变温霍尔实验讲义

变温霍尔效应实验报告

引言

变温霍尔效应是指在磁场作用下，当导体中有电流通过时，导体的一侧会产生电势差。这种现象被称为霍尔效应，而当温度也发生变化时，导体中的电阻会发生相应的变化，从而产生变温霍尔效应。本实验旨在探究变温霍尔效应的基本原理，并通过实验测量和计算，验证其存在和影响因素。

实验步骤

1. 准备实验所需材料和设备

•霍尔效应测量装置

•变温装置

•直流电源

•电流表

•电压表

•磁场源

2. 搭建实验电路

将直流电源、电流表和电压表依次连接，并接入霍尔效应测量装置。根据实验要求设置合适的电流大小和电压测量范围。

3. 定义实验参数

确定实验中需要测量的参数，包括导体的电流、电压以及磁场的大小和方向。

4. 设置变温装置

根据实验要求，设置合适的温度范围，并将变温装置与实验电路连接。

5. 测量电流和电压

通过直流电源进行电流的调节，并使用电压表分别测量导体两端的电压。

6. 改变温度

通过调节变温装置的温度，改变导体的温度，并观察电流和电压的变化。

7. 测量霍尔电压

在实验过程中，使用霍尔效应测量装置测量导体侧面产生的霍尔电压。

8. 记录实验数据

根据实验步骤和测量结果，记录实验数据，并绘制相应的实验曲线。

结果与讨论

通过实验观察和测量，我们可以得到导体在不同温度和磁场下的电流、电压和霍尔电压的变化关系。根据实验数据，我们可以进一步分析和讨论变温霍尔效应的影响因素和规律。

在实验中，温度的变化会导致导体的电阻发生变化，从而影响电流和电压的测量结果。此外，磁场的大小和方向也会对霍尔电压的测量产生影响。通过分析实验数据，我们可以得到不同温度和磁场条件下的霍尔电压的变化趋势，并进一步探究变温霍尔效应的特性和应用。

变温霍尔效应

摘要：

在本实验中，我们利用CTHM-1型变温霍尔效应仪中的恒温器和控温仪来控制温度，改变电流方向和磁场方向来消除某些副作用，采用范德堡测试法，来测得不同温度下样品的霍尔电压U，进而通过公式和已知的条件来求得不同温度下的霍尔系数R和载流子浓度n 从而得到和验证了样品霍尔系数是随温度改变的，并确定了他们随温度改变的具体情况与图像。

关键词：

磁场电流载流子变温霍尔效应

引言：

对通电的导体或半导体施加一与电流方向相垂直的磁场，则在垂直与电流和磁场方向上有一横向电位差出现，这现象于1879年物理学家霍尔所发现，故成为霍尔效应。在20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电导率的测量一直推动着固体导电理论的发展，特别是在半导体电子理论的发展中，它起着尤为重要的作用。霍尔系数及电导率的测量是分析半导体纯度及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料点运输特征，至今任然是半导体材料研究工作中必不可少的一种常备测试方法。

在本实验中，采用范德保测试方法，测量样品霍尔系数及电导率随温度的变化。可以确定一些主要特征参数——禁带宽度，杂质电离能，电导率，载流子浓度，材料的纯度及迁移率，从而可以进一步探讨导电类型，导电机理及散射机理。

实验原理：

半导体内载流子的产生有两种不同的机制：本征激发和杂质电离。本征激发（如图1）的能量也即温度要求比较高，而杂质电离的温度要求比较低。多数半导体就参有一定量的浅杂质，参有Ⅲ族元素杂质的半导体为P型半导体（如图2），载流子主要是空穴；参有Ⅴ族元素杂质的半导体为N型半导体（如图3），载流子主要是电子。

实验讲义请实验前复习

实验三半导体材料霍尔效应测量分析

（一）实验目的：

掌握用霍尔效应测量仪测量半导体材料样品的霍尔系数和电阻率（电导率）的基本原理和方法，由测量数据确定半导体样品中载流子类型，求出载流子浓度及霍尔迁移率。

（二）教学基本要求：

掌握半导体材料的电阻率、电导率、霍尔系数、衬底浓度、迁移率等理论概念；了解霍尔效应测试系统的工作原理及测试方法。掌握产生霍尔效应原理以及消除由于样品置于磁场中产生的几中副效应的测量方法。熟悉霍尔效应测量仪装置的使用方法，测出样品的电阻率和霍尔系数，判断样品导电类型，计算出霍尔样品的载流子浓度及霍尔迁移率，对结果和误差进行分析。

