THB6016H应用原理图

第18章电气原理图目录18.1 18.2 18.3 18.4 18.5 18.6 18.7 18.8 18.9 18.10 18.11 18.12 18.13 18.14 18.15 18.16 18.17 18.18 18.19 18.20 18.21 18.22 18.23 18.24线号、代号、符号的定义 (4)主电路（GSYE1100-010-00001DY） (22)高压贯通设备电缆连接（GSYE1100-010-00006DY） (25)接地电路设备连接（GSYE1100-010-00007DY） (27)控制电路（GSYE1100-010-00003DY） (27)逻辑运行控制（GSYE1100-010-00008、9DY） (30)辅助电源电路系统图（GSYE1100-010-00012DY） (45)辅助电路（GSYE1100-010-00036～43DY） (48)直流电源系统图（GSYE1100-010-00013、14DY） (62)受电弓控制（GSYE1100-010-00010DY） (63)VCB控制（GSYE1100-010-00005DY） (65)3次电源扩展供电控制（GSYE1100-010-00016DY） (68)BKK接通控制（GSYE1100-010-00015DY） (69)设备远程控制（GSYE1100-010-00017、18DY） (69)辅助电源装置控制（GSYE1100-010-00019、20DY） (72)列车网络控制系统图（GSYE1100-010-00021DY） (73)中央控制装置、终端控制装置（GSYE1100-010-00022～31DY） (74)列车网络控制光缆连接（GSYE1100-010-00032DY） (75)开关门控制（GSYE1100-010-00033～35DY） (76)制动控制（GSYE1100-010-00049～52DY） (78)非常起动控制（GSYE1100-010-00053DY） (84)司机室空调控制（SFE100-010-00083DY） (87)空调控制（GSYE1100-010-00054～57DY） (87)显示器控制（GSYE1100-010-00048DY） (88)18.25信息控制装置输入及显示灯（GSYE1100-010-00058～65DY）、终端控制装置内部接线（GSYE1100-010-00066DY） (89)18.26 18.27 18.28 18.29 18.30 18.31 18.32 18.33 18.34 18.35自动过分相控制（GSYE1100-010-00070DY） (93)广播系统（GSYE1100-010-00044DY） (94)头罩车钩控制（GSYE1100-010-00073DY） (95)刮雨器控制（GSYE1100-010-00069DY） (96)烟火报警装置（GSYE1100-010-00045～47DY） (96)前照灯转换控制（GSYE1100-010-00068DY） (96)给水卫生控制（GSYE1100-010-00072DY） (99)电热玻璃控制（GSYE1100-010-00071DY） (100)影视和CCTV系统(GSYE1100-010-00076DY） (100)列车无线系统（GSYE1100-010-00067DY） (101)修订记录序号修改标题1修改内容初版发行编制\审核陈争\孙宁日期2017.4备注2 318.1线号、代号、符号的定义18.1.1关于线号的说明（1）线号的定义按照下述方法定义线号。

