二极管和二极和二极整流电路练习题

二极管和二极和二极整流电路练习题晶体二极管和二极管整流电路复习题复习题一（二极管的单向导电性）一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。

二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。

（）2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。

（）3、二极管两端加上正向电压就导通。

（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。

（）三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）状态。

A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。

A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性四、问答题：1、如图所示的电路中，当输入端a b间输入交流电压时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电。

2、二极管电路如下图所示，判断图中二极管的状态是导通还是截止，并确定输出电压为多少3、如下图所示，二极管导通电压约为0.7V，试分析开关断开和闭合时R上的电压各为多少。

4、在下图所示的电路中，灯会亮吗？复习题二（PN结）一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。

2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。

3、称为本征半导体。

4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。

5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。

6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。

7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。

在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。

8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。

二级管电路习题选1 在题1.1图所示电路中，U 0电压为（ ）。

（a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题1.2图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D 1、D 2、D 3的工作状态为（ ）。

（a ）D 1导通，D 2、D 3截止 （b ）D 1、D 2截止，D 3导通 （c ）D 1、D 3截止，D 2导通题1.1图 题1.2图3 在题1.3图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D 1、D 2的工作状态为（ ）。

（a ）D 1导通，D 2、截止 （b ）D 1、D 2均导通 （c ）D 1、截止，D 2导通题1.3图 题1.4图4 在题1.4图所示电路中，D 1、D 2为理想元件，则电压U 0为（ ）。

（a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题1.5图（a ）所示，二极管D 为理想元件，输入信号u i 为图（b ）所示的三角波，则输出电压u 0 的最大值为（ ）。

（a ）5V （b ）17V （c ）7V（a ）(b)题1.5图6 在题1.6图所示电路中，二极管为理想元件，u A =3v,u B =2sinωtV,R=4KΩ,则u F 等于( ).（a ）3V （b ）2sinωtV （c）3+2sinωtV题1.6图 题1.7图7 在题1.7图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压U 0为（ ）。

（a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题1.8图（1）所示电路中，二极管D 为理想元件，设u 1=2sinωtV,稳压二极管D Z 的稳定电压为6V ，正向压降不计，则输出电压u 0的波形为图（2）中的波形（ ）。

(1) (2)9 在题1.9图所示电路中，稳压二极管D Z2的稳定电压为6V，D Z2的稳定电压为12V，则输出电压U0等于（）。

18V（a）12V （b）6V （c）10 在题1.10图所示电路中，稳压二极管D Z1和D Z2的稳定电压分别为6V和9V，正向电压降都是0.7V。

二极管电路习题一、选择题1、在题 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D3 的工作状 态为（ ） 。

（a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通3 在题 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。

（a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通4 在题 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。

（a ）5V （b ）17V （c ）7V6 在题 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV,R=4KΩ,则 uF 等于( ).（a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV7 在题 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ）12V9V(c)RVO题图9 在题图所示电路中，稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V，DZ2 的稳定电压为12V，则输出电压U0 等于（）。

（a）12V （b）6V （c）18V10 在题图所示电路中，稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V，正向电压降都是。

则电压U0 等于（）。

（a）3V （b）15V （c）－3V11 在题图所示电路中，稳压二极管DZ1 的稳定电压UZ1=12V,DZ2 的稳定电压UZ2=6V，则电压U0 等于（）。

二级管电路习题选1 在题1.1图所示电路中，U0电压为（）。

（a）12V （b）-9V （c）-3V2 在题1.2图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2、D3的工作状态为（）。

（a）D1导通，D2、D3截止（b）D1、D2截止，D3导通（c）D1、D3截止，D2导通题1.1图题1.2图3 在题1.3图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则D1、D2的工作状态为（）。

（a）D1导通，D2、截止（b）D1、D2均导通（c）D1、截止，D2导通题1.3图题1.4图4 在题1.4图所示电路中，D1、D2为理想元件，则电压U0为（）。