（三）半导体材料霍尔效应的物理基础掌握要点：

1、半导体材料的霍尔效应

霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成横向电场。下图显示了半导体材料中的霍尔效应。

半导体霍尔效应示意图 a. N型半导体 b. P型半导体

若在X方向通以电流Is，在Y方向加磁场B，则在Z方向，即试样A、A`电极两侧就开始聚积异号电荷，从而产生相应的附加电场。电场的指向取决于试

样的导电类型。显然，该电场阻止载流子继续向侧面偏移。当载流子所受的横向电场力

FE 与洛仑兹力FB 相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有: H eE =e B ν

其中EH 为霍耳电场，ν是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的长为l ，宽为b ，厚度为d ，载流子浓度为n ，则：

变温霍尔效应

如果在电流的垂直方向加以磁场，则在同电流和磁场都垂直的方向上，将建立起一个电场，这种现象称为霍耳效应。霍尔效应是1879年霍耳在研究导体在磁场中受力的性质时发现的，对分析和研究半导体材料的电输运性质具有十分重要的意义。目前，霍耳效应不仅用来确定半导体材料的性质，利用霍耳效应制备的霍耳器件在科学研究、工业生产上都有着广泛的应用。

通过变温霍尔效应测量可以确定材料的导电类型、载流子浓度与温度的关系、霍耳迁移率和电导迁移率与温度的关系、材料的禁带宽度、施主或受主杂质以及复合中心的电离能等。

一 实验目的

1.了解和学习低温实验中的低温温度控制和温度测量的基本原理与方法；

2.掌握利用霍尔效应测量材料的电输运性质的原理和实验方法；

3.验证P型导电到N 型导电的转变。

二 实验原理

1. 半导体的能带结构和载流子浓度

没有人工掺杂的半导体称为本征半导体，本征半导体中的原子按照晶格有规则的排列，产生周期性势场。在这一周期势场的作用下，电子的能级展宽成准连续的能带。束缚在原子周围化学键上的电子能量较低，它们所形成的能级构成价带；脱离原子束缚后在晶体中自由运动的电子能量较高，构成导带，导带和价带之间存在的能带隙称为禁带。当绝对温度为0 k时，电子全被束缚在原子上，导带能级上没有电子，而价带中的能级全被电子填满（所以价带也称为满带）；随着温度升高，部分电子由于热运动脱离原子束缚，成为具有导带能量的电子，它在半导体中可以自由运动，产生导电性能，这就是电子导电；而电子脱离原子束缚后，在原来所在的原子上留下一个带正电荷的电子的缺位，通常称为空穴，它所占据的能级就是原来电子在价带中所占据的能级。因为邻近原子上的电子随时可以来填补这个缺位，使这个缺位转移到相邻原子上去，形成空穴的自由运动，产生空穴导电。半导体的导电性质就是由导带中带负电荷的电子和价带中带正电荷的空穴的运动所形成的。这两种粒子统称载流子。本征半导体中的载流子称为本征载流子，它主要是由于从外界吸收热量后，将电子从价带激发到导带，其结果是导带中增加了一个电子而在价带出现了一个空穴，这一过程成为本征激发。所以，本征载流子（电子和空穴）总是成对出现的，它们的浓度相同，本征载流子浓度仅取决于材料的性质（如材料种类和禁带宽度）及外界的温度。

【⼤学物理实验】霍尔效应与应⽤讲义

霍尔效应与应⽤

1879年，年仅24岁的霍尔在导师罗兰教授的⽀持下，设计了⼀个根据运动载流⼦在外磁场中的偏转来确定在导体或半导体中占主导地位的载流⼦类型的实验，霍尔的发现在当时震动了科学界，这种效应被称为霍尔效应。通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流⼦浓度、载流⼦迁移率等主要参数。通过测量霍尔系数和电导率随温度变化的关系，还可以求出半导体材科的杂质电离能和材料的禁带宽度。如今常规霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要⼿段，利⽤该效应制成的霍尔器件已⼴泛⽤于⾮电量的电测量、⾃动控制和信息处理等各个研究领域。