海华博远科技发展有限公司H A I H U A B O Y U A NTHB6016H使用说明一、 特性● 双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron＝0.6Ω（上桥+下桥）● 耐压40VDC，电流3.5A（峰值）● 多种细分可选（1/1、1/2、1/8、1/16）● 衰减方式分段可调二、管脚说明管脚编号输入/输出符号功能描述1 输入TQ2 驱动电流大小控制端2 输入TQ1 驱动电流大小控制端3 输入CLK 脉冲输入端4 输入ENABLE 使能端ENABLE＝0所有输出为0，ENABLE=1正常工作5 输入RESET 上电复位端SGND 地线6 —7 —OSC斩波频率控制端：C=1000PF，f=44KHz；C=330PF，f=130KHz8 输入VMB 驱动电源（小于40VDC）9 输出OUT_BM电机绕组B相PGNDB 地线10 —11 — NFB B相电流检测端，须大于0.2Ω12 输出OUT_BP 电机绕组B相13 输出OUT_AM电机绕组A相14 — NFA A相电流检测端，须大于0.2ΩPGNDA 地线15 —16 输出OUT_AP 电机绕组A相17 输出MO18 输入VMA 驱动电压小于40VDC19 输出Protect 温度保护，芯片温度大于150℃自动断开所有输出20 输入VDD 5V稳压电源21 输入CW/CCW正反转控制22 输入M2 细分数选择端23 输入M1 细分数选择端24 输入DCY2 衰减方式控制端25 输入DCY1 衰减方式控制端1、TQ2：电机力矩控制端，即可以选择不同的工作电流，也可以在电机不转时作半流锁定功能2、TQ1：TQ2 TQ1 电流值L L 100%L H 75%H L 50%H H 20%3、CLK：输入脉冲4、ENABLE：使能端5、RESET：上电复位6、地线7、OSC：斩波频率控制端：C=1000PF，f=44KHz；C=330PF，f=130KHz8、VH：驱动电压小于40VDC9、MB：电机绕组B相10、地线11、RB：B相电流检测端，须大于0.2Ω 0.2Ω/1W=2.5A 0.22Ω/1W＝2.0A 0.3Ω/1W=1.5A 0.35Ω/1W=1.25A 0.47Ω/1W＝1A12、MB-：电机绕组B相13、MA：电机绕组A相14、RA：A相电流检测端，须大于0.2Ω 0.2Ω/1W=2.5A 0.22Ω/1W＝2.0A 0.3Ω/1W=1.5A 0.35Ω/1W=1.25A 0.47Ω/1W＝1A15、地线16、MA-：电机绕组A相17、空18、VH：驱动电压小于40VDC19、TSD：温度保护，芯片温度大于150℃自动断开所有输出20、VCC：5V稳压电源21：DIR：正反转控制22、M2：细分数选择端23、M1：细分数选择端M2 M10 0 整步0 1 1/2细分1 0 1/16细分1 1 1/8细分24、PFD2：衰减方式控制端25、PFD1：衰减方式控制端PFD2 PFD10 0 慢衰减0 1 25％快衰减1 0 50％快衰减1 1 快衰减斩波频率说明：电容值：450P慢衰减：2细分 斩波时间：40us 占空比（高—低）：4—36快衰减：16细分 斩波时间：40us 占空比（高—低）：20—20电容值：150P慢衰减：2细分 斩波时间：15us 占空比（高—低）：1.5—13.5快衰减：16细分 斩波时间：15us 占空比（高—低）：7.5—7.5三、原理图四、封装图Weight: 9.86 g (typ.)。

