放大电路的频率特性
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返回>>第三章 放大电路的频率特性通常,放大电路的输入信号不是单一频率的正弦信号,而是各种不同频率分量组成的复合信号。
由于三极管本身具有电容效应,以及放大电路中存在电抗元件(如耦合电容和旁路电容),因此,对于不同频率分量,电抗元件的电抗和相位移均不同,所以,放大电路的电压放大倍数A u 和相角φ成为频率的函数。
我们把这种函数关系称为放大电路的频率特性。
§1频率特性的一般概念一、频率特性的概念以共e 极基本放大电路为例,定性地分析一下当输入信号频率发生变化时,放大倍数将怎样变化。
在中频段,由于电容可以不考虑,中频A um 电压放大倍数基本上不随频率而变化。
ο180=ϕ,即无附加相移。
对共发射极放大电路来说,输出电压和输入电压反相。
在低频段,由耦合电容的容抗变大,电压放大倍数A u 变小,同时也将在输出电压和输入电压间产生相移。
我们定义:当放大倍数下降到中频率放大倍数的0.707倍时,即2umul A A =时的频率称为下限频率f l对于高频段。
由于三极管极间电容或分布电容的容抗在低频时较大,当频率上升时,容抗减小,使加至放大电路的输入信号减小,输入电压减小,从而使放大倍数下降。
同时也会在输出电压与输入电压间产生附加相移。
同样我们定义:当电压放大倍数下降到中频区放大倍数的0.707倍时,即2umuh A A =时的频率为上限频率f h 。
共e 极的电压放大倍数是一个复数,ϕ<=•u u A A其中,幅值A u 和相角ϕ都是频率的函数,分别称为放大电路的幅频特性和相频特性。
我们称上限频率与下限频率之差为通频带。
l h bw f f f -=表征放大电路对不同频率的输入信号的响应能力,它是放大电路的重要技术指标之一。
二、线性失真由于通频带不会无穷大,因此对于不同频率的信号,放大倍数的幅值不同,相位也不同。
当输入信号包含有若干多次谐波成分时,经过放大电路后,其输出波形将产生频率失真。
由于它是电抗元件产生的,而电抗元件又是线性元件,故这种失真称为线性失真。
2.4 放大电路的频率特性由于放大电路中存在电抗元件(如管子的极间电容,电路的负载电容、分布电容、耦合电容、射极旁路电容等),使得放大器可能对不同频率信号分量的放大倍数和相移不同。
耦合电容和旁路电容影响放大器的低频特性;晶体管的结电容和分布电容影响放大器的高频特性。
而且它们的容抗随频率变化,故当输入信号幅值固定而信号频率不同时,放大电路的输出电压相对于输入电压的幅值和相位都将发生变化。
幅频特性:电压放大倍数的模|A u |与频率 f 的关系。
相频特性:输出电压相对于输入电压的相位移 ϕ 与频率 f 的关系。
O0.707 A A A u £££££(b)相频特性图29 放大电路的幅频特性和相频特性一.幅频特性:1. 在中频段++SE bI β图30 中频段放大电路的微变等效电路由于耦合电容和发射极旁路电容的容量较大,故对中频段信号的容抗很小,可视作短路。
三极管的极间电容和导线的分布电容很小,可认为它们的等效电容C O 与负载并联。
由于C O 的电容量很小,它对中频段信号的容抗很大,可视作开路。
所以,在中频段可认为电容不影响交流信号的传送,放大电路的放大倍数与信号频率无关而保持定值,输入电压与输出电压反向。
(前面所讨论的放大倍数及输出电压相对于输入电压的相位移均是指中频段的)2. 在低频段:++SE bI β图31 低频段放大电路的微变等效电路由于信号的频率较低,耦合电容和发射极旁路电容的容抗较大,其分压作用不能忽略即不能把它们视为短路,如图31所示。
以至实际送到三极管输入端的电压比输入信号要小,故放大倍数降低,即电压放大倍数的模随频率的降低而减小,输出电压与输入电压的相移也发生变化,并使产生越前的相位移(相对于中频段),不再保持180°的关系。
所以,在低频段放大倍数降低和相位移越前的主要原因是耦合电容和发射极旁路电容的影响。
