优恩半导体ESD静电保护器件SRV05-4

TVS對EMI的防護原理优恩半导体（UN）1.EMI問題ESD問題並不是工程師要解決的唯一問題，因為手機發射和傳送RF信號時，很多電子組件受到RF輻射，因此.必須抑制“RF輻射”以保護電路正常工作，這就是EMI問題。

很多接口都會容易受到GSM脈沖的攻擊，如：音頻電路.LCD.相機模塊,產生能夠聽見的的噪聲或可以看到的屏幕抖動產生能夠聽見的的噪聲或可以看到的屏幕抖動,這就是設計手機必須克服的EMI問題。

2.集成EMI濾波器采用分立的電阻I濾波器采用分立的電阻.電容組成的阻容濾波器，浪費PCB板的空間,又因為它的衰減帶寬很窄,阻容濾波器的濾波性能較差,已逐漸被淘汰阻容濾波器的濾波性能較差,已逐漸被淘汰。

目前“矽材料制成的集成EMI濾波器”是個方向性產品，它采用C-R-Cπ型線路，衰減量大.衰減頻帶寬，在π型電路的兩端各加入一個防護ESD的TVS，構成EMI/ESD防護器件。

3.電磁幹擾EMI分為輻射的電磁幹擾和傳導的電磁幹擾。

輻射的電磁幹擾一般分布在30MHz~1GHz;傳導的電磁幹擾分布在450kHz~30MHz。

具有抑制EMI/ESD功能的TVS，對於這兩種類型的電磁幹擾，都可以進行有有效的抑制。

濾波器的特性曲線是在50Ω環境下測量的,RC濾波器的電阻或LC濾波器的電感對插入損耗的影響可以忽略不計Ω環境下測量的, RC濾波器的電阻或LC濾波器的電感對插入損耗的影響可以忽略不計。

*注意：LC濾波器可能具有RC濾波器絕對沒有的某些振蕩效應,這些寄生振蕩可能會幹擾信號,甚至會產生比RC濾波器更長的延遲時間。

4.EMI抑制的原理:1).C-R-Cπ型濾波器是一個”低通濾波器”,其特性是覆蓋在”通頻帶”以內的信號可以無損耗的通過，而對“通頻帶”以外的信號進行衰減，設計不同的型濾波器是一個”低通濾波器”,其特性是覆蓋在”通頻帶”以內的信號可以無損耗的通過，而對“通頻帶”以外的信號進行衰減，設計不同的C和R數值可以獲得不同的“通頻帶”。

SRV05-4在SIM卡的ESD防護方案
优恩半导体（UN）
使用SRV05-4積成芯片,它由8支控向二極管構成兩個“橋式”電路，共用了一支“雪崩二極管”，此種“橋式”電路對“正”的ESD經過導向由雪崩二極管進行箝位，而對“負”的ESD由控向二極管直接箝位，是非常好的ESD防護方案。

保護電路方案如下圖：
SRV05-4的工作原理：
它可以保護四條數據線的安全，“橋式”電路的輸出端接雪崩二極管，用來進行箝位吸收侵擾的ESD。

當有ESD侵擾時，正的浪湧進入”橋式”電路後，經正向的控向二極管導向傳遞到雪崩二極管，ESD浪湧被雪崩管箝位吸收，ESD 浪湧從侵入到箝位吸收，經過了一只控向二極管和一個雪崩二極管串聯到“地浪湧從侵入到箝位吸收，經過了一只控向二極管和一個雪崩二極管串聯到“地”，控向二極管和雪崩二極管的串聯減少了極間電容，稱為“補償”;
負的浪湧進入”橋式”電路後，由負向的控向二極管直接箝位導向到地，不經過雪崩二極管，此積成芯片專門用於SIM/UIM卡的ESD 防護。

SRV05-4工作特性:
功率耐量Ppp:500W;最大耐流量Ipp:43A;關斷電壓Vwm:
5V;
起控電壓Vbr:6V;漏電流Id:小於5µA;極間電容C:小於3.5Pf。

