半导体(二极管-三极管和桥堆)介绍资料共90页文档

二极管三极管主要参数二极管和三极管是半导体器件中常见的两种元件，它们在电子电路中具有重要的作用。

下面将详细介绍二极管和三极管的主要参数。

一、二极管的主要参数：1.电压额定值：也称为反向工作电压（VR）或正向导通电压（VF），表示二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压。

对于正向工作，一般为0.7V左右，而对于反向工作，一般为数十V至几百V。

2.最大定向电流：指二极管在正向工作时能够承受的最大电流，也称为连续电流（IF），一般为几毫安到几十安。

3.反向漏电流：指二极管在反向工作时的漏电流，也称为反向电流（IR），一般为几微安到几毫安。

4.开启时间和关断时间：也称为导通时间和截止时间，指二极管从关断到开启、从开启到关断的时间，一般为纳秒或微秒级。

5.反向恢复时间：指二极管在从正向工作状态转为反向工作状态时，恢复正常的导通特性所需的时间，一般为纳秒或微秒级。

6.动态电阻：指二极管在正向工作时的电压变化与电流变化的比值，一般在工作点附近呈线性关系。

7.耐压能力：指二极管在正向和反向工作时能够承受的最大电压，一般为几十伏到几百伏。

二、三极管的主要参数：1.当前放大倍数：也称为直流电流放大倍数（hFE）或β值，指输入电流和输出电流之间的比值，一般为几十至几千。

2.基极电流：也称为输入电流（IB），指输入信号经过基极向集电极注入的电流。

3.饱和电流：也称为最大电流（IC），指当三极管的基极电流达到一定值时，集电极电流不能再继续增大的电流值。

4.最大功耗：指三极管能够承受的最大功率，一般为几十毫瓦到几瓦。

5.最大频率：指三极管能够工作的最高频率，一般为几十MHz到几GHz。

6.最小输入电压：指三极管能够正常工作的最小输入电压。

7.最大输入电压：指三极管能够承受的最大输入电压。

三、总结：二极管主要参数包括电压额定值、最大定向电流、反向漏电流、开启时间和关断时间、反向恢复时间、动态电阻和耐压能力。

这些参数主要描述了二极管在正向和反向工作时的性能。

二极管、三极管、晶体管概念和用途一、二极管的概念和用途二极管是一种具有两个电极的半导体器件，它具有单向导电特性。

当施加正向电压时，二极管正向导通，电流通过；当施加反向电压时，二极管反向截止，电流基本不通过。

二极管主要用于整流、稳压、开关和检波等电路中。

1、整流在交流电路中，二极管可以将交流信号转换为直流信号。

通过二极管整流，可以将交流电源转换为直流电源，以满足电子设备对直流电源的需求。

2、稳压二极管还可以作为稳压器使用。

在稳压电路中，通过合理连接二极管和电阻，可以实现对电压的稳定。

3、开关由于二极管具有导通和截止的特性，可以将其应用到开关电路中。

在开关电路中，二极管可以控制电流的通断，实现对电路的控制。

4、检波二极管还可以用作检波器。

在无线电接收机中，二极管可以将射频信号转换为音频信号，实现信息的接收和解调。

二、三极管的概念和用途三极管是一种具有三个电极的半导体器件，分为发射极、基极和集电极。

三极管具有放大、开关等功能，是现代电子设备中不可或缺的器件。

1、放大在放大电路中，三极管可以对输入信号进行放大处理。

通过合理设置电路参数，可以实现对电压、电流和功率等信号的放大。

2、开关与二极管类似，三极管也可以用作开关。

通过控制基极电流，可以实现对集电极与发射极之间的电流通断控制。

3、振荡在振荡电路中，三极管可以实现信号的自激振荡。

通过反馈电路的设计，可以使三极管产生稳定的振荡信号。

4、调制在通信系统中，三极管可以用于信号的调制。

通过三极管的放大和调制功能，可以实现对射频信号等信息的传输。

三、晶体管的概念和用途晶体管是一种半导体器件，是二极管的发展和改进，是现代电子技术的重要组成部分，被广泛应用于放大、开关、振荡和数字逻辑电路等领域。

1、放大晶体管可以作为放大器使用，实现对信号的放大处理。

晶体管的放大能力较强，可以应用于音频放大、射频放大等领域。

2、开关晶体管也可以用作开关。

与三极管类似，晶体管可以实现对电路的控制，用于开关电源、数码电路等领域。

半导体器件分类标准半导体器件是指利用半导体材料制作的用于控制电流和电压的电子器件。

根据其原理和用途的不同，可以将半导体器件分为以下几类：1. 整流器件整流器件主要用于将交流电转换为直流电。

