优先本规范书,第二级优先附件1 通用规范书1.10安装地区自然条件见通用规范书。
二、引用标准下列标准所包含的条文,通过在本规范书中引用而构成本规范书的基本条文。
在本规范书出版时,所示版本均为有效。
所有标准都会被修订,下列标准均为有效,有新标准颁布时,执行新标准。
BG6450-86 《干式电力变压器》IEC 762-82 《干式电力变压器》GB/T10228-1997 《干式电力变压器技术参数和要求》BG1094.1-5-96 《电力变压器》GB311.1-1997 《高压输变电设备的绝缘配合》GB2900-82 《电工名词术语》GB763 《交流高压电器在长期工作时的发热》GB5273 《变压器、高压电器和套管的接线端子》GB7328 《变压器和电抗器的声级测定》GB7449 《电力变压器和电抗器的雷电冲击试验和操作冲击试验导则》GB156 《标准电压》GB191 《包装贮运标志》GB50229 《火力发电厂与变电所设计防火规范》GB5027 《电力设备典型消防规程》GB10237 《电力变压器绝缘水平和绝缘试验外绝缘的空气间隙》DL/T572 《电力变压器运行规程》GBJ148 《电气装置安装工程电力变压器、油浸电抗器、互感器施工及验收规范》GB5027 《电力设计典范消防规程》GB772 《高压绝缘子瓷件技术条件》GB1208 《电流互感器》GB50150 《电气装置安装工程电气设备交接试验标准》GB/T16927.1 《高电压试验技术第一部分:一般试验要求》GB/T16927.2 《高电压试验技术第二部分:测量系统》国家电力公司《防止电力生产重大事故的二十五项重点要求》三、变压器主要参数3.1额定变比6.3kV±2×2.5%/0.4~0.23kV3.2冷却方式:AF3.3额定频率:50Hz3.4接线组别: D,yn113.5最高温升:100K3.6温度极限:155℃3.7绝缘等级:F级3.8绝缘水平:LI175AC35/LI0AC3一分钟工频耐压: 28KV雷电冲击耐压(峰值) 75KV3.9局放:<5PC3.10中性点运行方式:高压侧系统中性点不接地,低压侧中性点直接接地3.11变压器参数表(卖方填写)四、技术要求4.1变压器能承受低压侧出口三相短路,高压侧母线为无穷大电源供给的短路电流,绕组不变形,部件不发生损坏。
HZS60皮带机上料混凝土搅拌站使用说明书目次前言———————————————— 2一、产品的主要用途及特点—————————— 3二、主要技术参数———————————— 3三、主要技术性能———————————— 7四、结构简介及工作原理—————————— 7五、设备的搬运及验收—————————— 11六、设备的安装———————————— 11七、安装调试及试运转——————————— 15八、设备维修、保养及故障的排除—————— 16九、随机配件——————————————18十、易损件——————————————18 十一、随机工具——————————————18 十二、润滑点一览表———————————— 181前言《产品使用说明书》作为交付产品的组成部分之一。
它将向用户介绍产品的用途及特点、主要规格及技术参数、结构简介及工作原理、设备的安装、使用前的检查和试运转、操作与使用、维护与保养、安全注意事项。
本使用说明是操作和维修人员的必读资料。
同时也是订购和设备管理的必备资料。
它能让你详细的了解本搅拌站的主要技术参数、性能特点、正确的使用与维护方法等。
从而达到最佳的使用效果。
请用户务必注意以下几点:一、使用本机前必须详细阅读本说明书。
二、请严格按本使用说明书进行安装、使用、操作和维护,并严格执行国家有关安全标准。
三、操作人员必须经过严格培训。
四、必须使用我厂提供的零配件。
五、若有更改,恕不通知。
2一、产品的主要用途及特点HZS60混凝土搅拌站由骨料供给、计量、搅拌及电气控制系统等组成,该站单台生产率为60m3/h,卸料高度为3.8m,可以搅拌各种类型的砼,适用于大规模以上的建筑施工,水电、公路、港口、桥梁等建设及大型砼预制品厂和商品砼生产厂。
本站骨料采用装载机上料,四个大容积的料仓,可以同时储存四种不同骨料,电子秤计量。
配有一个水泥仓和一个添加剂料仓,由两条螺旋输送机向计量斗中供料,水泥及添加剂采用电子秤累计计量。
HZS SeriesSilicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power SupplyREJ03G0184-0300Z(Previous: ADE-208-120B)Rev.3.00Mar.11.2004 Features• Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 400 mW are ideally suited for stabilized power supply, etc.• Wide spectrum from 1.6V through 38V of zener voltage provide flexible application.• Suitable for 5mm-pitch high speed automatic insertion.Ordering InformationType No. Mark Package CodeHZS Series Type No. MHDPin ArrangementAbsolute Maximum Ratings(Ta = 25°C)Item SymbolValueUnit Power dissipation Pd 400 mWJunction temperature Tj 200 °CStorage temperature Tstg −55 to +175 °CElectrical Characteristics(Ta = 25°C)Zener Voltage Reverse Current Dynamic ResistanceV Z (V)*1TestCondition I R (µA)TestCondition r d (Ω)TestConditionType Grade Min Max I Z (mA) Max V R (V) Max I Z (mA) A1 1.6 1.8A2 1.7 1.9A3 1.8 2.05 25 0.5 100 5B1 1.9 2.1B2 2.0 2.2B3 2.1 2.3C1 2.2 2.4C2 2.3 2.5HZS2C3 2.4 2.65 5 0.5 100 5A1 2.5 2.7A2 2.6 2.8A3 2.7 2.9B1 2.8 3.0B2 2.9 3.1B3 3.0 3.2C1 3.1 3.3C2 3.2 3.4HZS3C3 3.3 3.55 5 0.5 100 5A1 3.4 3.6A2 3.5 3.7A3 3.6 3.8B1 3.7 3.9B2 3.8 4.0B3 3.9 4.1C1 4.0 4.2C2 4.1 4.3HZS4C3 4.2 4.45 5 1.0 100 5A1 4.3 4.5A2 4.4 4.6A3 4.5 4.7B1 4.6 4.8B2 4.7 4.9HZS5B3 4.8 5.05 5 1.5 100 5 Note: 1. Tested with DC.V Z (V)*1TestCondition I R (µA)TestCondition r d (Ω)TestConditionType Grade Min Max