武昌理工学院2012模电复习

一、判断(共计50分,每题2.5分)1、多极放大电路常用的耦合方式有三种：阻容耦合、直接耦合和变压器耦合。

A. 正确B. 错误错误:【A】2、正弦波振荡电路是由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四个部分组成。

A. 正确B. 错误错误:【A】3、将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路，全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的0.9倍。

A. 正确B. 错误错误:【A】4、将一个RC低通电路与一个RC高通电路并联在一起，可以组成带阻滤波器。

A. 正确B. 错误错误:【A】5、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

（）A. 正确B. 错误错误:【A】6、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共集组态带负载能力强。

A. 正确B. 错误错误:【A】7、正反馈是指反馈信号增强净输入信号；负反馈是指反馈信号减弱净输入信号。

A. 正确B. 错误错误:【A】8、可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）A. 正确B. 错误错误:【A】9、负反馈对放大电路性能的改善体现在：提高增益的稳定性、减小非线性失真、抑制反馈环内噪声、扩展频带。

A. 正确B. 错误错误:【A】10、直流电源一般由下列四部分组成，它们分别为：电源变压器、整流电路、滤波电路、稳压电路。

A. 正确B. 错误错误:【A】11、对于耗尽型MOS管，当栅源电压等于零时，有导电沟道存在。

A. 正确B. 错误错误:【A】12、N型半导体中电子是少数载流子。

（）A. 正确B. 错误错误:【B】13、结型场效应管利用栅源极间所加的反向电压来改变导电沟道宽度。

（）A. 正确B. 错误错误:【A】14、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）A. 正确B. 错误错误:【B】15、场效应管利用栅源之间电压的电场效应来控制漏极电流。

A. 正确B. 错误错误:【A】16、场效应管放大电路有共源、共栅、共漏三种组态。

《电路》硕士研究生入学考试大纲第一部分考试说明一、考试性质《电路》是我校自动化学院各专业硕士研究生入学必考的专业基础课之一。

它的评价标准是电类专业优秀本科毕业生能达到的良好及以上水平，以保证被录取者具有较扎实的电路理论基础。

考试对象为符合全国硕士研究生入学条件的报考我校自动化学院“控制科学与工程”、“电力电子与电力传动”、“电机与电器”、“电工理论与新技术”等相关专业的考生。

二、考试形式试卷结构（一）答卷方式：闭卷，笔试（二）答题时间：180分钟（三）题型：全部为分析计算题（四）参考书目《电路》（第五版）邱关源.北京:高等教育出版社,2006第二部分考查要点一、电阻性网络分析电流、电压及其参考方向，电流与电压的关联参考方向；电功率和电能量的概念；吸收功率和发出功率的概念及其判定；线性非时变电阻、电压源、电流源、受控电源及运算放大器的特性；KCL和KVL；线性二端电阻'性网络入端电阻的概念及入端电阻的计算，等效电路的概念；树、基本回路的概念；节点分析法和回路（网孔）分析法；叠加定理及其应用；戴维宁-诺顿等效网络定理及其应用；特勒根定理（互易定理）及其应用；最大功率传输定理及其应用；网络定理的综合应用；含理想运算放大器电路的分析。

二、动态网络分析线性非时变电容、电感元件的特性；单位阶跃函数和单位冲击函数的概念及其主要性质；一阶电路和简单二阶电路微分方程的建立及相应初始条件的确定；各种响应的概念；求解一阶电路的三要素法；KCL、KVL的运算形式；基本电路元件的运算模型；用运算法求解电路的暂态过程；双口网络的Z、Y、H、T参数方程及Z、Y、H、T参数的计算；双口网络的相互连接；双口网络的等效电路；有端接双口网络的分析。

三、正弦稳态分析和广义正弦稳态分析同频率正弦量的相量及相量图表示；KCL、KVL的相量形式；基本电路元件的相量模型，阻抗和导纳；正弦稳态电路的分析计算（含利用相量图分析）；正弦稳态电路中各种功率的概念及计算，功率因数及功率因数的提高；最大功率传输（共轭匹配）；RLC 串联及并联谐振电路；耦合电感元件的特性方程，同名端的概念及同名端的确定（含用实验方法）；含耦合电感元件电路的分析；理想变压器的特性方程及理想变压器的阻抗变换性质；对称三相电路的概念，对称三相电路中线量与相量的关系；对称三相电路的功率；对称三相电路的分析计算；两表法测量三相三线制电路的功率；结构简单的不对称三相电路的分析计算（电源对称）；非正弦周期电流、电压的有效值，非正弦周期电流电路的平均功率；非正弦周期电流电路的分析计算。

