多晶硅精馏操作规程
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精馏操作规程一、引言精馏操作是化工生产中常用的分离技术之一,通过利用不同物质的沸点差异来实现分离纯净物质的目的。
本操作规程旨在确保精馏操作的安全、高效和稳定,以保证产品质量和生产效益。
二、适用范围本操作规程适用于各种精馏操作,包括常压精馏、减压精馏、连续精馏等。
三、设备和材料准备1. 确保精馏塔和冷凝器的完好性,检查是否有泄漏、堵塞等问题。
2. 检查供料系统、回流系统和冷却水系统的正常运行。
3. 准备所需的溶剂、原料和辅助剂,并按照工艺要求进行准确计量。
四、操作步骤1. 打开精馏塔的进料阀门,逐渐加热精馏塔,开始升温。
2. 根据工艺要求,控制进料速率和升温速率,确保操作的稳定性。
3. 当塔顶温度稳定在设定值时,打开冷凝器的冷却水阀门,开始冷凝回流。
4. 根据需要,调节回流比例,控制塔顶温度和塔底温度,以实现理想的分离效果。
5. 定期检查冷凝器的冷却水流量和温度,确保冷却效果良好。
6. 监测塔底液位,保持在正常范围内,避免过高或过低。
7. 注意观察塔顶的气体排放情况,及时处理可能产生的有害气体。
8. 根据工艺要求,定期取样进行分析,确保产品质量符合标准。
9. 操作结束后,逐渐降低温度,关闭进料阀门和冷凝器冷却水阀门,停止操作。
五、安全注意事项1. 在操作过程中,严禁吸烟、使用明火等火源。
2. 操作人员必须佩戴防护眼镜、手套和防护服,确保人身安全。
3. 确保操作现场的通风良好,避免有害气体积聚。
4. 在操作过程中,如发现异常情况,应及时停止操作,并向相关人员报告。
5. 精馏塔和冷凝器的温度较高,操作人员应注意防烫。
六、操作记录和数据分析1. 操作人员应及时记录精馏操作的关键参数,如温度、流量、压力等。
2. 对操作过程中的数据进行分析,发现问题及时进行调整和改进。
3. 根据操作记录和数据分析,总结经验,提出改进意见,以提高操作效率和产品质量。
七、操作规程的修订和审查1. 对操作规程进行定期修订,确保与实际操作相符。
精馏操作规程一、引言精馏是一种常见的分离技术,广泛应用于化工、石油、医药等领域。
精馏操作规程的编制旨在确保操作人员能够进行安全、高效、稳定的精馏操作,保持产品质量稳定。
二、安全措施1. 操作人员必须熟悉精馏设备的结构和工作原理,了解各个设备部件的功能和操作方法。
2. 操作前,必须进行安全检查,确保设备无任何故障或泄漏。
3. 严禁在设备运行过程中进行任何维修或调整,如果需要维修,必须事先停机并采取相应安全措施。
4. 操作人员必须全程佩戴防护设备,如安全帽、防护眼镜、耳塞等,并穿戴合适的衣服和鞋子。
5. 操作人员必须了解物料的性质,包括燃点、闪点、毒性等,并遵守相应的操作规范。
6. 操作人员必须严格执行操作规程,不得擅自改变操作参数或操作方法。
三、操作流程1. 准备工作a. 确保设备清洁,无积尘和杂质。
b. 检查设备温度、压力传感器是否正常,并进行相应的校准。
c. 根据产品要求准备好相应的物料和辅助设备。
2. 开始操作a. 打开设备主开关,启动加热或冷却系统,根据需要调整温度。
b. 逐渐增加进料速度,确保进料均匀稳定。
c. 监测设备温度和压力,并进行相应调整,以保持适宜的操作条件。
d. 根据需要调整回流比例,控制产品的纯度和产量。
e. 定期取样进行分析,监测产品质量。
3. 结束操作a. 停止进料,并逐渐降低回流比例。
b. 将残余物料和废气处理,确保安全环保。
c. 关闭设备主开关,停止加热或冷却系统。
d. 清洁设备,排除残留物,防止积灰和腐蚀。
四、常见问题及处理方法1. 卡扣问题:若设备卡扣松脱,应立即停止操作,修复卡扣并进行相关检查和测试。
2. 温度过高或过低:根据操作手册或相关规范进行设备调整,确保操作温度在适宜范围内。
3. 压力异常:根据设备压力表显示,及时调整设备操作压力。
4. 产品质量不稳定:检查进料质量,设备操作参数是否符合要求,进行相应调整和改进。
五、操作记录与改进1. 操作人员应及时记录设备操作参数、物料使用情况、产品质量等关键信息。
精馏操作规程精馏操作规程是指在化工生产中对混合物进行蒸馏分离的操作过程中所遵循的一系列规定和步骤。
精馏是一种常用的物质分离方法,利用不同成分的沸点差异,在控制温度和压力的条件下,将混合物中的组分逐步分离和纯化。
下面将为大家详细介绍精馏操作规程。
首先,精馏操作前需要对设备和仪器进行检查。
确保设备的完好性、密封性和操作的可靠性。
检查设备是否存在泄漏或损坏情况,仔细检查各个阀门、压力表、温度计等装置的工作状态。
同时,还需要清理设备内部的杂质和残留物,确保操作的安全和有效。
接下来,需要准备好所需的原料及辅助物料。
根据生产工艺要求,准确称取所需的原料,并进行必要的混合和稀释。
辅助物料包括但不限于溶剂、催化剂、添加剂等。
确保所使用的原料和辅助物料符合生产规范,并确保其质量的稳定性和可靠性。
在进行精馏操作前,要制定详细的操作规程和操作流程。
明确操作过程中各个步骤的顺序、条件和要求。
规定操作人员的职责和权限,确保操作的统一性和规范性。
在开始精馏操作时,首先需要启动和调试设备。
按照操作规程和流程,逐步关闭设备的安全阀门,并逐步升高温度和压力,使设备内的压力逐渐增加。
同时,通过调节控制阀门,使设备内的温度逐渐升高。