当放大倍数降到中频段电压放大倍数时所对应得频率L f 为通频带的下限频率。
第三章放大电路的频率特性本章研究输入信号的频率不同时,对放大电路电压放大倍数的不同影响及线性失真问题。
着重分析电路参数对放大电路通频带的影响。
本章内容:3.1 频率特性的一般概念3.2 三极管的频率特性3.3 共发射极放大电路的频率特性3.4 多级放大电路的频率特性本章要点:1. 放大电路频率特性的概念2. 三极管的频率参数3. 电路参数对放大电路通频带的影响4. 多级放大电路的通频带与级数的关系电子课件三:放大电路的频率特性课时授课教案一授课计划批准人:批准日期:课序:7 授课日期:授课班次:课题:第三章第3.1节频率特性的一般概念目的要求:1. 了解信号频率对电压放大倍数的影响。
2. 了解放大电路产生线性失真的原因。
3. 掌握影响放大电路通频带的因素。
重点:影响放大电路通频带的因素难点:线性失真教学方法手段:结合电子课件讲解教具:电子课件、计算机、投影屏幕复习提问: 1. 电容和电感元件的阻抗与频率的关系?2. 何谓三极管的PN结结电容?课堂讨论:RC滤波电路的特性?布置作业:课时分配:二 授课内容3.1 频率特性的一般概念3.1.1 频率特性的概念下面以共发射极放大电路为例进行分析。
当输入信号的频率不同时,不仅放大电路电压放大倍数的模不一样,而且输入电压与输出电压的相位关系(简称相移)也不一样。
一、 中频段在中频段,即通带内,因为耦合电容和旁路电容的容量较大,其容抗可忽略不计,把他们视为短路;又因为极间分布电容(含PN结结电容)很小,其容抗很大,可把他们视为开路;感抗视为短路。
可认为电压放大倍数基本与频率无关而保持定值,输入电压与输出电压反相位。
二、低频段当输入信号的频率逐渐降低时,耦合电容和旁路电容的容抗逐渐增大,不能把它们视为短路,如图3-1(a)所示。
电压放大倍数的模随频率的降低而减小,输出电压与输入电压之间的相移也发生变化,不再保持o180的关系。
当放大倍数降到中频段电压放大倍数的21时所对应的频率l f 为通频带的下限频率,如图3-2(a)所示,相移ϕ如图3-2(b)所示。
放大电路的频率特性为了便于讨论,都假定了输入信号vi是单一频率的正弦波,而实际工作中所要放大的信号并不是单一频率的正弦波。
如电视信号中的图像信号,其频率包括了6~6MHz范围内各种频率重量。
由于放大电路中电抗元件的存在,放大电路对不同频率重量的信号放大力量是不相同的,而且不同频率重量的信号通过放大电路后还会产生不同的相移。
因此,衡量放大电路放大力量的放大倍数也就成为频率的函数。
放大电路的电压放大倍数与频率的关系称为幅频特性,输出信号与输入信号的相位差与频率之间的关系称为相频特性。
两者统称频率特性。
由于电抗元件的电抗是频率的函数,随着频率的变化而变化。
如电路中的耦合电容和射极旁路电容,在频率较低时,其容抗较大,它们对沟通信号不能视为短路,这就必需考虑其容抗对电路的影响。
在分析放大电路的频率特性时,通常采纳频率分段法进行分析,即将放大电路的工作频率范围划分为低频、中频和高频三个频段,分别求出各频段中的频率特性,然后综合求得完整的频率特性。
放大电路的频率特性中有三项性能指标,它们是:图 1 放大电路的频率特性(a)幅频特性(b)相频特性1.下限频率在低频段,放大电路的电压放大倍数降到中频段电压放大倍数Avo的0.707Avo时的频率值叫做下限频率fL,如图1(a)所示。
引起低频段电压放大倍数下降的缘由主要是输入耦合电容、输出耦合电容和射极旁路电容,对低频信号形成较大的衰减,从而使电压放大倍数下降。
2.上限频率在高频段,放大电路的电压放大倍数降到中频段电压放大倍数Avo的0.707Avo时的频率值叫做上限频率fH,如图1(a)所示。
引起高频段电压放大倍数下降的缘由主要是三极管的极间电容和放大电路的输入电路和输出电路的分布电容,将高频信号旁路,从而使电压放大倍数下降。
3.通频带在频率特性的中频段,放大电路的各种电容对沟通信号的影响均可以忽视,因此电压放大倍数Avo基本不变。
