2014电子科技大学考研真题_832微电子器件

2014年电⼦科技⼤学微机原理复试真题共5页第1页电⼦科技⼤学硕⼠研究⽣⼊学考试复试笔试试题《微机原理与应⽤》试题卷(120分钟) 考试形式：闭卷考试⽇期： 2014年 3⽉⽇⼀、选择题（每题2分，共50分）1. ⽚内AMBA 总线中，APB 桥是（）。

A 、⽀持突发传输数据的B 、AHB ⾼性能系统的中枢C 、APB 中的唯⼀总线主设备D 、⼀种总线仲裁器2. 超标量微处理器的特点有（）。

A 、不仅能进⾏32位运算，也能进⾏64位运算B 、内部含有多条指令流⽔线和多个执⾏部件C 、数据传输速度很快，每个总线周期最⾼能传送4个64位数据D 、芯⽚内部集成的晶体管数超过100万个，功耗很⼤ 3. RISC 执⾏程序的速度优于CISC 的主要原因是（）。

A 、RISC 的指令数较少B 、程序在RISC 上编译的⽬标程序较短 C 、RISC 只允许Load/Store 指令访存D 、RISC 的指令平均周期数较少4. 以下ARM 指令中，（）的源操作数采⽤了相对寻址⽅式。

A 、MOV R0,#2 B 、LDR R0,[R1]C 、BL SUB1D 、ADD R0,R1,R2,LSL #15. ⽤于存放待执⾏指令所在地址的是（）。

A 、程序计数器B 、数据指针C 、指令寄存器D 、地址寄存器6. 在某64位总线系统中，若时钟频率为1GHz ，传送⼀个字需要5个时钟周期，则该总线的带宽为（）MB/s 。

A 、400B 、800C 、1600D 、32007. ARM 处理器中⽤于反映其⼯作状态的是CPSR 寄存器中的（）。

A 、I 位B 、T 位C 、F 位D 、C 位8. 某系统的总线操作时序如下图所⽰。

可知：该系统的最⼤寻址空间为（①）；数据线D0~7上传送的是（②）信息；总线可能采⽤了（③）时序控制⽅式。

① A 、1KB B 、2KB C 、4KB D 、8KB ② A 、写存储器 B 、写端⼝ C 、读存储器 D 、读端⼝③ A 、异步B 、同步C 、周期挪⽤D 、以上都不对9. 下列关于DMA 的说法中，错误的是（）。

考试科目：832 微电子器件一、填空题（共45分，每空1.5分）1、根据输运方程，载流子的（扩散）电流主要与载流子浓度梯度相关，而（漂移）电流主要与载流子浓度相关。