（a）3V （b）5V （c）2V5 电路如题1.5图（a）所示，二极管D为理想元件，输入信号u i为图（b）所示的三角波，则输出电压u0的最大值为（）。

（a）5V （b）17V （c）7V（a）(b)题1.5图6 在题1.6图所示电路中，二极管为理想元件，u A=3v,u B=2sinωtV,R=4KΩ,则u F等于( ).（a）3V （b）2sinωtV （c）3+2sinωtV题1.6图题1.7图7 在题1.7图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压U0为（）。

（a）3V （b）0V （c）－12V8 在题1.8图（1）所示电路中，二极管D为理想元件，设u1=2sinωtV,稳压二极管D Z的稳定电压为6V，正向压降不计，则输出电压u0的波形为图（2）中的波形（）。

(1) (2)9 在题1.9图所示电路中，稳压二极管D Z2的稳定电压为6V，D Z2的稳定电压为12V，则输出电压U0等于（）。

（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10图所示电路中，稳压二极管D Z1和 D Z2的稳定电压分别为6V和9V，正向电压降都是0.7V。

则电压U0等于（）。

（a）3V （b）15V （c）－3V11 在题1.11图所示电路中，稳压二极管D Z1的稳定电压U Z1=12V,D Z2的稳定电压U Z2=6V，则电压U0等于（）。

二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D3 的工作状 态为（ ） 。

（a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。

（a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。

（a ）5V （b ）17V （c ）7V6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ）12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中，稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V，DZ2 的稳定电压为12V，则输出电压U0 等于（）。

（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10 图所示电路中，稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V，正向电压降都是0.7V。

1 .单相桥式全控整流电路，U 2 = 100V ，负载中R = 2Q, L 值极大，当a= 30°时，要求: ① 作出u d 、i d 、和i 2的波形； ② 求整流输岀平均电压 U d 、电流I d ,变压器二次电流有效值 12 ；③ 考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。

解：①U d 、i d 、和i 2的波形如下图：②输出平均电压 U d 、电流I d ，变压器二次电流有效值I 2分别为U d = 0.9 U 2 cos a = 0.9X 100 X cos30°= 77.97 (V )I d = U d /R = 77.97/ 2 = 38.99 (A )I 2= I d = 38.99 (A )③晶闸管承受的最大反向电压为：2 U 2= 100 .. 2 = 141.4 (V )考虑安全裕量，晶闸管的额定电压为：U N =( 2~3)X 141.4 = 283〜424 (V )具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

流过晶闸管的电流有效值为：I VT = I d / ■■.2 = 27.57 (A )晶闸管的额定电流为：I N =( 1.5~2)X 27.57 / 1.57= 26〜35 (A )具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

2 •单相桥式全控整流电路，U 2=100V ，负载中R=2Q ，L 值极大，反电势 E=60V,当=30时，要求: ①作出比、i d 和i 2的波形； ②求整流输出平均电压 U d 、电流I d ，变压器二次侧电流有效值 I 2；③ 考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。

解：①U d 、 i d 和i 2的波形如下图:② 整流输出平均电压 U d 、电流I d ，变压器二次侧电流有效值 I 2分别为U d = 0.9 U 2COS a = 0.9 X 100 X COS30 ° 77.97(A)I d = (U d -E)/R = (77.97 - 60)/2= 9(A)I 2= I d = 9(A)③ 晶闸管承受的最大反向电压为：2 U 2= 100 .2 =141.4 (V )流过每个晶闸管的电流的有效值为：I VT = I d /2 = 6.36 (A )故晶闸管的额定电压为： U N = (2~3)X 141.4= 283〜424 (V )晶闸管的额定电流为：I N = (1.5〜2) X 6.36 / 1.57= 6~8 (A )晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

二极管电路习题一、选择题1、在题1.1图所示电路中，U AO 电压为( (a ) 12V(b ) -9V(c ) -3V2在题1.2图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则(a ) D1导通，D2、D3截止(c ) D1、D3截止，D2导通题1.1图D1、D2为理想元件，则电压 U0为( )(c ) 2V5电路如题 1.5图(a )所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图(b )所示的三角波,则输出电压uO 的最大值为()。