I Z (mA) Max V R (V) Max I Z (mA) C1 4.9 5.1C2 5.0 5.2HZS5C3 5.1 5.35 5 1.5 100 5A1 5.2 5.5A2 5.3 5.6A3 5.4 5.7B1 5.5 5.8B2 5.6 5.9B3 5.7 6.0C1 5.8 6.1C2 6.0 6.3HZS6C3 6.1 6.45 5 2.0 40 5A1 6.3 6.6A2 6.4 6.7A3 6.6 6.9B1 6.7 7.0B2 6.9 7.2B3 7.0 7.3C1 7.2 7.6C2 7.3 7.7HZS7C3 7.5 7.95 1 3.5 15 5A1 7.7 8.1A2 7.9 8.3A3 8.1 8.5B1 8.3 8.7B2 8.5 8.9B3 8.7 9.1C1 8.9 9.3C2 9.1 9.5HZS9C3 9.3 9.75 1 5.0 20 5A1 9.5 9.9A2 9.7 10.1A3 9.9 10.3B1 10.2 10.6B2 10.4 10.8B3 10.7 11.1C1 10.9 11.3C2 11.1 11.6HZS11C3 11.4 11.95 1 7.5 25 5A1 11.6 12.1A2 11.9 12.4A3 12.2 12.7B1 12.4 12.9B2 12.6 13.1HZS12B3 12.9 13.45 1 9.5 35 5 Note: 1. Tested with DC.V Z (V)*1TestConditionI R (µA) Test Condition r d (Ω) Test ConditionTypeGradeMin Max I Z (mA)MaxV R (V)MaxI Z (mA)C1 13.2 13.7 C2 13.5 14.0HZS12C3 13.8 14.35 1 9.5 35 5 1 14.1 14.7 2 14.5 15.1 HZS153 14.9 15.55 1 11.0 40 5 1 15.3 15.9 2 15.7 16.5 HZS163 16.3 17.1 5 1 12.0 45 5 1 16.9 17.7 2 17.5 18.3 HZS183 18.1 19.05 1 13.0 55 5 1 18.8 19.7 2 19.5 20.4 HZS203 20.2 21.1 2 1 15.0 60 2 1 20.9 21.9 2 21.6 22.6 HZS223 22.3 23.32 1 17.0 65 2 1 22.9 24.0 2 23.6 24.7 HZS243 24.3 25.5 2 1 19.0 70 2 1 25.2 26.6 2 26.2 27.6 HZS273 27.2 28.62 1 21.0 80 2 1 28.2 29.6 2 29.2 30.6 HZS303 30.2 31.6 2 1 23.0 100 2 1 31.2 32.6 2 32.2 33.6 HZS333 33.2 34.62 1 25.0 120 2 1 34.2 35.7 2 35.3 36.8 HZS363 36.4 38.02 1 27.0 140 2 Notes: 1. Tested with DC.2. Type No. is as follows; HZS2B1, HZS2B2, HZS36-3.Main CharacteristicPackage Dimensions RENESAS SALES OFFICESRenesas Technology America, Inc.450 Holger Way, San Jose, CA 95134-1368, U.S.ATel: <1> (408) 382-7500 Fax: <1> (408) 382-7501Renesas Technology Europe Limited.Dukes Meadow, Millboard Road, Bourne End, Buckinghamshire, SL8 5FH, United KingdomTel: <44> (1628) 585 100, Fax: <44> (1628) 585 900Renesas Technology Europe GmbHDornacher Str. 3, D-85622 Feldkirchen, GermanyTel: <49> (89) 380 70 0, Fax: <49> (89) 929 30 11Renesas Technology Hong Kong Ltd.7/F., North Tower, World Finance Centre, Harbour City, Canton Road, Hong KongTel: <852> 2265-6688, Fax: <852> 2375-6836Renesas Technology Taiwan Co., Ltd.FL 10, #99, Fu-Hsing N. Rd., Taipei, TaiwanTel: <886> (2) 2715-2888, Fax: <886> (2) 2713-2999Renesas Technology (Shanghai) Co., Ltd.26/F., Ruijin Building, No.205 Maoming Road (S), Shanghai 200020, ChinaTel: <86> (21) 6472-1001, Fax: <86> (21) 6415-2952Renesas Technology Singapore Pte. Ltd.1, Harbour Front Avenue, #06-10, Keppel Bay Tower, Singapore 098632Tel: <65> 6213-0200, Fax: <65> 6278-8001。
第52卷第7期 辽 宁 化 工 Vol.52,No. 7 2023年7月 Liaoning Chemical Industry July,2023生物炭在厌氧氨氧化反应中应用的研究进展姜 琦(沈阳建筑大学 市政与环境工程学院,辽宁 沈阳 110168)摘 要: 厌氧氨氧化技术因其高效和低能耗等优点被认为是替代常规生物脱氮的主要工艺之一。
但是厌氧氨氧化技术在处理主流城市污水方面仍然存在一些问题,如启动时间较长,颗粒污泥稳定性较差等。
生物炭因其具有廉价易得、环境友好的特点,成为近些年来环境领域的研究热点材料,越来越受到人们的关注。
综述了生物炭在厌氧氨氧化领域的应用,为厌氧氨氧化技术存在的部分问题提供更经济环保的解决措施,旨在推动厌氧氨氧化反应的同时促进环境的友好发展。
关 键 词:生物炭; 厌氧氨氧化; 工艺强化中图分类号:TQ085+.4 文献标识码: A 文章编号: 1004-0935(2023)07-1047-04厌氧氨氧化工艺(Anaerobic ammonium oxidation, Anammox)是以NH4+-N为电子供体,NO2--N为电子受体将NH4+-N转化为N2的过程[1]。
与传统生物脱氮工艺相比具有无需额外碳源、运行成本低、占地小的优点,因此,Anammox工艺被称为是最具有前景的新型脱氮技术[2]。
但是厌氧氨氧化菌具有倍增时间长、生物保留量差、环境敏感性等缺点,在污水处理厂的实际应用中仍存在限制[3-4]。
为了解决这些问题,研究者们进行了诸多尝试,如:换用不同的反应器(如:上流式厌氧污泥床(UASB)、膜生物反应器(MBR)、序批式反应器(SBR));添加特定金属离子(如:Fe2+、Mn2+、Cu2+、Zn2+等)和中间肼来缩短其启动时间,稳定其脱氮效果和增加颗粒稳定性。