TCH601六键感应触摸芯片概述：触摸感应检测按键是近年来迅速发展起来一种新型按键。

它可以穿透绝缘材料外壳（玻璃、塑料等等），通过检测人体手指带来的电荷移动，而判断出人体手指触摸动作，从而实现按键功能。

电容式触摸按键不需要传统按键的机械触点，也不再使用传统金属触摸的人体直接接触金属片而带来的安全隐患以及应用局限。

电容式感应按键做出来的产品可靠耐用，美观时尚，材料用料少，便于生产安装以及维护，取代传统机械按钮键以及金属触摸。

TCH601是一款高性价比的最多6通道触摸感应检测IC，稳定性能极高，应用领域广泛。

特点：y超强抗EMC干扰，除能够防止手机等一般干扰外，还能防止功率大到5W的对讲机发射天线靠近和接触干扰。

y抗电源电压跌落，当系统电源突然降低，芯片自动检测并停止输出，有效防止误动作。

y抗电源杂波干扰，电源纹波达到Vpp200mV（50Hz）可正常工作，更大纹波无误动作。

y灵敏度自动适应，各按键引线如果因为长短不一造成寄生电容大小不同，TCH601能够自动检测并适应，不同按键灵敏度做到几乎完全一致。

y极简单外围电路，最简单的应用只需要一颗振荡电容，按键触摸盘直接接入芯片无需要任何外围元件。

（视客户要求如需要提高ESD和EMC则需接1颗电阻）y环境温度湿度变化自动适应，环境缓慢适应技术的应用，使得芯片无限长时间连续工作不会出现灵敏度差异。

y电路可调灵敏度，通过灵敏度选择脚配合Cs电容来调整灵敏度。

y提供直接输出模式，接口应用简单y上电快速初始化，在电源稳定后0.2S内芯片就可以检测好环境参数包括自动适应，按键检测功能开始工作。

y SSOP-16L极小型封装应用图例：※ 其中，Q0输出低电平对应K0的按键信号，Q1对应K1…※ 若用户的按键数量少于5个，需要按照K0、K1、K2、K3、K4的顺序选用，并且将不用的按键输入脚直接接地即可。

※ Cs电容需要使用温度稳定性能好的电容材料，涤纶（塑胶）电容5%最好，贴片则需要选择NOP或者X7R材料的。

THB6064布线示意图。

需要特别注意地线回路，THB系列驱动芯片的地线处理不能像普通的数字芯片、模拟芯片的地线处理那样区分大电流、小电流的地线回路。

在THB系列驱动芯片的设计应用中，优先保证ＳＧＮＤ和ＰＧＮＤ之间的连接最短化，绝对不能把ＳＧＮＤ和ＰＧＮＤ分开单独布各自的地回路；ＳＧＮＤ与ＰＧＮＤ之间也不能加磁珠，必须是最短化直接连接，并尽量加粗连接线宽。

检测电阻与芯片的连接线尽可能短而粗，连线长度最好＜1 CM；线宽要考虑能通过最大的电流，并尽量加粗一点，以减小阻抗的影响（线的宽度，关系到线路的阻抗；线的长度关系到感抗；在di/dt 相对大的线路，即使是纳哼级的电感都可能会造成严重的后果）。

其实THB系列驱动芯片的设计主要是保证SGND和ＰＧＮＤ的地平面与检测电阻接地端的地平面一置。

上图中粉红色的粗线尽量保证在同一层布线，避免在不同层间切换连接，因为它们决定电流控制的效果和过流保护电路是否有效。

黄色的粗线也是，虽然ＰＧＮＤ通过的电流并不大，不过di/dt却不小，短而粗是必须的。

红色的粗线中的纹波比较大，特别是低速的情况下；这段线路也是建议尽量短而粗，并避免在不同层间切换布线，必须切换布线时，请多放置几个过孔。

关于驱动电源部分，无论是开关电源、普通模拟电源、线性稳压电源甚至是电池供电，都必须加上电解电容或其它大容量电容进行滤波，以保证驱动效果；建议选择高频低阻的电解电容，再并入0.1uF电容进行退耦，并靠近芯片放置。

电解电容最小要47uF以上的，具体根据实际的工作电流来决定。

大容量电解电容体积相对较大，尤其是高频低阻类的电解电容体积都特别大；可以在靠近芯片的ＶＭ脚放置47uF的小电解电容和小容量退耦电容，然后驱动板上的电源输入端放置大容量的电解电容引用| 回复| 2010-12-05 17:47:08 2楼吝啬这个图是错误设计示范，ＳＧＮＤ单独布地线回路、串磁珠、串电阻都可能会造成过流保护电路误触发或者甚至失效引用| 回复| 2010-12-05 17:51:59 3楼吝啬同样是错误设计示范图，SGND和PGND分开布线。