2、俄歇复合的逆过程是（碰撞电离）。

3、当PN结反偏时候，反向电流由（少子）扩散电流和势垒区（产生）电流构成。

4、在二极管的反向恢复过程中，中性区存储的非少子浓度降低有两个原因，一是（载流子复合），二是（反向电流抽取）。

5、薄基区二极管是指P区和N区中至少有一个区的长度远小于该区的（少子扩散长度）。

在其它条件相同的情况下，薄基区二极管的中性区宽度越（小），扩散电流越大。

6、（热击穿）又称为二次击穿，这种击穿通常是破坏性的。

7、双极型晶体管的基区少子渡越时间是指少子在基区内从发射结渡越到集电结的平均时间，等于（基区非平衡少子电荷）除以基区少子电流。

8、半导体薄层材料的方块电阻与材料的面积无关，而与（掺杂浓度）和（厚度）相关。

（备注：填电阻率和厚度也可以）。

9、双极型晶体管的电流放大系数具有（正）温度系数，双极型晶体管的反向截止电流具有（正）温度系数。

（填”正”，”负”或”零”）10、双极型晶体管用于数字电路时，其工作点设置在（截至）区和（饱和）区；MOSFET用于模拟电路时，其直流工作点设置在（饱和）区。

11、由于短沟道器件的沟道长度非常短，起源于漏区的电力线将有一部分贯穿沟道区终止于源区，造成源漏之间的（势垒高度）降低，从而造成漏极电流的（变大）。

（第二个空填”变大”，”变小”或”不变”）12、高频小信号电压是指信号电压是指信号电压的振幅小于（KT/q）；高频小信号通常是叠加在（直流偏置）上的。

13、MOSFET漏源击穿的机理有两种，一种是（漏极PN结击穿），一种是（沟道穿通）。

14、漏源交流短路的情况下，MOSFET的（沟道载流子）电荷随（栅极）电压的变化，定义为MOSFET的本征栅极电容。

15、长沟道MOSFET的跨导与沟道长度（成反比），与栅源电压（成正比），而发生速度饱和的短沟道MOSFET的跨导与沟道长度（无关）。

电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：241法语（二外）注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、用括号中动词的正确形式填空。

（每空1分，共10分）1. Plusieurs éléments (rendre) ____________ maintenant la situation grave.2. Je vais vous inscrire. (donner) ____________ -moi votre passeport.3. Au début du 20e siècle, la télévision (être) ____________ en noir et blanc.4. Hier après-midi, je (dormir) ____________ pendant trois heures.5. Ne dépassez pas les limites de vitesse ou vous (avoir) ___________ une amende.6. Je voudrais simplement que la vous (savoir) ___________ la réalité.7. Si le voyage n’était pas si long, nous (aller) __________ plus souvent en Bretagne.8. Si tu (réviser) _______________ tes cours, tu aurais réussi ton examen.9. Il est furieux de (rater) __________________ son train.10. Il écoute France Inter à la radio (préparer) __________________ le repas.二、选择填空。

电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共48分，每空1.5分）1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。

2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。

3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。

同时，禁带宽带越（）的半导体材料，其热稳定性越好。

（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。

（填“大”或“小”）5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理意义为（），因此τb/τB可以表示（）。

6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。

栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。

（第二个空填“大”或“小”，第三个空填“强”或“弱”）7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表面将形成（），该结构（）单向导电性。

（从以下选项中选择）A 电子阻挡层B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层E 具有F 不具有微电子器件试题共6页，第1页8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是（）特性曲线的斜率。

在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。

9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。

1 电子科技大学研究生试卷 （考试时间： 至 共2 小时） 课程名称 集成电子学 教师 陈勇 学时 50 学分 2.5 教学方式 课堂教学 考核日期 2014 年 6 月 日 成绩 考核方式： （学生填写） 1. (25分) 填空： (1)、ESD 的中文翻译是（ ），TDDB 的中文翻译为（ ），Polysilicon 的中文翻译为（ ）；耗尽区的英文翻译为（ ），速度过冲的英文翻译为（ ），阈值电压的英文翻译为（ ）。

(3)、MOS 器件中，量子尺寸效应在表现为（ ）；量子隧道效应表现为（ ）。

(4)、CMOS 电路功耗由（ ）、（ ）和（ ）组成，其中与阈值电压无关的是（ ），与工作频率无关的是（ ），降低CMOS 电路功耗最有效的方法是（ ）和（ ）。

(5)、应变沟道MOSFET 迁移率提高的物理机理是（ ）和（ ）。

(6)、MOSFET 采用氮氧硅栅介质的优点是（ ）和（ ）。

(7)、下图是CMOS 倒相器转移特性曲线，曲线中A 点 NMOS 工作在（ ）区 ，PMOS 工作在（ ）区；B 点 NMOS 工作在（ ）区 ，PMOS 工作在（ ）区，C 点 NMOS 工作在（ ）区 ，PMOS 工作在（ ）。