常见的整流器件有二极管和整流桥。

其中，二极管是一种最基本的电子器件，由正负两端形成的p-n结构组成。

它在正向偏置时可以导电，而在反向偏置时则为绝缘状态。

整流桥则由四个二极管组成，用于更高功率的整流应用。

2. 放大器件放大器件主要用于放大电流、电压和功率。

常见的放大器件有晶体管和场效应晶体管（MOSFET）。

晶体管是一种由三层或四层半导体材料构成的器件，根据不同的接法可以实现不同的放大功能。

MOSFET则是一种受控制的双极性输电器件，由三个电极组成，即栅极、漏极和源极。

3. 开关器件开关器件主要用于控制电路的通断。

常见的开关器件有晶闸管、双向可控硅（SCR）和三极管。

晶闸管是一种用于高压、高电流的开关器件，其工作原理类似于一个开关，可以控制电路的断开和闭合。

SCR则是一种双向控制的开关器件，常用于电力和电机控制领域。

三极管是一种由三个半导体材料构成的电子器件，广泛应用于电路的放大、开关和稳压控制等领域。

4. 传感器件传感器件主要用于检测和测量环境中的物理量或状态，并将其转化为电信号。

常见的传感器件有光敏器件、湿度传感器和温度传感器等。

光敏器件利用半导体材料的光敏特性，将光信号转化为电信号。

湿度传感器可以检测和测量周围空气中的相对湿度。

温度传感器则可以测量物体的温度。

5. 集成电路集成电路是将多个半导体器件组合到单个芯片上，以实现复杂的功能和电路。

根据集成度的不同，可以将集成电路分为大规模集成电路（LSI）、中规模集成电路（MSI）和小规模集成电路（SSI）等不同类型。

集成电路广泛应用于计算机、通信、嵌入式系统等领域。

以上是对半导体器件的分类标准的相关内容介绍。

半导体器件作为现代电子技术的基础，其应用范围广泛，对于实现电子设备的功能和性能至关重要。

半导体基础知识一、半导体本础知识（一）半导体自然界的物质按其导电能力区别，可分为导体、半导体、绝缘体三类。

半导体是导电能力介于导体和绝缘体之前的物质，其电阻率在10-3~109Ω范围内。

用于制作半导体元件的材料通常用硅或锗材料。

（二）半导体的种类在纯净的半导体中掺入特定的微量杂质元素，能使半导体的导电能力大提高。

掺入杂质后的半导体称为杂质半导体。

根据掺杂元素的性质不同，杂质半导体可分为N型和P型半导体。

（三）PN结及其特性1、PN结：PN结是构成半导体二极管、三极管、场效应管和集成电路的基础。

它是由P型半导体和N型半导体相“接触”后在它们交界处附近形成的特殊带电薄层。

2、PN结的单向导电性：当PN结外加正向电压（又叫正向偏置）时，PN结会表现为一个很小的电阻，正向电流会随外加的电压的升高而急速上升。

称这时的PN结处于导通状态。

当PN结外加反向电压（以叫反向偏置）时，PN结会表现为一个很大的电阻，只有极小的漏电流通过且不会随反向电压的增大而增大，这时的电流称为反向饱和电流。

称这时的PN结处于截止状态。

当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。

这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。

3、频率特性由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。

导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

二、半导体二极管（一）半导体二极管及其基本特性1、半导体二极管：半导体二极管（简称为二极管）是由一个PN结加上电极引线并封装在玻璃或塑料管壳中而成的。

其中正极（或称为阳极）从P区引出，负极（或称为阴极）从N区引出。

以下是常见的一些二极管的电路符号：普通二极管稳压二极管发光二极管整流桥堆2、二极管的伏安特性二极管的伏安特征如下图所示：二极管的伏安特性曲线（二）二极管的分类二极管有多种分类方法1、按使用的半导体材料分类二极管按其使用的半导体材料可分为锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管、磷化镓二极管等。

二极管三极管二极管三极管是电子学中常用的基本元件，这两种元件具有许多共同的特性，广泛应用于各种电子系统，如家用电器、计算机、汽车和消费电子等领域。

本文将简要介绍这两种元件的工作原理和应用。

二极管是一种由两个接口（正、负）组成的半导体元件，它只能在正和负两个方向上放电，不能双向放电。