这个频率带宽B =fH -fL,称B为通频带。
第三章放大电路的频率特性§3.1 频率特性的一般概念 一.频率特性的概念对低频段, 由于耦合电容的容抗变大, 高频时1/ωc<<R, 可视为短路, 低频段时1/ωC<<R 不成立。
我们定义: 当放大倍数下降到中频区放大倍数的0.707倍时, 即时的频率称为下限频率fl 。
如图右是考虑频率特性时的等效电路对高频段, 由于三极管极间电容或分布电容的容抗较小, 低频段视为开路, 高频段处1/ωC 较小, 此时考虑极间电容影响的等效电路如图3 - 1(b)所示。
当频率上升时,容抗减小, 使加至放大电路的输入信号减小, 输出电压减小, 从而使放大倍数下降。
同时也会在输出电压与输入电压间产生附加相移。
同样我们定义: 当放大倍数下降到中频区放大倍数的0.707倍, 即Auh=(1 / )Aum 时的频率称为上限频率fh 。
共发射极放大电路的电压放大倍数将是一个复数, 即其中幅度Au 和相角φ都是频率的函数, 分别称为放大电路的幅频特性和相频特性。
可用图3 - 2(a)和(b)表示。
我们称上、 下限频率之差为通频带fbw, 即fbw=fh-fl通频带的宽度, 表征放大电路对不同频率的输入信号的响应能力, 它是放大电路的重要技术指标之一。
二.线性失真线性失真有两种形式:相频失真和幅频失真一个周期信号经傅里叶级数展开后,可以分解为基波、一次谐波、二次谐波等多次谐波。
设输入信号Ui (t )由基波和二次谐波组成,如图(a )所示, 经过线性电路后, 基波与二次谐波振幅之间的比例没有变化, 但是它们之间的时间对应关系变了,叠加合成后同样引起输出波形不同于输入波形, 这种线性失真称之为相频失真。
线性失真的第一种形式如图(b )所示。
假设输入波形Ui(t)仅由基波、二次谐波构成, 它们之间的振幅比例为10∶6,如图(b )上所示。
该输入波形经过线性放大电路后,由于放大电路对不同频率信号的不同放大倍数,使得这些信号之间的比例发生了变化, 变成了10∶3,这二者累加后所得的输出信号Uo(t)如图(b)下所示。
返回>>第三章 放大电路的频率特性通常,放大电路的输入信号不是单一频率的正弦信号,而是各种不同频率分量组成的复合信号。
由于三极管本身具有电容效应,以及放大电路中存在电抗元件(如耦合电容和旁路电容),因此,对于不同频率分量,电抗元件的电抗和相位移均不同,所以,放大电路的电压放大倍数A u 和相角φ成为频率的函数。
我们把这种函数关系称为放大电路的频率特性。
§1频率特性的一般概念一、频率特性的概念以共e 极基本放大电路为例,定性地分析一下当输入信号频率发生变化时,放大倍数将怎样变化。
在中频段,由于电容可以不考虑,中频A um 电压放大倍数基本上不随频率而变化。
ο180=ϕ,即无附加相移。
对共发射极放大电路来说,输出电压和输入电压反相。
在低频段,由耦合电容的容抗变大,电压放大倍数A u 变小,同时也将在输出电压和输入电压间产生相移。
我们定义:当放大倍数下降到中频率放大倍数的0.707倍时,即2umul A A =时的频率称为下限频率f l对于高频段。
由于三极管极间电容或分布电容的容抗在低频时较大,当频率上升时,容抗减小,使加至放大电路的输入信号减小,输入电压减小,从而使放大倍数下降。
同时也会在输出电压与输入电压间产生附加相移。
同样我们定义:当电压放大倍数下降到中频区放大倍数的0.707倍时,即2umuh A A =时的频率为上限频率f h 。
共e 极的电压放大倍数是一个复数,ϕ<=•u u A A其中,幅值A u 和相角ϕ都是频率的函数,分别称为放大电路的幅频特性和相频特性。
我们称上限频率与下限频率之差为通频带。
l h bw f f f -=表征放大电路对不同频率的输入信号的响应能力,它是放大电路的重要技术指标之一。
二、线性失真由于通频带不会无穷大,因此对于不同频率的信号,放大倍数的幅值不同,相位也不同。