2．(20分)解释以下专业名词。

(1)、按比例缩小规则的CE 律；学号姓名学院……………………密……………封……………线……………以……………内……………答……………题……………无……………效……………………(2)、天线效应；(3)、高K栅介质MOS器件的FIBL效应(4)、SOI MOSFET 的Kink效应；(5)、应变沟道MOS器件；3．(20分)绘图。

(1). 对比画出HALO 结构和普通结构MOSFET 的表面势示意图；2(2). 画出经典理论和量子理论得到的MOSFET反型层纵向电荷分布示意图；(3).画出n+-p+双栅MOSFET的能带示意图；(4). 画出短沟道效应和反短沟道效应的阈值电压示意图；4．(20分) 简要回答下列问题：(1).N阱工艺和P阱工艺哪一种的更有利于抑制闩锁效应？为什么？(2).从降低短沟道效应考虑，如何设计逆向掺杂MOSFET的低掺杂区浓度N A1 、厚度d以及体掺杂浓度N A2三个参数？3(3).纳米尺度的MOSFET，泄漏电流包括哪几项？哪一项最重要？该项泄漏电流如何降低？(4).什么是MOSFET的DIBL效应？通过怎样测量评价某器件的DIBL效应？(5).在集成电路差分对电路版图设计中，如何实现良好的匹配？5．(15分) 分析讨论(1).对于双栅MOSFET，电势的抛物线近似(a).x和y方向分别是指哪两个方向？(b).边界条件是什么？(c).根据边界条件，推出C0、C1和C2的表达式。

第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。

内建电场的方向是从（）区指向（）区。

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。

由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。

5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。

若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。

9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。

10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。

每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。

13、PN结扩散电流的表达式为（）。

这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。

14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。

电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：836信号与系统和数字电路注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

信号与系统一：选择题（18分）请选择一个正确的答案写在答题纸上（注意标注好题号），多选不得分。

（1） 已知系统输入[]f n 和输出[]y n 间关系为[]2[1]y n f n =+１）请问系统是否线性系统？是否稳定系统？（ ）。

A 、线性，非稳定；B 、非线性，非稳定；C 、非线性，稳定；D 、线性，稳定。

２）该系统冲激响应为（ ）。

A 、[]2[1]h n n δ=+；B 、[]2[1]h n n δ=+；C 、[]2[1]h n n δ=−+；D 、不能确定。

３）对任意输入[]f n ，系统输出[]y n 可表示为（ ）。

A 、[]2[1][]y n n f n δ=−+∗；B 、[]2[1][]y n n f n δ=+∗；C 、[]2[1][]y n n f n δ=+∗；D 、答案Ａ，Ｂ，Ｃ均不对。

（2） “对连续时间系统，若系统函数()H s 的收敛域包含虚轴则系统稳定”，该说法适合（ ）系统。

A 、 线性；B 、时不变；C 、线性时不变；D 、任意。

（3） 已知信号()f t 的频谱如图1所示，用周期冲激串()() k p t t kT δ∞=−∞=−∑进行采样，为使采样后的信号频谱不混叠，则最小采样角频率应满足（ ）。

图1，第1-（3）题图A 、8s ωπ>；B 、6s ωπ>；C 、4s ωπ>；D 、2s ωπ>（4） 对连续时间周期信号()f t ，其傅里叶变换和拉普拉斯变换说法正确的是（ ）。

A 、先求傅里叶级数，再求傅里叶变换；且拉普拉斯变换存在。

B 、先求傅里叶级数，再求傅里叶变换；且拉普拉斯变换不存在。

C 、直接按定义式计算傅里叶变换；且拉普拉斯变换存在。

D 、直接按定义式计算傅里叶变换；且拉普拉斯变换不存在。

第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。

内建电场的方向是从（）区指向（）区。

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。

由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。

5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。

若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。

9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。

10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。

每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。

13、PN结扩散电流的表达式为（）。

这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。

14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。

第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。

内建电场的方向是从（）区指向（）区。

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。

由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。

5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。

若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。

9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。

10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。

每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。

13、PN结扩散电流的表达式为（）。

这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。

14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。

共3页第1页 电子科技大学
2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目： 830 数字图像处理
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