当在正电极施加正电压时，二极管放出电流，被叫做开启或正向电流，通常称作“封开”电流。

另外，当施加的电压为负时，二极管会禁止通过电流，被称为关闭或反向电流。

二极管的两极电压越低，其电阻就越大，反之亦然，由此它可以改变电流的宽度，从而起到调节电阻的作用。

三极管是一种由三个接口（正、负、基极）组成的半导体元件，它可以同时使正负两个电极有电流通过也可以用基极（中间极）对正负电极进行控制。

三极管分为NPN型和PNP型，它们主要功能是放大电压，承担电流放大和信号转换的功能。

另外，三极管也可用于控制或监测外部电路电压，以及在某些特殊的应用上可以做成逻辑门，如双路电路（OR、AND等）。

二极管三极管可广泛应用于各种领域，其普及程度很高。

二极管主要用作电流流转开关，因其具有低成本、高可靠性、简易控制等优点，在家庭电器、汽车电子系统、电池充电器、供电调节器、矩阵开关系统、流量传感器、漏电检测器、视频放大器等电子系统中使用十分普遍。

三极管的应用比二极管更加广泛，在电子系统中担当起放大信号、节流、电路控制等重要作用。

其应用于计算机的存储器，中国的第一台大型计算机曾是使用三极管技术。

三极管也广泛应用于测量、控制和电源系统，通用用于增大驱动信号，促使电机、放大器或直流电压调节器等大功率电子设备更加有效。

以上是二极管三极管的工作原理和应用简介。

可以看出，二极管三极管是电子元件中重要的基本元件，它们因具有简单、可靠、低成本等特点，而被应用于电子系统的各个领域，成为电子技术中不可或缺的重要元素。

三极管百科名片三极管三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管,晶体三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号, 也用作无触点开关。

什么是三极管三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是如图所示的几种器件，可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇电子三极管Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的唯一英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。

其余的那些被中文里叫做三极管的东西，实际翻译的时候是绝对不可以翻译成Triode的，否则就麻烦大咯，严谨的说，在英文里面根本就没有三个脚的管子这样一个词汇！！！电子三极管Triode （俗称电子管的一种）双极型晶体管BJT （Bipolar Junction Transistor）J型场效应管Junction gate FET（Field Effect Transistor）金属氧化物半导体场效应晶体管MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）注：这三者看上去都是场效应管，其实结构千差万别J型场效应管金属氧化物半导体场效应晶体管V沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（Unipolar Junction Transistor）其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOS FET 和VMOS都是绝缘型的场效应管VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽，使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改经型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。

二极管和三极管常识介绍一、二极管1.二极管的结构和工作原理二极管由两个半导体材料，P型半导体和N型半导体组成，通过半导体材料的p-n结而形成。

P型材料中的空穴与N型材料中的电子在p-n结附近发生复合，形成空穴区和电子区。

当给二极管正向偏压时，使得电子从N区向P区移动，空穴从P区向N区移动，形成电流通路，此时二极管处于导通状态；当给二极管反向偏压时，使N区成为负极，P区成为正极，p-n结两侧形成空间电荷区，电流不能流动，此时二极管处于绝缘状态。