确保设备内的温度和压力稳定在所需范围内。
在设备运行稳定后,开始加入混合物。
根据操作规程,采用适当的方式将混合物加入设备中。
注意加入的速度和方式,避免产生剧烈的反应或冲击。
在混合物加入后,开始蒸馏分离过程。
根据混合物中各组分的沸点差异,采取适当的控制手段,调节设备中的温度和压力。
逐渐将混合物中的组分分离开来,收集纯净的产品。
同时,根据产品的质量和产量要求,及时调整操作条件,确保产品的纯度和产量的稳定。
在蒸馏分离过程中,操作人员需要密切观察设备和过程的变化。
及时调整控制参数,确保操作的安全和有效。
注意观察各个仪器的读数和指示,及时记录和报告异常情况。
同时,根据操作规程,进行必要的样品采集和分析,确保产品质量的可控和稳定。
多晶硅精馏单元培训资料培训内容✧精馏简介✧物料介绍✧原理及设备✧塔器及工艺流程✧操作✧安全1、精馏简介1、1精馏技术就就是现代传质理论在化学、化工过程工业分离领域中得一项关键共性技术,广泛应用于石油炼制、石油化工、化学工业、精细化学品、化肥工业、空气分离、原子能化工、环境保护、中药现代化与天然产物分离等产品与工业过程。
在提高产品得纯度与收益率、降低生产过程得能耗与控制环境污染方面具有重要作用。
对显著提升传统化工装置技术水平、推动行业科技进步具有重要意义。
1、2精馏单元简介1.2.1多晶硅生产得工艺过程:多晶硅生产得工艺过程简单概括为:三个化学反应,一系列得分馏提纯,使冶金硅成为高纯度多晶硅得除杂过程。
在半导体硅得生产中,三氯氢硅或四氯化硅提纯就就是一个关键工序。
TCS合成工序产品有SiHCl3(TCS),SiCl4(STC),Si H2Cl2(DCS),CH3SiHCl2(MDCS), BCl3,PCl3,PCl5,AlCl3,FeCl2,其中得杂质(如硼),在物理提纯过程中很难除掉,对于其她杂质,物理提纯也要耗费更多得时间与费用方能除去。
其中有:精馏、萃取、固体吸附、部分水解、络合等。
但在工业生产中,目前应用最为广泛得就就是精馏提纯,下图就就是工艺技术路线图。
1.2.2高纯概念多晶硅生产就就是一个由Si生产Si得提纯过程,把99、5%得Si变成六到十个“9”得过程。
产品纯度高,生产所用原、副材料要求纯度高,生产工艺过程中得设备、管道等给介质带入得杂质量要少,安装、清洗要求相应要严格得多,目得都就就是为了追求一个“纯”字。
通常用百分比含量来表示物质得纯度,半导体行业常用“PPm”“PPb”“”表示物质得纯度,其换算关系为:PPm——杂质含量为10-6;其纯度为99、9999% 6个“9”PPb——杂质含量为10-9;其纯度为99、9999999%9个“9”——杂质含量为10-12;其纯度为99、9999999999% 11个“9”2、0物料介绍精馏工序主要涉及到得物料有SiHCl3(TCS),SiCl4(STC),S iH2Cl2(DCS),CH3SiHCl2(MDCS), BCl3,PCl3与聚氯硅烷等。
精馏工序操作规程1范围1.1.适用范围本操作规程适用于宁夏阳光硅业有限责任公司1260吨/年多晶硅生产工艺的精馏提纯工序(含罐区工序)1.2.目的本操作规程的目的在于:让操作人员明确本工序的工艺流程、工艺原理和工艺系统的操作标准、质量指标控制标准及管理标准,从而能够规范操作人员、检修人员和管理人员依据相关标准进行安全操作和管理工作。
管理要点(包括意外情况的判断和处理措施)2.1原料质量标准提纯工序的原料来源包括合成料、还原回收料、氢化回收料三部分。
从合成炉、还原炉和氢化炉冷凝回收装置回收的氯硅烷液体,其质量标准列于表1。
2.2产品质量标准氯硅烷精馏提纯工序的产品,包括半导体质量级的三氯氢硅,二级(工业级)三氯氢硅和高纯或工业级四氯化硅,设计的产品质量列于表2(不含系统内部循环的氯硅烷)2.3生产规模2.3.1主产品生产规模氯硅烷提纯工序设计的主产品(半导体质量级三氯氢硅)生产规模列于表三表3氯硅烷提纯工序设计的主产品生产规模(每年按8760小时计)氯硅烷提出工序设计的有自用辅助产品和副产品。
自用辅助产品供“湿法除尘”用的氯硅烷;“氢化炉”用的四氯化硅。
副产品有二级(工业级)三氯氢硅、高纯或工业级四氯化硅,还有氯化钙与硝酸钙。
生产规模列于表42.4原辅材料和能源动力消耗氯硅烷提纯工序的主要消耗,包括原料氯硅烷、工业水、循环水、冷冻盐水、氮气、工艺用空气、仪表空气、氢氧化钠溶液和电能。
其设计的消耗指标列于表5和表6。
2.5尾气与液体废料的排放(1)提纯工序排放至2.8号车间气体洗涤塔进行净化处理的有害气体成分与排放量列于表7.表7尾气的成分与排放量(有害物质主要是HCI)符合国家标准排放要求;气体洗涤塔处理后的废液,排放至工艺废料处理车间(6号厂房)进行无害化综合利用处理。
(2)为生产半导体质量级的三氯氢硅,必须要排除部分杂质含量较高的三氯氢硅和四氯化硅,但这些物料是可以回收利用的,本工序排除的液体废料成分和综合利用方向见表8。
电子级多晶硅生产精馏方案2014年复产后,对除低沸精馏塔T108&T104/105塔操作参数进行降压优化操作,目前从T105F取样和产品TCS储罐取样分析结果看,B含量绝大部分达到1ppbw以下,而T108和T103/104/106三级精馏塔操作参数控制较稳定。
为了进一步降低产品TCS中的B含量,稳定产出电子级多晶硅产品,精馏工艺需作调整。
