模电知识点归纳2(完全版).docx

《模电》第一章重点掌握内容：一、概念1、半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

2、半导体奇妙特性：热敏性、光敏性、掺杂性。

3、本征半导体：完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

4、本征激发：环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。

5、P型半导体：在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子（称多子）而电子为少子。

6、N型半导体：在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。

7、PN结具有单向导电性：P接正、N接负时（称正偏），PN结正向导通，P接负、N接正时（称反偏），PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

8、二极管按材料分有硅管(S i管)和锗管(G e管)，按功能分有普通管，开关管、整流管、稳压管等。

9、二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性：正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。

其死区电压：S i管约0。

5V，G e管约为0。

1 V ，其死区电压：S i管约0.5V，G e管约为0.1 V 。

其导通压降：S i管约0.7V，G e管约为0.2 V 。

这两组数也是判材料的依据。

10、稳压管是工作在反向击穿状态的：①加正向电压时，相当正向导通的二极管。

（压降为0.7V，）②加反向电压时截止，相当断开。

③加反向电压并击穿（即满足U﹥U Z）时便稳压为U Z。

11、二极管主要用途：整流、限幅、继流、检波、开关、隔离（门电路）等。

二、应用举例：（判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U0。

三极管复习完第二章再判）参考答案：a、因阳极电位比阴极高，即二极管正偏导通。

是硅管。

b 、二极管反偏截止。

f 、因V的阳极电位比阴极电位高，所以二极管正偏导通，（将二极管短路）使输出电压为U0=3V 。

模电各章重点内容及总复习《模电》第一章重点掌握内容:概念半导体:导电性能介于导体和绝缘体之间的物质。

半导体奇妙特性:热敏性、光敏性、掺杂性。

本征半导体:完全纯净的、结构完整的、晶格状的半导体。

本征激发:环境温度变化或光照产生本征激发，形成电子和空穴，电子带负电，空穴带正电。

它们在外电场作用下均能移动而形成电流，所以称载流子。

P型半导体:在纯净半导体中掺入三价杂质元素，便形成P型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，空穴为多数载流子(称多子)而电子为少子。

N型半导体:在纯净半导体中掺入五价杂质元素，便形成N型半导体，使导电能力大大加强，此类半导体，电子为多子、而空穴为少子。

PN结形成:浓度差?多子扩散,空间电荷区(杂质离子) 内电场促使少子漂移阻止多子扩散?当多子扩散和少子漂移达到动态平衡，形成PN 结。

PN结=空间电荷区=耗尽层=内电场=电阻。

PN结特点:具有单向导电性:P接正、N接负时(称正偏)，PN结正向导通，P接负、N接正时(称反偏)，PN结反向截止。

所以正向电流主要由多子的扩散运动形成的，而反向电流主要由少子的漂移运动形成的。

二极管按材料分有硅管(S管)和锗管(G管)，按功能分有普通管，开关管、整流ie管、稳压管等。

二极管由一个PN结组成，所以二极管也具有单向导电性:正偏时导通，呈小电阻，大电流，反偏时截止，呈大电阻，零电流。

其死区电压:S管约0。

5V，G管约为0。

1ie1/19页V ，其死区电压:S管约0.5V，G管约为0.1 V 。

ie其导通压降:S管约0.7V，G管约为0.2 V 。

这两组数也是判定材料的依据。

ie10、稳压管是工作在反向击穿状态的:加正向电压时，相当正向导通的二极管。

(压降为0.7V，)加反向电压时截止，相当断开。

加反向电压并击穿(即满足U，U)时便稳压为U 。

ZZ11、二极管主要用途:整流、限幅等。

二、应用举例:(判二极管是导通或截止、并求有关图中的输出电压U 。

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

表达的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴，少子是电子〕。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子，少子是空穴〕。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为，锗材料约为。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管，锗管。

*死区电压------硅管，锗管。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

1〕图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的上下: 假设 V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模电总结复习资料-模拟电子技术基础第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

2.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

3.PN结*PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

*PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

4.PN结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳u-时，uo=+Uom当u+2．当ＡＦ＝０时，表明反馈效果为零。