然而,在实际操作中,考虑到成本和实际性,寻找一种更可靠的材料是更有意义的。
生物炭(Biochar)是生物质(如,秸秆、畜禽粪便等农林废弃物)在限氧条件下通过热化学转化得到的一种固体富碳产物。
VN30NHIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAYPRELIMINARY DATAsOUTPUT CURRENT (CONTINUOUS):45A @T c =25o Cs 5V LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT s THERMAL SHUT-DOWNs UNDER VOLTAGE SHUT-DOWNs OPEN DRAIN DIAGNOSTIC OUTPUT sVERY LOW STAND-BY POWER DISSIPATIONDESCRIPTIONThe VN30N is a monolithic device made using SGS-THOMSON Vertical Intelligent Power Technology,intended for driving resistive or inductive loads with one side grounded.Built-in thermal shut-down protects the chip from over temperature and short circuit.The input control is 5V logic level compatible.The open drain diagnostic output indicates open circuit (no load)and over temperature status.September 1994BLOCK DIAGRAMTYPE V DSS R DS(on)I OUT V C C VN30N60V0.03Ω45A26VPENTAWATT (vertical)PENTAWATT (horizontal)PENTAWATT (in-line)ORDER CODES:PENTAWATT vertical VN30NPENTAWATT horizontal VN30N (011Y)PENTAWATT in-line VN30N (012Y)1/10VN30NABSOLUTE MAXIMUM RATINGSymbol Parameter Value Unit V(BR)DSS Drain-Source Breakdown Voltage60VI O UT Output Current(cont.)45AI R Reverse Output Current-45AI I N Input Current±10mA-V CC Reverse Supply Voltage-4VI STA T Status Current±10mAV E SD Electrostatic Discharge(1.5kΩ,100pF)2000V P tot Power Dissipation at T c≤25o C108W T j Junction Operating Temperature-40to150o C T stg Storage Temperature-55to150o CCONNECTION DIAGRAMCURRENT AND VOLTAGE CONVENTIONS2/10THERMAL DATAR thj-cas e R thj-amb Thermal Resistance Junction-case MaxThermal Resistance Junction-ambient Max1.1560o C/Wo C/WELECTRICAL CHARACTERISTICS(V CC=13V;-40≤T j≤125o C unless otherwise specified) POWERSymbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unit V C C Supply Voltage726VR on On State Resistance I OU T=18AI OU T=18A T j=25o C 0.060.03ΩΩI S Supply Current Off State T j≥25o COn State 5015µAmASWITCHINGSymbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unitt d(on)Turn-on Delay Time OfOutput Current I OU T=18A Resistive LoadInput Rise Time<0.1µs T j=25o C30µst r Rise Time Of OutputCurrent I OU T=18A Resistive LoadInput Rise Time<0.1µs T j=25o C100µst d(off)Turn-off Delay Time OfOutput Current I OU T=18A Resistive LoadInput Rise Time<0.1µs T j=25o C80µst f Fall Time Of OutputCurrent I OU T=18A Resistive LoadInput Rise Time<0.1µs T j=25o C40µs(di/dt)on Turn-on Current Slope I OU T=18AI OU T=I OV 0.53A/µsA/µs(di/dt)off Turn-off Current Slope I OU T=18AI OU T=I OV 34A/µsA/µsLOGIC INPUTSymbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unit V IL Input Low LevelVoltage0.8VV IH Input High LevelVoltage2(*)VV I(hy st.)Input HysteresisVoltage0.5VI I N Input Current V IN=5V250500µAV ICL Input Clamp Voltage I IN=10mAI IN=-10mA6-0.7VVPROTECTIONS AND DIAGNOSTICSSymbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.Unit V STAT(•)Status Voltage OutputLowI STAT=1.6mA0.4VV US D Under Voltage ShutDown 6.57VVN30N3/10ELECTRICAL CHARACTERISTICS(continued)PROTECTION AND DIAGNOSTICS(continued)Symbol Parameter Test Conditions Min.Typ.Max.UnitV S CL(•)Status Clamp Voltage I STAT=10mAI