THB6064H 大功率、高细分两相混合式步进电机芯片使用说明一、特性：● 双全桥MOSFET 驱动● 高耐压55V● 大电流4.5A（峰值）● 低导通电阻R on ＝0.4Ω（上桥+下桥）● 多种细分可选（1/2、1/8、1/10、1/16、1/20、1/32、1/40、1/64） ● 内置温度保护及过流保护封装：HZIP25-P-1.27 （尺寸：36×17mm）重量：9.86 g二、框图：M3SGNDPGNDA PGND B三、管脚说明：Pin No I/O Symbol Functional Description1 Output ALERT 温度保护及过流保护输出端2 — SGND 信号地外部与电源地相连3 — PWM 斩波频率控制端4 Input FDT 衰减方式控制端5 Input V ref电流设定端6 Input VMB 电机驱动电源 B相电源与A相电源相连7 Input M1 细分数选择端（详见附表）8 Input M2 细分数选择端（详见附表）9 Input M3 细分数选择端（详见附表）10 Output OUT2B B相功率桥输出端211 — NFB B相电流检测端应连接大功率检测电阻一般为0.1Ω/2W12 Output OUT1B B相功率桥输出端113 — PGNDB B相驱动电源地与A相电源地及信号地相连14 Output OUT2A A相功率桥输出端215 — NFA A相电流检测端应连接大功率检测电阻一般为0.1Ω/2W16 Output OUT1A A相功率桥输出端117 — PGNDA 驱动电源地线18 Input ENABLE 使能端ENABLE＝0所有输出为ENABLE=1正常工作19 Input RESET 上电复位端20 Input VMA A相电机驱动电源与A相电源相连21 Input CLK 脉冲输入端22 Input CW/CCW 电机正反转控制端23 — OSC2 自动半流锁定反应时间调整端，需处接电容典型值1500P，可从0.2秒～2秒24 Input V DD5V电源芯片工作电源要求稳压（4.5V~5.5V）25 Output D OWN半流锁定控制端四、使用说明1．M1、M2、M3可选择八种不同细分状态M1 M2 M3 细分数0 0 0 1/20 0 1 1/80 1 01 1/101 0 1 1/161 0 0 1/201 0 1 1/321 1 0 1/401 1 1 1/642．PFD为衰减方式控制端，调节此端电压可以选择不同的衰减方式，从而获得更好的驱动效果：V PFD衰减方式3.5<V PFD<V DD快衰减1.1V<V PFD<3.1V混合式衰减0V<V PFD<0.8V 慢衰减3．Vref：电流设定端，调整此端电压即可设定驱动电流值Io=Vref/5Rs 【Rs为检测电阻】4．D OWN：半流锁定控制与P23脚OSC2一起完成，电机锁定时降低功耗的功能。

可控硅的工作原理（带图）一．可控硅是可控硅整流器的简称。

它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。

图3-29是它的结构、外形和图形符号。

可控硅的三个电极分别叫阳极(A)、阴极(K)和控制极(G)。

当器件的阳极接负电位(相对阴极而言)时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。

当器件的阳极上加正电位时(若控制极不接任何电压)，在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。

但当正电压大于某个电压(称为转折电压)时，器件迅速转变到低阻通导状态。

加在可控硅阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。

此时如果在控制极上加有适当大小的正电压(对阴极)，则可控硅可迅速被激发而变为导通状态。

可控硅一旦导通，控制极便失去其控制作用。

就是说，导通后撤去栅极电压可控硅仍导通，只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。

图3-30是可控硅的伏安特性曲线。

图中曲线I为正向阻断特性。

无控制极信号时，可控硅正向导通电压为正向转折)；当有控制极信号时，正向转折电压会下降(即可以在较低正向电压下电压(UB0导通)，转折电压随控制极电流的增大而减小。