Part Number (Reference) ESD3.3V52D-A ESD05V52D-A ESD08V52D-A ESD12V52D-A ESD15V52D-A ESD24V52D-A ESD05V52D-C ESD12V52D-CInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5 8 12 15 24 5 9Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 110 70 60 50 25 10 5 450 200 30 100 75 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 120 120 120 120 120 120 100 100 320 320 100 320 320 320 200 5 5 5 5 5 1 1 40 10 1 1 1 1SOD-5234 6 8.5 13.3 16.6 26.7 6 10.2 4 6 6 13.3 16.7 26.7SOD-523 ESD03V32D-C ESD05V32D-C ESD0501V32D-C ESD12V32D-C ESD15V32D-C ESD24V32D-C 3 5 5 12 15 24SOD-323ESD3.3V32D-LA ESD05V32D-LA SOD-323 ESD03V32D-LC ESD05V32D-LC ESD08V32D-LC ESD12V32D-LC ESD15V32D-LC ESD24V32D-LC3.3 5.04 60.4 0.4350 35020 5SOD-3233.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.04.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.71.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2350 350 350 350 350 35020 5 2 1 1 1ESD05V14TLC SOT-1435.06.01.23005Part Number (Reference) ESD03V23T-2A ESD05V23T-2A ESD05V23T-2AL ESD08V23T-2A ESD12V23T-2A ESD15V23T-2A ESD24V23T-2A ESD36V23T-2AInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.0Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 400 300 30 250 150 100 88 60Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 300 300 100 300 300 300 300 300 100 10 0.1 1 1 1 1 1SOT-234.0 6.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.7 40.0ESD05V23T-2L SOT-23 Pin 3 to Pin1/Pin2 SM712 Pin 3 to Pin1/Pin2 ESD3.3V23T-1A ESD05V23T-1A ESD08V23T-1A ESD12V23T-1A ESD15V23T-1A ESD24V23T-1A ESD36V23T-1A SOT-235.06.01350177.555400107 3.3 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.013.3 4.0 6.0 8.5 13.3 16.7 24.0 40.055 5 5 5 5 5 5 5400 500 500 500 500 500 500 5001 40 5 5 1 1 1 1SOT-23SLVU2.8 SOT-232.83.034001ESD05V26T-4 SOT-265.06.01.23501Part Number (Reference) ESD05V26T-4L ESD12V26T-4L ESD15V26T-4L ESD24V26T-4LInternal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 90 70 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 350 350 350 350 5 1 1 15.0 12.0 15.0 24.0 SOT-266.0 13.3 16.7 26.7ESD05V26T-5L ESD12V26T-5L ESD15V26T-5L ESD24V26T-5L SOT-265.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.7200 90 70 50350 350 350 3505 1 1 1ESD05V36T-4L SOT-3635.06.021501ESD05V36T-5L SOT-3635.06.0501001ESD05V56T-2L SOT-5635.06.00.9501ESD05V56T-4L SOT-5635.06.0301001ESD05V56T-5L SOT-5635.06.0301001Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD12V56T-2C SOT-5639.010.031001SLVU2.8-4 SO-082.83.024005SLVU2.8-8 SO-08 ESD06V08S-4L SO-082.83.0560056.06.825200020ESD05V08S-4L SO-08 LCDA05C-4 LCDA12C-4 LCDA15C-4 LCDA24C-45.06.0550010SO-085.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1LCDA05C-8 LCDA12C-8 LCDA15C-8 LCDA24C-8 SO-165.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD05VDFN-C DFN10065.06.0101001ULC0524P DSON-105.06.00.81501ULC0528P5.06.50.52000.5MSOP-08ESD05V10S-4L MSOP-105.06.00.51251Cell Phone CCD Camera LinesEE0504K LWSON-085.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5Cell Phone CCD Camera LinesESD0506K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-12Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)Cell Phone CCD Camera LinesEE0508K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-16EE0508DFN5.06.0171DFN3014Differential Mode vs. Common Mode4345256162 of 211232011/3/31Curves of CharacterizationBAV99 vs TVS ARRAYS直接將突波導入到 Vcc -- 這種方式非 非 常不安全, 易導致 Vcc損害.直接將突波導入到 GND -- 這種方式非 非 常安全. 因為接地 區域有較大阻抗可 以分散突波.4 of 212011/3/31Parasitic InductanceESD ProtectorESD Protector不妥當的方式 : 無法將保護元件直接貼 在信號線上. 會產生寄 生電感. 造成保護能力 被寄生的電感減弱.安全的方式 : 將保護元件直接貼在信 號線上. 讓保護能力全 力發揮.Fine Layout vs Parasitic InductanceFine Layout -- Without Parasitic InductanceNOT recommation -- Parasitic Inductance7 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance直接將保護ESD保護能力元件貼在信號線上--不會產生寄生電感問題.可以完全發揮8 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance3-PIN產品的應用9 of 212011/3/31USB 3.0 Interface ProtectionMSOP-0810 of 212011/3/31HDMI Interface ProtectionSLP2510P8(2.5x1.0x0.5mm)11 of 212011/3/31USB 3.0 Interface Protection12 of 212011/3/31GR-1089 Lighting Protection for T-Carrier Interface13 of 212011/3/3110/1000 Gigabit Ethernet Protection14 of 212011/3/31。