STAT=-10mA6-0.7VVt S C Switch-off Time inShort Circuit Conditionat Start-UpR LOA D<10mΩT c=25o C1msI OV Over Current R LOA D<10mΩ-40≤T c≤125o C140AI AV Average Current inShort CircuitR LOA D<10mΩT c=85o C 2.5AI OL Open Load CurrentLevel51250mAT TS D Thermal Shut-downTemperature140o C T R Reset Temperature125o C(*)The V IH is internally clamped at6V about.It is possible to connect this pin to an higher voltage via an external resistor calculated to not exceed10mA at the input pin.(•)Status determination>100µs after the switching edge.FUNCTIONAL DESCRIPTIONThe device has a diagnostic output which indicates open circuit(no load)and over temperature conditions.The output signals are processed by internal logic.To protect the device against short circuit and over-current condition,the thermal protection turns the integrated Power MOS off at a minimum junction temperature of140o C.When the temperature returns to about125o C the switch is automatically turned on again.In short circuit conditions the protection reacts with virtually no delay,the sensor being located in the region of the die where the heat is generated. PROTECTING THE DEVICE AGAINST REVER-SE BATTERYThe simplest way to protect the device against a continuous reverse battery voltage(-26V)is to insert a Schottky diode between pin1(GND)and ground,as shown in the typical application circuit (fig.3).The consequences of the voltage drop across this diode are as follows:–If the input is pulled to power GND,a negative voltage of-V F is seen by the device.(V IL,V IH thresholds and V STAT are increased by V F with respect to power GND).–The undervoltage shutdown level is increased by V F.If there is no need for the control unit to handle external analog signals referred to the power GND,the best approach is to connect the reference potential of the control unit to node[1] (see application circuit in fig.4),which becomes the common signal GND for the whole control board.In this way no shift of V IH,V IL and V STAT takes place and no negative voltage appears on the INPUT pin;this solution allows the use of a standard diode,with a breakdown voltage able to handle any ISO normalized negative pulses that occours in the automotive environment.VN30N 4/10TRUTH TABLEINPUT OUTPUT DIAGNOSTICNormal Operation LH LHHHOpen Circuit(No Load)H H LOver-temperature H L LUnder-voltage X L HFigure1:WaveformsFigure2:Over Current Test CircuitVN30N5/10VN30NFigure3:Typical Application Circuit With A Schottky Diode For Reverse Supply Protection Figure4:Typical Application Circuit With Separate Signal Ground6/10DIM.mm inch MIN.TYP.MAX.MIN.TYP.MAX.A 4.80.189C 1.370.054D 2.4 2.80.0940.110D1 1.2 1.350.0470.053E 0.350.550.0140.022F 0.8 1.050.0310.041F11 1.40.0390.055G 3.2 3.4 3.60.1260.1340.142G1 6.6 6.870.2600.2680.276H210.40.409H310.0510.40.3960.409L 17.850.703L115.750.620L221.40.843L322.50.886L5 2.630.1020.118L615.115.80.5940.622L766.60.2360.260M 4.50.177M140.157Dia3.653.850.1440.152L2L3L5L7L6Dia.ACDED 1H 3H 2FGG 1L1LM M 1F 1P010EPentawatt (vertical)MECHANICAL DATAVN30N7/10DIM.mminch MIN.TYP.MAX.MIN.TYP.MAX.A 4.80.189C 1.370.054D 2.4 2.80.0940.110D1 1.2 1.350.0470.053E 0.350.550.0140.022F 0.8 1.050.0310.041F11 