D1、D2、D3的工作状态为() (b )D1、D2截止，D3导通 ,V R6在题1.6图所示电路中，二极管为理想元件, (a ) 3V (b ) 2sin 3 tV (c ) 3+2sin 3 tVuA=3v,uB=2sin 3 ,R=4K Q ，则 uF 等于().士 12V9V3在题1.3图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 (a ) D1导通，D2、截止 (b ) D1、D2均导通(c ) D1、截止，D2导通D1、D2的工作状态为 ()。

ia 1.7D2-7在题1.7图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 (a ) 3V (b ) 0V (c )— 12V 8在题1.8图(1)所示电路中，二极管 定电压为6V ，正向压降不计，则输出电压U0 为()D 为理想元件，设 u0的波形为图( u 仁2sin 3 t 稳压二极管 DZ 的稳 2)中的波形()甌1.3闾4在题1.4图所示电路中， (a ) 3V (b ) 5V(a) 5V ( b) 17V ( c) 7V9亦膻14图祈示堪時屮.憩压二機管Dzm的稳疋电压为&V,贬的稳定电压为I2V,则输出电压5智十t )t(d) 12V (IO 6V (c) 18VR—---------- ------ >UQ/V⑴(rl) 3V(b) 15V(c) -3V-l jDEJ10吝通图所示电路中，稳压二(ft曽騷和Ito的稳定电压分别为磧抑站、疋向电圧降祁是0・丹刚电乐W苇! '■( >9在题1.9图所示电路中，稳压二极管出电压U0等于()。

第四章晶体二极管和二极管整流电路第一节晶体二极管（第一课时）一、选择题1、当晶体二极管的PN结导通后参加导电的是（）A.少数载流子B.多数载流子B.既有少数载流子又有多数载流子2、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）A.P型半导体B.本征半导体C.N型半导体二、填空题1、半导体是一种导电能力介于和之间的物体。

2、PN结具有的性能，即：加电压时PN结导通；加的电压时PN结截止。

三、解答题1、图所示的电路中，哪些灯泡能发亮？第一节晶体二极管（第二课时）一、选择题1、晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该二极管处于（）A. 零偏B. 反偏C. 正偏2、面接触型晶体二极管比较适用于（）A.小信号检波B.大功率整流C.大电流开关3、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应该把欧姆挡拨到（）A. R×100Ω或R×1kΩ挡B. R×1Ω挡C. R×10kΩ挡4、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压，则晶体二极管相当于（）A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关5、当硅二极管加上0.3V的正向电压时，该二极管相当于（）A.小阻值电阻B.阻值很大的电阻C.内部短路二、填空题1、当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V，锗二极管的正向压降为V。

2、晶体二极管因所加电压过大而。

并出现的现象，称为热击穿。

3、下面每小题后面的括号内，提供几种答案，选择正确的填在相应的横线上。

（1）简单的把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起形成PN结？（能；不能；不一定）（2）二极管导通时，则二极管两端所加的是电压。

（正向偏置；反向偏置；无偏置）（3）当二极管两端的正向偏置电压增大于电压时，二极管才能导通。

（击穿；饱和；门槛）（4）二极管两端的反向偏置电压增高时，在达到电压以前，通过的电流很小。

（击穿；最大；短路）第二节二极管整流电路1、在如图所示的电路中，试分析输入端a、b间输入交流电压υ时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电？2、若将单相桥式电路接成如图的形式，将会出现什么结果，应如何改正？3、如图所示两个电路中，设V1、V2均为理想二极管（即正向导通时其正向电阻和正向压降为零，反向截止时其反向电阻无穷大的二极管），试判断两图中的二极管是截止的还是导通的，A、B两端的电压V AB=？C、D端的电压V CD=？4、画出半波整流电路图。