1、（45分）简答题（每题5分）
（1）简述梯度法与Laplacian 算子检测边缘的异同点。

（2）简述霍夫变换用于边缘检测的原理。

（3）简述一幅灰度图像的直方图分布与亮度及对比度之间的关系。

（4）对于椒盐噪声，中值滤波与均值滤波相比，哪个滤波效果好？为什么？
（5）假彩色增强和伪彩色增强的区别是什么？
（6）非锐化掩蔽方法实现图像增强的基本步骤是什么？
（7）用理想低通滤波器平滑图像时，如果理想低通滤波器的截止频率选择不恰当，就会在
结果图像上出现很强的振铃效应。

试从原理上解释振铃效应的产生原因。

（8）简述如何利用数学形态学方法滤除图像噪声。

（9）图像的同态滤波主要是为了解决什么问题？其实现过程包括哪些步骤？
2、（10分）用模板 H 对图像 I 进行一阶微分锐化（边缘的图像不予处理）。

3、（10分）用灰度阈值法对下面的图像进行二值化：。

第二章PN结填空题1、若某突变PN结的P型区的掺杂浓度为N A=1.5×1016cm-3，则室温下该区的平衡多子浓度p p0与平衡少子浓度n p0分别为（）和（）。

2、在PN结的空间电荷区中，P区一侧带（）电荷，N区一侧带（）电荷。

内建电场的方向是从（）区指向（）区。

3、当采用耗尽近似时，N型耗尽区中的泊松方程为（）。

由此方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

4、PN结的掺杂浓度越高，则势垒区的长度就越（），内建电场的最大值就越（），内建电势V bi就越（），反向饱和电流I0就越（），势垒电容C T就越（），雪崩击穿电压就越（）。

