用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法[发明专利]

(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910921736.5
(22)申请日 2019.09.27
(71)申请人 上海理想万里晖薄膜设备有限公司
地址 201315 上海市浦东新区秀浦路2555
号A1幢8层
(72)发明人 陈金元　汪训忠　
(51)Int.Cl.
C23C 16/24(2006.01)
C23C 16/458(2006.01)
C23C 16/46(2006.01)
H01L 31/20(2006.01)
(54)发明名称用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法(57)摘要本发明提供用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及镀膜方法。

所述CVD设备包括：第一CVD 反应腔，其配置成接收承载有硅片的托盘，并通过第一和第二CVD工艺依次在硅片第一面上沉积I/N型非晶硅薄膜；硅片翻面装置，其配置成从第一CVD反应腔接收已完成第一和第二CVD工艺的硅片，并将硅片进行翻面而使硅片的第一面和与之相对的第二面完成对调；以及第二CVD反应腔，其配置成接收承载有经翻面后的硅片的托盘，并通过第三和第四CVD工艺依次在硅片第二面上沉积I/P型非晶硅薄膜。

本发明先后在第一、第二CVD反应腔分别完成第一面的I/N非晶硅镀膜和第二面的I/P非晶硅镀膜，还可辅以能消除硼污染的清洗工艺，能有效简化设备结构、降低自动化难度、缩小占地面积、
提高设备产能。

权利要求书3页 说明书8页 附图2页CN 110643971 A 2020.01.03
C N 110643971
A
1.一种用于制造异质结太阳能电池的CVD设备，所述CVD设备包括：
第一CVD反应腔，其配置成接收承载有硅片的托盘，并通过第一CVD工艺和第二CVD工艺依次在所述硅片的第一面上沉积I/N型非晶硅薄膜；
硅片翻面装置，其配置成从所述第一CVD反应腔接收已完成所述第一CVD工艺和第二CVD工艺的所述硅片，并将所述硅片进行翻面而使所述硅片的所述第一面和与之相对的第二面完成对调；以及
第二CVD反应腔，其配置成接收承载有经所述硅片翻面装置翻面后的所述硅片的所述托盘，并通过第三CVD工艺和第四CVD工艺依次在所述硅片的所述第二面上沉积I/P型非晶硅薄膜。

2.根据权利要求1所述的CVD设备，其特征在于，所述CVD设备包括PECVD设备和HWCVD设备，所述CVD设备还包括第一预热腔和第二预热腔，所述第一预热腔和第二预热腔分别设置在所述第一CVD反应腔和第二CVD反应腔之前，分别用于在所述硅片进入所述第一CVD反应腔和第二CVD反应腔之前将所述硅片预热到25-250℃的范围内；所述第一CVD反应腔和第二CVD反应腔还配置成能进行对腔体自身以及对进入其中的空托盘进行清洗的清洗工艺。

3.根据权利要求1或2所述的CVD设备，其特征在于，所述第一CVD反应腔配置成：将所述硅片加热至预设成膜温度，提供进行所述第一CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第一面上沉积I型非晶硅薄膜；提供进行所述第二CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第一面上沉积N型非晶硅薄膜并形成I/N型非晶硅薄膜；其中所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，进行所述第一CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，进行所述第二CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括磷烷。

4.根据权利要求1或2所述的CVD设备，其特征在于，所述第二CVD反应腔配置成：将所述硅片加热至所述预设成膜温度，提供进行所述第三CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积I型非晶硅薄膜；提供进行所述第四CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积P型非晶硅薄膜并形成I/P型非晶硅薄膜；其中所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，进行所述第三CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，进行所述第四CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括乙硼烷或三甲基硼；所述第二CVD反应腔还包括能消除硼污染的硼清除装置。

