【免费下载】模电判断题有答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

自测题一一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。

（ ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（ ）1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ ）。

A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ ）。

A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ ）。

A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ ）能力的参数。

A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ ）。

A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ）。

A ．非饱和区B ．饱和区C ．截止区D ．击穿区1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。

3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 性能。

6．三极管最重要的特性是 。

8．场效应晶体管属于 控制器件。

自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题1.D2.C3.B4.A5.B6.A7.B8.B9.B 10.D 11.B 12.B三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS 管 11.N 沟道增强型 12.P 沟道增强型自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻be r 是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。

（ ）2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（ ）5．直接耦合放大电路只能放大直流信号，不能放大交流信号。

（ ）二、单选题1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（ ）。

模电判断100题1. （）现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。

答案:错. 两级接在一起，第二级就是第一级的负载，加了负载，放大倍数就会减小2.（）阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立，它只能放大交流信号。

答案:对.阻容耦合，中间有隔直电容，只能传递交流，不能传递直流.所以能放大交流，但Q独立。

3.（）放大电路的输出电阻越小，称为放大电路的带负载能力越强。

答案：对4. （）只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。

答案：错5. （）在环境温度升高时，二极管的正向压降将减小。

答案：对。

在环境温度升高1度，二极管的正向压降将减小2-2.5mV6. （）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

答案：错7. （）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

答案：对8. （）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

答案：错。

半导体是不带电的，无论是N还是P。

多子是电子的，会相应的有正离子存在，整个半导体是中性。

9. （）图中电路能放大正弦信号。

答案：不能。

画交流通路。

Vbb把Ui短路了。

10. 图2为图1放大电路的交流等效电路。

答案：错，多Re11.放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。

答案：错。

因为放大倍数稳定决定于1+AF。

12.若放大电路的放大倍数为负倍数，则引入的反馈一定是负反馈。

答案：错。

负反馈与放大倍数正负无关，比如同相比例电路。

放大倍数是正，反馈是负。

13.运算电路中一般均引入负反馈。

答案：对。

14.若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电流基本不变。

答案：错。

因为没说引入的是什么（电压或电流）负反馈。

该是电流负反馈。

15.负反馈放大电路的放大倍数一定比组成它的基本放大电路的放大倍数小。

答案：对。

负反馈，净输入减小。

所以输出会减小，，输出比原始输入肯定减小。

输出/原始输入。

模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。

A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。

C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。

（）A、对 :B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。

A、正确 ;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。

A、0；B、不定。

C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。

A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。

A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。

正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。

（）A、对 :B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。

A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。

正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。

D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。

自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题1.D2.C3.B4.A5.B6.A7.B8.B9.B 10.D 11.B 12.B三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS 管 11.N 沟道增强型 12.P 沟道增强型自测题二一、判断题1.错2.对3.错4.错5.错二、单选题1.C2.C3.C4.B5.B6.B7.D8.A9.A 10.A 11.A 12.B 13.B 14.B15.B三、填空题1.静态工作点2.饱和3.截止4.上5.饱和6.相同7.强8.越大9.1K Ω 10.2H L ωωπ- 自测题三一、判断题1.错2.错3.对4.错二、单选题1.C2.D3.D4.D三、填空题1.负载2.信号源内阻3.直接4.好5.窄6.直接，阻容，变压器，直接自测题四一、判断题1.对2.对3.对4.对二、单选题1.D2.C3.A4.A5.C6.C7.B8.D三、填空题1.克服温漂2.差3.平均值4.带负载能力强5.好6.零点漂移7.无穷大8.10mV9.克服零漂 10.射极跟随器11.共模 11.输入级 中间级 输出级 偏置电路 13.差模信号 共模信号自测题五一、判断题1.错2.对3.对4.错5.对6.错二、单选题1.D2.A3.B三、填空题1.虚地2.虚断3.净输入电压等于零和净输入电流等于零4.两输入端电位相等5.输入端无电流6.负反馈自测题六一、判断题1.对2.错3.错4.错5.错6.错二、单选题1.D2.C3.D4.D5.C6.B7.A8.C三、填空题1.交流负反馈2.交流负反馈3.并联负反馈4.电流负反馈5.增大6.输出电压自测题七一、判断题1.错2.错3.错4.错5.对6.错二、单选题1.B2.D3.C4.D5.D6.C三、填空题1.没有输入信号2.RC3.LC4.石英晶体5.电阻 电容6. ,2,1,0,2=n n π7.相位8.1>AF 9.AF ＝110.3自测题八一、判断题1.对2.对3.对4.错二、单选题1.D2.B3.A4.D三、填空题1.42.互补对称3.交越失真 甲乙4.78.5自测题九一、判断题1.对2.对3.错4.错5.对6.对二、单选题1.B2.B3.B4.B5.C6.D7.D8.B9.C三、填空题1.电源变压器 整流电路 滤波电路 稳压电路2.将交流变为直流3.因电流过大而烧坏4.滤掉交流成分5.基准电压与采样电压之差6.0.457.越好8.反向击穿。