、填空（本题共20分，每空1分）：1. _________________________________________________ 整流电路的任务是__将交流电变成脉动直流电 __________________ ;滤波电路的任务是—滤除脉动直流电中的交流成分 ______________________ 。

2. 在PN 结的形成过程中，载流子的扩散运动是由于 ____________ _载流子的浓度差 而产生的，漂移运动是 ______ 内电场的电场力 —作用下产生的。

3. 放大器有两种不同性质的失真，分别是 _____ _线性 失真和非线性 失真。

4. 在共射阻容耦合放大电路中，使低频区电压增益下降的主要原因是_耦合电容__和旁路电容 _________ 的影响；使高频区电压增益下降的主要原因是__三极管的级间电容 __________ 的影响。

5. _________________________________________________________________ 在交流放大电路中，引入直流负反馈的作用是 _稳定静态工作点 _______________________________________________________________________ ;引入交流负反馈的作用是 —稳定增益、抑制非线性失真、—改变输入输岀电阻、展宽频带、抑制干扰和噪声 __。

6. _______________________________________ 正弦波振荡电路一般由 选频网络 ________________ 、__放大电路 __________ 、正反馈网络 ______________________________________________ 、__稳幅电路 _________ 这四个部分组成。

7. ______________________________________________________________________________________________________ 某多级放大器中各级电压增益为：第一级 25dB 、第二级15dB 、第三级60dB ，放大器的总增益为 _100 ________________________________ ，总的放大倍数为 __________ 。

武汉理工大学_高频电子线路考试试题预览说明:预览图片所展示的格式为文档的源格式展示,下载源文件没有水印,内容可编辑和复制武汉理工大学考试试题纸（A 卷）课程名称高频电子线路A 专业班级通信、电信0601-06、SY 题号一二三四五六七八九十总分题分10 10 10 10 10 15 10 10 15 100备注: 学生不得在试题纸上答题(含填空题、选择题等客观题)一、(10分，每小题1分) 单项选择题1、常用集电极电流流通角θ的大小来划分功放的工作类别，丙类功放。

A) θ = 180O B) 90O<θ<180O C) θ =90 O D) θ<90O2、在模拟乘法器上接入调制信号VΩm cosΩt和载波信号V cm cosωc t后将产生。

A)ωc±ΩB)2ωc±ΩC)2ωc D)频谱分量3、放大器工作在欠压状态，随着负载谐振电阻R P的增大而向临界状态过渡时, 放大器的交流输出电压V cm将。

A) 减小B) 增大C) 略有增大D) 略有减小4、设石英振荡器的振荡频率介于串联谐振频率与并联谐振频率之间时，石英晶体的。

A) 等效阻抗为0 B) 等效阻抗无穷大C) 等效阻抗成感性D) 等效阻抗成容性5、谐振功率放大器工作于欠压区，若集电极电源V BB中混入50Hz市电干扰，当输入为等幅正弦波时，其输出电压将成为。

A) 调频波 B) 等幅正弦波C) 直流信号按50Hz正弦变化的波D) 调幅波6、多级单调谐小信号放大器级联，将使（）。

A）总增益减小，总通频带增大B）总增益增大，总通频带减小C）总增益增大，总通频带增大D）总增益减小，总通频带减小7、SSB信号的检波可采用（）。

A）小信号检波B）大信号检波C）同步检波D）以上三种均可8、调幅、检波和混频电路的实质都是（）。

A）频谱的非线性搬移B）频谱的线性搬移C）相位变换D) 以上三种均可9、调幅接收机采用AFC电路的作用（）。

武汉理工大学考试试题 （A 卷）课程名称 模电 专业班级 软件工程0601题号 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 总分 题分2020128121612备注：学生不得在试题纸上答题（含填空题、选择题等客观题）一. 填空题：（每空1分，共20分）1.在P 型半导体中，多数载流子为（ ），少数载流子为（ ）。