页共3 页《二极管及其应用》章节测验一、选择1、本征半导体又叫（）A、普通半导体B、P型半导体C、掺杂半导体D、纯净半导体2、锗二极管的死区电压为( ）A、0。

3VB、0.5VC、1V D、0。

7V3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是( )-5.3V -6V —6V -5。

3V 5V -5V0V —0.7V4、变压器中心抽头式全波整流电路中,每只二极管承受的最高反向电压为（）A、U2B、2U2C、1.2 U2D、22 U25、在有电容滤波的单相半波整流电路中,若要使输出的直流电压平均值为60V，则变压器的次级低电压应为（）A、50VB、60V C、72V D、27V6、在下图所示电路中，正确的稳压电路为（ )7、电路如图7所示，三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个白炽灯规格也一样，则最亮的白炽灯是（）A．A B．B C．C D．一样亮8、图8所示电路，二极管导通电压均为0.7V，当V1=10V，V 2=5V时,（1）判断二极管通断情况( ）A．VD1导通、VD2截止 B．VD1截止、VD2 导通C．VD1、VD2均导通 D．VD1、VD2均截（2）输出电压VO为（ )A．8.37V B．3。

87V C．4.3V D．9.3V9．分析图9所示电路，完成以下各题（1)变压器二次电压有效V1为ABCDR LR L图7图9（ )A．4.5V B．9V C．12V D．14V（2）若电容C脱焊，则V1为（ )A．4。

5V B．9V C．12V D．14V（3）若二极管VD1接反，则( )A．VD1、VD2或变压器烧坏 B．变为半波整流C．输出电压极性反转，C被反向击穿D．稳压二极管过流而损坏（4）若电阻R短路，则（ )A．VO将升高 B．变为半波整流C．电容C因过压而击穿 D．稳压二极管过流而损坏二、判断（）1、本征半导体中没有载流子。

( ）2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。

（ )4、RCπ型滤波器的特点是：滤波效果好，有直流损耗，带负载能力差。

一、选择题1. 二极管的主要功能是：A. 放大信号B. 检波C. 开关D. 滤波2. 二极管正向导通的条件是：A. P区电位高于N区电位B. N区电位高于P区电位C. P区电位低于N区电位D. P区和N区电位相等3. 二极管反向截止时，其电流大小主要取决于：A. 二极管的反向电阻B. 外加反向电压C. 二极管的正向电流D. 二极管的反向电流4. 二极管正向导通时，其电压降大约为：A. 0.3VB. 0.7VC. 1.0VD. 1.5V5. 二极管在电路中的作用不包括：A. 限幅B. 整流C. 检波D. 放大二、填空题1. 二极管由__________和__________两种半导体材料组成。

2. 二极管正向导通时，其正向电阻约为__________；反向截止时，其反向电阻约为__________。

3. 二极管在电路中常用于__________、__________和__________等。

4. 二极管正向导通时，其电流与电压的关系可用__________方程表示。

三、判断题1. 二极管在正向导通时，其正向电阻无穷大。

（）2. 二极管在反向截止时，其反向电流为零。

（）3. 二极管可以用于放大信号。

（）4. 二极管在电路中只能起到开关作用。

（）四、简答题1. 简述二极管正向导通和反向截止的条件。

2. 解释二极管在电路中的作用。

3. 说明二极管在整流电路中的应用。

五、计算题1. 已知二极管正向导通电压为0.7V，正向电流为10mA，求二极管的正向电阻。

2. 若二极管反向电压为100V，反向电流为1μA，求二极管的反向电阻。

3. 设计一个简单的桥式整流电路，并计算输出电压和电流。

六、分析题1. 分析二极管在电路中的限幅作用。

2. 分析二极管在电路中的开关作用。

3. 分析二极管在电路中的检波作用。

七、选择题6. 二极管反向击穿电压是指：A. 二极管正向导通时的电压B. 二极管反向截止时的电压C. 二极管反向电流开始急剧增加的电压D. 二极管正向电流开始急剧增加的电压7. 在二极管正向导通时，若P区掺杂浓度高于N区，则该二极管为：A. P型二极管B. N型二极管C. 双极型二极管D. 双层二极管8. 二极管在电路中实现整流时，通常采用的连接方式是：A. 串联B. 并联C. 串并联D. 无特定连接方式9. 二极管在电路中实现稳压时，通常采用的元件是：A. 电阻B. 电容C. 稳压二极管D. 变压器10. 二极管在电路中实现检波时，通常采用的电路是：A. 串联电路B. 并联电路C. 滤波电路D. 放大电路八、填空题11. 二极管在正向导通时，其电流与电压的关系可用__________方程表示。