5.根据权利要求1所述的CVD设备，其特征在于，所述CVD设备包括单层设备和多层设备，所述单层设备和多层设备中每层设备均包括所述第一CVD反应腔和所述第二CVD反应腔；所述CVD设备还包括用于将所述硅片放置到所述托盘中的上料位以及用于将所述硅片从所述托盘中取出以获得空托盘的下料位，所述设备还包括用于将所述空托盘从所述下料位传送到所述上料位的托盘回传装置。

6.一种用于制造异质结太阳能电池的CVD设备的镀膜方法，所述CVD设备包括第一CVD 反应腔、硅片翻面装置和第二CVD反应腔，所述方法包括以下步骤：
(a).将承载有硅片的托盘传送至第一CVD反应腔；
(b).在所述第一CVD反应腔中，通过第一CVD工艺和第二CVD工艺依次在所述硅片的第一面上沉积I/N型非晶硅薄膜；
(c).由硅片翻面装置从所述第一CVD反应腔接收已完成所述第一CVD工艺和第二CVD工艺的所述硅片，并将所述硅片进行翻面而使所述硅片的所述第一面和与之相对的第二面完成对调；
(d).将承载有经所述硅片翻面装置翻面后的所述硅片的所述托盘传送至第二CVD反应腔；以及
(e).在所述第二CVD反应腔中，通过第三CVD工艺和第四CVD工艺依次在所述硅片的所述第二面上沉积I/P型非晶硅薄膜。

7.根据权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于，所述CVD设备包括PECVD设备或HWCVD 设备，所述CVD设备还包括分别设置在所述第一CVD反应腔和第二CVD反应腔之前的第一预热腔和第二预热腔，所述方法还包括通过所述第一预热腔和第二预热腔在所述硅片进入所述第一CVD反应腔和第二CVD反应腔之前将所述硅片预热到25-250℃的范围内，所述方法还包括在所述第一CVD反应腔和第二CVD反应腔中通过清洗工艺分别对其腔体自身以及对进入其中的空托盘进行清洗。

8.根据权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于，所述步骤(b)包括以下步骤：
(b1).在所述第一反应腔中，将所述硅片加热至预设成膜温度；
(b2).在所述第一反应腔中，提供进行所述第一CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第一面上沉积I型非晶硅薄膜；
(b3).在所述第一反应腔中，提供进行所述第二CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第一面上沉积所述N型非晶硅薄膜并形成所述I/N型非晶硅薄膜；
其中所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，所述步骤(b2)中进行所述第一CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，所述步骤(b3)中进行所述第二CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括磷烷。

9.根据权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于，所述步骤(e)包括以下步骤：
(e1).在所述第二CVD反应腔中，将所述硅片加热至所述预设成膜温度；
(e2).在所述第二CVD反应腔中，提供进行所述第三CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积I型非晶硅薄膜；
(e3).在所述第二CVD反应腔中，提供进行所述第四CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积P型非晶硅薄膜并形成所述I/P型非晶硅薄膜；
其中所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，所述步骤(e2)中进行所述第三CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，所述步骤(e3)中进行所述第四CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括乙硼烷或三甲基硼。

10.根据权利要求6所述的镀膜方法，其特征在于，所述CVD设备包括单层设备和多层设备，所述单层设备和多层设备中每层设备均包括所述第一CVD反应腔和所述第二CVD反应腔，所述方法还包括：
(a0).在所述CVD设备的上料位将硅片放置到托盘中；
(f).在所述CVD设备的下料位接收完成步骤(e)的承载有所述硅片的所述托盘，并将所述硅片从所述托盘中取出以获得空托盘；以及
(g).由所述CVD设备的托盘回传装置将空托盘从所述下料位回传到所述上料位。

用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及其镀膜方法
技术领域
[0001]本发明涉及太阳能电池制造领域，特别涉及用于制造异质结太阳能电池的CVD设备及镀膜方法。