2.二极管的特性（1）单向导电性：二极管只能在正向偏置时导电，不能在反向偏置时导电。

（2）电流与电压关系：在正向偏置时，二极管的电流与电压之间呈指数关系，即电流随着电压的增大而迅速增大。

（3）截止电压与饱和电流：二极管的正向截止电压是指在正向偏置电压小于截止电压时，二极管停止导通。

而饱和电流是指二极管在正向偏置下，通过的最大电流。

（4）温度特性：二极管的导电性能与温度有关，通常情况下，温度升高，二极管导电情况变差。

3.二极管的应用（1）整流器：利用二极管的单向导电性，可以将交流电转换为直流电。

（2）保护电路：在电子电路中，二极管常用于过电压保护电路中，当电压超过一定范围时，二极管会导通，将多余的电压分流至地。

（3）发光二极管（LED）：利用二极管的发光特性，可以将电能转化为光能，常用于指示灯、显示器等设备中。

二、三极管1.三极管的结构和工作原理三极管由三个半导体材料组成，分别为P型半导体、N型半导体和N 型半导体或P型半导体。

三极管的三个区域分别称为基极（B）、发射极（E）和集电极（C）。

当在基极和发射极之间加一个较小的正向电压时，形成一个PN结，即为二极管的结构；而当再在集电极和发射极之间加一个正向电压时，就会形成两个PN结，即为三极管的结构。

这种结构使得三极管能够处于放大器状态。

2.三极管的工作状态三极管有四种工作状态，分别为截止、放大、饱和和反转。

（1）截止状态：当基极电压为0V或很低时，三极管处于截止状态，此时发射极和集电极之间阻断。

摘要：二极管、三极管和MOS桥堆都是电子元件中常见的器件，它们在电路中发挥着不同的作用。

本文将深入探讨这些器件的作用和区别，帮助读者全面理解它们在电子领域中的重要性。

一、二极管的作用和特点1. 二极管是一种最简单的半导体器件，具有正向导通和反向截止的特性。

2. 在电路中，二极管主要起到整流和稳压的作用，保护其他元件免受反向电压的损坏。

3. 二极管的特点是导通压降较低，开关速度快，适用于高频电路和低压应用。

二、三极管的作用和特点1. 三极管是一种具有放大和开关功能的半导体器件，由发射极、基极和集电极组成。

2. 在电路中，三极管可以放大电流和信号，控制电路的功率和电压。

3. 三极管的特点是放大倍数高，工作稳定，适用于各种放大器和开关电路。

三、MOS桥堆的作用和特点1. MOS桥堆是一种集成了MOSFET和二极管的高性能功率开关器件，通常用于直流电机的控制和变频器中。

2. 在电路中，MOS桥堆可以实现电机的正反转、调速和制动，并具有低功耗和高效率的特点。

3. MOS桥堆的特点是功率密度大，反转损耗小，适用于高性能驱动和控制系统。

总结与回顾：通过对二极管、三极管和MOS桥堆的作用和特点进行全面探讨，我们可以发现它们在电子领域中各自扮演着不可替代的角色。

二极管主要用于整流和稳压，三极管用于信号放大和电路控制，MOS桥堆则是功率开关和驱动器件。

它们各自具有独特的特点和优势，为电子设备的正常运行和性能提升提供了重要支撑。

个人观点和理解：在现代科技发展中，电子器件的作用愈发重要，二极管、三极管和MOS桥堆作为电子元件的重要代表，在各自领域中发挥着至关重要的作用。

对于电子工程师和电子爱好者来说，深入理解这些器件的特点和区别，对于设计和应用都有着重要意义。

期待未来这些器件能够在更多领域发挥作用，推动科技的进步和应用的创新。

至此，我们对二极管、三极管和MOS桥堆的作用和区别有了更深入的了解，希望本文能够帮助您对这些电子器件有更清晰的认识。

二极管（diode）和三极管（triode）二极管的应用非常广泛。

几乎所有的电路中，都要用到二极管。

①二极管的特点、原理和表示。

晶体二极管是一个由P型半导体和N型半导体形成的P-N结，在界面处两侧形成空间电荷层，有自建电场。

二极管最重要的特性就是单向导电性。

在正向电压的作用下，导通电阻很小；而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。