当输入信号包含有若干多次谐波成分时,经过放大电路后,其输出波形将产生频率失真。
由于它是电抗元件产生的,而电抗元件又是线性元件,故这种失真称为线性失真。
线性失真又分为相频失真和幅频失真。
1.相频失真由于放大器对不同频率成分的相位移不同,而使放大后的输出波形产生了失真。
2.幅频失真由于放大器对于不同频率成分的放大倍数不同,而使放大后的输出波形产生了失真。
线性失真和非线性失真本质上的区别:非线性失真产生新的频率成分,而线性失真不产生新的频率成分。
§2三极管的频率参数影响放大电路的频率特性,除了外电路的耦合电容和旁路电容外,还有三极管部的级间电容或其它参数的影响。
前者主要影响低频特性,后者主要影响高频特性。
一、三极管的频率特性中频时,认为三极管的共发射极放大电路的电流放大系数β是常数。
实际上是,当频率升高时,由于管子部的电容效应,其放大作用下降。
所以电流放大系数是频率的函数,可表示如下:βββffj+=•1其中β0是三极管中频时的共发射极电流放大系数,βf为共发射极电流放大系数的截止频率。
上式也可以用•β的模和相角来表示。
2)(1βββff+=•ββϕffarctan-=根据上式可以画出•β的幅频特性。
通常用以下几个参数来表示三极管的高频性能。
二、表述三极管频率特性的几个参数1. 共发射极电流放大系数β的截止频率βf当|•β|值下降到β0的0.707倍时的频率βf定义为β的截止频率。
由上式可算出,当0707.02ββββ≈=•=时,ff2. 特征频率T f定义|•β|值为1时的频率Tf为三极管的特征频率。
将1==•β和Tff代入()式得:20)(11ββf f T +=由于通常1/>>βf f T ,所以上式可简化为ββf f T 0≈3. 共基极电流放大系数α的截止频率αf 由前述••βα与的关系得•••ββα+=1显然,考虑三极管的电容效应,•α也是频率的函数,表示为:αααf f j+=•10其中αf 为α的截止频率,定义为|•α|下降为中频0α的0.707倍时的频率。
αf 、βf 、T f 之间的关系:将βββf f j +=•10代入•••ββα+=1得 ββββββαβββββββαf fj f f j f f j f f jf f j )1(1)1(111111000000000++=+++=++=+++=•可见:βαβf f )1(0+= 一般,10>>β所以:Tf f f =≈βαβ0三、三极管混合参数π型等效电路当考虑到电容效应时,h 参数将是随频率而变化的复数,在分析时十分不便。
为此,引出混合参数π型等效电路。
从三极管的物理结构出发,将各极间存在的电容效应包含在,形成了一个既实用又便的模型,这就是混合π型。
低频时三极管的h 参数模型与混合π模型是一致的,所以可通过h 参数计算混合π型中的某些参数。
1.完整的混合π型模型如下图为三极管的结构示意图和混合π型等效电路。
其中C π为发射结的电容,C μ为集电结的电容。
受控源用•eb m U g '而不用b I •β,其原因是I b 不仅包含流过eb r '的电流,还包含了流过结电容的电流,因此受控源电流已不再与I b 成正比。
理论分析表明,受控源与基极、射极之间的电压成正比。
g m 称为跨导,表示eb U '&变化1V 时,集电极电流的变化量。
由于集电结处于反向应用,所以c b r '很大,可以视为开路,且r ce 通常比放大电路中的集电极负载电阻R c 大得多,因此也可以忽略。
得出下图简化混合π型等效电路。
当在中频区时,不考虑C π和C μ的作用,得到下图(a)简化π型等效电路,和原来简化的h 参数等效电路相比较,就可建立混合π型参数和h 参数之间的关系。
从而求出π参数的值。
因为 EQbb be e b bb I r r r r 26)1('''β++==+所以 CQEQ e b I I r ββ2626)1('≈+=eb be bb r r r ''-=又 be b b m e b m I r I g U g β==''故 2626'CQ CQe b m I I r g ===βββ从上式可以看出,r b'e 、g m 等参数和工作点的电流有关。