3．当ＡＦ＜０时，Ａｆ升高，这种反馈称为正反馈。

4．当ＡＦ＝－１时，Ａｆ→∞。

放大器处于“自激振荡”状态。

二．反馈的形式和判断1.反馈的范围----本级或级间。

2.反馈的性质----交流、直流或交直流。

直流通路中存在反馈则为直流反馈，交流通路中存在反馈则为交流反馈，交、直流通路中都存在反馈则为交、直流反馈。

3.反馈的取样----电压反馈：反馈量取样于输出电压；具有稳定输出电压的作用。

（输出短路时反馈消失）电流反馈：反馈量取样于输出电流。

具有稳定输出电流的作用。

（输出短路时反馈不消失）4.反馈的方式-----并联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电流形式相叠加。

Rs越大反馈效果越好。

反馈信号反馈到输入端）串联反馈：反馈量与原输入量在输入电路中以电压的形式相叠加。

Rs越小反馈效果越好。

反馈信号反馈到非输入端）5.反馈极性-----瞬时极性法：（1）假定某输入信号在某瞬时的极性为正（用+表示），并设信号的频率在中频段。

（2）根据该极性，逐级推断出放大电路中各相关点的瞬时极性（升高用+表示，降低用－表示）。

模拟电子技术知识点总结篇一：模拟电子技术基础知识汇总模拟电子技术第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*n型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7.Pn结*Pn结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

*Pn结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8.Pn结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2)等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳?微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在Pn结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