当没有外加电压时，由于P-N结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等，这样就处于电平衡状态。

当施加正向电压时，外界电场和自建电场的互相抵消使载流子的扩散电流增加引形成正向电流。

当施加反向电压时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。

当外加的反向电压增高到一定程度，P-N结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，产生大量电子空穴对，产生了数值很大的反向击穿电流，这就是二极管的击穿现象。

二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D8表示编号为8的二极管。

②二极管的分类。

按照所用的半导体材料，可分为硅二极管（Si管）和锗二极管（Ge管）。

按照用途，可分为稳压二极管、开关二极管、检波二极管、整流二极管等。

按照管芯结构，可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。

三极管内部含有2个P-N结，并且具有放大能力的的器件。

①三极管的原理、分类和表示。

三极管顾名思义具有三个电极。

前面我们提到的二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个电极成为三极管的基极（用字母b表示）。

其他的两个电极成为集电极（用字母c表示）和发射极（用字母e表示）。

由于不同的组合方式，形成了一种是NPN型的三极管，另一种是PNP型的三极管。

这两种类型的三极管从工作特性上可互相弥补。

比如OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对使用。

三极管在电路中常用“Q”加数字表示，如：Q10表示编号为10的三极管。

二极管三极管的基础知识二极管和三极管是电子领域中常见的两种元件，它们在电路中起着重要的作用。

本文将从二极管和三极管的基础知识入手，介绍它们的结构、工作原理以及在电子设备中的应用。

一、二极管的基础知识二极管是一种具有两个电极的半导体器件，通常由P型半导体和N 型半导体组成。

它的主要作用是允许电流在一个方向上流动，而阻止电流在另一个方向上流动。

二极管的一个电极称为阳极（Anode），另一个电极称为阴极（Cathode）。

二极管的工作原理是基于PN结的特性。

PN结是指P型半导体和N 型半导体的结合处。

当P型半导体的电子与N型半导体的空穴相遇时，会发生电子与空穴的复合，形成一个带电的区域，这个区域被称为耗尽区。

在耗尽区的两端会形成一个电势差，这个电势差被称为势垒。

当二极管正向偏置时，即阳极连接正极，阴极连接负极，势垒将变得较小，电流可以流过二极管。

而当二极管反向偏置时，即阳极连接负极，阴极连接正极，势垒将变得较大，电流无法流过二极管。

二极管有很多种不同的类型，例如常用的正向工作电压为0.7伏的硅二极管和正向工作电压为0.3伏的锗二极管等。

它们在电子设备中广泛应用，如整流器、稳压器、电压调节器等。

二、三极管的基础知识三极管是一种具有三个电极的半导体器件，通常由P型半导体、N 型半导体和另一种掺杂物较少的P型半导体组成。

它的主要作用是放大电流和控制电流。

三极管的三个电极分别为基极（Base）、发射极（Emitter）和集电极（Collector）。

基极用于控制电流，发射极用于发射电子，集电极用于收集电子。

三极管有两种类型，NPN型和PNP型，它们的构造和工作原理基本相同，只是P型半导体和N型半导体的位置相反。

三极管的工作原理是基于PNP结和NPN结的特性。

当三极管的基极电流较小时，三极管处于截止区，电流无法通过三极管。

当基极电流增大时，会使三极管进入饱和区，电流可以从发射极流向集电极。

三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现的，当基极电流变化时，发射极到集电极的电流也会相应变化。