《电工技术》习题及答案--整流滤波电路
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第一章整流滤波电路
一、填空题
1、(1-1,低)把P型半导体N型半导体结合在一起,就形成PN结。
2、(1-1,低)半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压导通,外加反偏电压截至。
3、(1-1,低)利用二极管的单向导电性,可将交流电变成直流电。
4、(1-1,低)根据二极管的单向导电性性,可使用万用表的R×1K挡测出其正负极,一般其正反向的电阻阻值相差越大越好。
5、(1-1
6、(1-1,低)硅二极管的工作电压为,锗二极管的工作电压为
7、(1-1,中)整流二极管的正向电阻越小,
8、(1-1
9、(1-1
10、(1-1,中)当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为现象雪崩。
11、(1-1
12、(1-2
13、(1-1,中)
)=,单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L U L(AV)=。
14、(1-12种用于其他功能的二极管:,。
15、(1-1
16、(1-2,复合滤波电路。
17、(1-2τ与有关,τ愈大,输出电压脉动愈,输出直流电压也就愈。
18、(1-2 a.延长,b.缩短),
,输出的直流电压幅度也更(a.高,b.低)。
二、选择题
1、(1-1,低)具有热敏特性的半导体材料受热后,半导体的导电性能将。
A、变好
B、变差
C、不变
D、无法确定
2、(1-1,中)P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。
A、硅元素
B、硼元素
C、磷元素
D、锂元素
3、(1-1,中)N型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。
A、硅元素
B、硼元素
C、磷元素
D、锂元素
4、(1-1,难)PN结加正向电压时,空间电荷区将。
A、变窄
B、基本不变
C、变宽
D、无法确定
5、(1-1,低)二极管正向电阻比反向电阻。
A、大
B、小
C、一样大
D、无法确定
6、(1-1,中)二极管的导通条件。
A、u D>0
B、u D>死区电压
C、u D>击穿电压
D、以上都不对
7、(1-1,中)晶体二极管内阻是。
A、常数
B、不是常数
C、不一定
D、没有电阻
8、(1-1,中)电路如图所示,输出电压U O应为。
A、、、10VD、
9、(1-1,中)把一个二极管直接同一个电动势为,内阻为零的电池正向连接,该二极管。A、击穿B、电流为零
C、电流正常
D、电流过大使管子烧坏
10、(1-1,中)下面列出的几条曲线中,哪条表示的理想二极管的伏安特性曲线。
ABCD
11、(1-1,低)二极管的反向饱和电流在室温20o C时是5μA,温度每升高10o C,其反向饱和电流值增大一倍,当温度为30o C时,反向饱和电流值为。
A、5μA
B、10μA
C、20μA
D、30μA
12、(1-1,中)将交流电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是。
A、Uo=Ui
B、Uo=、Uo=、Uo=2Ui
13、(1-1,中)三极管三个极的对地电位分别是-6V、-3V、,则该管是。
A、PNP硅管
B、NPN锗管
C、NPN硅管
D、PNP锗管
14、(1-1,中)NPN型三极管,三个电极的电位分别有V C=,V E=3V,V B=,则该管工作在。
A、饱和区
B、截止区
C、放大区
D、击穿区
15、(1-1,中)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到。
A、R×100Ω或R×1KΩ
B、R×1Ω
C、R×10Ω
D、R×100Ω
16、(1-1,中)当环境温度升高时,二极管的反向电流将。
A、减少
B、增大
C、不变
D、缓慢减少
17、(1-1,中)如图所示,设二极管为理想状态,则电压V AB为。
A、3V
B、6V
C、-3V
D、-6V
18、(1-1,难)如图所示的电路中,理想二极管D1、D2的工作状态为。
A、D1、D2均导通
B、D1截止,D2导通
C、D1、D2均截止
D、D1导通,D2截止
19、(1-1,中)二极管从反向到正向导通所需时间t1,从正向导通到反向截止所需要的时间t2,则t1和t2的关系是
A、相等
B、t1远大于t2
C、t1远小于t2
D、t1略小于t2
20、(1-1,中)将交流220V经单相半波整流电路转换为直流电压的值为。
A、110V
B、×220V
C、2×220V
D、220V
21、(1-1,中)问以下哪种情况中,二极管会导通。
A、B、
C、D、
22、(1-1,难)用万用表测量小功率二极管极性时,应选用。
A、直流电压挡量程5V
B、直流电流挡量程100mA
C、交流电压挡量程10V
D、电阻挡量程R×100
23、(1-1,中)当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时,获得的结果差异较大,这是因为。
A、该管已坏
B、万用表各挡有差异
C、二极管的电阻可变
D、二极管的伏安特性是非线性
24、(1-1,难)二极管在反向截止区的反向电流。
A、随反向电压升高而升高
B、随反向电压升高而急剧升高
C、基本保持不变
D、随反向电压升高而减少
25、(1-1,中)某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时,则该二极管。
A、正常
B、已被击穿
C、内部短路
D、内部开路
26、(1-1,难)已知输入正弦波Ui,欲获取图示输出波形Uo,应选取的合适电路是。
A、B、