第二章三极管及其基本放大电路一.三极管的结构、类型及特点1.类型---分为nPn和PnP两种。

模电笔记知识点总结一、模拟信号处理1. 模拟信号与数字信号模拟信号是指信号的数值是连续变化的，可以用连续的数学函数表示。

数字信号是指信号的数值是离散的，需要经过模数转换才能表示成数值输出。

模拟信号处理的目的是将模拟信号转换为数字信号，或者将数字信号转换为模拟信号。

2. 采样与保持采样是指将连续的模拟信号按照一定的时间间隔进行取样，得到一系列的离散数值。

保持是指在采样之后，保持所获得的信号值，直到下一次采样。

3. 模拟信号重构模拟信号重构是指将数字信号重新转换为模拟信号。

通常通过数字到模拟转换器（DAC）来实现。

4. 模拟信号滤波模拟信号滤波是指对模拟信号进行频率特性的调整，滤除不需要的频率成分，以及放大需要的频率成分。

常见的滤波器包括低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。

5. 模拟信号调制模拟信号调制是指将模拟信号转换为相应的调制信号，以便在传输和处理中更容易应用。

常见的模拟信号调制方式包括调幅调制（AM）、调频调制（FM）和调相调制（PM）。

二、放大器设计1. 放大器的基本原理放大器是一种电路，它可以放大输入信号的幅度，并输出相应的放大信号。

放大器的核心原理是利用晶体管或运算放大器等电子器件的非线性特性，实现信号的增益。

放大器的设计目标通常包括增益、带宽、输入/输出阻抗、噪声等方面的考虑。

2. 放大器的分类放大器可以根据其工作方式、频率响应等特性进行分类。

比较常见的放大器包括运算放大器、差分放大器、共模抑制放大器、功率放大器等。

3. 放大器的频率特性放大器的频率特性是指放大器对不同频率信号的响应。

常见的频率特性包括通频带、截止频率、增益带宽积等。

4. 放大器的非线性失真非线性失真是指放大器输出信号与输入信号之间存在非线性关系，导致输出信号不完全等于输入信号。

常见的非线性失真包括谐波失真、交调失真等。

5. 放大器的稳定性放大器的稳定性是指当放大器输出端负载发生变化时，放大器是否能够保持稳定的工作状态。

完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。

2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。

3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。

三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。

2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。

3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。

4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。

四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。

2.开关---控制大电流的通断。

3.振荡器---产生高频信号。

4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。

模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。

2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。

4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。

5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。

6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。

7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。

8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。

二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。

1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。

2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。

3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。

三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。

模电知识点识点总结一、电路分析电路分析是模拟电子技术中的基础知识点，它涉及到电路的基本元件、电路定律、戴维南定理、诺顿定理、等效电路、交流电路分析等内容。

在电路分析中，学生需要掌握电路元件的特性和参数，熟练掌握欧姆定律、基尔霍夫电压定律、基尔霍夫电流定律等基本定律，能够准确分析电路中的电压、电流和功率等参数。

二、放大电路放大电路是模拟电子技术中的重要内容之一，它是指通过放大器将输入信号放大的过程。

学生需要掌握放大器的基本分类、放大器的基本参数、放大器的频率特性等知识，理解放大器的工作原理，能够设计各种类型的放大电路。

三、模拟信号处理模拟信号处理是模拟电子技术中的核心内容之一，它涉及到模拟信号的获取、处理、传输和存储等过程。

学生需要掌握模拟信号的采样定理、量化处理、模拟信号滤波等知识，能够设计模拟信号处理系统，提高模拟信号处理的质量和效率。

四、模拟滤波器设计滤波器是模拟电子技术中的重要内容之一，它是指用于对信号进行滤波处理的电路。

学生需要掌握滤波器的分类、滤波器的性能指标、滤波器的设计方法等知识，能够设计各种类型的模拟滤波器，提高信号的质量和准确性。

五、集成电路设计集成电路设计是模拟电子技术中的核心内容之一，它涉及到集成电路的设计原理、工艺流程、器件制造等一系列内容。

学生需要掌握集成电路的基本结构、工作原理、设计方法等知识，能够设计各种类型的集成电路，提高集成电路的性能和可靠性。

总之，模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门课程，它涉及到电路分析、放大电路、模拟信号处理、模拟滤波器设计、集成电路设计等方面的知识。

学生在学习模拟电子技术的过程中，需要注重理论与实践相结合，通过实验和项目设计来提高自己的技能水平，从而更好地应用模拟电子技术知识解决实际问题。

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模电必考知识点总结一、基本电路理论1. 电路基本定律欧姆定律、基尔霍夫定律、电路中的功率计算等基本电路定律是模拟电子技术学习的基础，了解和掌握这些定律对于学习模拟电子技术是非常重要的。

2. 电路分析了解如何对电路进行简化、等效电路的转换、戴维南定理和诺依曼定理等电路分析的基本方法。

3. 电路稳定性掌握电路的稳定性分析方法，包括如何对直流放大电路和交流放大电路进行稳定性分析。

4. 传输线理论了解传输线的基本特性，包括传输线的阻抗、反射系数、传输线的匹配等知识。

二、放大电路1. 二极管放大电路了解二极管的基本特性和放大电路的设计原理，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的二极管放大电路。

2. 晶体管放大电路了解晶体管放大电路的基本原理和设计方法，包括共射放大电路、共集放大电路和共基放大电路等基本的晶体管放大电路。

3. 放大电路的频率响应了解放大电路的频率响应特性，包括截止频率、增益带宽积等相关知识。

4. 反馈电路掌握反馈电路的基本原理和分类，了解正反馈和负反馈电路的特点和应用。

三、运算放大电路1. 运算放大器的基本特性了解运算放大器的基本特性，包括输入输出阻抗、放大倍数、共模抑制比等相关知识。

2. 运算放大器的电路应用了解运算放大器在反馈电路、比较电路、滤波电路、振荡电路等方面的应用，掌握运算放大器的基本应用方法。

四、滤波器电路1. RC滤波器和RL滤波器了解RC滤波器和RL滤波器的基本原理、特性和应用，包括一阶和二阶滤波器的设计和性能分析。

2. 增益电路和阻抗转换电路掌握增益电路和阻抗转换电路的设计原理和方法，了解它们在滤波电路中的应用。

3. 模拟滤波器设计了解低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻（陷波）滤波器的设计方法和特性，掌握模拟滤波器的设计技巧。

五、功率放大电路1. BJT功率放大电路了解晶体管功率放大电路的基本原理和设计方法，包括类A、类B、类AB和类C功率放大电路的特点和应用。

模电知识点笔记一、半导体基础知识。

1. 半导体材料。

- 本征半导体：纯净的、具有晶体结构的半导体，如硅（Si）和锗（Ge）。

在本征半导体中，存在两种载流子：电子（带负电）和空穴（带正电）。

电子是由于共价键中的价电子挣脱共价键的束缚而形成的自由电子，空穴是共价键中留下的空位，它可以吸引相邻共价键中的电子来填补，从而表现出正电荷的移动。

- 杂质半导体。

- N型半导体：在本征半导体中掺入五价元素（如磷P），五价元素的四个价电子与周围硅原子形成共价键，多余的一个价电子很容易成为自由电子，因此N型半导体中电子是多数载流子（多子），空穴是少数载流子（少子）。