P 型半导体主要靠（ ）导电。

2.当PN 结正向偏置时使空间电荷区（ ），加剧了多数载流子的（ ）运动，形成正向电流，此时PN 结处于（ ）状态。

3.根据导电沟道结构上的不同，场效应管可以分成（ ）和（ ）两大类型，他们的导电过程仅仅取决于（ ）的运动。

4. 当晶体管工作在放大区时，发射结电压应为（ ）偏置和集电结电压应为（ ）偏置。

5.共射放大电路有（ ）电压增益，（ ）电流增益，温度升高时，其增益均会（ ）。

6.对于由晶体管组成的共射极、共集电极和共基极三种基本放大电路，若希望电流放大倍数大，可选用（ ）和（ ）组态电路；若希望放大器的高频响应好，应选用（ ）组态电路。

7.电流源电路的特点是输出电流（ ），直流等效电阻（ ），交流等效电阻（ ）。

二.选择填空题（每空1分，共20分） 1.只含三价元素杂质的半导体是（ ）。

① P 型半导体；② N 型半导体；③ 本征型半导体2. 设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是（ ）。

①. I S e U ②. TU U I e S ③. )1e (S －TU U I3.如果晶体管的基极——发射极短路，则（ ）。

① 管子深饱和；② 发射结反偏；③ 管子截止；④ 发射结正偏；⑤ 集电结烧坏4.人们说晶体管具有放大电流的能力，这是指它在电路中采用（ ）和（ ）。

① 共发射极接法时；② 共基极接法时；③ 共集点极接法时；④ 任何接法时5. U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有（ ） 。

①. 结型管 ②. 增强型MOS 管 ③. 耗尽型MOS 管6.检查放大电路中的BJT 在静态时是否进入截止区，最简单可靠的是测量（ ）。

一、单项选择题：（每小题1分，共15分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（ C ）。

A)10kΩ B)2kΩ C)4kΩ D)3kΩ2．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ C ）。

A)共射电路 B)共基电路 C)共集电路 D)共集-共基串联电路3．某电路有用信号频率为2kHz，可选用（C ）。

A)低通滤波器 B)高通滤波器 C)带通滤波器 D)带阻滤波器4．与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（C ）。

A)不用输出变压器 B)不用输出端大电容 C)效率高 D)无交越失真5．有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（ B ）。

A)输入电阻大 B)输入电阻小 C)输出电阻大 D)输出电阻小6．共模抑制比KCMR越大，表明电路（C ）。

A)放大倍数越稳定 B)交流放大倍数越大C)抑制温漂能力越强 D)输入信号中的差模成分越大7．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（B ）。

A)变宽 B)变窄 C)不变 D)与各单级放大电路无关8．某仪表放大电路，要求Ri大，输出电流稳定，应选（A ）。

A)电流串联负反馈 B)电压并联负反馈C)电流并联负反馈 D)电压串联负反馈9．电流源的特点是直流等效电阻( B )。

A)大 B)小 C)恒定 D)不定10．差动放大器由双端输入变为单端输入，差模电压增益是（C ）。

A)增加一倍 B)为双端输入时的一半 C)不变 D)不确定12．当放大电路的电压增益为-20dB时，说明它的电压放大倍数为（D ）。

A)20倍 B)-20倍 C)-10倍 D)0.1倍13．当用外加电压法测试放大器的输出电阻时，要求（A ）。

电工与电子技术复习资料电工电子教研室第一章：直流电路一、单项选择题1.如题1图,已知U=220V,I＝－1A,则元件消耗的功率P为〔C〕A.220WB.0WC.－220WD.不能确定*2 .直流电路如题2图所示,电流I应等于〔A〕A.7AB.4AC.3AD.1A*3.如题3图,V i＝3V,则点1的电位φ1为〔B〕A.－6VC.3VD.－1.5V*4.直流电路如题4图所示,U ab＝< C>A.－1VB.0VC.1VD.2V5．理想电流源的外接电阻逐渐增大,则它的端电压〔 A〕A．逐渐升高 B．逐渐降低C．先升高后降低D．恒定不变6．设60W和100W的电灯在220V电压下工作时的电阻分别为R1和R2,则R1和R2的关系为〔A〕A.R1＞R2B.R1=R2C.R1＜R2D.不能确定*7．电路如题7图所示,开关S从断开状态合上以后,电路中物理量的变化情况是〔A〕A.I增加B.U下降C.I1减少D.I不变*8．题8图所示电路,如电阻R 1增大,则电流表错误!的读数〔 A 〕 A.增大B.减小C.不变D.不定*9．一个由线性电阻构成的电器,从220V 的电源吸取1000W 的功率,若将此电器接到110V 的电源上,则吸取的功率为〔 A 〕A.250WB.500WC.1000WD.2000W 10．题10图示电路中,A 、B 端电压 U ＝〔 A 〕A.－2VB.－1VC.2VD.3V11．题11图中电流I 为 〔 C 〕A.1AB.2AC.-1AD.-2A*12．直流电路如题12图所示,U ab 等于〔 C 〕A ．－2VB ．－1VC ．1VD ．2V13．把题13图1所示的电路用题13图2所示的等效电压源代替,该等效电压源的参数为<B >。