模拟电子技术试题一、判断题：（20×2ˊ）1、半导体的导电能力在不同条件下有很大差别，若降低环境温度导电能力会减弱。

（对）2、在P型半导体中，少数载流子是空穴，多数载流子是电子。

（F）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。

（错）4、PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。

（错）5、二极管和三极管都是非线性器件。

（ T ）6、N型半导体中，主要依靠自由电子导电，空穴是少数载流子。

（对）7、二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流随反向电压的增加而基本不变。

（对）8、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）9、使用稳压管时应阳极接正，阴极接负（错）10、二极管的核心是一个PN结，所以二极管具有单向导电性。

（T）11、某发光二极管，两引脚一个长，一个短，则长引脚对应发光管的阴极。

（ F ）12、稳压管在正常稳压工作区域里，它的电流变化很大，而电压变化很小（对）13、普通二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿（∨）14、双向二极管两引脚有阳极和阴极之分（ F ）15、整流电路由二极管组成，利用二极管的单向导电性把交流电变为脉动直流电。

（∨）16、放大电路的三种组态，都有功率放大作用。

（ T ）17、晶体三极管的发射结和集电结是同类型的PN结，所以三极管在作放大管使用时，发射极和集电极可相互调换使用。

（ F ）18、在N型半导体中掺入足够量的三价元素，可以将其改成P型半导体。

（ T ）19、处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（F）20、PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（对）二、选择题：（15×3ˊ）1、P型半导体的多数载流子是（ B ）。

A. 电子B. 空穴C. 电荷D. 电流2、下列说法正确的是（ C ）。

A.N型半导体带负电B.P型半导体带正电C.PN结型半导体为电中性体D.PN结内存在着内电场，短接两端会有电流产生3、关于P型．N型半导体内参与导电的粒子，下列说法正确的是（ A ）。