- P型半导体：在本征半导体中掺入三价元素（如硼B），三价元素与周围硅原子形成共价键时会产生一个空穴，所以P型半导体中空穴是多子，电子是少子。

2. PN结。

- 形成：当P型半导体和N型半导体结合在一起时，由于P区空穴浓度高，N区电子浓度高，空穴和电子会发生扩散运动。

P区的空穴向N区扩散，N区的电子向P区扩散，扩散的结果是在交界面附近形成一个空间电荷区，这个空间电荷区就是PN结。

- 特性。

- 单向导电性：当PN结外加正向电压（P区接电源正极，N区接电源负极）时，称为正向偏置。

此时，外电场削弱内电场，多子的扩散运动增强，形成较大的正向电流，PN结导通。

当PN结外加反向电压（P区接电源负极，N区接电源正极）时，称为反向偏置。

外电场增强内电场，少子的漂移运动增强，但少子数量少，形成很小的反向电流（几乎为零），PN结截止。

二、二极管及其应用。

1. 二极管的结构和符号。

- 结构：二极管是由一个PN结加上相应的电极引线和管壳构成的。

- 符号：二极管的符号中，箭头方向表示正向电流的方向，即从P区指向N区。

2. 二极管的伏安特性。

- 正向特性：当二极管正向偏置时，正向电压较小时，正向电流几乎为零，这个区域称为死区。

硅管的死区电压约为0.5V，锗管的死区电压约为0.1V。

当正向电压超过死区电压后，正向电流随正向电压的增加而迅速增大。

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一、半导体的基础知识1、半导体---导电能力介于导体与绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2、特性---光敏、热敏与掺杂特性。

3、本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4、两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴与电子统称为载流子。

5、杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的就是半导体的掺杂特性。

*P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子就是空穴,少子就是电子)。

*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子就是电子,少子就是空穴)。

6、杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7、 PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0、6~0、8V,锗材料约为0、2~0、3V。

* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

8、 PN结的伏安特性二、半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。

*二极管伏安特性----同ＰＮ结。

*正向导通压降------硅管0、6~0、7V,锗管0、2~0、3V。

*死区电压------硅管0、5V,锗管0、1V。

3、分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

*三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模电知识点总结第一篇：模电知识点总结第一章绪论1.掌握放大电路的主要性能指标：输入电阻，输出电阻，增益，频率响应，非线性失真2.根据增益，放大电路有那些分类：电压放大，电流放大，互阻放大，互导放大第二章预算放大器1.集成运放适合于放大差模信号2.判断集成运放2个输入端虚短虚断如：在运算电路中，集成运放的反相输入端是否均为虚地。

3.运放组成的运算电路一般均引入负反馈4.当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。

5.根据输入输出表达式判断电路种类同相：两输入端电压大小接近相等，相位相等。

反相：虚地。

第三章二极管及其基本电路1.二极管最主要的特征：单向导电性2.半导体二极管按其结构的不同，分为面接触型和点接触型3.面接触型用于整流。

点接触型用于高频电路和数字电路4.杂质半导体中少数载流子浓度只与温度有关5.掺杂半导体中多数载流子主要来源于掺杂6.在常温下硅二极管的开启电压为0.5伏，锗二极管的开启电压为0.1伏7.硅二极管管压降0.7伏，锗二极管管压降0.2伏8.PN结的电容效应是势垒电容,扩散电容9.PN结加电压时,空间电荷区的变化情况正向电压:外电场将多数载流子推向空间电荷区,使其变窄,削弱内电场,扩散加剧反向电压:外电场使空间电荷区变宽,加强内电场,阻止扩散运动进行10.当PN结处于正向偏置时,扩散电容大.当PN结反向偏置时,势垒电容大11.稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区.发光二极管发光时,工作在正向导通区 12.稳压管称为齐纳二极管13.光电二极管是将光信号转换为电信号的器件,它在PN结反向偏置状态下运行,反向电压下进行,反向电流随光照强度的增加而上升14.如何用万用表测量二极管的阴阳极和判断二极管的质量优劣?用万用表的欧姆档测量二极管的电阻,记录下数值,然后交换表笔在测量一次,记录下来.两个结果,应一大一小,读数小的那次,黑表笔接的是阳极,红表笔接的是阴极.这个读数相差越多,二极管的质量越好.当两个读数都趋于无穷大时,二极管断路.当两个读数都趋于零时,二极管短路第四章双极结型三极管及放大电路1.半导体三极管又称双极结型三极管,简称BJT是放大器的核心器件2.采用微变等效电路求放大电路在小信号运用时,动态特性参数3.晶体三极管可以工作在: 放大区,发射结正偏,集电极反偏饱和区,发射结集电极正偏截止区,发射结集电极反偏4.NPN,PNP,硅锗管的判断5.工作在放大区的三极管，若当Ib以12μA增大到22μA时，Ic 从1mA变为2mA，β约为1006.直流偏置电路的作用是给放大电路设置一个合适的静态工作点，若工作点选的太高——饱和失真。