A.E 0=1V, R 0=2ΩB.E 0=2V, R 0=1ΩC.E 0=2V, R 0=0.5ΩD.E 0=1V, R 0=1Ω14．将题14图电路化简为一个电压源U S 和电阻R S 串联的最简等效电路,其中U S 和R S 分别为 〔D 〕A.U S =2V,R S =1ΩB.U S =1V,R S =2ΩC.U S =2V,R S =0.5ΩD.U S =1V,R S =0.5Ω15．在题15图示电路中,已知：E=9V,I k =6mA,当电压源E 单独作用时,通过R L 的电流是1mA,那么当电压源E 和电流源I k 共同作用时,通过电阻R L 的电流I L 是< A >。

课程设计任务书学生姓名： 董## 专业班级： 电信1104指导教师： 曾 刚 工作单位： 信息工程学院题 目：温度检测显示器 初始条件：具备模拟电子电路的理论知识；具备模拟电路基本电路的设计能力；具备模拟电路的基本调试手段；自选相关电子器件；可以使用实验室仪器调试。

要求完成的主要任务：（包括课程设计工作量及其技术要求，以及说明书撰写等具体要求）1、检测区间为四段：A. 温度C 020~0 B. 温度C 030~20 C.温度C 040~30 D. 温度 C 040>，要求对每段作出段位显示2、测量误差 C 02±3、标准检测点为： C C C C 000039 29 19 04、安装调试并完成符合学校要求的设计说明书 时间安排：一周，其中3天硬件设计，2天硬件调试指导教师签名： 年 月 日系主任（或责任教师）签名： 年 月 日目录摘要 (1)1.概述 (2)2.电路设计 (3)2.1总体方案选择与系统结构 (3)2.2 温度—电压转换部分 (4)2.2.1 NTC热敏电阻温度特性 (4)2.2.2输出电压与温度的关系 (6)2.2.3元件参数的确定 (6)2.3监测点惠更斯电桥电路 (7)2.3.1各分压电阻的理论计算 (7)2.3.2各电阻阻值的确定 (9)2.4电压比较部分 (10)2.4.1运放电源负载的确定 (10)2.4.2自激振荡的解决方法 (10)2.5 发光二级管显示 (10)2.5.1发光二极管简介 (10)2.5.2限流电阻的确定 (11)3.电路仿真及调试 (12)3.1电路原理图及仿真 (12)3.2实物焊接及调试过程 (15)3.3结果与数据处理 (18)心得体会 (20)参考文献 (21)本科生课程设计成绩测定表 (22)摘要温度检测显示器在日常生活中很常见。

我们天天用的电脑，在运转过程中也会产生很多热量，传递给自身的某些部件，若是温度过高，很可能会损坏相关器件，因此，检测温度将是一项很重要的工作。

武汉大学电气工程学院2012-2013 学年度第二学期期终考试《模拟电子技术基础》试卷 A学号姓名院（系）分数一、填空题，每空1分（共20分）1、二极管具有单向导电性，正向电流不仅和（）的大小有关，还和半导体（）的高低有关。

2、FET 三极管和BJT 三极管的共同特性是其电流具有一定的（），FET 三极管为（）控制电流型器件，当FET三极管受控电流因受控回路中的电阻限制而不能增加时，FET三极管工作在（）区。

3、放大电路放大的是（）量，合理设置静态（）可以保证其正常放大。

BJT 基本放大电路，其静态易受温度变化影响，若温度变化使电流I CQ增大有可能会产生（）失真。

4、在放大电路常用的三种耦合方式中，适合集成电路内部采用的是（）耦合方式，但该方式无法避免（）相互影响。

5、在 BJT 三种基本放大电路中，输入电阻最小的是（）放大电路；可同时对电压和电流进行放大的是（）放大电路。

6、三极管放大电路如图 1 所示，若电流放大系数为β＝40，其静态工作点I CQ ＝( )mA；三极管交流输入电阻r be＝（）kΩ；放大电路电路输出电阻R o＝（）kΩ；电压增益u o/u i＝（）。