一、参数优化1、精馏原理精馏原理是利用混合物各组分的挥发度不同实现物料的分离,操作中,物料间的相对挥发度越大越容易分离,相对挥发度越小越难分离,当相对挥发度等于1时,不能用普通的精馏分离。
图一为BCl3、PCl3与TCS在不同温度时的蒸汽压之比趋势图(理想状态时可视为相对挥发度):图一BCl3、PCl3与TCS在不同温度下的蒸汽压之比趋势图从图一可看出,BCl3、PCl3和TCS的相对挥发度随温度的升高而降低。
在液态氯硅烷中,沸点比TCS高的物质主要有金属氯化物、大部分P化合物和少量的B 化合物,因无相对挥发度的数据,以其标准状况下的沸点作为参考,考虑其在精馏各塔中的分布。
表一为氯硅烷中各种B/P及金属氯化物的沸点统计表:表一此外,还有三种化合物在表一中未体现:PH3,沸点-84℃;BHCl2,沸点-17.5℃;B2H6,沸点-93℃。
从表一看出,沸点比TCS低的硼化物有3种,磷化物有3种,最接近的是沸点25℃的(CH3)2PH;沸点比TCS高的硼化物有3种,磷化物有10种,最接近的是沸点为37.8℃的(CH3)3P;沸点介于TCS/STC间的有4种。
值得注意的是,PH3和B2H6的沸点与HCl(-85℃)较为接近,在CDI系统中HCl采用氯硅烷吸收,而PH3和B2H6有可能混在回收氢中;CH3BCl2和BCl3的沸点与DCS沸点非常接近,且在各种模拟文献中,氯硅烷中B的主要存在形式是BCl3,因此控制系统中的DCS含量也比较关键。
P+H2→PH3PCl 3+H2→PH3+HCl在精馏塔操作中,回流比的大小对精馏有较大影响,回流比越大对产品质量较好,但增加操作费用,且对于固定精馏塔回流量超过运行负荷会导致液泛,而回流比太小产品质量不合格,操作中需选择适宜的回流比。
多晶硅生产工艺操作规程1. 引言本文档旨在规范多晶硅生产工艺操作,确保生产过程的安全和高效性。
操作人员应严格按照规程进行操作,并时刻关注安全要求和操作细节。
2. 安全要求•操作人员必须戴好安全帽、防护眼镜和防护服,必要时佩戴呼吸器具;•所有设备必须在正常工作状态下使用,并定期进行检修和保养;•操作前应仔细检查设备和工艺参数,确保其符合规范要求;•使用化学药剂时,务必佩戴耐酸碱手套和防护面罩,避免直接接触皮肤和眼睛;•操作过程中严禁任何不必要的行动和交流,以免分散注意力;•发现任何异常情况或事故,应立即报告相关负责人,并迅速采取紧急措施。
3. 工艺流程本工艺流程分为前期准备、硅熔炼、结晶与切割等几个关键环节。
3.1 前期准备•检查设备和工艺参数,确保其正常运行;•准备所需化学药剂和原材料;•配置好所需辅助设备(如搅拌器等);•操作人员戴好相应防护装备。
3.2 硅熔炼3.2.1 准备炉料•将硅精粉加入石墨舟,并按照比例加入所需的添加剂和药剂;•将硅粉均匀混合,确保成分均匀。
3.2.2 加热熔化•将混合好的炉料倒入炉体中;•使用电加热丝或燃气进行加热,提升温度;•待炉料完全熔化,形成硅液。
3.2.3 准备模具•将模具清洗干净,确保表面光洁;•依次将硅液注入模具,待硅液冷却凝固。
3.3 结晶与切割3.3.1 结晶•将硅模具放入结晶炉进行结晶过程;•控制炉内温度和压力。
3.3.2 切割•待结晶完成后,取出结晶硅块;•使用切割机械设备将硅块切割成所需尺寸的多晶硅块;•储存切割好的多晶硅块,并标明相关信息。
4. 质量控制为确保多晶硅的质量,应严格按照以下要求进行质量控制:•对原材料进行全面检测,确保其质量符合要求;•按照指定比例配置炉料,确保成分准确;•定期监测炉内温度和压力,确保结晶过程的稳定性;•对切割多晶硅块进行目视检查和尺寸检测,确保其符合规范;•对质量异常的多晶硅块进行分类处理,并记录相关信息。
5. 故障排除与维护•在操作过程中,如发现设备故障或异常情况,应立即停车并报告相关负责人;•维护人员应定期检查设备状况,保证设备运行的稳定性;•严格按照设备维护要求进行设备维护,并记录维护情况;•出现设备故障时,及时排除故障并记录修复情况。
精馏操作规程一、引言精馏操作是化工工艺中常用的分离技术之一,通过利用不同组分的沸点差异,将混合物分离为不同纯度的组分。
本文旨在提供一份详细的精馏操作规程,以确保操作的顺利进行和分离效果的最大化。
二、设备准备1. 精馏塔:选择适合工艺要求的精馏塔,确保其结构稳定、密封性良好,并具备足够的塔板数和塔板间距。
2. 加热设备:使用适当的加热方式,如蒸汽加热或者电加热,确保温度控制精准。
3. 冷凝器:选择合适的冷凝器,以确保冷凝效果良好,避免组分的混合。
4. 泵和储液罐:根据需要配置泵和储液罐,以便于进料和采集产品。
三、操作步骤1. 开始操作前,确保所有设备已经检查并处于良好工作状态。
检查精馏塔的塔板、填料或者板式换热器的清洁情况,并清除任何可能影响操作的杂质。
2. 将混合物加入精馏塔的进料管道中,并通过泵控制进料速度。
根据混合物的性质和组分,确定进料位置和速度,以确保塔板上的液相温和相充分接触。
3. 打开加热设备,逐渐升高温度。
根据混合物的沸点差异,调整加热功率和温度控制,确保塔板上的液相蒸发温和相冷凝。
4. 确保冷凝器的冷却水供应正常,并调整冷却水流量和温度,以保持冷凝器的冷却效果。
5. 监测塔顶和塔底的温度和压力,并根据需要进行调整。
温度和压力的变化可以反映出分离效果的变化,以便及时采取措施进行调整。
6. 根据需要,定期取样分析塔顶和塔底的组分,并根据分析结果调整操作参数。
如果需要采集不同纯度的产品,可以根据组分分布曲线进行操作调整。