1.40.0390.055G 3.2 3.4 3.60.1260.1340.142G1 6.66.870.2600.2680.276H210.40.409H310.0510.40.3960.409L 14.2150.5590.590L1 5.7 6.20244L214.615.20.598L3 3.5 4.10.1370.161L5 2.630.1020.118L615.115.80.5940.622L76 6.60.2360.260Dia3.65 3.850.1440.152P010FPentawatt (horizontal)MECHANICAL DATAVN30N8/10DIM.mminch MIN.TYP.MAX.MIN.TYP.MAX.A 4.80.189C 1.370.054D 2.4 2.80.0940.110D1 1.2 1.350.0470.053E 0.350.550.0140.022F 0.8 1.050.0310.041F11 1.40.0390.055G 3.2 3.4 3.60.1260.1340.142G1 6.66.870.2600.2680.276H210.40.409H310.0510.40.3960.409L223.0523.423.80.9070.9210.937L325.325.6526.10.996 1.0101.028L52.630.1020.118L615.115.80.5940.622L76 6.60.2360.260Dia3.653.850.1440.152P010DPentawatt (In-Line)MECHANICAL DATAVN30N9/10VN30NInformation furnished is believed to be accurate and reliable.However,SGS-THOMSON Microelectronics assumes no responsability for the consequences of use of such information nor for any infringement of patents or other rights of third parties which may results from its use.No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of SGS-THOMSON Microelectronics.Specificationsmentioned in this publication are subject to change without notice.This publication supersedes and replaces all information previously supplied.SGS-THOMSON Microelectronics products are not authorized for use as critical components in life support devices or systems without express written approval of SGS-THOMSON Microelectonics.©1994SGS-THOMSON Microelectronics-All Rights ReservedSGS-THOMSON Microelectronics GROUP OF COMPANIESAustralia-Brazil-France-Germany-Hong Kong-Italy-Japan-Korea-Malaysia-Malta-Morocco-The Netherlands-Singapore-Spain-Sweden-Switzerland-Taiwan-Thailand-United Kingdom-U.S.A10/10。
序号药品编码中文名称拼音助记码收费类别收费项目等级剂型1101340两性霉素B脂质体LXMSZZT西药乙类注射剂2102880脂溶性维生素(I,II)ZRXWSS西药乙类注射剂3204971灯盏细辛注射制剂DZXXZSZJ中成药乙类注射剂4107252倍氯米松BLMS西药乙类吸入剂5108360奥曲肽[8肽]AQTT西药乙类注射剂6108410美沙拉嗪MSLQ西药乙类口服常释剂型7108411美沙拉嗪MSLQ西药乙类缓释控释剂型8108412美沙拉嗪MSLQ西药乙类缓控释颗粒剂9108413美沙拉嗪MSLQ西药乙类栓剂10108414美沙拉嗪MSLQ西药乙类灌肠剂11108420生长抑素[14肽]SCYST西药乙类注射剂12107990地衣芽胞杆菌活菌制剂DYYBGJHJ西药乙类口服常释剂型13108000枯草杆菌、肠球菌二联活菌制剂KCGJCQJE西药乙类口服常释剂型14108010枯草杆菌二联活菌制剂KCGJELHJ西药乙类口服常释剂型15108020双歧杆菌三联活菌制剂SQGJSLHJ西药乙类口服常释剂型16108021双歧杆菌三联活菌制剂SQGJSLHJ西药乙类口服散剂17108030双歧杆菌活菌制剂SQGJHJZJ西药乙类口服常释剂型18109860冻干人凝血酶原复合物DGRNXMYF西药乙类注射剂19205041脉血康片MXKJNP中成药乙类片剂20207590绞股蓝总苷[甙]颗粒JGLZGDKL中成药乙类颗粒剂21207591绞股蓝总苷[甙]胶囊JGLZGDKL中成药乙类胶囊剂22207592绞股蓝总苷[甙]片JGLZGDKL中成药乙类片剂23206880迈之灵片(马栗种子提取物片)MZLPMLZZ中成药乙类片剂24207810京万红JWH中成药甲类外用膏剂25202230珠珀猴枣散ZPHZS中成药乙类散剂26202740参芪十一味颗粒CQSYWKLS中成药乙类颗粒剂27202741十一味参芪胶囊CQSYWKLS中成药乙类胶囊剂28202742十一味参芪片CQSYWKLS中成药乙类片剂29206752雷公藤多甙片LGTDDP中成药甲类片剂30101862对乙酰氨基酚DYXAJF西药乙类缓释控释剂型31103650动物源胰岛素DWYYDS西药甲类注射剂32103651短效胰岛素(如普通胰岛素)DXYDSRPT西药甲类注射剂ZXYDSRDJ西药甲类注射剂33103652中效胰岛素(如低精蛋白锌胰岛素)CXYDSRYJ西药甲类注射剂34103653长效胰岛素(如鱼精蛋白锌胰岛素)35103660重组人胰岛素CZRYDS西药乙类注射剂36103661短效胰岛素DXYDS西药乙类注射剂ZXYDSRDJ西药乙类注射剂37103662中效胰岛素(如低精蛋白锌重组人胰BTBLYHRY西药乙类注射剂38103663不同比例预混人胰岛素(如混合重组39103670超短效人胰岛素类似物CDXRYDSL西药乙类注射剂40103671门冬胰岛素MDYDS西药乙类注射剂41103672赖脯胰岛素LFYDS西药乙类注射剂42103680长效人胰岛素类似物CXRYDSLS西药乙类注射剂43103681甘精胰岛素GJYDS西药乙类注射剂44103682重组甘精胰岛素CZGJYDS西药乙类注射剂45103683地特胰岛素DTYDS西药乙类注射剂46104210重组人干扰素α-2a[α-2b]CZRGRS西药乙类凝胶剂47104250静脉注射用人免疫球蛋白(pH4)JMZSYRMY西药乙类注射剂48102930碳酸钙D3(维生素D3碳酸钙)TSGWSSTS西药乙类口服常释剂型49102931碳酸钙D3(维生素D3碳酸钙)TSGWSSTS西药乙类颗粒剂50103040复方氨基酸(18AA-Ⅶ,18B)FFAJS西药乙类注射剂51103130氨基酸型肠内营养剂AJSXCNYY西药乙类口服散剂52103140L-谷氨酰胺GAXA西药乙类颗粒剂53103150复方氨基酸(8-11)FFAJS西药乙类口服常释剂型54103160短肽型肠内营养剂DTXCNYYJ西药乙类口服散剂55103161短肽型肠内营养剂DTXCNYYJ西药乙类口服液体剂56103170疾病特异型肠内营养剂JBTYXCNY西药乙类口服散剂57103171疾病特异型肠内营养剂JBTYXCNY西药乙类口服液体剂58103180整蛋白型肠内营养剂ZDBXCNYY西药乙类口服散剂59103181整蛋白型肠内营养剂ZDBXCNYY西药乙类口服液体剂60105230右丙亚胺YBYA西药乙类注射剂61208850益母草(含鲜益母草)膏YMCHXYMC中成药甲类膏剂62208851益母草(含鲜益母草)颗粒YMCHXYMC中成药甲类颗粒剂63208852益母草(含鲜益母草)胶囊YMCHXYMC中成药甲类胶囊剂64208853益母草(含鲜益母草)片YMCHXYMC中成药甲类片剂65105810巴曲酶(降纤酶)BQMJXM西药乙类注射剂66111580复方硼砂FFPS西药甲类含漱液67111851复方甲硝唑FFJXZ西药乙类栓剂68111880硝呋太尔制霉菌素XFTEZMJS西药乙类栓剂69111881硝呋太尔制霉菌素XFTEZMJS西药乙类阴道软胶囊70110190维生素B4(磷酸腺嘌呤)WSS西药乙类口服常释剂型71209970桂林西瓜霜(指散剂)GLXGSZSJ中成药乙类散剂72210010开喉剑喷雾剂KHJPWJ中成药乙类喷雾剂73108040酪酸梭菌活菌制剂LSSJHJZJ西药乙类口服常释剂型74200011-1感冒清热胶囊GMQRJN西药甲类胶囊剂75300210-1西红花XHH中草药丙类草药76300310-1各种动物鞭GZDWB中草药丙类草药77103654预混胰岛素YHYDS西药甲类注射剂78100680土霉素TMS西药甲类口服常释剂型79101280咪康唑MKZ西药乙类口服常释剂型80101404利巴韦林LBWL西药乙类滴鼻剂81106120茴拉西坦HLXT西药乙类口服常释剂型82106121茴拉西坦HLXT西药乙类颗粒剂83109160二氮嗪EDQ西药乙类注射剂84109271辛伐他汀XFTT西药乙类滴丸剂85108921可乐定(苯氨咪唑啉)KLD西药乙类滴眼剂86112120硫酸钠LSN西药甲类口服散剂87108050谷氨酸GAS西药甲类注射剂88108130苦参素(苦参总碱)KCSKCZJ西药乙类注射剂89206360天麻素注射液TMSZSY中成药乙类注射剂90207571降脂灵胶囊JZLKLJNP中成药乙类胶囊剂91207590绞股蓝总苷[甙]颗粒JGLZGDKL中成药乙类颗粒剂92208430得力生注射液DLSZSY中成药乙类注射剂93206960康肾颗粒KSKL中成药乙类颗粒剂94210880复方青黛丸FFQDWJNP中成药乙类丸95202020痰咳净散TKJSP中成药乙类散剂96202021痰咳净片TKJSP中成药乙类片剂97206680武力拔寒散WLBHS中成药乙类散剂98206750雷公藤口服制剂LGTKFZJ中成药甲类99203980精乌胶囊JWJN中成药乙类胶囊剂100209070白带丸BDW中成药乙类丸101107530西咪替丁XMTD西药甲类口服常释剂型102107531西咪替丁XMTD西药甲类注射剂103111070鸦胆子油YDZY西药乙类外用液体剂104111230地匹福林DPFL西药乙类滴眼剂105111430人工泪液RGLY西药乙类滴眼剂106110270噻氯匹定SLPD西药乙类口服常释剂型107110350转化糖ZHT西药乙类注射剂108110141肌苷JG西药乙类口服常释剂型109209314乌鸡白凤口服液WJBFKLKF中成药乙类口服液体剂111209040茜芷胶囊QZJN中成药乙类胶囊剂最小医院等级终止日期职工住院自付比例居民住院自付比例离休自付比例022017-08-31.15.4.05022017-08-31.1.3.05002017-08-31000022017-08-31.1.3.05022017-08-31.15.4.05022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20022017-08-31.15.4.05002017-08-31000022017-08-31.1.3.05022017-08-31.1.3.05002017-08-31000002017-08-31000022017-08-31.1.3.05022017-08-31.1.3.05002017-08-31000022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20022017-08-31.1.3.05002017-08-31000022017-08-31.1.3.05022017-08-31.1.3.05022017-08-31.1.3.05022017-08-31.1.3.05002017-08-31000002017-08-31000002017-08-31000002017-08-31000002017-08-31000002017-08-31000002017-08-31000002017-08-31000002017-08-31000002017-08-31000022017-08-31.1.3.05022017-08-31.1.3.05022017-08-31.1.3.05022017-08-31.1.3.05022017-08-31.1.3.05022017-08-31.1.3.05022017-08-31.1.3.05022017-08-31.05.20022017-08-31.15.4.05002017-08-31000022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20022017-08-31.1.3.05022017-08-31.05.20022017-08-31.1.3.05022017-08-31.1.3.05 022017-08-31.1.3.05 022017-08-31.1.3.05 022017-08-31.1.3.05 022017-08-31.1.3.05 002017-08-31000002017-08-31000002017-08-31000002017-08-31000022017-08-31.1.3.05 002017-08-31000022017-08-31.05.20022017-08-31.1.3.05 022017-08-31.1.3.05 002017-08-31000022017-08-31.1.3.05 022017-08-31.1.3.05 022017-08-31.05.202017-08-312017-08-312017-08-312017-08-31002017-08-31000002017-08-31000002017-08-31.05.20002017-08-31.05.10002017-08-31.05.10022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20002017-08-31000002017-08-31000022017-08-31.05.20002017-08-31.1.1.05 