背景技术
[0002]薄膜/晶硅异质结太阳能电池(以下简称异质结太阳能电池，又可称HIT或HJT或SHJ太阳能电池)属于第三代高效太阳能电池技术，它结合了第一代晶硅与第二代硅薄膜的优势，具有转换效率高、温度系数低等特点，特别是双面的异质结太阳能电池转换效率可以达到26％以上，具有广阔的市场前景。

[0003]生产HIT太阳能电池的核心工艺是双面I型非晶硅薄膜钝化及N、P掺杂技术，当前主要通过PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition；简称PECVD)镀膜设备来实现，其也可通过热丝化学气相沉积(Hot Wire CVD；简称HWCVD)(又称触媒化学气相沉积(Catalytic CVD；简称CAT-CVD))镀膜设备实现。

[0004]现有的能用于大规模量产HIT太阳能电池的设备都是给双面I及N、P共4层非晶硅膜各配备一个成膜反应腔，导致设备自动化复杂、成本高、占地面积大、相对产能低、性价比较低。

另外，现有的PECVD设备在开始PECVD镀膜工艺前需将对应硅片加热到100-300℃的范围内，然后才能进行PECVD镀膜工艺，现有技术中进入PECVD腔的硅片通常是常温的，若在PECVD工艺腔内对硅片进行预热，势必会延长硅片在工艺腔中的时间，从而会使得PECVD设备的产能较低并使得PECVD工艺腔成为整个设备的产能瓶颈。

[0005]因此，如何提供一种能提高设备集成度及产能的CVD设备及镀膜技术已成为业内亟待解决的技术问题。

发明内容
[0006]针对现有技术的上述问题，本发明提出了一种用于制造异质结太阳能电池的CVD 设备的第1技术方案。

在第1技术方案中，所述CVD设备包括：第一CVD反应腔，其配置成接收承载有硅片的托盘，并通过第一CVD工艺和第二CVD工艺依次在所述硅片的第一面上沉积I/ N型非晶硅薄膜；硅片翻面装置，其配置成从所述第一CVD反应腔接收已完成所述第一CVD工艺和第二CVD工艺的所述硅片，并将所述硅片进行翻面而使所述硅片的第一面和与之相对的第二面对调；以及第二CVD反应腔，其配置成接收承载有经所述硅片翻面装置翻面后的所述硅片的所述托盘，并通过第三CVD工艺和第四CVD工艺依次在所述硅片的所述第二面上沉积I/P型非晶硅薄膜。

[0007]本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第2技术方案，其中，所述CVD设备包括PECVD设备和HWCVD设备。

[0008]本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第3技术方案，其中，所述CVD设备还包括第一预热腔和第二预热腔，所述第一预热腔和第二预热腔分别设置在所述第一CVD反应腔和第二CVD反应腔之前，分别用于在所述硅片进入所述第一CVD反应腔和第二CVD
反应腔之前将所述硅片预热到25-250℃的范围内。

[0009]本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第4技术方案，其中，所述第一CVD反应腔和第二CVD反应腔还配置成能进行对腔体自身以及对进入其中的空托盘进行清洗的清洗工艺。

[0010]本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第5技术方案，其中，所述第一CVD反应腔配置成：将所述硅片加热至预设成膜温度，提供进行所述第一CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第一面上沉积I 型非晶硅薄膜，提供进行所述第二CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第一面上沉积N型非晶硅薄膜并形成I/N型非晶硅薄膜。

[0011]本发明还提供根据第5技术方案所述的CVD设备的第6技术方案，其中，所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，进行所述第一CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，进行所述第二CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括磷烷。

[0012]本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第7技术方案，其中，所述第二CVD反应腔配置成：将所述硅片加热至所述预设成膜温度，提供进行所述第三CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积I型非晶硅薄膜，提供进行所述第四CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积P型非晶硅薄膜并形成I/P型非晶硅薄膜；所述第二CVD反应腔还包括能消除硼污染的硼清除装置。

[0013]本发明还提供根据第7技术方案所述的CVD设备的第8技术方案，其中，所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，进行所述第三CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，进行所述第四CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括乙硼烷或三甲基硼。