7. 当达到预定的分离效果时,住手加热设备,并逐渐降低温度。
关闭进料泵,住手混合物的进料。
8. 将剩余的混合物排空,并清洗精馏塔和相关设备,以便于下一次操作。
四、安全注意事项1. 在操作过程中,严禁使用火源或者其他易燃物品,以防止发生火灾或者爆炸。
2. 操作人员应穿戴适当的个人防护装备,如防护眼镜、手套和防护服,以保护自身安全。
3. 注意操作区域的通风情况,确保室内空气流通,避免有害气体的积聚。
其亚多晶硅精馏工艺流程(中英文实用版)Title:其亚多晶硅精馏工艺流程Process Flow of Qiya Polycrystalline Silicon Distillation其亚多晶硅精馏工艺是一种生产多晶硅的高效方法。
这个过程主要包括三个阶段:raw material preparation, distillation, and purification.其亚多晶硅精馏工艺的第一个阶段是原料准备。
在这一阶段,首先需要将原料进行清洗和提纯,以去除杂质和污染物。
清洗后的原料会被送入精馏塔中进行精馏。
The first stage of the Qiya polycrystalline silicon distillation process is raw material preparation.In this stage, the raw material needs to be cleaned and purified to remove impurities and pollutants.The cleaned material will be sent to the distillation tower for distillation.第二个阶段是精馏过程。
在这一阶段,原料会在精馏塔中加热,以使其蒸发。
蒸发出的气体会在塔内冷却,形成液态的多晶硅。
这个过程中,会通过控制温度和压力来优化精馏效果。
The second stage is the distillation process.In this stage, the raw material will be heated in the distillation tower to evaporate.The evaporated gas will be cooled inside the tower to form liquid polycrystalline silicon.During this process, the distillation effect is optimized by controlling temperature and pressure.最后一个阶段是多晶硅的提纯。
多晶硅精馏车间培训资料一、引言多晶硅是一种重要的半导体材料,广泛应用于光伏、电子和光学等行业。
多晶硅精馏车间是多晶硅生产过程中的关键环节,其质量直接影响到多晶硅的纯度和性能。
为了提高多晶硅精馏车间操作人员的技能水平和工作效率,本培训资料旨在详细介绍多晶硅精馏车间的工作流程、设备操作和注意事项。
二、多晶硅精馏车间概述1. 多晶硅精馏的定义和目的2. 多晶硅精馏车间的工作职责和重要性3. 多晶硅精馏车间的工作环境和安全要求三、多晶硅精馏车间工作流程1. 原料准备和处理a. 原料选用和质量要求b. 原料输送和储存c. 原料预处理和预热2. 精馏塔操作a. 精馏塔的结构和原理b. 精馏塔的启动和停机操作c. 精馏塔的操作参数调整和监控3. 产品采集和处理a. 产品采集系统的结构和原理b. 产品的采集和储存c. 产品的质量检验和处理四、多晶硅精馏车间设备操作1. 精馏塔操作设备a. 精馏塔的进料和出料设备b. 精馏塔的温度、压力和流量控制设备c. 精馏塔的冷却和加热设备2. 产品采集设备a. 产品采集系统的输送设备b. 产品采集系统的储存设备c. 产品采集系统的质量检测设备3. 安全设备和措施a. 灭火系统和防爆设备b. 紧急救援设备和应急预案c. 安全操作规程和注意事项五、多晶硅精馏车间注意事项1. 操作人员的安全意识和操作技能要求2. 设备的日常维护和保养要点3. 故障排除和应急处理方法六、多晶硅精馏车间的质量控制1. 多晶硅精馏产品的质量标准和检测要求2. 质量控制的关键参数和监测方法3. 质量问题的分析和改进措施七、总结多晶硅精馏车间是多晶硅生产过程中的关键环节,本培训资料详细介绍了多晶硅精馏车间的工作流程、设备操作和注意事项。
通过培训,操作人员将能够掌握多晶硅精馏的基本原理和操作技能,提高工作效率和产品质量,确保多晶硅的纯度和性能满足要求。
同时,培训还强调了安全操作和质量控制的重要性,匡助操作人员避免事故和质量问题的发生。
多晶硅精馏单元培训资料培训内容✧精馏简介✧物料介绍✧原理及设备✧塔器及工艺流程✧操作✧安全1、精馏简介1.1精馏技术是现代传质理论在化学、化工过程工业分离领域中的一项关键共性技术,广泛应用于石油炼制、石油化工、化学工业、精细化学品、化肥工业、空气分离、原子能化工、环境保护、中药现代化和天然产物分离等产品和工业过程。
在提高产品的纯度和收益率、降低生产过程的能耗和控制环境污染方面具有重要作用。
对显著提升传统化工装置技术水平、推动行业科技进步具有重要意义。
1.2精馏单元简介1.2.1多晶硅生产的工艺过程:多晶硅生产的工艺过程简单概括为:三个化学反应,一系列的分馏提纯,使冶金硅成为高纯度多晶硅的除杂过程。