图1单管共射放大电路7、对音频信号放大时，若放大电路的（）宽度不足，有可能会出现（）失真。

8、乙类互补对称电路，因三极管存在（）电压，其输出会产生（）失真。

第 1 页共 4 页二、选择填空，每空1分(共10分)1、射极旁路电容对（）的下限频率影响最大，当信号频率f=f L时，其输出电压与输入电压相位差为( )。

A．单管共射电路B．单管共基电路C．单管共集电路D．135ºE．180ºF．225º2、运放的共模抑制比 K CMR参数，此参数越大说明（），表明其内部有( )。

A．差模增益A d越大B．共模增益A c越大C．A d与A c的比值越大D．共射放大电路E．差分式放大电路F．互补对称电路3、通过负反馈可以改善放大电路的性能，引入（）可减小放大电路的非线性失真；引入（）可减小输出电阻。

,考试作弊将带来严重后果！理工大学期末考试《 模拟电子技术 》试卷A （电类06级，2008.07.11）1. 考前请将密封线内填写清楚；2. 选择题和填空题在试卷首页的相应空白处作答，其它题直接答在试卷纸上； 3．考试形式：闭卷；4. 本试卷共 四 大题，满分100分，考试时间120分钟。

选择题（在题末的备选答案中选出一个正确答案的号码。

每小题2分，共20分）1．在本征半导体中加入（ ）元素可形成N 型半导体，加入（ ）元素可形成P 型半导体。

A.五阶,四阶 B.四阶,三阶C.三阶,五阶D.五阶,三阶2．增强型N 沟道MOS FET 构成放大电路，要求则其栅源间电压GS u （ ） A ．GS(off )U > B.GS(off )U <C.GS(th )U > D.GS(th )U <3． 在共射基本放大电路中，适当增大集电极负载电阻R C ，电压放大倍数和输出电阻将( )A ．放大倍数变大，输出电阻变大B ．放大倍数变大，输出电阻不变C ．放大倍数变小，输出电阻变大D ．放大倍数变小，输出电阻变小4． 如右图所示电路中，晶体管≈100，估算该电路的电压放大倍数和输入电阻约为（ ）A ．011k u i A .,R ≈≈ΩB. 012k u i A .,R ≈≈ΩC.1200k u i A ,R ≈≈ΩD.1100k u i A ,R ≈≈Ω5．NPN 型三极管构成的基本共射放大电路中,输入信号为1kHz,10mV 的正弦波,当出现饱和失真时,其输出波形的( )将削去一部分。

A. 底部B. 顶部C. 中间D. 顶部和底部同时6． RC 耦合放大电路中,当耦合电容容量增加时,下限截止频率L f 将( ),放大电路通频带BW 将( ).A.上升,变宽B.下降,变宽C.上升,变窄D.下降,变窄7． 测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，便可以得到幅频特性和相频特性，条件是（ ）。

武汉理工大学考试试题纸（ 卷）备注：学生不得在试题纸上答题（含填空题、选择题等客观题）一、填空题（本大题共20分，每空1分，）：1.理想二极管的正向电阻为 零 ，反向电阻为 无穷大 。

2.当正向电压 小于死区电压的绝对值 ，或反向电压 低于击穿电压 时，二极管截止。

3.当PNP 型锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以 发射 极电位最高， 集电 极电位最低， 基 极和 发射 极电位之差约等于 -0.3V 。

4.设某共射极基本放大电路原来没有发生削波失真，现增大c R ，则静态工作点向 左 方向移动，较容易引起 饱和 失真。

5.设某负反馈放大电路的开环放大倍数1000A ∙=，反馈系数0.01F = ，若A ∙变化5%，则f A变化 0.45% 。

6. 电流并联 负反馈能使放大电路的输入电阻减小，输出电阻变大； 电压并联 负反馈能使放大电路的输入电阻增大，输出电阻减小。

7.若12id i i v v v =-是 差模 电压，12()2ic i i v v v =+是 共模 电压，则差分电路两输入端的电压分别为1i v = 2ic id v v + ，和2i v = 2ic id v v - 。