《晶体二极管及二极管整流电路》试题一、判断题（每空2分，共36分）1. N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。

（）2. 晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的PN结。

（）3. 半导体二极管主要是依靠PN结而工作的。

（）4. 二极管是线性器件。

（）5. 二极管处于导通状态，呈现很大的电阻，在电路中相当于开关的断开特性。

（）6. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。

（）7. PN结的单向导电性，就是PN结正向偏置时截止，反向偏置时导通。

（）8. 二极管两端加反向电压时，反向电流不随反向电压变化而变化，这时二极管的状态为截止。

（）9. 二极管只要工作在反向击穿区，就一定会被击穿损坏。

（）10. 热击穿和电击穿过程都是不可逆的。

（）11. 所谓理想二极管，就是当其正向偏置时，结电阻为零，等效成开关闭合；当其反向偏置时，结电阻为无穷大，等效成开关断开。

（）12. 使用稳压管时应阳极接高电位，阴极接低电位。

13. 稳压二极管如果反向电流超过允许范围，二极管将会发生热击穿，所以，与其配合的电阻往往起到限流的作用。

（）14. 整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把直流电变为交流电。

（）15. 用两只二极管就可实现单相全波整流，而单相桥式整流电路却用了四只二极管，这样做虽然多用了两只二极管，但降低了二极管承受的反向电压。

（）16. 在电容滤波整流电路中，滤波电容可以随意选择（）17. 在电容滤波整流电路中，电容耐压值要大于负载开路时整流电路的输出电压。

（）18.电容滤波器中电容器容量越小滤波效果越好。

（）二、单选题（每空2分，共32分）1. 本征半导体是（）。

A. 掺杂半导体B. 纯净半导体C. P型半导体D. N型半导体2. P型半导体的多数载流子是（）。

A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流3. 关于P型、N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（）。

A. 无论是P型还是N型半导体，参与导电的都是自由电子和空穴B. P型半导体中只有空穴导电C. N型半导体中只有自由电子参与导电D. 在半导体中有自由电子、空穴、离子参与导电4. 半导体的导电能力随温度升高而（），金属导体的电阻随温度升高而（）。

永州综合职业中专学校电子技术基础半导体二极管及整流滤波电路试题班级:______、姓名______、得分________。

一、填空题1、纯净的半导体称为，它的导电能力很。

在纯净的半导体中掺入少量的价元素，可形成P 型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。

2、在本征半导体中掺入价元素，可形成N 型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。

3、如图，这是材料的二极管的____曲线，在正向电压超过 V后，正常导通后，此管的正向压降约为 V 。

当反向电压增大到 V 时，即称为电压时，反向电流会急剧增大，该现象为。

其中稳压管一般工作在区。

4、二极管的主要特性是，具体指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。

5、PN 结的单向导电性指。

6、二极管的主要参数有 ________、_________和。

7、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。

两次测的阻值相差越大，则说明二极管的性能越好。

8、整流是指_______________________________________。

9、有一直流负载R L =9Ω，需要直流电压V L =45V,现有2CP21(I FM =3000mA,V RM =100V)和2CP33B(I FM =500mA, V RM =50V) 两种型号的二极管,若采用桥式整流电路，应选用型二极管只。

10、滤波器的作用是将整流电路输出的中的成分滤去，获得比较的直流电,通常接在电路的后面。

它一般分为、和三类。

二、判断题1、( )将P 型半导体和N 型半导体的接触并连在一起，就会形成PN 结。

2、（）P 型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。

3、（）P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

4、（）硅二极管死区电压是0.3V ，正向压降是0.7V 。

5、（）硅的导通电压为0.3V ，锗的导通电压为0.7V 。

晶体二极管和二极管整流电路一（二极管的单向导电性）一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。

二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。

（）2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。

（）3、二极管两端加上正向电压就导通。

（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。

（）三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）状态。

A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。

A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性二（PN结）一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。