在半导体硅的生产中,三氯氢硅或四氯化硅提纯是一个关键工序。
TCS合成工序产品有SiHCl3(TCS),SiCl4(STC),SiH2Cl2(DCS),CH3SiHCl2(MDCS),BCl3,PCl3,PCl5,AlCl3,FeCl2,其中的杂质(如硼),在物理提纯过程中很难除掉,对于其他杂质,物理提纯也要耗费更多的时间和费用方能除去。
其中有:精馏、萃取、固体吸附、部分水解、络合等。
但在工业生产中,目前应用最为广泛的是精馏提纯,下图是工艺技术路线图。
1.2.2高纯概念多晶硅生产是一个由Si生产Si的提纯过程,把99.5%的Si变成六到十个“9”的过程。
产品纯度高,生产所用原、副材料要求纯度高,生产工艺过程中的设备、管道等给介质带入的杂质量要少,安装、清洗要求相应要严格得多,目的都是为了追求一个“纯”字。
通常用百分比含量来表示物质的纯度,半导体行业常用“PPm”“PPb”“PPt”表示物质的纯度,其换算关系为:PPm——杂质含量为10-6;其纯度为99.9999% 6个“9”PPb——杂质含量为10-9;其纯度为99.9999999% 9个“9”PPt——杂质含量为10-12;其纯度为99.9999999999% 11个“9”2.0物料介绍精馏工序主要涉及到的物料有SiHCl3(TCS),SiCl4(STC),SiH2Cl2(DCS),CH3SiHCl2(MDCS),BCl3,PCl3和聚氯硅烷等。
多晶硅精馏的原理和应用1. 原理多晶硅精馏是一种将多晶硅材料进行分离和提纯的技术方法。
其原理主要基于多晶硅的熔点和挥发性差异。
通过加热多晶硅材料,将其中的杂质分子和低熔点组分挥发出来,实现对多晶硅的纯化。
多晶硅精馏的原理可以分为以下几个步骤:1.1 加热和汽化多晶硅材料首先被加热至其汽化温度,此时杂质分子和低熔点组分开始挥发。
加热过程中,控制多晶硅的温度,使其保持在稳定的汽化温度范围内。
1.2 分馏和冷凝挥发出来的杂质分子和低熔点组分进入分馏塔,通过分馏的方式将其与多晶硅分离。
分馏塔顶部设置冷凝器,将挥发出来的组分进行冷凝,并收集。
1.3 回流和再次挥发将冷凝后的液体回流至分馏塔,再次加热并进行挥发。
通过多次加热和挥发,不断提高多晶硅的纯度。
1.4 收集和冷却通过冷凝器收集纯化后的多晶硅,通过冷却使其凝固成为固体。
2. 应用多晶硅精馏技术在半导体材料和太阳能电池领域有广泛的应用。
以下是多晶硅精馏的几个常见应用场景:2.1 半导体材料生产多晶硅纯度对半导体材料的性能具有重要影响。
采用多晶硅精馏技术可以有效提高多晶硅的纯度,使其满足半导体材料的要求。
纯化后的多晶硅可以作为半导体材料的基础材料,用于制备各种电子元件和集成电路。
2.2 太阳能电池制造多晶硅是太阳能电池制造的核心材料之一。
通过多晶硅精馏技术可以获得高纯度的多晶硅,用于制备太阳能电池的硅片。
高纯度的多晶硅可以提高太阳能电池的效率和稳定性。
2.3 光伏材料研究多晶硅精馏技术也被广泛应用于光伏材料研究领域。
通过精馏技术可以实现对多晶硅材料的纯化和提纯,为研究光伏材料的性能和特性提供高纯度的多晶硅样品。
2.4 材料科学研究多晶硅精馏技术在其他材料科学研究中也有应用。
如研究多晶硅的物理性质、热学性质等方面,需要高纯度的多晶硅样品进行实验和测试。
3. 总结多晶硅精馏技术是一种将多晶硅进行分离和提纯的技术方法。
通过加热和挥发的过程,可以将多晶硅中的杂质分子和低熔点组分分离出来,实现对多晶硅的纯化。
多晶硅精馏工艺流程
多晶硅精馏工艺流程是一种重要的半导体材料制备方法,下面将从多晶硅的制备、精馏工艺流程以及其应用领域等方面进行介绍。
一、多晶硅的制备
多晶硅是由硅资源经过一系列的冶炼和提纯工艺得到的。
首先,将硅矿石经过破碎、磨矿等步骤得到粉状硅粉。
然后,将硅粉与氯气进行化学反应生成四氯化硅。
接着,通过热还原法将四氯化硅还原为多晶硅。
多晶硅的制备过程需要严格控制温度、气氛和反应时间等参数,以确保产品的质量和纯度。
多晶硅精馏是在多晶硅的制备过程中的一个重要环节。
精馏是通过升华法进行的,主要包括以下几个步骤:
1. 加热:将多晶硅放入精馏炉中,炉内温度逐渐升高,使硅材料逐渐升华。
2. 分离:升华后的硅蒸汽经过冷却,使其重新凝结成为固体硅。
3. 收集:将凝结后的固体硅收集起来,作为多晶硅的成品。
三、多晶硅的应用领域
多晶硅是一种重要的半导体材料,广泛应用于电子、光伏等领域。
在电子领域,多晶硅可用于制备集成电路、太阳能电池等器件。
在光伏领域,多晶硅是太阳能电池的主要材料之一,可将太阳能转化
为电能。
此外,多晶硅还可以用于制备光纤、光学器件等。
总结:
多晶硅精馏工艺流程是一种重要的半导体材料制备方法。
通过多晶硅的制备和精馏工艺,可以得到高纯度的多晶硅材料。
多晶硅在电子和光伏等领域有着广泛的应用,为现代科技的发展做出了重要贡献。
通过不断提升多晶硅制备工艺和精馏工艺的技术水平,可以进一步提高多晶硅的质量和应用性能,推动半导体行业的发展。