8.电流源作为放大电路的有源负载，主要是为了提高 电压增益 ，因为电流源的 交流电阻 大。

二、单项选择题（本大题共20分，每空1分）1.当PN 结外加反向电压时，扩散电流（ B ）漂移电流，耗尽层（ D ）。

A.大于 B.小于 C.等于 D.变宽 E.变窄 F.不变2.正偏时，对于某个确定的工作点，普通二极管的交流电阻D r 和直流电阻D R 相比，（ A ）。

A.D D r R <； B.D D r R =； C.D D r R >； D.说不定哪个大3.在下图（二3）所示电路中，设1Z D 的稳定电压为7V ，2Z D 的稳定电压是为13V ，则输出电压U 等于（ C ）。

4.某晶体管的发射极电流等于1mA ，基极电流等于20μA ，则它的集电极电流等于（ A ）。

武昌工学院模拟电路考试试卷及参考答案3一、单项选择题（5’）1.集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以___。

A、减小温漂B、增大放大倍数C、提高输入电阻D、使低频响应效果变好答案：A2.为增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用___。

A、共射放大电路B、共集放大电路C、共基放大电路D、以上均可以答案：A3.为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入___。

A．共射电路B．共基电路C．共集电路D．共集-共基串联电路答案：C4.根据要求，将应优先考虑使用的集成运放找出.作幅值为1μV以下微弱信号的量测放大器，应选用___，作内阻为100kΩ信号源的放大器，应选用___。

A、高压型，高精度型B、高阻型，通用型C、通用型，低功耗型D、高精度型，高阻型答案：D5.理想运算放大器的各个参数分别是Aud=___，rid=___，CMRR=___。

A、无穷，无穷，无穷B、0，0，0C、无穷，0，无穷D、0，无穷，0答案：A6.带射极电阻Re 的共射放大电路，在并联交流旁路电容Ce后，其电压放大倍数将___。

A．减小B．增大C．不变D．变为零答案：B7.多级放大电路的级数越多，则其___。

A．放大倍数越大，而通频带越窄B．放大倍数越大，而通频带越宽C．放大倍数越小，而通频带越宽D．放大倍数越小，而通频带越窄答案：A8.欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入___。

A、电压串联负反馈B、电压并联负反馈C、电流串联负反馈D、电流并联负反馈答案：A9.负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲___。

A、相同B、不同C、可相同可不同D、有具体情况而定答案：A10.半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于___。

A．反向偏置击穿状态B．反向偏置未击穿状态C．正向偏置导通状态D．正向偏置未导通状态答案：A11.阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生___。

第三章电力电子技术实验实验一单相桥式半控整流电路实验一、实验目的(1)加深对单相桥式半控整流电路带电阻性、电阻电感性负载时各工作情况的理解。

(2)了解续流二极管在单相桥式半控整流电路中的作用，学会对实验中出现的问题加以分析和解决。

三、实验线路及原理本实验线路如图3-1所示，两组锯齿波同步移相触发电路均在DJK03-1挂件上，它们由同一个同步变压器保持与输入的电压同步，触发信号加到共阴极的两个晶闸管，图中的R用D42三相可调电阻，将两个 900Ω接成并联形式，二极管VD1、VD2、VD3及开关S1均在DJK06挂件上，电感L d在DJK02面板上，有100mH、200mH、700mH三档可供选择，本实验用700mH，直流电压表、电流表从DJK02挂件获得。

图3-1 单相桥式半控整流电路实验线路图四、实验内容(1)锯齿波同步触发电路的调试。

(2)单相桥式半控整流电路带电阻性负载。

(3)单相桥式半控整流电路带电阻电感性负载。

(4)单相桥式半控整流电路带反电势负载（选做）。

五、预习要求(1)阅读电力电子技术教材中有关单相桥式半控整流电路的有关内容。

(2)了解续流二极管在单相桥式半控整流电路中的作用。

六、思考题(1)单相桥式半控整流电路在什么情况下会发生失控现象?(2)在加续流二极管前后，单相桥式半控整流电路中晶闸管两端的电压波形如何?七、实验方法(1)将DJK01电源控制屏的电源选择开关打到“直流调速”侧使输出线电压为200V，用两根导线将200V交流电压接到DJK03-1的“外接220V”端，按下“启动”按钮，打开DJK03-1电源开关，用双踪示波器观察“锯齿波同步触发电路”各观察孔的波形。