该实验要求学⽣了解霍尔效应的基本原理、霍尔元件的基本结构，测试霍尔元件特性的⽅法，并对测量结果给出正确分析和结论。

⿎励学⽣运⽤霍尔效应的基本原理和霍尔元件的特性，设计⼀些测量磁场，或各种⾮磁性和⾮电性物理量的测量的实验⽅案，例如：磁场分布、位置、位移、⾓度、⾓速度等。让学⽣更好的运⽤霍尔效应来解决⼀些实际问题。

⼀、预备问题

1．霍尔效应在基础研究和应⽤研究⽅⾯有什么价值？

2．如何利⽤实验室提供的仪器测量半导体材料的霍尔系数？

3．怎样判断霍尔元件载流⼦的类型，计算载流⼦的浓度和迁移速率？

4．伴随霍尔效应有那些副效应？如何消除？

5．如何利⽤霍尔效应和元件测量磁场？

6．如何利⽤霍尔元件进⾏⾮电磁的物理量的测量？

7．若磁场的法线不恰好与霍尔元件⽚的法线⼀致，对测量结果会有何影响？如何⽤实验的⽅法判断B与元件法线是否⼀致？8．能否⽤霍尔元件⽚测量交变磁场？

实验8.2 变温霍尔效应

前言

美国物理学家霍尔(Edwin Herbert Hall ，1855～1938) 1879年在研究载流导体在磁场中的受力情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这种现象称为“霍尔效应”.根据霍尔效应，人们用半导体材料制成霍尔元件，它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点，因此在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用.

霍尔效应对于半导体材料和高温超导体的性质测量非常重要.利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度.利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来研究半导体的导电机制.测量霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率等的温度特性.另外，应用霍尔效应可以制造精确测量磁感应强度的高斯计，可以制造电磁无损探伤器件以及电学和非电学测量的线性传感器.

实验目的

（1）．了解半导体中霍尔效应的产生机制，霍尔系数表达式的推导及其副效应的产生和消除.

（2）．掌握霍尔系数和电导率的测量方法.通过对测量数据的处理结果判别样品的导电类型，计算室温下所测半导体材料的霍尔系数、电导率、载流子浓度和霍尔迁移率.

（3）．掌握动态法测量霍尔系数及电导率随温度的变化，做出 H R ～1/，T δ～1/曲线,了解霍尔系数和电导率与温度的关系.

T （4）．了解霍尔器件的应用，理解半导体的导电机制.

实验仪器

实验仪器包括电磁铁、变温设备、测量线路、特斯拉计、可自动换向恒流电源、计算 机数据采集系统等.磁场可采用电磁铁或永久磁场.为避免磁阻效应对霍尔测量的影响，必须选用弱磁场，弱磁场条件为，迁移率4

讲义_霍尔效应测量

变温霍尔效应

引言

1879年，霍尔(E.H.Hall)在研究通有电流的导体在磁场中受力的情况时，发现在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势，这个电磁效应称为“霍尔效应”。在半导体材料中，霍尔效应比在金属中大几个数量级，引起人们对它的深入研究。霍尔效应的研究在半导体