当控制极电流大到一定程度时，就不再出现正向阻断状态了。

曲线Ⅱ为导通工作特性。

可控硅导通后内阻很小，管子本身压降很低，外加电压几乎全部降在外电路负载上，并流过比较大的负载电流，特性曲线与二极管正向导通特性相似。

若阳极电压减小(或负载电阻增加)，致使阳极电流小于维持电流I时，可控硅从导通状态立即转为正向阻断状态，回到曲线I状态。

H曲线Ⅲ为反向阻断特性。

当器件的阳极加以反向电压时，尽管电压较高，但可控硅不会导通(只有很小的漏电流)。

只有反向电压达到击穿电压时，电流才突然增大，若不加限制器件就会烧毁。

正常工作时，外加电压要小于反向击穿电压才能保证器件安全可靠地工作。

可控硅的重要特点是：只要控制极中通以几毫安至几十毫安的电流就可以触发器件导通，器件中就可以通过较大的电流。

thb电容THB电容（THB Capacitor）是一种高温超级电容器，它是由泰科电子（THB Electronic）公司研发和生产的。

这种电容器具有非常高的温度稳定性和电化学稳定性，适用于各种高温环境下的电力和电子设备。

THB电容使用一种先进的电化学材料制造，并采用特殊的技术处理，使其具有出色的性能。

THB电容器具有低ESR（等效串联电阻），低ESR可以减小电容器在电路中的功耗损失，提高能量效率。

另外，THB电容还具有较高的电容量和电压容量，可以满足高功率和高电流的需求。

THB电容能够在极端的高温环境下保持正常工作。

一般来说，THB电容的工作温度可以达到150摄氏度以上，甚至更高。

这在一些特殊的应用领域非常有用，比如汽车发动机舱内、太阳能电池组、工业热电站等炎热的环境中，THB电容可以稳定地工作。

另外，THB电容具有长寿命和高可靠性。

它采用了优质的材料和工艺，可以经受长时间的高温和高压的工作。

相比之下，传统的电解电容器在高温环境下容易失效，寿命较短。

THB电容不仅可以在高温下工作，而且寿命更长，可靠性更高。

THB电容在各种应用中有着广泛的用途。

它可以用于电动汽车、混合动力汽车、微网和储能系统等高功率应用中。

在这些应用中，需要高性能的能量存储设备来应对瞬时的能量需求。

THB电容器具有快速充放电特性和高功率密度，非常符合这些应用的需求。

此外，THB电容还可以应用于航空航天、电力电子和通信设备等领域。

在航空航天领域，THB电容可以适应高空高温的环境要求，提供稳定的能量存储和供电。

在电力电子领域，THB电容可以用于电力变换和逆变等关键应用，提供可靠的能量传输。

在通信设备领域，THB电容可以用于电源管理和稳压系统，确保设备的正常运行。

总结起来，THB电容是一种高温超级电容器，具有高温稳定性、电化学稳定性、低ESR、高电容量和电压容量、长寿命和高可靠性等优点。

它广泛应用于各种高温环境下的电力和电子设备中，包括汽车、航空航天、电力电子和通信设备等领域。

•THB6064H测试板是专门针对步进电机驱动芯片THB6064H 量身定做的开发板。

其本身就是一款可以直接使用的步进电机驱动器，用户可以直接用来驱动步进电机，同时，还可以为使用THB6064H 芯片开发步进电机驱动器的广大用户提供参考及测试平台，用户可以在其基础上设计、调试、定做出自己的驱动器产品。

其主要参数和性能指标如下：1. 信号输入：采用光电隔离器件，直接采用单脉冲和方向信号译码控制模；有CP、DIR、EN，分别为步进脉冲输入、方向信号输入、使能信号输入；2. 电流0.36A~3.45A 可调；3. 电流衰减模式可调；4. 两相正弦细分步进电机驱动，细分1/2，1/8，1/10，1/16，1/20，1/32，1/40，1/64 可调；5. 电压输入：功率电压DC24~42V，逻辑电压：DC5V；6. 可实现正反转控制；7. 有复位功能；8. 芯片内部有过热保护（TSD）和过流检测电路。

一、引脚说明输入：CLK+/CLK-为脉冲信号输入脚CWW+/CWW-为方向控制信号ENA+/ENA-为脱机控制信号输出：ALERT：工作异常输出信号OUT1A/OUT2A：电机A 相绕组OUT1B/OUT2B：电机B 相绕组电源：VM：电机驱动电源（VM≤42V）GND：电源地二、拨码开关设置细分由三位拨码开关设置的，共有8 档细分选择。