[0014]本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第9技术方案，其中，所述CVD设备包括单层设备和多层设备，所述单层设备和多层设备中每层设备均包括所述第一CVD反应腔和所述第二CVD反应腔。

[0015]本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第10技术方案，其中，所述CVD设备还包括用于将所述硅片放置到所述托盘中的上料位以及用于将所述硅片从所述托盘中取出以获得空托盘的下料位。

[0016]本发明还提供根据第1技术方案所述的CVD设备的第11技术方案，其中，所述CVD设备还包括用于将所述空托盘传送到所述上料位的托盘回传装置。

[0017]本发明还提供针对用于制造异质结太阳能电池的CVD设备的镀膜方法的第12技术方案，其中，所述CVD设备包括第一CVD反应腔、硅片翻面装置和第二CVD反应腔，所述方法包括以下步骤：(a).将承载有硅片的托盘传送至第一CVD反应腔；(b).在所述第一CVD反应腔中，通过第一CVD工艺和第二CVD工艺依次在所述硅片的第一面上沉积I/N型非晶硅薄膜；
(c).由硅片翻面装置从所述第一CVD反应腔接收已完成所述第一CVD工艺和第二CVD工艺的所述硅片，并将所述硅片进行翻面而使所述硅片的所述第一面和与之相对的第二面对调；
(d).将承载有经所述硅片翻面装置翻面后的所述硅片的所述托盘传送至第二CVD反应腔；以及(e).在所述第二CVD反应腔中，通过第三CVD工艺和第四CVD工艺依次在所述硅片的所述第二面上沉积I/P型非晶硅薄膜。

[0018]本发明还提供根据第12技术方案所述的镀膜方法的第13技术方案，其中，所述CVD 设备包括PECVD设备和HWCVD设备。

[0019]本发明还提供根据第12技术方案所述的镀膜方法的第14技术方案，其中，所述CVD 设备还包括分别设置在所述第一CVD反应腔和第二CVD反应腔之前的第一预热腔和第二预热腔，所述方法还包括通过所述第一预热腔和第二预热腔在所述硅片进入所述第一CVD反应腔和第二CVD反应腔之前将所述硅片预热到25-250℃的范围内。

[0020]本发明还提供根据第12技术方案所述的镀膜方法的第15技术方案，其中，所述方法还包括分别在所述第一CVD反应腔和第二CVD反应腔中通过清洗工艺对腔体自身以及对进入其中的空托盘进行清洗。

[0021]本发明还提供根据第12技术方案所述的镀膜方法的第16技术方案，其中，所述步骤(b)包括以下步骤：(b1).在所述第一反应腔中，将所述硅片加热至预设成膜温度；(b2).在所述第一反应腔中，提供进行所述第一CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第一面上沉积I型非晶硅薄膜；以及(b3).在所述第一反应腔中，提供进行所述第二CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第一面上沉积所述N型非晶硅薄膜并形成I/N型非晶硅薄膜；其中所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，所述步骤(b2)中进行所述第一CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，所述步骤(b3)中进行所述第二CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括磷烷。

[0022]本发明还提供根据第12技术方案所述的镀膜方法的第17技术方案，其中，所述步骤(e)包括以下步骤：(e1).在所述第二CVD反应腔中，将所述硅片加热至所述预设成膜温度；(e2).在所述第二CVD反应腔中，提供进行所述第三CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积I型非晶硅薄膜；以及(e3).在所述第二CVD反应腔中，提供进行所述第四CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积P型非晶硅薄膜并形成所述I/P型非晶硅薄膜；其中所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，所述步骤(e2)中进行所述第三CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，所述步骤(e3)中进行所述第四CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括乙硼烷或三甲基硼。

[0023]本发明还提供根据第12技术方案所述的镀膜方法的第18技术方案，其中，所述CVD 设备包括单层设备和多层设备，所述单层设备和多层设备中每层设备均包括所述第一CVD 反应腔和所述第二CVD反应腔。