理论的发展中起了重要的推动作用。直到现在，霍尔效应的测量仍是研究半导体性质的重

要实验方法。

利用霍尔效应，可以确定半导体的导电类型和载流子浓度，利用霍尔系数和电导率的

联合测量，可以用来研究半导体的导电机构（本征导电和杂质导电）和散射机构（晶格散

射和杂质散射），进一步确定半导体的迁移率、禁带宽度、杂质电离能等基本参数。测量

霍尔系数随温度的变化，可以确定半导体的禁带宽度、杂质电离能及迁移率的温度特性。

根据霍尔效应原理制成的霍尔器件，可用于磁场和功率测量，也可制成开关元件，在

自动控制和信息处理等方面有着广泛的应用。

实验目的

1. 了解半导体中霍尔效应的产生原理，霍尔系数表达式的推导及其副效应的产生和

消除。2. 掌握霍尔系数和电导率的测量方法。通过测量数据处理判别样品的导电类型，

计算室温下所测半导体材料的霍尔系数、电导率、载流子浓度和霍尔迁移率。

3. 掌握动态法测量霍尔系数（RH）及电导率（σ）随温度的变化，作出RH～1/T，σ～1/T曲线，了解霍尔系数和电导率与温度的关系。

4. 了解霍尔器件的应用，理解半导体的导电机制。

实验原理

1．半导体内的载流子

根据半导体导电理论,半导体内载流子的产生有两种不同的机构：本征激发和杂质电离。（1）本征激发

变温霍尔效应

变温霍尔效应是指铁电、铁氧体或其他磁性材料在温度变化时磁导率也会有相应的变化。它是指在���度变化范围内，磁体中磁介质的磁导率（即相对磁密度）也随之发生变化。它是由于物质内部电子平衡状态的变化而引起的，它主要是由于温度的变化引起磁性材料内部不同晶胞的热激励，而使磁介质的磁学特性随温度变化而变化。若温度改变只在物质内部介质的受热范围以内，随温度变化的磁导率也会发生变化，这就叫做变温霍尔效应。其特性是，温度变化越大，磁导率的变化越大。

变温霍尔效应

如果在电流的垂直方向加以磁场，则在同电流和磁场都垂直的方向上，将建立起一个电场，这种现象称为霍耳效应。霍尔效应是1879年霍耳在研究导体在磁场中受力的性质时发现的，对分析和研究半导体材料的电输运性质具有十分重要的意义。目前，霍耳效应不仅用来确定半导体材料的性质，利用霍耳效应制备的霍耳器件在科学研究、工业生产上都有着广泛的应用。

通过变温霍尔效应测量可以确定材料的导电类型、载流子浓度与温度的关系、霍耳迁移率和电导迁移率与温度的关系、材料的禁带宽度、施主或受主杂质以及复合中心的电离能等。

一 实验目的

1.了解和学习低温实验中的低温温度控制和温度测量的基本原理与方法；

2.掌握利用霍尔效应测量材料的电输运性质的原理和实验方法；

3.验证P型导电到N 型导电的转变。

二 实验原理

1. 半导体的能带结构和载流子浓度

没有人工掺杂的半导体称为本征半导体，本征半导体中的原子按照晶格有规则的排列，产生周期性势场。在这一周期势场的作用下，电子的能级展宽成准连续的能带。束缚在原子周围化学键上的电子能量较低，它们所形成的能级构成价带；脱离原子束缚后在晶体中自由运动的电子能量较高，构成导带，导带和价带之间存在的能带隙称为禁带。当绝对温度为0 k时，电子全被束缚在原子上，导带能级上没有电子，而价带中的能级全被电子填满（所以价带也称为满带）；随着温度升高，部分电子由于热运动脱离原子束缚，成为具有导带能量的电子，它在半导体中可以自由运动，产生导电性能，这就是电子导电；而电子脱离原子束缚后，在原来所在的原子上留下一个带正电荷的电子的缺位，通常称为空穴，它所占据的能级就是原来电子在价带中所占据的能级。因为邻近原子上的电子随时可以来填补这个缺位，使这个缺位转移到相邻原子上去，形成空穴的自由运动，产生空穴导电。半导体的导电性质就是由导带中带负电荷的电子和价带中带正电荷的空穴的运动所形成的。这两种粒子统称载流子。本征半导体中的载流子称为本征载流子，它主要是由于从外界吸收热量后，将电子从价带激发到导带，其结果是导带中增加了一个电子而在价带出现了一个空穴，这一过程成为本征激发。所以，本征载流子（电子和空穴）总是成对出现的，它们的浓度相同，本征载流子浓度仅取决于材料的性质（如材料种类和禁带宽度）及外界的温度。

变温霍尔效应

对通电的导体或半导体施加一与电流方向垂直的磁场，则在垂直于电流和磁场方向上有一横向电位差出现，这个现象于1879年为物理学家霍尔所发现，故称为霍尔效应。在20世纪的前半个世纪，霍尔系数及电阻率的测量一直推动着固体导电理论的发展，特别是在半导体纯度以及杂质种类的一种有力手段，也可用于研究半导体材料电输运特征，至今仍然是半导体材料研制工作中必不可少的一种常备测试手法。在本实验中，采用范德堡测试方法，测量样品霍尔系数随温度的变化。