022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20022017-08-31.1.3.05 022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20022017-08-31.1.3.05 002017-08-31000022017-08-31.1.3.05 022017-08-31.05.20002017-08-31000002017-08-31000022017-08-31.05.20022017-08-31.05.20022017-08-31.1.3.05002017-08-31000 002017-08-31.05.20 002017-08-321备注限配合肠外营养用◇限胰腺炎、食道静脉出血△限胰腺炎、食道静脉出血△;限菌群失调△;限菌群失调△;限菌群失调△;限菌群失调△;限菌群失调;限菌群失调限手术大出血及肝硬变、肝坏死导致的出血△△△△限小儿发热痰鸣限恶性肿瘤放化疗期间血象指标低下,脏器衰竭限恶性肿瘤放化疗期间血象指标低下,脏器衰竭限恶性肿瘤放化疗期间血象指标低下,脏器衰竭△◇◇◇;限反复发作低血糖的I型、脆性糖尿病◇;限反复发作低血糖或有重度合并症的老年糖尿病患者△限儿童重度病毒感染和工伤保险限佝偻病限重度创伤患者◇;限有营养风险和不能进食的重症患者限配合肠外营养用◇;限有营养风险和不能进食的重症患者◇;限有营养风险和不能进食的重症患者◇;限有营养风险和不能进食的重症患者◇;限有营养风险和不能进食的重症患者◇;限有营养风险和不能进食的重症患者◇;限有营养风险和不能进食的重症患者限使用阿霉素治疗后出现心脏损害的患者和工伤保险△△△△△△△△△鲁人社字【2016】124号△限儿童△△限二线用药鲁人社字【2016】124号△△限肝癌△△◇△△△限因胰岛素抵抗无法使用葡萄糖的抢救患者△△100000。
多模光缆型号介绍多模光缆型号介绍多模光缆型号属于全介质自承式层绞式光缆,多模光缆型号采用芳纶增强来提高光缆的抗拉强度。
对于10KV和35KV的电力线路可采用聚乙烯护套多模光缆型号,对于110kV和220kV的电力线路则必须通过计算电场场强分布来确定光缆挂点并采用耐电痕外护套,最大跨距超过1500米,主要用于电力系统自承式架空敷设,广泛用于电力系统干线网。
多模光缆型号结构是:光纤位于带纤膏的松套管中;缆芯中心是非金属加强芯FRP(可能会加PE垫层),FRP周围由松套管、填充绳绞合而成,缆芯内、外的间隙填充缆膏。
缆芯先聚乙烯内护套,然后包上一层芳纶纱,最后再聚乙烯外护套或耐电痕(AT)外护套。
公司简介亚太线缆(AsiaPacificCable)是一家致力于:网络综合布线、计算机电缆、屏蔽控制电缆、光纤光缆、电力电缆、通讯产品等研发、生产、销售的科技公司,并提供系统解决方案的公司,是全球知名品牌,总部位于北美,通过其运营子公司在亚太地区从事通讯电缆、电力电缆及漆包线等产品的制造与分销,营运范围主要分布于新加坡、泰国、澳大利亚和中国大陆。
其客户群包括:政府机关、国家电网、系统集成商、通信运营商和跨国企业,服务亚太地区电力基础设施,光电通信设施等为用户提供完善的产品和服务。
凭借着“科技至上、品质至上,团队至上,服务至上”的理念,成为全球电缆通讯行业的领先品牌,并拥有实力雄厚的产品设计研发团队,系统方案解决团队,供应链管理团队以及市场营销团队。
亚太线缆为用户搭建稳定可靠的基础构架,帮助企业对未来市场的掌控,协助他们成功。
为促进世界经济互补性,改善世界经济贸易逆差的壁垒,鼓励货物流通、服务、资本、技术的融合。
致力于为全球经济信息化搭建平等互利的平台,为现代智慧城市,互联网带宽的提升与推进提供助力。
公司的目标追求品质可靠 追求技术领先 追求管理高效 追求服务更好当今社会互联网发展迅速,随着带宽需求的提升,网络的高效性和稳定性就越来越迫切。
HZS-N SeriesSilicon Epitaxial Planar Zener Diodes for Stabilized PowerSupplyADE-208-124 (Z)PreliminaryRev. 0Aug. 1993Features• Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 400mW are ideally suited for stabilized power supply, etc.• Wide spectrum from 1.88V through 38.52V of zener voltage provide flexible application.• Suitable for 5mm-pitch high speed automatic insertion.Ordering InformationType No.Mark Package Code HZS-N SeriesType No.MHDOutline1. Cathode2. AnodeCathode bandType No.122B 7.5Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)ItemSymbol Value Unit Power dissipation Pd 400mW Junction temperature Tj 200°C Storage temperatureTstg–55 to +175°CHZS-N Series2Electrical Characteristics (Ta = 25°C)Zener Voltage Reverse Current Dynamic Resistance V Z (V)*TestCondition I R (µA)TestCondition r d (½)TestCondition Type Grade Min Max I Z (mA)Max V R (V)Max I Z (mA)HZS2.0N B1 1.88 2.1051200.51005B2 2.02 2.20HZS2.2N B1 2.12 2.3051200.71005B2 2.22 2.41HZS2.4N B1 2.33 2.5251201.01005B2 2.43 2.63HZS2.7N B1 2.54 2.7551001.01105B2 2.69 2.91HZS3.0N B1 2.85 3.075501.01205B2 3.01 3.22HZS3.3N B1 3.16 3.385201.01205B2 3.32 3.53HZS3.6N B1 3.47 3.685101.01205B2 3.62 3.83HZS3.9N B1 3.77 3.98551.01205B2 3.92 4.14HZS4.3NB1 4.05 4.26551.01205B2 4.20 4.40B34.34 4.53HZS4.7NB1 4.47 4.65551.01005B2 4.59 4.77B34.71 4.91HZS5.1NB1 4.85 5.03551.5705B2 4.97 5.18B35.12 5.35HZS5.6NB1 5.29 5.52552.5405B2 5.46 5.70B35.64 