SRV05-4在USB2.0接口的静电防护方案
优恩半导体（UN）
B接口的应用前景
随着计算机等通讯技术的飞速发展，对计算机的外设种类要求增多及PCB上有限的空间之间的矛盾也变的日益突出。

由英特尔等公司联合推出的通用串行总线USB为解决这一问题提供了良好的方案。

同时现在新型的仪器仪表越来越向智能化、模块化等方向发展，而现在的智能化设备要求实现数据的高速传输，通常采用USB技术，同时
USB的即插即用和热插拔功能也为仪器仪表的模块化提供了可能。

2.方案应用背景
USB2.0支持即插即用和热插拔功能
USB2.0接口的数据传输速率高，不容许出现数据缺失
USB2.0接口的集成度较高，且脆弱，较易受到静电损坏
3.应用产品
计算机外设设备
机顶盒
游戏机
便携设备如移动终端手机、平板等
4.应用方案
USB2.0应用方案
产品型号及重要参数
USB2.0方案说明及注意事项
该ESD器件结电容小于1.2pF，可高效的实现USB接口高速的数据传输要求
该器件拥有极低的漏电流，可减少正常工作下的功率损耗
响应速率快，可以在ESD脉冲上升时间内保护USB元件
同时该产品封装为SOT-26，封装体积小，可节约PCB的空间。

UN Semiconductor unsemi 优恩半导体新品0201系列TVS 管
优恩半导体新推出0201/DFN0603封装尺寸ESD 静电保护器ESD05V02D-C，ESD05V 02D-C 是低电容TVS 阵列，封装尺寸小、体积小、漏电流低、结电容低。

该0201封装系列产品经过特别设计，用于ESD 保护和低级别的电涌保护，由于其封装小，非常适用于便携式电子产品的ESD 防护，从而帮助电路设计人员降低成本、节约电路板空间，可以通过IE C61000-4-2国际标准。

特性：
工作电压：5V
钳位电压：12V
漏电流：100nA
结电容：6pF 可通过IEC61000-4-2标准
优势：
封装尺寸小，可以满足可携式电子产品轻薄小巧对于组件封装的严苛要求，易于小的电路板空间设计，从而节省了PCB 占用和成本。