三、驱动电流控制电位器VREF 顺时针旋转Vref 加大，可控制驱动电流增大，反之减小。

此测试板的电流设置范围为：0.36A~3.45A(峰值)。

Io(MAX)=Vref/(3*Rs）Rs 为检测电阻四、衰减模式设定电位器FDT 顺时针旋转Vpfd 加大。

当 3.5V<Vpfd<VCC 时，为慢衰减模式1.1V<Vpfd<3.1V 时，为混合式衰减模式当0<Vpfd<0.8V 时，为快衰减模式五、其他POWER LED 为电源指示灯ALERT LED 为工作异常提示灯。

之樊仲川亿创作晶闸管（Thyristor）是晶体闸流管的简称，又可称做可控硅整流器，以前被简称为可控硅。

它是由PNPN四层半导体构成的元件,有三个电极、阳极A、阴极K和控制极G，晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制、被广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。

可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制,以小电流控制大电流,而且不象继电器那样控制时有火花发生,而且动作快、寿命长、可靠性好.在调速、调光、调压、调温以及其他各种中都有它的身影.可控硅分为单向的和双向的,符号也分歧.单向可控硅有三个PN结,由最外层的P极和N极引出两个电极,分别称为阳极和阴极,由中间的P极引出一个控制极.一、晶闸管的种类晶闸管有多种分类方法。

（一）按关断、导通及控制方式分类晶闸管按其关断、导通及控制方式可分为普通晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、门极关断晶闸管（GTO）、BTG晶闸管、温控晶闸管和光控晶闸管等多种。

（二）按引脚和极性分类晶闸管按其引脚和极性可分为二极晶闸管、三极晶闸管和四极晶闸管。

（三）按封装形式分类晶闸管按其封装形式可分为金属封装晶闸管、塑封晶闸管和陶瓷封装晶闸管三种类型。

其中，金属封装晶闸管又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封晶闸管又分为带散热片型和不带散热片型两种。

（四）按电流容量分类晶闸管按电流容量可分为大功率晶闸管、中功率晶闸管和小功率晶闸管三种。

通常，大功率晶闸管多采取金属壳封装，而中、小功率晶闸管则多采取塑封或陶瓷封装。

（五）按关断速度分类晶闸管按其关断速度可分为普通晶闸管和高频（快速）晶闸管。

二：晶闸管的工作条件：1. 晶闸管承受反向阳极电压时，不管门极承受何种电压，晶闸管都处于关断状态。

2. 晶闸管承受正向阳极电压时，仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通。

3. 晶闸管在导通情况下，只要有一定的正向阳极电压，不管门极电压如何，晶闸管坚持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。

可控硅整流器的原理及结构可控硅整流器，是一种以晶闸管(电力电子功率器件)为基础，以智能数字控制电路为核心的电源功率控制电器。

具有效率高、无机械噪声和磨损、响应速度快、体积小、重量轻等诸多优点。

晶闸管(Thyristor)是晶体闸流管的简称，又称作可控硅整流器(Silicon Controlled RectifierSCR)，以前被简称为可控硅。

由于其能承受的电压和电流容量仍然是目前电力电子器件中最高的，而且工作可靠，因此在大容量的应用场合仍然具有比较重要的地位。

自从20 世纪50 年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。

今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN 结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P 型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P 型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N 型半导体引出的电极叫阴极K。

从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。

可控硅整流器的工作原理可控硅是P1N1P2N2 四层三端结构元件，共有三个PN 结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP 管和一个NPN 管所组成，其等效图解如图所示当阳极A 加上正向电压时，BG1 和BG2 管均处于放大状态。

此时，如果从控制极G 输入一个正向触发信号，BG2 便有基流ib2 流过，经BG2 放大，其集电极电流ic2=&beta;2ib2。

因为BG2 的集电极直接与BG1 的基极相连，所以ib1=ic2。

此时，电流ic2 再经BG1 放大，于是BG1 的集电极电流。