1.实验原理

1.1霍尔效应

霍尔效应是一种电流磁效应，如图1所示：

图1霍耳效应示意图

当样品通以电流I，并加一磁场垂直于电流，则在样品的两侧产生一个霍尔电位差：

H H IB

U R

d

，

H U 与样品厚度d 成反比，与磁感应强度B 和电流I 成正比。比例系数H R 叫做霍尔系数。霍尔电位差是洛伦兹力和电场力对载流子共同作

用产生的结果。

1.2一种载流子导电的霍尔系数

P 型半导体：1

H

H p

R pq μ

μ⎛⎫= ⎪ ⎪⎝⎭

， N 型半导体：1

H H n R pq μμ⎛⎫=- ⎪

⎝⎭

， 式中n 和p 分别表示电子和空穴的浓度，q 为电子电荷，n μ和p μ分别是电子和空穴的电导迁移率，H μ为霍尔迁移率，H H R μσ=（σ为电导率）。

1.3两种载流子导电的霍尔系数

假设载流子服从经典的统计规律，在球形等能面上，只考虑晶

体散射及弱磁场（410B

μ，μ为迁移率，单位为)2

cm

V S ，B 的单

位为T ）的条件下，对于电子和空穴混合导电的半导体，可以证明：

()2

2

38H p nb R p nb π-=+（1）

变温霍尔效应实验

引言

1879年，霍尔（E.H.Hall）研究通有电流的导体在磁场中受力时，发现一种电磁效应:在垂直于磁场和电流的方向上产生了电动势。这个效应被称为“霍尔效应”。研究表明，在半导体材料中，霍尔效应比在金属中大几个数量级，人们对半导体材料进行了大量的深入研究。

霍尔效应的研究在半导体理论的发展中起了重要的作用。直到现在，霍尔效应的测量仍是研究半导体性质的重要实验方法。利用霍尔系数和电导率的联合测量，可以用来研究半导体的导电机理（本征导电和杂质导电）、散射机理（晶格散射和杂质散射），并可以确定半导体的一些基本参数，如：半导体材料的导电类型、载流子浓度、迁移率大小、禁带宽度、杂质电离能等。霍尔效应的研究技术也越来越复杂，出现了变温霍尔、高场霍尔、微分霍尔、全计算机控制的自动霍尔谱测量分析等等。

利用霍尔效应制成的元件，称为霍尔元件，已经广泛地用于测试仪器和自动控制系统中磁场、位移、速度、结构、缺陷、存储信息的测量等。

实验目的

1.了解半导体中霍尔效应的产生原理、霍尔系数计算公式的推导、测量过程中副效应的产生和消除。

2.掌握霍尔效应的测量方法。通过测量数据处理判别样品的导电类型，计算霍尔系数、载流子浓度、电导率、霍尔迁移率等，并求出材料的禁带宽度。

3.在对原理了解的基础上对霍尔效应的应用有更深刻的认识。

实验原理

1.霍尔效应和霍尔系数

如图（1）所示，设一块样品的x方向上有均匀的电流I x流过，在z方向上加有磁场B z，则在这块样品的y方向上出现一横向电势差U H, 这种现象被称为“霍尔效应”，U H称为“霍尔电压”，所对应的横向电场E H称为“霍尔电场”。

霍尔效应测试

㈠霍尔效应的组成,功能及性能,工作原理.

组成: HMS测试系统主要由恒电流源、范德堡法则终端转换器、电压测量计，低温管道系统及磁场强度系统组成.