自测题一一、判断题 1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴,所以它带正电;2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体;1．半导体中的少数载流子产生的原因是 ;A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将 ;A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将 ;A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映 能力的参数;A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=,V U 4.52=,V U 123=,则对应该管的管脚排列依次是 ;A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 ;A ．非饱和区B ．饱和区C ．截止区D ．击穿区1．在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 ;3．PN 结正偏导通,反偏截止,称为PN 结的 性能;6．三极管最重要的特性是 ;8．场效应晶体管属于 控制器件;自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS管沟道增强型沟道增强型自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻r是一个动态电阻,故它与静态工作点无关;be2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;5．直接耦合放大电路只能放大直流信号,不能放大交流信号;二、单选题1．在基本共射放大电路中,负载电阻减小时,输出电阻将 ;A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定2．在基本共射放大电路中,信号源内阻减小时,输入电阻将 ;A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定6．晶体管能够放大的外部条件是 ;A．发射结正偏,集电结正偏 B．发射结正偏,集电结反偏C．发射结反偏,集电结正偏 D．发射结反偏,集电结反偏7．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 ;A．电压放大倍数高 B．输出电流小C．输出电阻增大 D．带负载能力强三、填空题1．要使三极管放大电路不失真,必须设置合理的 ;2．在三极管放大电路中,静态工作点过高会产生失真;3．若放大电路静态工作点选的过低,信号容易产生 失真;4．基本共射放大电路,当温度升高时,Q 点将向 移;5．若三极管发射结正偏,集电结也正偏则三极管处于 状态;L 则其电压放大倍数 ;自测题二一、判断题1.错2.对3.错4.错5.错二、单选题三、填空题1.静态工作点2.饱和3.截止4.上5.饱和6.相同7.强8.越大 10.2H L ωωπ- 自测题三一、判断题1．测得两共射放大电路空载电压放大倍数均为－100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000;3．阻容耦合放大电路只能放大交流信号,不能放大直流信号;二、单选题1．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是 ;A ．电阻阻值有误差B ．晶体管参数的分散性C ．晶体管参数受温度影响D ．受输入信号变化的影响2．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 ;A ．电压放大倍数高B ．输出电流小C ．输出电阻增大D ．带负载能力强3．多级放大电路与单级放大电路相比,电压增益和通频带 ;A ．电压增益减小,通频带变宽B ．电压增益减小,通频带变窄C ．电压增益提高,通频带变宽D ．电压增益提高,通频带变窄4．有两个放大器,空载时的输出电压均为3V,当它们接入相同的负载时,甲放大器的输出电压为2V,乙放大器的输出电压为1V,则说明甲比乙的 ;A ．输入电阻大B ．输入电阻小C ．输出电阻大D ．输出电阻小三、填空题1．在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的 ;2．在多级放大电路中,前级的输出电阻可视为后级的 ;3．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用 耦合方式;5．多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要 ;6．放大器级间耦合方式有三种： 耦合； 耦合；耦合；在集成电路中通常采用 耦合;自测题三一、判断题1.错2.错3.对4.错二、单选题三、填空题1.负载2.信号源内阻3.直接4.好5.窄6.直接,阻容,变压器,直接自测题四一、判断题1．运放的共模抑制比c d CMR A A K 3．互补输出级应采用共集或共漏接法;4．对于长尾式差动放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模交流通路中,射极电阻E R 一概可视为短路;二、单选题1．放大电路产生零点漂移的主要原因是 ;A ．放大倍数太大B ．采用了直接耦合方式C ．晶体管的噪声太大D ．环境温度变化引起参数变化2．为更好的抑制零漂,集成运放的输入级大多采用 ;A ．直接耦合电路B ．阻容耦合电路C ．差动放大电路D ．反馈放大电路3．差动放大电路的主要特点是 ;A ．有效放大差模信号,有力抑制共模信号B ．既放大差模信号,又放大共模信号C ．有效放大共模信号,有力抑制差模信号D ．既抑制差模信号,又抑制共模信号4．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是 ,而提高共模抑制比;A ．抑制共模信号B ．抑制差模信号C ．放大共模信号D ．既抑制共模信号又抑制差模信号5．差动放大电路用恒流源代替E R 是为了 ;A ．提高差模电压放大倍数B ．提高共模电压放大倍数C ．提高共模抑制比D ．提高差模输出电阻6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ;A ．可获得较高增益B ．可使温漂变小C ．在集成工艺中难于制造大电容D ．可以增大输入电阻三、填空题1．选用差分放大电路的原因是 ;2．差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的 ;3．共模信号是两个输入端信号的 ;4．互补输出级采用共集形式是为了使 ;8．差动放大电路两个输入端的信号mV u i 801=,mV u i 602=,则一对差模输入信号=-=21i i u u mV ;9．集成运放的输入级采用差动放大电路的主要作用是 ;10．集成运放的输出级多采用 电路;13．差分放大器的基本特点是放大 、抑制 ;自测题四一、判断题1.对2.对3.对4.对二、单选题三、填空题1.克服温漂2.差3.平均值4.带负载能力强5.好6.零点漂移7.无穷大 9.克服零漂 10.射极跟随器11.共模 11.输入级中间级输出级偏置电路 13.差模信号共模信号自测题五三、填空题1．理想运算放大器同相输入端接地时,则称反相输入端为端;2．理想运放工作在线性区,流进集成运放的信号电流为零,称此为 ;3．理想运算放大器的两条重要法则是 ;自测题五三、填空题1.虚地2.虚断3.净输入电压等于零和净输入电流等于零自测题六一、判断题2．既然电流负反馈稳定输出电流,那么必然稳定输出电压;二、单选题2．要得到一个由电压控制的电流源应选用 ;A．电压串联负反馈 B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈 D．电流并联负反馈3．放大电路引入交流负反馈后将 ;A．提高输入电阻 B．减小输出电阻C．提高放大倍数 D．提高放大倍数的稳定性4．放大电路引入直流负反馈后将 ;A．改变输入、输出电阻 B．展宽频带C．减小放大倍数 D．稳定静态工作点5．引入电压并联负反馈后,基本放大器的输入、输出电阻的变化是 ;A．输入电阻增大,输出电阻增大 B．输出电阻增大,输入电阻减小C．输入电阻减小,输出电阻减小 D．输入电阻减小,输出电阻增大7．为使放大电路的输出电压稳定、输入电阻增大,需引入的交流负反馈是 ;A．电压串联 B．电压并联 C．电流串联 D．电流并联三、填空题1．在放大电路中,若要稳定放大倍数,应引入 ;2．在放大电路中,希望展宽频带,应引入 ;3．在放大电路中,如要减少输入电阻,应引入 ;6．引入电压负反馈可以稳定放大电路的 ;自测题六一、判断题1.对2.错3.错4.错5.错6.错二、单选题三、填空题1.交流负反馈2.交流负反馈3.并联负反馈4.电流负反馈5.增大6.输出电压自测题八一、判断题2．功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号;3．由于功率放大管处于大信号工作状态,所以微变等效电路方法已不再适用;4．在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功率损耗也最大;二、单选题1．与甲类功率放大方式比较,乙类推挽方式的主要优点是 ;A．不用输出变压器 B．不用输出端大电容 C．无交越失真 D．效率高2．乙类放大电路是指放大管的导通角等于 ;A．360度 B．180度 C．90度 D．小于90度4．功率放大三极管工作在A．高电压、小电流状态 B．低电压、小电流状态C．低电压、大电流状态 D．高电压、大电流状态三、填空题1．输出功率为20W的乙类推挽功率放大器,则应选至少为瓦的功率管两个;,类推挽放大器;一、判断题2.对3.对4.错二、单选题三、填空题2.互补对称3.交越失真甲乙。