2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。

3、称为本征半导体。

4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。

5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。

6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。

7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。

在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。

8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。

二、判断题：1、空穴是半导体中特有的一种带正电的电荷。

（）2、N型半导体中导电的是自由电子。

（）3、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。

（）4、在半导体内部，只有空穴是载流子。

（）5、在P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

（）6、半导体中导电的是多数载流子。

（）7、把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。

电子线路单元测试题（二极管部分）根据湖北技能高考考纲命题 2017年秋一是非题：（每题2分，共40分）1.半导体的导电能力随温度、掺入杂质或受光照等因素变化而发生变化。

（）2.以自由电子为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

（）3.当温度升高时，半导体的导电能力将增强。

（）4. PN结反向偏置时，电阻大，电流小，处于截止状态。

（）5.桥式整流电路中，流过二极管的平均电流等于负载电流。

（）6.二极管加反向电压时，处于截止状态，此时没有电流流过二极管。

（）7.在本征半导体中，空穴和自由电子两种载流子的数量不相等。

（）8. 以空穴为主要导电方式的半导体称为P型半导体。

（）9.普通硅稳压二极管起稳压作用时，是工作在反向偏置状态。

（）10.桥式整流电路中，变压器次级电压有效值为150V，则输出电压平均值为135V。

（）11.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增，二极管被击穿，就不能再使用了。

（）12.硅二极管两端只要加上正向电压时立即导通。

（）13.在常温下，硅二极管的死区电压约为0.1-0.2V，正向导通电压为0.3V。

（）14.单向桥式整流电路在输入交流电压时每半周内只有两只二极管导通。

（）15.P、N型半导体都不带电。

（）16.晶体二极管的反向电压上升到一定值时，反向电流剧增,说明二极管被击穿。

（）17.发光二极管点亮后它的正向压降一般大于0.7V. （）18.单相半波整流电路中，流过二极管的平均电流就是流过负载电流。

（）19.二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型，点接触型二极管适用于高频、小电流的场合，面接触型二极管适用于低频、大电流的场合。

（）20.二极管的电压和电流变化不呈线性关系，其内阻不是常数，所以二极管属于非线性器件。

（）二单选题：（每题3分，共60分）1.以下属于半导体的是（）。

A. 锗B.塑料Ｃ.铜Ｄ.云母2.P型半导体中的多数载流子是（）。

A.负电荷B.自由电子Ｃ.正电荷Ｄ.空穴.3.将PN结P区接电源负极，N区接电源正极，此时PN结处于（）偏置。

二极管电路习题一、选择题1、在题 1.1 图所示电路中，U A0 电压为（ ） （a ）12V （b ）-9V （c ）-3V2 在题 1.2 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2、D3 的工作状 态为（ ） 。

（a ）D1 导通，D2、D3 截止 （b ）D1、D2 截止，D3 导通 （c ）D1、D3 截止，D2 导通3 在题 1.3 图所示电路中，所有二极管均为理想元件，则 D1、D2 的工作状态为 （ ） 。

（a ）D1 导通，D2、截止 （b ）D1、D2 均导通 （c ）D1、截止，D2 导通4 在题 1.4 图所示电路中，D1、D2 为理想元件，则电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）5V （c ）2V5 电路如题 1.5 图（a ）所示，二极管 D 为理想元件，输入信号 ui 为图（b ）所 示的三角波，则输出电压 u0 的最大值为（ ） 。

（a ）5V （b ）17V （c ）7V6 在题 1.6 图所示电路中，二极管为理想元件，uA=3v,uB=2sinωtV ,R=4KΩ,则 uF 等于( ). （a ）3V （b ）2sinωtV （c ）3+2sinωtV7 在题 1.7 图所示电路中，二极管为理想元件，则输出电压 U0 为（ ） （a ）3V （b ）0V （c ）－12V8 在题 1.8 图（1）所示电路中，二极管 D 为理想元件，设 u1=2sinωtV,稳压二 极管 DZ 的稳定电压为 6V ，正向压降不计，则输出电压 u0 的波形为图（2）中的 波形（ ）12V9V(c) RV O题1.1图9 在题1.9 图所示电路中，稳压二极管DZ2 的稳定电压为6V，DZ2 的稳定电压为12V，则输出电压U0 等于（）。