5.88HZS6.2NB1 5.81 6.06553.0305B2 5.99 6.24B36.166.40Note:Tested with pulse (P W = 40ms)HZS-N Series3Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (cont)Zener Voltage Reverse Current Dynamic Resistance V Z (V)*TestCondition I R (µA)TestCondition r d (½)TestCondition Type Grade Min Max I Z (mA)Max V R (V)Max I Z (mA)HZS6.8NB1 6.32 6.59523.5255B2 6.52 6.79B36.70 6.97HZS7.5NB1 6.887.1950.54.0255B27.117.41B37.337.64HZS8.2NB17.567.9050.55.0205B27.828.15B38.078.41HZS9.1NB18.338.7050.56.0205B28.618.99B38.899.29HZS10NB19.199.5950.27.0205B29.489.90B39.8210.30HZS11NB110.1810.6350.28.0205B210.5010.95B310.8211.26HZS12NB111.1311.6350.29.0255B211.5011.92B311.8012.30HZS13NB112.1812.7150.210255B212.5913.16B313.0313.62HZS15NB113.4814.0950.211255B213.9514.56B314.4215.02HZS16NB114.8715.5050.212255B215.3315.96B315.7916.50Note:Tested with pulse (P W = 40ms)HZS-N Series4Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (cont)Zener Voltage Reverse Current Dynamic Resistance V Z (V)*TestCondition I R (µA)TestCondition r d (½)TestCondition Type Grade Min Max I Z (mA)Max V R (V)Max I Z (mA)HZS18NB116.3417.0650.213305B216.9017.67B317.5118.30HZS20NB118.1418.9650.215305B218.8019.68B319.5220.45HZS22NB120.2321.0850.217305B220.7621.65B321.2222.09B421.6822.61HZS24NB122.2623.1250.219355B222.7523.73B323.2924.27B423.8124.81HZS27NB124.2625.5250.221455B224.9726.26B325.6326.95B426.2927.64HZS30NB126.9928.3950.223555B227.7029.13B328.3629.82B429.0230.51HZS33NB129.6831.2250.225655B230.3231.88B330.9032.50B431.4933.11HZS36NB132.1433.7950.227755B232.7934.49B333.4035.13B434.0135.77Note:Tested with pulse (P W = 40ms)HZS-N Series5Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (cont)Zener Voltage Reverse Current Dynamic Resistance V Z (V)*TestCondition I R (µA)TestCondition r d (½)TestCondition Type Grade Min Max I Z (mA)Max V R (V)Max I Z (mA)HZS39NB134.6836.4750.230855B235.3637.19B336.0037.85B436.6338.52Note:Tested with pulse (P W = 40ms)Type No. is as follows: HZS2.0NB1, HZS2.0NB2, ••• HZS39NB4.10864248121620Z e n e r C u r r e n t I (m A )ZZener Voltage V (V)Z2428324036H Z S 6.8NH Z S 13N H Z S 15NH Z S 18NH Z S 2.0NH Z S 20NH Z S 22NH Z S 36NH Z S 39NH Z S 30NH Z S 2.4N H Z S 3.0N H Z S 3.6N H Z S 4.3N H Z S 5.1N H Z S 6.2N H Z S 7.5N H Z S 8.2N H Z S 9.1N H Z S 10N H Z S 11N H Z S 12N H Z S 16NH Z S 24NH Z S 27NH Z S 33NFig.1 Zener current Vs. Zener voltageHZS-N Series60510152025303540Zener Voltage V (V)ZenerVoltageTemperatureCoefficient(%/°C)zγ5040302010–10–20–30–40–500.100.080.060.040.02–0.02–0.04–0.06–0.08–0.10ZZenerVoltageTemperatureCoefficient(mV/°C)zγ%/°CmV/°CFig.2 Temperature Coefficient Vs. Zener voltage 50040030020010020015010050Ambient Temperature Ta (°C)PowerDissipationP(mW)d2.5mm3mmPrinted circuit board100 180 1.6t mmMaterial: paper phenol××ll = 5mml = 10mm(Publication value)Fig.3 Power Dissipation Vs. Ambient TemperatureHZS-N Series7Package Dimensions2Abbreviation of type nameType namewithout HZS N.Zener voltageclassification symbol equal to B1 or B3.Expanded drawing of marking26.0 Min2.4 Max2.0M a x0.4φφ26.0 Min Cathode band (Black)Type No. (Black)2B7.5B 7.512•••HITACHI Code JEDEC Code EIAJ Code Weight (g)MHD DO-34—0.08412Cathode AnodeUnit: mm。