多晶硅蒸馏车间工艺流程英文回答:Polysilicon Distillation Process Flow.The polysilicon distillation process is a key step in the production of high-purity polysilicon for the semiconductor industry. The process involves thepurification of trichlorosilane (TCS) by fractional distillation, followed by the reduction of TCS to polysilicon.The process flow of a typical polysilicon distillation plant is as follows:1. Feedstock preparation: TCS is typically produced by the reaction of silicon tetrachloride (SiCl4) with hydrogen (H2). The TCS is then purified by removing impurities such as oxygen, nitrogen, and chlorine.2. Fractional distillation: The purified TCS is fedinto a fractional distillation column, where it is separated into three fractions: a light fraction containing impurities, a middle fraction containing TCS, and a heavy fraction containing high-boiling-point impurities.3. TCS reduction: The middle fraction from the fractional distillation column is fed into a reduction reactor, where it is reacted with hydrogen to produce polysilicon. The reaction is carried out at high temperature and pressure.4. Polysilicon deposition: The polysilicon produced in the reduction reactor is deposited on the surface of a silicon substrate. The deposition process is carried out in a vacuum chamber, and the polysilicon is deposited as athin film.5. Annealing: The deposited polysilicon is annealed at high temperature to improve its crystallinity andelectrical properties.The polysilicon distillation process is a complex and energy-intensive process. However, it is an essential step in the production of high-purity polysilicon for the semiconductor industry.中文回答:多晶硅蒸馏车间工艺流程。
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多晶硅制作工安全操作规程1.开护前应将各管道清洗干净并烘干,然后将各管道按生产流程要求连接好,要确保密封,所有反应釜和流程各段应进行检漏(抽真空在24小时之内无明显的压力降)。
2.生产过程运行时,不能停水,停电。
3.生产上所用的电气设备,非生产人员切勿乱动。
4.生产中各管道所连接的开关、铁夹子,不得随意松动。
非工作人员不得随便进入生产区。
操作者不得随意离开工作岗位。
每隔半小时详细记录压力、温度的情况。
5.生产进行之中,冷井的抽空阀一定要打开,绝不能关死。
贮氨筒间的冷凝器加氨气阀要打开,停炉时要关死。
6.材料要求:(1)氧化铵烘干后要经40目分样筛后,装入干燥而密封的容器内;(2)硅镁的合成要在真空度达9.999×10000帕(750毫米汞柱)以上,温度550℃时进行,并恒温3小时,严禁漏气,然后再在常温下降温,直到手触及外壳无灼痛的感觉,才能消除真空取下不锈钢盘进行过筛。
得到的硅镁合成粉应贮存在干燥密封的容器内,严禁与水、酸、火接触,以免燃烧和爆炸;(3)液氨的使用要特别注意氨瓶和接管道口的气密性,以免漏气。
不要让氨气冲入眼、口、鼻和粘在皮肤上,否则应立即用水冲洗;(4)铣镁屑时,要按镁合金加工的要求进行,加工好的镁屑要保存好,严禁烟火和潮湿。
7.各设备上所使用的检漏表、气压表、高伏计要定期检查和校正,以免表的失灵而发生事故。
8.配制清洁液时应注意:水不得往硫酸中注入,一定要将硫酸慢慢加入水中卜配制王水时应将硝酸慢慢加入盐酸中,配制酸液或清洗过程中,应戴上耐酸橡胶手套及口罩和围上耐酸围裙,在通风设备下进行配酸,不要粘入身上,处理废酸废碱时要进行中和后,达到安全排放标准,才可倒入下水道。
9.清洗汞时要戴上口罩和围上围裙。