[0024]本发明还提供根据第12技术方案所述的镀膜方法的第19技术方案，其中，所述方法在步骤(a)之前还进行以下步骤：(a0).在所述CVD设备的上料位将硅片放置到托盘中。

[0025]本发明还提供根据第12技术方案所述的镀膜方法的第20技术方案，其中，所述方法还包括：(f).在所述CVD设备的下料位接收完成步骤(e)的承载有所述硅片的所述托盘，并将硅片从托盘中取出以获得空托盘；(g).由所述CVD设备的托盘回传装置将所述空托盘从所述下料位回传到所述上料位。

[0026]本发明与现有技术相比具有以下有益效果：本发明的CVD设备及镀膜方法通过第一CVD反应腔在硅片第一面上先沉积I/N膜，再通过第二CVD反应腔在硅片相对的第二面上沉积I/P膜,如此可避免分别配备用于沉积I/N/I/P型非晶硅薄膜的4个反应腔，从而有效提
高设备的集成度、缩小占地面积、减少自动化设备、减少硅片传输环节，大幅提高产能和良率，提高设备竞争力，第二CVD反应腔通过进行硼清除工艺能有效防止硼带来的交叉污染；本发明的CVD设备通过其预热腔对硅片进行预热，可避免在第一CVD反应腔和第二CVD反应腔中过长时间的预热，从而有效缩短硅片在其中停留的时间，可有效提高CVD设备的效率及产能。

附图说明
[0027]在结合以下附图阅读本公开的实施例的详细描述之后，能够更好地理解本发明的上述特征和优点。

在附图中，各组件不一定是按比例绘制，并且具有类似的相关特性或特征的组件可能具有相同或相近的附图标记。

[0028]图1为本发明的用于制造异质结太阳能电池的CVD设备的实施例的组成结构示意图；
[0029]图2为图1中的CVD设备的局部结构示意图；
[0030]图3为本发明的用于制造异质结太阳能电池的CVD设备的镀膜方法的实施例的流程图。

具体实施方案
[0031]以下结合附图和具体实施例对本发明作详细描述，以便更清楚理解本发明的目的、特点和优点。

应理解的是，以下结合附图和具体实施例描述的诸方面仅是示例性的，而不应被理解为对本发明的保护范围进行任何限制。

除非上下文明确地另外指明，否则单数形式“一”和“所述”包括复数指代物。

本说明书以及权利要求书中所使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。

[0032]本说明书以及权利要求书中所使用的“I/P型非晶硅薄膜”、“I/N型非晶硅薄膜”并不表示“I型或P型非晶硅薄膜”、“I型或N型非晶硅薄膜”，而是表示“I型和P型非晶硅薄膜”、“I型和N型非晶硅薄膜”。

[0033]参见图1和图2，图1显示了本发明的用于制造异质结太阳能电池的CVD设备的实施例的组成结构示意图，所述CVD设备1包括依次设置的第一预热腔10、第一CVD反应腔12、硅片翻面装置14、第二预热腔16、第二CVD反应腔18。

在其他实施例中，所述CVD设备1也可不包括第一预热腔10和第二预热腔16。

所述CVD设备1可为PECVD设备或HWCVD设备等。

[0034]所述CVD设备1还包括用于将硅片传送到各腔室的传送装置、用于将硅片从花篮放置到托盘的上料装置以及用于将硅片从托盘传送到花篮的下料装置，其包括本领域现今通常使用或将来开发出的各种传送装置、上料装置和下料装置，为简化图示及说明，本说明书中就不再对硅片的各种传送装置或机构进行详述。

[0035]所述CVD设备1可为单层设备或多层设备，图1中仅示出了单层设备的组成结构，其他层设备的组成结构与之相同，即所述单层设备和多层设备中每层设备均包括第一预热腔10、第一CVD反应腔12、硅片翻面装置14、第二预热腔16、第二CVD反应腔18。