(2)锯齿波同步移相触发电路调试：其调试方法与实验三相同。

令U ct=0时（RP2电位器顺时针转到底），α＝170o。

(3)单相桥式半控整流电路带电阻性负载：按图接线，主电路接可调电阻R，将电阻器调到最大阻值位置，按下“启动”按钮，用示波器观察负载电压U d、晶闸管两端电压U VT和整流二极管两端电压U VD1的波形，调节锯齿波同步移相触发电路上的移相控制电位器RP2，观察并记录在不同α角时U d、U VT、U VD1的波形，测量相应电源电压U2和负载电压U d的数值，记录于下表中。

武汉理工《模拟电子技术基础》各章知识点及考试重点半导体基础知识及二极管应掌握的知识点：1.先修知识之放大电路的四种基本模型及用法2.先修知识之电阻串、并、混联的等效变换3.先修知识之kirchhoff's law4.先修知识之戴维南、诺顿等效变换及线性叠加原理5.本征半导体的掺杂特性与本征激发特性以及两种载流子6.掌握P型与N型半导体材料的形成机理7.理解PN结的形成机理8.掌握PN结的单向导电性及伏安特性曲线9.掌握二极管的伏安特性，了解其重要参数10.重点掌握半导体二极管的简化模型分析法之理想、恒压降、折线模型及适用范围、使用方法11.**理解半导体二极管的简化模型分析法之小信号模型及适用范围、使用方法12.重点掌握特殊二极管之稳压二极管特性及应用电路的分析方法13.了解其它特殊二极管特性及应用14.完成并掌握习题2中客观检测题所涉及的基本概念双极型三极管及其放大电路应掌握的知识点：1.掌握三极管（BJT）的结构与符号2.理解BJT内部载流子的传输，掌握电流分配关系3.了解放大电路中BJT具有放大作用的内部与外部条件，掌握BJT具有放大作用的外部偏置条件4.掌握BJT的伏安特性曲线、主要参数及其三个工作区域和安全工作区5.掌握放大电路的基本组成、三种组态和性能指标6.掌握用估算法和图解分析法对放大电路做静态分析的基本思路，能算出典型电路静态工作点具体数值7.掌握利用小信号模型对电路做动态分析的基本思路，能根据要求写出增益、输入、输出电阻的表达式8.掌握静态工作点、直流负载线、最大动态范围、非线性失真、交流负载线、微变电阻等概念9.理解基极分压式射极偏置电路的静态工作点稳定过程10.了解BJT混合参数小信号模型的合理布局，掌握放大电路直流通路与交流通路的画法11.**通过自学与讨论了解多级放大电路耦合方式，掌握其静态与动态分析思路12.完成并掌握习题3中客观检测题所涉及的基本概念场效应管及其放大电路应掌握的知识点：1.了解双极型三极管BJT与单极型三极管FET的共性与个性2.掌握根据特性曲线判断场效应管类型的方法3.掌握JFET的结构与工作原理（外加栅源极电压对沟道导电性能的控制，外加漏源极电压对沟道导电性的影响）4.掌握JFET特性曲线(包括输出特性曲线、转移特性曲线、夹断电压以及预夹断点和三个工作区域的划分)及饱和区内漏极电流与栅源极电压的近似关系5.了解JFET主要参数6.掌握MOSFET的结构工作原理（外加栅源极电压对沟道导电性能的控制，外加漏源极电压对沟道导电性的影响）7.掌握MOSFET特性曲线(包括输出特性曲线、转移特性曲线、夹断或开启电压以及预夹断点和三个工作区域的划分)及饱和区内漏极电流与栅源极电压的近似关系8.了解MOSFET主要参数9.了解场效应管放大电路的常用偏置方式及适用范围，掌握FET放大电路的动、静态分析方法，掌握FET的低频小信号模型，正确认识耗尽型FET自偏压的特性10.完成并掌握习题4中客观检测题所涉及的基本概念功率放大电路应掌握的知识点：1.了解按照导通角对放大电路进行分类的思路2.了解功率放大电路的特征和一般问题3.掌握双电源乙类互补对称功率放大电路(OCL)的结构和工作原理4.掌握基于图解分析对双电源乙类互补对称功放的输出功率、管耗、效率等主要指标参数进行估算的方法5.了解交越失真现象及其产生的原因和消除交越失真的措施6.