要小心操作,打开通风柜。
不要将汞打翻在地,如有撒在外边,可用硫磺粉及时撒上立即处理。
10.生产当中严禁吸烟。
——摘自《机械工人安全技术操作规程》。
多晶硅精馏操作规程版号: A0编制:欧阳锋编制日期:公元前10月 22日审核:郭靖审核日期: 2012年12月12日批准:芙蓉姐姐批准日期:未知中国神龙硅业科技发展公司第一章原料及成品性质一、原料性质1.三氯氢硅又称三氯硅烷、硅氯仿分子式为SiHCl3;分子量 135.431.2三氯氢硅的物化性质熔点(101.325kPa):-134℃;沸点(101.325kPa):31.8℃;液体密度(0℃):1350kg/m3;相对密度(气体,空气=1): 4.7;蒸气压(-16.4℃):13.3kPa;(14.5℃):53.3kPa;燃点:-27.8℃;自燃点:104.4℃;闪点:-13.9℃;自燃温度:175℃;爆炸极限:6.9~70%;具有急性毒性三氯硅烷在常温常压下为具有刺激性恶臭易流动易挥发的无色透明液体。
在空气中极易燃烧,在-18℃以下也有着火的危险,它与氧化剂发生强烈反应,遇明火、高热时发生燃烧或爆炸,燃烧时发出红色火焰和白色烟,生成SiO2、HCl和Cl2;溶于苯、醚等有机溶剂;遇水反应产生氯化氢气体;它与氧化剂发生强烈反应,遇明火、高热时发生燃烧或爆炸。
2四氯硅烷物化性质化学式:SiCl4;分子量: 169.89熔点(101.325kPa): -70℃沸点(101.325kPa): 59℃液体密度(0℃): 1524kg/m3(20℃): 1480kg/m3气体密度(0℃): 7.58kg/m3相对密度(气体,空气=1): 5.90临界温度: 233.6℃临界压力: 3728.76kPa临界密度: 530kg/m3四氯化硅在常温常压下为具有窒息性刺激臭的无色透明有毒液体。
能放出有毒蒸气。
热稳定。
空气中不燃烧,大于400℃时能与空气中的氧反应生成SiO2。
在潮湿空气中水解时生成蒸气的固态粒子(XSiO2·YH2O),可发烟。
遇水激烈反应生成硅酸和盐酸。
同许多金属氧化物反应生成氯化物,与氨作用生成四氨基硅并产生烟雾。
与格利雅试剂反应生成有机氯硅烷。
与醇类反应生成硅酸酯。
具有腐蚀性,能腐蚀铝和黄铜。
能与苯、三氯甲烷混溶,能溶于氯仿、醚等有机溶剂。
在四氯化硅的烟雾中含有其水解产物盐酸。
所以四氯化硅的毒作用主要表现在其强烈的刺激性和腐蚀性。
它会刺激并腐蚀皮肤、眼睛及呼吸道粘膜,可引起流泪、咳嗽、结膜炎、上呼吸道炎症,气管、支气管及肺的炎症。
能腐蚀破坏细胞。
第二章:车间操作规程1.主题内容及适用范围1.1 为了避免发生人身伤害和毁坏机器设备的事故,精馏各岗位操作人员必须详细了解本工艺流程,严格按《工艺操作规程》操作。
1.2 适用于三氯氢硅车间氢化精馏工序。
2.目的为了避免发生人身伤害和毁坏机器设备的事故并生产出质量合格的三氯氢硅,以及对三氯氢硅精馏的生产工艺过程进行有效控制。
3 生产所需原材料三氯氢硅4原料消耗情况三氯氢硅800t/y5生产原理氢化循环氯硅烷经过精馏提纯,将四氯化硅和三氯氢硅进行分离,且杂质含量达到规定的要求;合成四氯化硅经过精馏提纯,杂质含量达到规定的要求。
6 工艺流程图及简述6.1工艺流程6.2 工艺流程简述合成工序四氯化硅储罐V802a,b经N2压送进入SiCl4提纯1级塔T0111。
塔顶产品经SiCl4提纯1级塔冷凝器E0131冷凝,不凝气经尾气冷凝器E0150冷却后进入排放尾气缓冲罐V0219,冷凝液进入SiCl4提纯1级塔冷凝器回流罐V0111后经SiCl4提纯1级塔回流泵P0111a,b ,一部分打塔顶回流,一部分进入SiCl4提纯2级塔T0112;塔底釜液经SiCl4提纯1级塔再沸器E0132加热后返回塔内,一部分经SiCl4提纯1级塔釜液泵P0114a,b送至残液收集槽V0403a,b。
SiCl4提纯2级塔T0112塔顶产品经SiCl4提纯2级塔冷凝器E0133冷凝,不凝气经尾气冷凝器E0150冷却后进入排放尾气缓冲罐V0219,冷凝液进入SiCl4提纯2级塔冷凝器回流罐V0112后经SiCl4提纯1级塔回流泵P0112a,b ,一部分打塔顶回流,一部分进入2级SiHCl3贮槽V0303a,b;塔底釜液一部分经SiCl4提纯2级塔再沸器E0134加热后返回塔内,一部分经SiCl4提纯2级塔釜液泵P0113a,b送至精制SiCl4贮槽V0304a,b,c。
LT-09系统、氢化工序排放槽V0221过来的氯硅烷进入氢化循环氯硅烷缓冲罐V0307。
经氢化循环氯硅烷输送泵P0307a,b 进入氢化精馏1级塔进料预热器E0137换热至一定温度后进入氢化精馏1级塔T0121。
塔顶产品经氢化精馏1级塔冷凝器E0138冷凝,不凝气经尾气冷凝器E0151冷却后进入排放尾气缓冲罐V0219,冷凝液进入氢化精馏1级塔冷凝器回流罐V0114后经氢化精馏1级塔回流泵P0115a,b ,一部分打塔顶回流,一部分进入氢化精馏2级塔T0122。
塔底釜液一部分经氢化精馏1级塔再沸器E0139加热后返回塔内,一部分经氢化精馏1级塔釜液泵P0116a,b送至氢化精馏4级塔T0124。
氢化精馏2级塔T0122塔顶产品经氢化精馏2级塔冷凝器E0140冷凝,不凝气经尾气冷凝器E0151冷却后进入排放尾气缓冲罐V0219,冷凝液进入氢化精馏2级塔冷凝器回流罐V0115后经氢化精馏2级塔回流泵P0117a,b ,一部分打塔顶回流,一部分进入氢化精馏3级塔T0123。