对于一般的小功率三极管,r bb'约为几十~几百欧,r b'e 为1k Ω左右,g m 约为几十毫安/伏。
C μ可从手册中查到,C π值一般手册未给,可查出f T ,按如下公式算出C π值。
ππC g f mT 2≈ 2.简化的混合π型模型由于C μ跨接在基-集之间,分析计算时列出的电路程较复杂,解起来十分麻烦,为此可得用密勒定理,将C μ分别等效为输入端电容和输出端电容。
密勒定理:从b '、e 两端向右看,流入C μ的电流为μμωωCjUUUCjUUI e bceebceeb1)1(1''''-=-=&&令KUUebce-=',则有μμωωCkjUCjkUI e beb)1(11)1('''+=+=此式表明,从b'、e两端看进去,跨接在b'、c之间的电容的作用,和一个并联在b'、e两端,电容值为μπCkC)1('+=的电容等效。
这就是密勒定理。
同样,从c、e两端向右看,流入Cμ的电流为μμμωωωCKKjUCjKUCjUUI ceceebce)1(11)11(1'''+=+=-=&&此式表明,从b'、e两端看进去,跨接在b'、c之间的电容的作用,和一个并联在b'、e两端,电容值为μCKK)1(+的电容等效。
§3 共e极放大电路的频率特性下图(a)的共发射极放大电路中,将C2和R L视为下一级的输入耦合电容的输入电阻,所以画本级的混合π型等效电路时,不把它们包含在,如下图(b)所示。
具体分析时,通常分成三个频段考虑。
⑴中频段:全部电容均不考虑,耦合电容视为短路,极间电容视为开路。
⑵低频段:耦合电容的容抗不能忽略,而极间电容视为开路。
⑶高频段:耦合电容视为短路,而极间电容的容抗不能忽略。
这样求得三个频段的频率响应,然后再进行综合。
这样做的优点是,可使分析过程简单明了,且有助于从物理概念上来理解各个参数对频率特性的影响。
在绘制频率特性曲线时,人们常常采用对数坐标,即横坐标用lgf ,幅频特性的纵坐标为usu A G &lg 20=,单位为分贝(dB)。
对相频特性的纵坐标仍为ϕ,不取对数。
这样得到的频率特性称为对数频率特性或波特图。
采用对数坐标的优点主要是将频率特性压缩了,可以在较小的坐标围表示较宽的频率围,使低频段和高频段的特性都表示得很清楚。
而且将乘法运算转换为相加运算。
下面分别讨论中频、低频、和高频时的频率特性。
一、中频源电压放大倍数A usm等效电路如图所示。
ce b m o R U g U '-= 而 ii e b bb eb e b pU U r r r U =+=''''式中sis ii U r R r U +=)//(''e b bb b i r r R r += e b bb eb r r r p '''+=将上述关系代入得sc m is i o U R pg r R rU +-=cm is i s o usm R pg r R rU U A +-==二、低频源电压放大倍数A usl 及波特图低频段的等效电路如图所示。
由图可得c e b m o R U g U '&&-= i i eb bb e b eb U p U r r r U &&&=+=''''si s ii U C j r R r U &&11ω++=si s c m i s i s c m i s i o U C r R j R pg r R r U R pg C j r R r U &&&11)(1111++⋅+-=++-=ωω1)(111C r R j R pg r R rU U A i s c m is i s o usl ++⋅+-==ω令1)(C r R i s l +=τ1)(2121C r R f i s ll +==ππτ则f f jA j A A l usml usmusl -=+=11111ωτ&当l f f =时,usmusl A A 21=,l f 为下限频。