模拟电子技术基础知识总结一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。

2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴，少子是电子)。

*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子，少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

7. PN结* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

* PN结的导通电压---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。

8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性----同PN结。

*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。

*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。

3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若 V 阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若V阳 >V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。

三极管及其基本放大电路一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。

2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低;发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小;集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。

第一部分半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。

1、导体导电和本征半导体导电的区别：导体导电只有一种载流子：自由电子导电半导体导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带电荷极性不同，故运动方向相反。

2、本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。

3、杂质半导体（1）N型半导体——掺入五价元素（2）P型半导体——掺入三价元素4、PN结——P型半导体和N型半导体的交界面在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层反向电压超过一定值时，就会反向击穿，称之为反向击穿电压5、PN结的单向导电性——外加电压正向偏置反向偏置6、二极管的结构、特性及主要参数（1）P区引出的电极——阳极；N区引出的电极——阴极温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。

二极管的特性对温度很敏感。

其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压——0.5V，导通电压为0.6~0.8V，反向饱和电流<0.1μA，锗的开启电压——0.1V，导通电压为0.1~0.3V，反向饱和电流几十μA。

（2）主要参数1）最大整流电流I：最大正向平均电流2）最高反向工作电流U：允许外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半3）反向电流I：二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对温度越敏感4）最高工作频率f：二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性7、稳压二极管在反向击穿时在一定的电流范围内（或在一定的功率耗损范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。

（1）稳压管的伏安特性（2）主要参数1）稳定电压U：规定电流下稳压管的反向击穿电压2）稳定电流I：稳压管工作在稳定状态时的参考电流。

电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压，只要不超过稳压管的额定功率，电流越大稳压效果越好。

模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Ｓｉ、锗Ge)。

２．特性---光敏、热敏和掺杂特性。

3．本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。

４. 两种载流子 -－-－带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。

５.杂质半导体---－在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。

体现的是半导体的掺杂特性。

＊P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴,少子是电子)。

＊N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子，少子是空穴)。

6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。

*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。

*转型-－-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。

7. PN结＊ PＮ结的接触电位差---硅材料约为０．６~0.8V，锗材料约为0．2~0．3V。

* PＮ结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。

８. PＮ结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性--－--－正向导通，反向截止。

*二极管伏安特性-－--同PＮ结。

*正向导通压降-－--－－硅管0．6~0.7V,锗管0.2~０.３V。

＊死区电压-－--－-硅管0.5V，锗管0.1V。

３.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若Ｖ阳＞Ｖ阴（正偏 )，二极管导通（短路）;若 V阳 <V阴( 反偏）,二极管截止(开路)。

1)图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。

2）等效电路法➢直流等效电路法*总的解题手段-－--将二极管断开,分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路）。

＊三种模型➢微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在ＰN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。

模电常见知识点总结一、基本概念1. 电压、电流、功率：电压是电势差，单位是伏特；电流是电荷在单位时间内通过导体的数量，单位是安培；功率是单位时间内能量的转化率，单位是瓦特。