掌握常用甲乙类功率放大电路的电路结构和工作特点7.了解单电源（OTL）互补对称功放的结构特点及工作原理8.掌握复合管结构特点和分析计算方法9.了解桥式推挽功放的电路结构和工作特点10.掌握功率管的选择依据11.**了解集成功率器件的主要性能参数12.**了解集成功率器件在使用上应注意的主要问题和相关性能指标的估算13.完成并掌握习题5中客观检测题所涉及的基本概念集成运算放大器应掌握的知识点：1.掌握射极偏置差分式放大电路的电路结构、工作特点和静、动态分析方法和主要性能指标的计算2.掌握差模输入信号、共模输入信号、差模输入方式、共模输入方式、差模分量、共模分量、双端输出、单端输出、共模通路、差模通路、共模抑制比等知识点3.理解射极偏置电阻对共模及差模电压增益的影响4.了解差分式放大电路的传输特性5.了解电流源在集成电路中的作用6.**了解常用BJT、FET电流源电路稳定输出电流的原理7.了解集成运算放大器基本组成与特点8.了解集成运算放大器主要性能指标与参数，在实际应用中需要注意的问题9.**了解集成运算放大器的种类和应用场合（信号的运算与处理电路章节将继续深入该内容）10.完成并掌握习题6中客观检测题所涉及的基本概念放大电路的频率响应应掌握的知识点：1.掌握放大电路频率响应的实质和定义2.掌握RC一阶高、低通电路的传递函数、频率特性、特性参数和波特图，掌握多级放大电路频率响应特性表达式与波特图的对应关系3.**了解BJT的低、高频小信号模型及频率参数（56学时不做要求）4.**了解多级放大电路频率响应和波特图、单极放大电路瞬态响应（56学时不做要求）5.完成并掌握习题7中客观检测题所涉及的基本概念负反馈放大电路应掌握的知识点：1.掌握反馈的定义、本质特征和反馈放大电路的组成框图等基本概念2.掌握反馈的分类3.掌握负反馈放大电路根据反馈网络与基本放大电路在输出回路与输入回路的连接方式呈现的四种基本组态及其各自的特征4.能够运用瞬时极性法判断反馈极性，能根据具体电路判断其反馈类型和组态5.掌握负反馈放大电路闭环增益的一般表达式6.了解负反馈对放大电路性能的影响，能够根据需要为基本放大电路引入正确、适当的负反馈7.掌握深度负反馈条件下的近似计算8.**了解负反馈放大电路产生自激振荡的原因和条件9.**理解负反馈放大电路能够稳定工作的条件10.**了解改善放大电路稳定性的常用方法11.完成并掌握习题8中客观检测题所涉及的基本概念信号的运算与处理电路应掌握的知识点（算术运算、滤波器、电压比较器）：1.了解运放的基本组成和传输特性2.掌握理想运放的特点和虚断、虚短的概念3.掌握主要技术指标在理想条件下的近似计算4.掌握同、反相以及差动输入方式的特点5.掌握各种基本运算电路（比例、比例求和、比例求差、微分、积分）的结构特点和分析计算方法6.能根据要求设计基本的运算电路7.**了解集成运算放大器在信号的运算、处理与检测中的应用8.掌握滤波电路的基本概念（通带、阻带、有源、无源、高通、低通、带通、带阻、全通、低阶、高阶等）与分类9.**理解滤波电路的传递函数形式10.**了解常用高阶有源滤波器的基本特征和主要参数11.掌握单门限电压比较器的工作原理12.掌握迟滞电压比较器的工作原理和传输特性、门限电压的计算和设置13.**了解常用集成电压比较器14.了解方波、三角波、和锯齿波产生电路的基本结构和工作原理正弦信号产生电路：1.了解正弦波振荡电路的基本结构，掌握建立及维持振荡的幅度与相位平衡条件；2.掌握文氏桥式正弦波振荡电路的组成与工作原理；3.掌握RC串并联选频网络的选频特性以及谐振频率的计算；4.了解移相式正弦波振荡电路的构成与工作原理；直流稳压电源：1.掌握小功率直流稳压电源的基本结构和工作原理；2.了解稳压电源的主要质量指标；3.了解串联反馈式稳压电路的工作原理；4.掌握三端稳压器（包括固定式和可调式）的工作原理和具体应用方法。