模拟电子技术基础自测题及答案Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。

（ ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（ ）1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ ）。

A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ ）。

A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ ）。

A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ ）能力的参数。

A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ ）。

A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ）。

A．非饱和区 B．饱和区 C．截止区 D．击穿区1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。

3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的性能。

6．三极管最重要的特性是。

8．场效应晶体管属于控制器件。

自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS管沟道增强型沟道增强型自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻r是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。

（）be2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）5．直接耦合放大电路只能放大直流信号，不能放大交流信号。

（）二、单选题1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（）。

A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（）。

模拟电子技术基础自测题及答案文件排版存档编号：[UYTR-OUPT28-KBNTL98-UYNN208]自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。

（ ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（ ）1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ ）。

A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ ）。

A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ ）。

A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ ）能力的参数。

A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ ）。

A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ ）。

A ．非饱和区B ．饱和区C ．截止区D ．击穿区1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 。

3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 性能。

6．三极管最重要的特性是 。

8．场效应晶体管属于 控制器件。

自测题一一、判断题1.错2.对3.错二、单选题三、填空题1.掺杂浓度2.漂移3.单向导电性4.变窄5.削弱6.电流放大作用7.增大8.电压9.输入电阻高 10.增强型MOS管沟道增强型沟道增强型自测题二一、判断题1．晶体管的输入电阻r是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。

（）be2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）5．直接耦合放大电路只能放大直流信号，不能放大交流信号。