5、硅突变结内建电势V bi可表为（），在室温下的典型值为（）伏特。

6、当对PN结外加正向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

7、当对PN结外加反向电压时，其势垒区宽度会（），势垒区的势垒高度会（）。

8、在P型中性区与耗尽区的边界上，少子浓度n p与外加电压V之间的关系可表示为（）。

若P型区的掺杂浓度N A=1.5×1017cm-3，外加电压V= 0.52V，则P型区与耗尽区边界上的少子浓度n p为（）。

9、当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。

10、PN结的正向电流由（）电流、（）电流和（）电流三部分所组成。

11、PN结的正向电流很大，是因为正向电流的电荷来源是（）；PN结的反向电流很小，是因为反向电流的电荷来源是（）。

12、当对PN结外加正向电压时，由N区注入P区的非平衡电子一边向前扩散，一边（）。

每经过一个扩散长度的距离，非平衡电子浓度降到原来的（）。

13、PN结扩散电流的表达式为（）。

这个表达式在正向电压下可简化为（），在反向电压下可简化为（）。

14、在PN结的正向电流中，当电压较低时，以（）电流为主；当电压较高时，以（）电流为主。

电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。

一、填空题（共44分，每空1分）1、PN结的内建电势也称为扩散电势，是指耗尽区中从（）处到（）处的电位差。

掺杂浓度越高，内建电势将越（）。

2、根据耗尽近似和中性近似，在PN结势垒区内，（）已完全耗尽；而在势垒区之外，（）浓度等于电离杂质浓度，维持电中性。

3、在相同的电场强度和温度下，锗材料和硅材料相比较，碰撞电离率更高的是（），其原因是它的（）更小。

4、在计算实际PN结的雪崩击穿电压或势垒电容时，如果结两侧掺杂浓度相差较小，浓度梯度较小，而结深较大时，则可将其近似为（）结求解。

5、温度升高时，PN结的齐纳击穿电压会（），因为（）随温度升高减小了。

6、一个PN结二极管在制备完成后对其进行了电子辐照，该二极管的反向恢复时间将（），原因是电子辐照在半导体中引入了（）。

7、当PN结的正向电流增大时，其直流增量电阻会（），扩散电容会（）。

（填“变大”，“变小”或“不变”）8、双极型晶体管的基区宽度越小，其共发射极增量输出电阻越（），厄尔利电压越（）。

（填“大”或“小”）9、双极型晶体管的发射结注入效率是指（）电流与（）电流之比。

10、双极型晶体管的基区发生大注入时，由于基区载流子浓度急剧增加，其发射结注入效率γ会（）；同时，和PN结大注入相类似，基区内会发生（）效应。

11、高频双极型晶体管的工作频率范围一般在：（）< f <（）。

12、双极型晶体管的高频优值是指（）与（）的乘积。

13、小电流时，双极型晶体管的电流放大系数会下降，这是由于（）在（）中所占的比例增加所引起的。

14、MOS结构中，半导体的表面势是指从（）到（）的电势差。

一般来说，实际MOS结构的表面势是（）零的，这主要是由于（）以及（）所引起。

（第三个空填“>”、“<”或“=”）15、为了降低栅氧化层电荷的影响，MOSFET通常会采用（）晶面来制作。

杭州电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试《电路》试题（试题共五大题.共5页.总分150分）姓名___________ 报考专业__________________准考证号_____________ 【所有答案必须写在答题纸上.做在试逹或草漕纸上无效】一. 简算题（本大豐共8小题，每小題10分，本大层关80分.要求写出求解过程）1.求图1所示电路中各独立电源发出的功率•2•图2电路中U = 22QV. / = 50Hz<S断开及闭合时电流/的有效侑均为0・5A.求够抗匕・» 1 W共5虫3 •图3中电路原己稳定./ = 0时闭合开关S后.则―⑴为多少？IOQ IOQ图34 •理想运放如谢4所示.若R=5kQ・R. = 20kQ, &=10kD・&=50kn. l/u-(/l2=0.2V,求输岀电压4・5.衣向图如图5所示，若选支路5. 6、7. 8、10为树支组成树T,试丐出该图关PM T的雄本冋路矩阵B f和基本駅集矩阵0/ •第2虫共5災6.图6 电路中电i<iSj.（f） = 20>/7cos（2/ + 45°）A・ /?, =/?2 =IQ.厶= 0・5H・C = 0.5F・当负钱Z,为多少门时・求它能获得的址人功牢.7.如图7所示电路.N为线性无源电阻网络•已知当/ = 10V . /. =1A时./ = IA：当〃.=-5V・人・2A. Z-4.5A.试求当CZ严15V. /t=2.5A 电潦/为多少？N _ >ffll-8.如图8所示三相对称三线制电路线电压为38OV.功率农接成如卜图所示.且^ftttZ = 22Q.求功率农的读数.二. （本题15分）如图9所示电路.开关S合在位IE I时己达対稳杏.t = 0时开关由位戏I 合向位置2.求/ >0时电感电ffU z （/）e三、（本题15分）如帕10所示电路中电压“含有基波利三次谐波.也波用 频率为i04rad/s.若耍求吗中不含华波分城而将“中的二次谐波分秋全部 取岀.求G ・四、（本题20分）求图11 <a ）所示电路的零状态响应“（•"）■电源“.、（/）的 波形如图11 （d>所示•图11IMQ va 10五. （本题20分）如图12所示的对称二相电路中，纫峡匕=380V・ / = 50Hz. Z = （84-；6）Q. （I〉求电流栈⑧的迩肌（2）三相吸收的总功率：（3）接入一细用形电琴负戟（图中虐线所示）.啖找路功率因数^=0.95,则电容C*的值应为多少？（4〉若将此电容攻用耳负我克按并联的△形连接.则此时线路功除冈数久为务少？。