塔底釜液一部分经氢化精馏2级塔再沸器E0141加热后返回塔内,一部分经氢化精馏2级塔釜液泵P0122a,b送至尾气冷凝液罐V0119。
氢化精馏3级塔T0123塔顶产品经氢化精馏3级塔冷凝器E0143冷凝,不凝气经尾气冷凝器E0151冷却后进入排放尾气缓冲罐V0219,冷凝液进入氢化精馏3级塔冷凝器回流罐V0116后经氢化精馏3级塔回流泵P0118a,b ,一部分打塔顶回流,一部分进入2级SiHCl3贮槽V0303a,b;塔底釜液一部分经氢化精馏3级塔再沸器E0142加热后返回塔内,一部分靠压差送至精制SiHCl3贮槽V0305e,f。
氢化精馏4级塔T0124塔顶产品经氢化精馏4级塔冷凝器E0145冷凝,不凝气经尾气冷凝器E0151冷却后进入排放尾气缓冲罐V0219,冷凝液进入氢化精馏4级塔冷凝器回流罐V0117后经氢化精馏4级塔回流泵P0119a,b ,一部分打塔顶回流,一部分送至精制SiCl4贮槽V0304a,b,c。
塔底釜液一部分经氢化精馏4级塔再沸器E0144加热后返回塔内,一部分靠压差送至排残液收集槽V0403a,b。
来自各塔顶冷凝器的不凝气经尾气冷却器冷却后进入排放尾气缓冲槽V0219。
各级精馏塔塔釜液可经导淋液管线排至氢化工序排放槽V0221。
各塔顶采出管线安全阀排空的气体进入排放尾气缓冲槽V0219。
7 工艺控制点及控制指标8 设备一览表见附表9 岗位操作9.1开车前的准备(1)进入装置开车现场,操作人员必须按劳保着装,其它无关人员严禁进入现场;(2)检查和确认公用工程系统是否符合要求和正常供给(包括循环水、仪表空气、氮气、0.175MPA蒸汽、0.5MPA蒸汽);(3)确认安全阀是否已正常投用;(4)有足量、合格的氢硅烷原料;(5)开车前检查和确认所有机泵是否符合开车要求,包括动设备的润滑油液面符合要求,冷却水能正常供给,密封油不泄漏;(6)确认合成工序-35℃盐水机组运行正常,能投用;(7)装置在开车过程中,现场严禁一切动火、检修活动;9.2开车操作9.2.1 SiCl4提纯1级塔T0111进料及操作9.2.1.1 进料前的准备(1)检查并确认合成工序四氯化硅具备连续送料条件;(2)检查并切换好合成工序四氯化硅储罐V802A,B到SiCl4提纯1级塔的流程,塔进料开启相应进料塔盘处阀门,其余阀门关闭;(3)检查并改好SiCl4提纯1级塔再沸器E0132、SiCl4提纯1级塔冷凝器E0131和SiCl4提纯1级塔冷凝回流槽V0111的回流流程,液位计投用;(4)检查并改好SiCl4提纯1级塔冷凝器E0131到尾气冷凝器E0150的流程;(5)检查SiCl4提纯1级塔再沸器E0132蒸汽管线完好,无泄漏,进口压力正常;(6)检查SiCl4提纯1级塔冷凝器E0131循环水管线完好,无泄漏,进口压力正常;(7)检查尾气冷凝器E0150 -35℃盐水管线完好,无泄漏,进口压力正常后投用;(8)精馏塔各仪表投用,调节阀具备投用条件并投手动。
9.2.1.2 SiCl4提纯1级塔进料升温(1)通知合成工序打开四氯化硅储罐V802A,B出料阀门;(2)打开流量计FT1001、调节阀FV1001的主路及旁路阀,管线向塔内排气;(3)进料管线赶气完毕,投用流量计和调节阀,关闭旁路阀,调节进料量450kg/h;(4)观察塔底液位,调节冷凝器尾气调节阀开度至100%进行排气;(5)当塔釜液位达到40%,再沸器投用,控制蒸汽流量加热塔釜物料,升温速度不大于10℃/h;(6)塔顶冷凝器投用,冷凝水流量控制在22000kg/h,当回流罐液位60%时,启动回流泵,塔顶物料全回流。
9.2.1.3 SiCl4提纯1级塔操作(1)按工艺参数的控制要求,调节进料量、冷凝器循环水量和再沸器加热蒸汽流量;(2)当塔顶压力达到0.05MPa时,手动调节冷凝器尾气调节阀;(3)根据精馏塔的工艺指标要求,调节塔各工艺参数,稳定后停进料,塔全回流操作,各调节阀逐步投入自动;(4)塔稳定操作一段时间(一般≥8小时)后,确认SiCl4提纯2级塔具备进料条件,可恢复进料,塔釜按工艺参数的控制要求进行采出并做好塔顶采出准备。
9.2.2SiCl4提纯2级塔T0112进料及操作9.2.21 进料前的准备(1)检查并切换好SiCl4提纯1级塔回流泵P0111a,b到SiCl4提纯2级塔的流程,塔进料开启相应进料塔盘处阀门,其余阀门关闭;(2)检查并改好SiCl4提纯2级塔再沸器E0134、SiCl4提纯2级塔冷凝器E0133和SiCl4提纯2级塔冷凝回流槽V0112的回流流程,液位计投用;(3)检查并改好SiCl4提纯2级塔冷凝器E0131到尾气冷凝器E0150的流程;(4)检查SiCl4提纯2级塔再沸器E0134蒸汽管线完好,无泄漏,进口压力正常;(5)检查SiCl4提纯2级塔冷凝器E0133循环水管线完好,无泄漏,进口压力正常;(6)精馏塔各仪表投用,调节阀具备投用条件并投手动。
9.2.2.2 SiCl4提纯2级塔进料升温(1)投用流量计FT1004和调节阀FV1004,调节进料量430kg/h;(2)观察塔底液位,调节冷凝器尾气调节阀开度至100%进行排气;(3)当塔釜液位达到40%,再沸器投用,控制蒸汽流量加热塔釜物料,升温速度不大于10℃/h;(4)塔顶冷凝器投用,冷凝水流量控制在17300kg/h,当回流罐液位60%时,启动回流泵,塔顶物料全回流。