（）二、单选题1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（）。

A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（）。

自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。

〔F 〕2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

〔T 〕3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。

〔F 〕二、单项选择题1．半导体中的少数载流子产生的原因是〔 D 〕。

A ．外电场B ．电场C ．掺杂D ．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为〔C 〕。

A ．正、反向电阻相等B ．正向电阻大，反向电阻小C ．反向电阻比正向电阻大很多倍D ．正、反向电阻都等于无穷大3．二极管的伏安特性曲线的正向局部在环境温度升高时将〔B 〕。

(X 轴为电压)A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，假设工作温度升高，二极管的正向导通电流将〔A 〕。

A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映〔B 〕能力的参数。

〔三极管可改为电流控制电流源〕A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压6．温度升高时，三极管的β值将〔A 〕。

A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定7．以下选项中，不属三极管的参数是〔B 〕。

A ．电流放大系数B ．最大整流电流C ．集电极最大允许电流D ．集电极最大允许耗散功率8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，那么对应该管的管脚排列依次是〔B 〕 。

A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e9．晶体三极管的反向电流是由〔 B 〕运动形成的。

A ．多数载流子B ．少数载流子C ．扩散D ．少数载流子和多数载流子共同10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，那么此三极管是〔D 〕。

〔发正偏集反偏〕A ．PNP 型硅管B ．PNP 型锗管C ．NPN 型锗管D ．NPN 型硅管11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的〔 B 〕。

《模拟电子技术》复习题综合（半导体基础知识、单管共射放大电路）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

图1为 D ；图2为 A 。

[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。

A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。

模拟电子技术（判断，共 47 题）您的姓名： [填空题] *_________________________________1. 在N型半导体中如果加入足够的三价元素，可将其改为P型半导体。

[判断题] *对(正确答案)错2. 由集成运放组成的电压比较器，其运放必须工作在开环或正反馈状态下。

[判断题] *对(正确答案)错3.[判断题] *对(正确答案)错4. 共集放大电路电压放大倍数小于1，所以不能实现功率放大。

[判断题] *对错(正确答案)5. 线性稳压电源效率比开关稳压电源高得多。

[判断题] *对错(正确答案)6. 利用两只 NPN 型管构成的复合管只能等效为 NPN 型管。

[判断题] *对(正确答案)错7. 直流稳压电源中的滤波电路是低通滤波电路。

[判断题] *对(正确答案)错8. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

[判断题] *对(正确答案)错9. 只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。

[判断题] *对错(正确答案)10. 若 U2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为 [判断题] *对(正确答案)错11. 高通滤波器是容许低于截止频率的信号通过，但高于截止频率的信号不能通过的电子滤波装置。

[判断题] *对错(正确答案)12. P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

[判断题] *对错(正确答案)13. 反向放大器容易做到输入电阻很大。

[判断题] *对错(正确答案)14. 同相并联差动放大电路的要求是：前级并联的两个电路参数完全对称。

[判断题] *对(正确答案)错15. 只要在放大电路中引入反馈，就一定能使其性能得到改善。

[判断题] *对错(正确答案)16. 单限比较器的主要优点是电路简单、灵敏度高和抗干扰能力强。

[判断题] *对错(正确答案)17. 既能放大电压、也能放大电流的是共射组态电路。

下列各种说法，你认为正确的，请在题后的括号内打“√”，错的打“×”。

（每小题1分，共20分）第一章判断题：1在本征半导体中参入三价元素，可以形成P型半导体。

（）2在本征半导体中参入五价元素，可以形成N型半导体。

（）3半导体二极管的基本导电特性是单向导电性。

（）4只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。

（）5本征半导体温度升高后两种载流子浓度依然相等。

（）6因为N型半导体的多子是电子，所以它带负电。

（）7本征半导体温度升高后两种载流子浓度不再相等。

（）8杂质半导体中的少数载流子浓度跟环境温度有关系。

（）9二极管两端加反向电压时导通，加正向电压时截止。

（）10N型半导体中的多数载流子是自由电子。

（）11杂质半导体中的多数载流子浓度取决于环境温度。

（）12二极管具有单向导电性，即外加正向电压时二极管导通，外加反向电压时二极管截止。

（）13P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。

（）14稳压管起稳压作用时工作在击穿区。

（）15在PN结形成过程中，空穴的扩散运动方向是从P区到N区。

（）16在PN结形成过程中，漂移运动方向是从N区到P区。

（）17完全纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。

（）第二章判断题：1双极型晶体管仅靠一种载流子导电。

（）2处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）3处于放大状态的晶体管，发射极电流主要是多子扩散运动形成的。