（a）12V （b）6V （c）18V10 在题1.10 图所示电路中，稳压二极管DZ1 和DZ2 的稳定电压分别为6V 和9V，正向电压降都是0.7V。

1．单相桥式全控整流电路，U2＝100V，负载中R＝2Ω，L值极大，当α＝30°时，要求：①作出u d、i d、和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。

解：①u d、i d、和i2的波形如下图：②输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值I2分别为U d＝ U2 cosα＝×100×cos30°＝（V）I d＝U d /R＝2＝（A）I2＝I d＝（A）③晶闸管承受的最大反向电压为：2U2＝1002＝（V）考虑安全裕量，晶闸管的额定电压为：U N＝（2~3）×＝283~424（V）具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

流过晶闸管的电流有效值为：I VT＝I d∕2＝（A）晶闸管的额定电流为：I N＝（~2）×∕＝26~35（A）具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

2．单相桥式全控整流电路，U 2=100V ，负载中R=2Ω，L 值极大，反电势E=60V ，当=30时，要求：① 作出u d 、i d 和i 2的波形；② 求整流输出平均电压U d 、电流I d ，变压器二次侧电流有效值I 2； ③ 考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。

解：①u d 、i d 和i 2的波形如下图：u 2O ωtO ωtO ωtu di d i 2OωtI dI dI dππαα②整流输出平均电压U d 、电流I d ，变压器二次侧电流有效值I 2分别为U d ＝ U 2 cos α＝×100×cos30°＝(A) I d ＝(U d －E)/R ＝－60)/2＝9(A)I 2＝I d ＝9(A)③晶闸管承受的最大反向电压为：2U 2＝1002＝（V ）流过每个晶闸管的电流的有效值为：I VT ＝I d ∕2＝（A ）故晶闸管的额定电压为：U N ＝(2~3)×＝283~424（V ）晶闸管的额定电流为：I N ＝~2)×∕＝6~8（A ）晶闸管额定电压和电流的具体数值可按晶闸管产品系列参数选取。

二极管及整流电路试题及答案一、单选题1.二极管两端加正向电压时，A、立即导通B、超过死区电压就导通C、超过0.2V就导通D、超过击穿电压就导通【正确答案】：B2.当二极管工作在正向特性区，且所受正向电压大于其死区电压时，则二极管相当于A、大电阻B、大电容C、断开的开关D、接通的开关【正确答案】：D3.以下关于单相半波整流电路的各种叙述中，正确的是A、流过整流管的电流小于负载电流B、流过整流管的电流与负载电流相等C、整流管的端电压为零D、整流管承受的最大反向电压等于负载电压平均值【正确答案】：B4.普通二极管导通时，则二极管两端所加的电压是A、正向偏置B、反向偏置C、无偏置D、零偏置【正确答案】：A5.半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为A、杂质半导体B、本征半导体C、P型半导体D、N型半导体【正确答案】：B6.二极管正极电位为9V，负极电位为5V，则该管处于A、零偏B、反偏C、正偏D、击穿【正确答案】：C7.下图所示电路中，输入电压"-：'，；八」V,二kQ。

则当开关SI、S2均断开时，输出电压的平均值’为A、45VB、90vC、100vD、120v【正确答案】：A8.下列关于电感滤波电路的叙述中，正确的是A、电路的滤波，利用了电感器的B、电感器端电压为电路输入脉动直流电中的直流分量;C、电路的输出电压平均值得到提升；D、电感量L越大，滤波效果便越好。

【正确答案】：D9.面接触型二极管比较适用于A、小信号检波B、小功率整流C、大电流开关D、大功率整流【正确答案】：D10.半导体中导电的载流子是A、电子B、空穴C、离子D、电子和空穴【正确答案】：D11.锗二极管的导通电压是A、0.1V左右B、0.3V左右C、0.5V左右D、0.7V左右【正确答案】：B12.电路如图，VD为理想二极管，则二极管的状态是A、导通B、截止C、击穿D、烧坏【正确答案】：A13.下图所示电路中，输入电压「「’•…'：l V,匚-kQ。