体积小,从而帮助电路设计人员降低成本、节约印刷电路板（PCB）空间，以达到在PCB 设计上兼具高聚集度及高度弹性的优势。

漏电流小,对信号的影响小。

业界领先的ESD 保护，满足IEC61000-4-2标准，为工程师带来更多的设计空间和更高的终端产品可靠性。

支持保护充满微型芯片的现代电子设备所需的低箝位电压。

应用领域：
可穿戴设备
笔记本、PC 机、服务器
手机及配件
个人数字助理（PDA's） 医疗设备
产品外观：。

SRV05-4在VGA端口的静电防护方案
优恩半导体（UN）
1.应用前景
VGA接口拥有较高的传输速率，不允许出现数据丢失
现今电子产品所处的电磁环境复杂，VGA接口较脆弱，易受到损坏 由于电磁环境的影响，产品使用寿命易缩短，增大维修成本
2.应用领域
电脑
多媒体投影仪
电视
机顶盒
车载设备
数码产品等
3.方案防护
防护电路:
产品外观：
SRV05-4
产品规格：
4.方案说明及注意事项
该ESD器件结电容小为，可高效的实现USB接口高速的数据传输要求 该器件拥有极低的漏电流，可减少正常工作下的功率损耗
响应速率快，可以在ESD脉冲上升时间内保护USB元件
同时该产品封装为SOT-26，封装体积小，可节约PCB的空间
同时期可替代Semtech、Protek等同型号的产品，且具有更小的电容值。

ESD二极管SRV05-4在SIM卡端口防护方案的静电防护应用SIM 卡数据线路保护一直是各个公司的产品重点,而且专门为此类端口设计的集ESD(TVS)/EMI/RFI 防护于一个芯片的器件，充分体现了片式器件的无限集成方案。

在这里硕凯电子要提醒各位电子工程师的是：在针对不同用途选择器件时，要避免使器件工作在其设计参数极限附近，还应根据被保护回路的特征及可能承受ESD 冲击的特征选用反应速度足够快、敏感度足够高的器件，这对于有效发挥保护器件的作用十分关键，另外集成它功能的器件也应当首先考虑。

应用器件：硕凯SOCAY瞬态抑制二极管：SRV05-4SRV05-4是低电容、低漏电流的瞬态抑制二极管（TVS）阵列，SOT-26封装，5V 工作电压，保护4 条I/O 高速数据线。

以下是SRV05-4的具体参数及静电防护原理。

SRV05-4的参数：封装：SOT-26电压：5V钳位电压：12.5V容值：1.2pF功率：350WSRV05-4是低电容、低漏电流的瞬态抑制二极管（TVS）阵列，SOT-26封装，5V 工作电压，保护4 条I/O 高速数据线。

SIM卡静电防护使用SRV05-4集成芯片,它由8支控向二极管构成两个“桥式”电路，共用了一支“雪崩二极管”，此种“桥式”电路对“正”的ESD经过导向由雪崩二极管进行箝位，而对“负”的ESD由控向二极管直接箝位，是非常好的ESD防护方案。

它可以保护四条数据线的安全，“桥式”电路的输出端接雪崩二极管，用来进行箝位吸收侵扰的ESD。

当有ESD侵扰时，正的浪涌进入”桥式”电路后，经正向的控向二极管导向传递到雪崩二极管，ESD浪涌被雪崩管箝位吸收，ESD浪涌从侵入到箝位吸收，经过了一只控向二极管和一个雪崩二极管串联到“地浪涌从侵入到箝位吸收，经过了一只控向二极管和一个雪崩二极管串联到“地”，控向二极管和雪崩二极管的串联减少了极间电容，称为“补偿”;负的浪涌进入”桥式”电路后，由负向的控向二极管直接箝位导向到地，不经过雪崩二极管，此积成芯片专门用于SIM/UIM卡的ESD防护。

SIM卡ESD保护
优恩半导体（UN）
使用SRV05-4積成芯片,它由8支控向二極管構成兩個“橋式”電路，共用了一支“雪崩二極管”，此種“橋式”電路對“正”的ESD經過導向由雪崩二極管進行箝位，而對“負”的ESD由控向二極管直接箝位，是非常好的ESD防護方案。