所述CVD设备1为多层设备时，能有效提高设备集成度、减小占地面积。

[0036]参见图2，所述CVD设备1还包括用于将所述硅片放置到所述托盘中的上料位13以及用于将所述硅片从所述托盘中取出以获得空托盘的下料位15。

如图2所示，可以选择合适
的托盘位置作为硅片上料位13、下料位15，具体可依据托盘的温度或者硅片上下料的便利性等因素进行选择，例如选择图2中左下角的托盘位置作为硅片上料位13，选择图2中右下角的托盘位置作为硅片下料位15。

所述CVD设备1还包括将所述空托盘从所述下料位15传送到所述上料位13的托盘回传装置11，所述托盘回传装置11包括用于缓存托盘的托盘缓冲区110。

托盘缓冲区110还可选地具有用于预热托盘的功能。

[0037]参见图1和图2，所述第一预热腔10和第二预热腔16分别设置在所述第一CVD反应腔12和第二CVD反应腔18之前，分别用于在所述硅片进入所述第一CVD反应腔12和第二CVD 反应腔18之前将所述硅片预热到25-250℃的范围内。

所述第一预热腔10和第二预热腔16分别包括其加热方式可为接触式加热和/或辐射式加热的第一预热模块和第二预热模块，所述第一和第二预热模块包括红外加热器、热电阻加热器和/或高频加热器等，所述预热模块经过10-500秒范围内的预热时间将所述硅片预热到25-250℃的范围内。

[0038]第一CVD反应腔12配置成接收承载有硅片的托盘，其可从所述第一预热腔10接收经预热的硅片，并通过第一CVD工艺和第二CVD工艺依次在所述硅片的第一面上沉积I/N型非晶硅薄膜；所述第一CVD反应腔12配置成将所述硅片加热至预设成膜温度，所述加热可在含氢气氛中进行。

所述第一CVD反应腔12还配置成：提供进行所述第一CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在硅片的第一面上沉积I 型非晶硅薄膜，提供进行所述第二CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在硅片的第一面上且在所述I型非晶硅薄膜上沉积所述N型非晶硅薄膜而形成I/N型非晶硅薄膜。

所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，进行所述第一CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，进行所述第二CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括磷烷或其他适于进行N型掺杂的气体，所述第一CVD工艺和第二CVD工艺均在100-300℃的范围内进行。

[0039]硅片翻面装置14配置成从所述第一CVD反应腔12接收已完成所述第一CVD工艺和第二CVD工艺的所述硅片，并将所述硅片进行翻面而使所述硅片的所述第一面和与之相对的第二面对调。

所述硅片翻面装置14可为对硅片进行一次整体翻面的装置也可多步旋转对硅片进行翻面的装置，也可为本领域的技术人员可以想到的或未来开发出的其他硅片翻面装置。

[0040]第二CVD反应腔18配置成接收承载有经所述硅片翻面装置14翻面并可经第二预热腔16预热后的硅片的托盘，并通过第三CVD工艺和第四CVD工艺依次在所述硅片的所述第二面上沉积I/P型非晶硅薄膜。

[0041]所述第二CVD反应腔18配置成将所述硅片加热至所述预设成膜温度，所述加热可在含氢气氛中进行。

所述第二CVD反应腔18还配置成：提供进行所述第三CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积I 型非晶硅薄膜，提供进行所述第四CVD工艺所需的气体并利用PECVD等离子体将其分解或者利用HWCVD将其热解离，从而在所述第二面上沉积P型非晶硅薄膜并形成I/P型非晶硅薄膜。

所述硅片的预设成膜温度在100-300℃的范围内，进行所述第三CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气。

进行所述第四CVD工艺所需的气体包括硅烷或硅烷和氢气，还包括乙硼烷或三甲基硼或其他适于进行P型扩散的气体，第三CVD工艺和第四CVD工艺均在100-300℃的范围内进行。