（）4在温度升高时，晶体三极管的极间反向电流和电流放大倍数都将增大。

（）5只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（）6任何放大电路都能放大电压。

（）7可以说任何放大电路都有功率放大作用。

（）8共基极放大电路的输出电压与输入电压同相位。

（）9PNP型晶体管处于放大状态时，集电极电位最高，发射极电位最低。

（）10NPN型晶体管处于放大状态时，集电极电位最高，发射极电位最低。

（）11晶体管工作在截止区时，发射结正偏。

（）12只要晶体三极管的发射结正向偏置，它就工作在放大区。

自测题一一、判断题1．因为P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。

（ F ）2．在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（ T ）3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。

（ F ）二、单选题1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。

A ．外电场B ．内电场C ．掺杂D ．热激发2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。

A ．正、反向电阻相等B ．正向电阻大，反向电阻小C ．反向电阻比正向电阻大很多倍D ．正、反向电阻都等于无穷大3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。

(X 轴为电压)A ．右移B ．左移C ．上移D ．下移4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。

A ．增大B ．减小C ．不变D ．不确定5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。

（三极管可改为电流控制电流源）A ．电压控制电压B ．电流控制电流C ．电压控制电流D ．电流控制电压6．温度升高时，三极管的β值将（ A ）。

A ．增大B ．减少C ．不变D ．不能确定7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。

A ．电流放大系数B ．最大整流电流C ．集电极最大允许电流D ．集电极最大允许耗散功率8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为V U 61=，V U 4.52=，V U 123=，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。

A ．e, b, cB ．b, e, cC ．b, c, eD ．c, b, e9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。

A ．多数载流子B ．少数载流子C ．扩散D ．少数载流子和多数载流子共同10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V 、12V 和6.7V ，则此三极管是（ D ）。

（发正偏集反偏）A ．PNP 型硅管B ．PNP 型锗管C ．NPN 型锗管D ．NPN 型硅管11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。

模拟电子技术版）期末练习判断题一、判断题(每题1分)1.在桥式整流电路中，如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为20V，则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为18V。

（）2. P型半导体带正电，N型半导体带负电。

3.在P型半导体中掺入高浓度的五价元素，可以改型为N型半导体。

4.硅二极管正向导通时，其两端的电压很小的变化，会引起电流较大的变化。

5. PN结正偏时，势垒电容效应明显；PN结反偏时，扩散电容效应明显。

6. PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）7.二极管在反向电压超过最高反向工作电压U RM时会损坏。

8.半导体中空穴带正电，电子带负电。

9.二极管在工作电流大于最大整流电流I F时会损坏。

（）10.在变压器二次侧电压和负载电阻相同的情况下，因为桥式整流电路的输出电流是半波整流电路的输出电流的2倍，因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。

（）11.在变压器二次侧电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路的输出电流的2倍。

（）因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。

（）12.若电源变压器二次侧电压的有效值为U2，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时2U。

（）的输出电压均为213.光电二极管是受光器件，能将光信号转换电信号。

（）14.发光二极管使用时必须反向偏置，光电二极管则应该正向偏置。

（）15.变容二极管的特点是结电容随反偏电压的大小变化。

（）16.在变压器二次侧电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路的输出电流的2倍。

（）17.二极管在工作频率大于最高工作频率f M时会损坏。

18.当输入电压为正弦波时，若PNP管共发射极放大电路发生饱和失真，则基极电流的波形将正半波削波，（）。

输出电压u o的波形将负半波削波（）19.由于发射区和集电区的杂质浓度以及面积不同，因此BJT的集电极和发射极不能互换使用。

20.阻容耦合多级放大电路各级的静态工作点Q相互独立，（）它只能放大交流信号。