2. 电路元件：电路元件主要包括电阻、电容和电感。

电阻是电流对电压的阻碍作用，单位是欧姆；电容是储存电荷的能力，单位是法拉；电感是存储磁场能量的元件，单位是亨利。

3. 信号处理：模拟信号是连续的信号，可以采用模拟电子技术进行处理。

模拟信号的处理包括滤波、放大、混频等操作。

4. 放大器：放大器是一种能够增加信号幅度的电路，通常包括运放放大器、功率放大器等类型。

5. 混频器：混频器是一种能够将两个不同频率的信号进行混合的电路，主要用于调频、调相和倍频等应用。

6. 滤波器：滤波器可以根据频率特性对输入信号进行滤波，主要包括低通滤波器、带通滤波器和高通滤波器等。

7. 稳压器：稳压器是一种能够在负载变化时保持输出电压稳定的电路，主要包括线性稳压器和开关稳压器。

8. 模拟信号的采样与保持、量化与编码：在数字信号处理中，要将模拟信号转换为数字信号，需要进行模拟信号的采样与保持、量化与编码等操作。

二、基本电路分析方法1. 基尔霍夫定律：基尔霍夫定律是电路分析中的重要方法之一，包括基尔霍夫电流定律和基尔霍夫电压定律。

2. 节点分析法和支路分析法：节点分析法和支路分析法是电路分析中常用的两种方法，用于求解电路中的电压和电流。

3. 物理尺解法：物理尺解法是一种将电路问题转化为几何问题进行求解的方法，通常用于分析长线搭接、三角形回路等特殊电路。

4. 电压源法和电流源法：电压源法和电流源法是一种简化复杂电路的方法，适用于求解电路中的等效电阻和电流分布。

5. 理想变压器：理想变压器是一个重要的电路模型，可以通过它来求解电路中的电压和电流。

6. 交流电路分析：交流电路分析是模拟电子技术中的重要内容，包括交流电路中的阻抗、功率、相位等内容。

7. 电路的频率响应：电路的频率响应是指电路对不同频率信号的响应情况，可以通过传递函数或频率特性曲线来描述。

第一章常用半导体器件1．什么是杂质半导体？有哪2种杂质半导体？2．什么是N型杂质半导体？在N型半导体中，掺入高浓度的三价硼元素是否可以改型为P 型半导体？3．什么是P型杂质半导体？在P型半导体中，掺入高浓度的五价磷元素是否可以改型为N 型半导体？4．什么是PN结？PN结具有什么样的导电性能？5．二极管的结构？画出二极管的电路符号，二极管具有什么样的导电性能？6．理想二极管的特点？7．什么是稳压管？电路符号？正向导通，反向截止，反向击穿分别具有什么样的特点？稳定电压Uz指的是什么？稳定电流Iz和最大稳定电流分别指的什么？8．二极管的主要应用电路有那些？掌握二极管的开关电路，限幅电路和整流电路的分析。

（1）二极管的开关电路，D为理想二极管，求U AO（2）二极管的限幅电路D为理想二极管时的输出波形D为恒压降模型时的输出波形（3）二极管的单相半波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）（4）二极管单相桥式全波整流电路，求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）如果图中四个二极管全部反过来接，求负载上输出电压的平均值？（5）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）（6）二极管的单相全波整流电容滤波电路，定性画出负载上的输出电压的波形求负载上输出电压的平均值（即所含的直流电压）9． 什么是晶体管？它的结构和电路符号？（见教材P29页），晶体管是一种电流控制器件，用来表示晶体管的电流控制能力的一个参数是什么？工作在电流放大状态下的电流控制方程是什么？10．晶体管有哪三种工作状态？如果已知β=50，I CS =3mA ，U CES =0.3V 则以下晶体管分别工作在什么状态？I C 为多大？第二章 基本放大电路1． 利用晶体管的电流放大作用，可以组成哪三种基本放大电路？如何判断放大电路的接法（即组态）？2． 第二章主要分析了以下四种交流基本放大电路（1）固定偏置共发射极基本放大电路 （2）射极（或叫分压）偏置共射放大电路2.7v 2v6v2.7v 2v 2.3v -2v 0v 12v I B =30μA I B =30μA（3）共集电极基本放大电路 （4）分压偏置共基极基本放大电路3．对以上的四个放大电路在加入交流小信号进行放大之前，必须先调节电路的静态工作点（即直流工作点Q 点），计算出静态的I B ，I C ，U CE ，方法如下 方法1： 先画直流通路（电容开路，输入为0），再判断基极是一个电阻的固定偏置还是基极是两个电阻的分压偏置，不同的偏置电路求解的方法不同。