功能及性能：

工作原理：范德堡法则

1 、电阻率测量测量电阻率时，依次在一对相邻的电极通电流，另一对电极之间测电位差，得到电阻R，代入公式得到

电阻率ρ。

这种方法对于样品形状没有特殊的要求，但是要求薄膜样品的厚度均匀，电阻率均匀，表面是单连通的，即没有孔洞。此外，A,B,C,D四个接触点要尽可能小（远远小于样品尺寸），并且这四个接触点必须位于薄膜的边缘。

为了简化测量和计算，常常要求待测薄膜为正方形，这是由于正方形具有很高的对称性，正方形材料的四个顶点从几何上是完全等效，因而可推知电阻值R AB,CD和R BC,AD在理论上也应该是相等。

查表可知当R AB,CD/R BC,AD=1时，f=1。因此，最终电阻率的公式即可简化为：

2、霍尔系数和迁移率测量

测量霍尔系数时，在一对不相邻的电极通上电流，并在垂直样品方向上加一磁场，在另一对不相邻的电极上测量电压的变化，可得霍尔系数及其载流子浓度.

其中d为样品厚度，B为磁场强度，q为电子电荷。

由电阻率和霍尔系数的测量，同时还可以得到电子的霍尔迁移率。

㈡软件菜单使用说明

1. 先打开电脑主机，再打开设备开关。

2. 左手拿磁极的上盖（N朝上），将待测得薄膜样品放入弹簧夹内，此时弹簧夹应正面朝上（如果放反，会将样品烧坏），放好后盖好上盖。

3. 开始界面

4. 进入霍尔测试界面需要输入数据的只有左上角的INPUT VALUE栏，别的都不用改动。INPUT VALUE的菜单说明如下所示。

变温霍尔效应

【实验目的】

（1）了解变温霍尔效应及范德堡测量方法；

（2）测量碲镉汞单晶样品变温霍尔效应，获得其霍尔系数、电阻率、迁移率、载流子浓度等随温度的变化规律。

【实验原理】

霍尔效应是研究半导体材料性能的基本实验方法，通过它可以确定材料的电学参数，如霍尔系数、电阻率、迁移率、导电类型、载流子浓度等。变温霍尔效应测量则可以研究材料上述电学参数随温度的变化，从而获得对半导体材料电输运性质的更深入了解。

A.电阻率

用范德堡法测量电阻率时（磁感应强度B=0），依次在一对相邻的电极间通入电流，用另一对电极测量电压。如上图所示，在M 、P 电极间通入电流MP I ，测量O 、N 间电压ON MP V ,，得到：

MP ON

MP ON MP I V R ,,=

当在M 、N 电极间通入电流MN I 时，测量O 、P 间电压OP MN V ,，得到：

MN OP

MN OP MN I V R ,,=

电阻率由下式给出：

f R R d OP

MN ON MP ⋅+⋅=22ln ,,πρ

式中，d 为样品厚度；f 为几何修正因子，也称范德堡因子，其值在1~0之间，它是由于样品的几何形状和电极配置的不对称性而引入的修正

因子。f 是ON MP R ,/OP MN R ,的函数，可近似表示为：

2

,,,,3466.01⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+--=OP MN ON MP OP MN ON MP R R R R f 所以，对于范德堡法样品有：

f I V V V V d f R R d N N M M OP

MN ON MP ⋅+++⋅=⋅+⋅=42ln 22ln 2

变温条件下（80K～298K）MTC元件霍尔效应实验的的测量数据。于电输运特性测试仪的读数无法完全稳定，因此读数只保留了两位有效数字。

其中：实验所加电流I=5mA；磁感应强度B=0546T；

霍尔元件厚度d=0.94mm；范德堡因子f近似视为1；

K

表1 霍尔元件变温条件下（80K～298K）的霍尔电压、霍尔系数及电阻率表

根据测得的霍尔电压，可以求出相应温度下的霍尔系数及半导体的电导率。由于在测量霍尔效应的过程中存在艾廷豪森(Eting hausen)效应、伦斯托

(Nernst)效应、里纪-勒杜克效应以及不等位电势差等负效应的影响，因此必须利用改变电流及磁场方向的方法消除影响。

霍尔电压的最终计算公式为：V h=1/4（V1-V2+V3-V4）；已知ln|R h|与1/T成线性关系，以1/T为横轴，ln|R h|为纵轴做出直线；

图1 霍尔元件ln（|R h|）与1/T关系图

Y = A + B * X

Parameter Value Error

------------------------------------------------------------

A -6.25888 0.51939

B 77.39029 72.73555

------------------------------------------------------------

R SD N P

------------------------------------------------------------

0.23713 0.87804 21 0.30067