保護電路方案如下圖：
SRV05-4的工作原理：
它可以保護四條數據線的安全，“橋式”電路的輸出端接雪崩二極管，用來進行箝位吸收侵擾的ESD。

當有ESD侵擾時，正的浪湧進入”橋式”電路後，經正向的控向二極管導向傳遞到雪崩二極管，ESD浪湧被雪崩管箝位吸收，ESD 浪湧從侵入到箝位吸收，經過了一只控向二極管和一個雪崩二極管串聯到“地浪湧從侵入到箝位吸收，經過了一只控向二極管和一個雪崩二極管串聯到“地”，控向二極管和雪崩二極管的串聯減少了極間電容，稱為“補償”;
負的浪湧進入”橋式”電路後，由負向的控向二極管直接箝位導向到地，不經過雪崩二極管，此積成芯片專門用於SIM/UIM卡的ESD 防護。

SRV05-4工作特性:
功率耐量Ppp:500W;最大耐流量Ipp:43A;關斷電壓Vwm:
5V;
起控電壓Vbr:6V;漏電流Id:小於5µA;極間電容C:小於3.5Pf。

4-Lines, Uni-directional, Low CapacitanceTransient Voltage SuppressorsDescriptionsSRV05-4 is a low capacitance TVS (Transient Voltage Suppressor) array designed to protect high speed data interfaces. It has been specifically designed to protectsensitive electronic components which are connected to data and transmission lines from over-stress caused by ESD (Electrostatic Discharge).SRV05-4incorporates four pairs of low capacitance steering diodes plus a TVS diode.SRV05-4 may be used to provide ESD protection up to ±30kV (contact discharge) according to IEC61000-4-2, and withstand peak pulse current up to 6A (8/20μs) according to IEC61000-4-5.SRV05-4 is available in SOT23-6L package. Standard products are Pb-free and Halogen-free.Features●Reverse stand-off voltage: 5V max.●Transient protection for each line according toIEC61000-4-2 (ESD): ±30kV (contact discharge)IEC61000-4-5 (surge): 6A (8/20μs)●Low capacitance: C I/O - GND = 0.65pF typ. (Vcc = floated)C I/O - GND = 0.35pF typ. (Vcc = 5V)●Ultra-low leakage current: I R <1nA typ.●Low clamping voltage: V CL = 16.5V @ I PP = 16A (TLP)●Solid-state silicon technologyApplications●USB 2.0●HDMI 1.3●SATA and eSATA●DVI●IEEE 1394●PCI Express●Portable Electronics●NotebooksSOT23-6LCircuit diagramLC5= Device codeMarking & Pin configuration (Top View)Order information16645312I/O I/OVccI/O I/OGNDLC5Absolute maximum ratingsElectrical characteristics (T A = 25o C, unless otherwise noted)Definitions of electrical characteristicsElectrical characteristics (T A = 25o C, unless otherwise noted)Notes:1) TLP parameter: Z0 = 50Ω , t p = 100ns, t r = 2ns, averaging window from 60ns to 80ns. R DYN is calculated from 4A to16A.2) Non-repetitive current pulse, according to IEC61000-4-5.8/20μs waveform per IEC61000-4-5Clamping voltage vs. Peak pulse currentNon-repetitive peak pulse power vs. Pulse timeContact discharge current waveform per IEC61000-4-2Capacitance vs. Reverse voltagePower derating vs. Ambient temperatureJ u n c t i o n c a p a c i t a n c e (p F )V R - Reverse voltage (V)025507510012515020406080100% o f R a t e d p o w e rT A - Ambient temperature (o C)V C - C l a m p i n g v o l t a g e (V )I PP - Peak pulse current (A)C u r r e n t (%)11010010001101001000P e a k p u l s e p o w e r (W )Pulse time (µs)P e a k p u l s e c u r r e n t (%)ESD clamping(+8kV contact discharge per IEC61000-4-2)TLP MeasurementESD clamping(-8kV contact discharge per IEC61000-4-2)T L P c u r r e n t (A )TLP voltage (V)Package outline dimensionsSOT23-6LRecommended land pattern (Unit: mm)Notes:This recommended land pattern is for reference purposes only. Please consult your manufacturing group to ensure your PCB design guidelines are met.。