《电工技术》习题及答案--整流滤波电路

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精心整理

第一章整流滤波电路

一、填空题

1、(1-1,低)把P型半导体N型半导体结合在一起,就形成PN结。

2、(1-1,低)半导体二极管具有单向导电性,外加正偏电压导通,外加反偏电压截至。

3、(1-1,低)利用二极管的单向导电性,可将交流电变成直流电。

4、(1-1,低)根据二极管的单向导电性性,可使用万用表的R×1K挡测出其正负极,一般其正反向的电阻阻值相差越大越好。

5、(1-1

6、(1-1,低)硅二极管的工作电压为,锗二极管的工作电压为

7、(1-1,中)整流二极管的正向电阻越小,

8、(1-1

9、(1-1

10、(1-1,中)当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为现象雪崩。

11、(1-1

12、(1-2

13、(1-1,中)

)=,单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压U L U L(AV)=。

14、(1-12种用于其他功能的二极管:,。

15、(1-1

16、(1-2,复合滤波电路。

17、(1-2τ与有关,τ愈大,输出电压脉动愈,输出直流电压也就愈。

18、(1-2 a.延长,b.缩短),

,输出的直流电压幅度也更(a.高,b.低)。

二、选择题

1、(1-1,低)具有热敏特性的半导体材料受热后,半导体的导电性能将。

A、变好

B、变差

C、不变

D、无法确定

2、(1-1,中)P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。

A、硅元素

B、硼元素

C、磷元素

D、锂元素

3、(1-1,中)N型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。

A、硅元素

B、硼元素

C、磷元素

D、锂元素

4、(1-1,难)PN结加正向电压时,空间电荷区将。

A、变窄

B、基本不变

C、变宽

D、无法确定

5、(1-1,低)二极管正向电阻比反向电阻。

A、大

B、小

C、一样大

D、无法确定

6、(1-1,中)二极管的导通条件。

A、u D>0

B、u D>死区电压

C、u D>击穿电压

D、以上都不对

7、(1-1,中)晶体二极管内阻是。

A、常数

B、不是常数

C、不一定

D、没有电阻

8、(1-1,中)电路如图所示,输出电压U O应为。

A、、、10VD、

9、(1-1,中)把一个二极管直接同一个电动势为,内阻为零的电池正向连接,该二极管。A、击穿B、电流为零

C、电流正常

D、电流过大使管子烧坏

10、(1-1,中)下面列出的几条曲线中,哪条表示的理想二极管的伏安特性曲线。

ABCD

11、(1-1,低)二极管的反向饱和电流在室温20o C时是5μA,温度每升高10o C,其反向饱和电流值增大一倍,当温度为30o C时,反向饱和电流值为。

A、5μA

B、10μA

C、20μA

D、30μA

12、(1-1,中)将交流电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是。

A、Uo=Ui

B、Uo=、Uo=、Uo=2Ui

13、(1-1,中)三极管三个极的对地电位分别是-6V、-3V、,则该管是。

A、PNP硅管

B、NPN锗管

C、NPN硅管

D、PNP锗管

14、(1-1,中)NPN型三极管,三个电极的电位分别有V C=,V E=3V,V B=,则该管工作在。

A、饱和区

B、截止区

C、放大区

D、击穿区

15、(1-1,中)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把欧姆挡拨到。

A、R×100Ω或R×1KΩ

B、R×1Ω

C、R×10Ω

D、R×100Ω

16、(1-1,中)当环境温度升高时,二极管的反向电流将。

A、减少

B、增大

C、不变

D、缓慢减少

17、(1-1,中)如图所示,设二极管为理想状态,则电压V AB为。

A、3V

B、6V

C、-3V

D、-6V

18、(1-1,难)如图所示的电路中,理想二极管D1、D2的工作状态为。

A、D1、D2均导通

B、D1截止,D2导通

C、D1、D2均截止

D、D1导通,D2截止

19、(1-1,中)二极管从反向到正向导通所需时间t1,从正向导通到反向截止所需要的时间t2,则t1和t2的关系是

A、相等

B、t1远大于t2

C、t1远小于t2

D、t1略小于t2

20、(1-1,中)将交流220V经单相半波整流电路转换为直流电压的值为。

A、110V

B、×220V

C、2×220V

D、220V

21、(1-1,中)问以下哪种情况中,二极管会导通。

A、B、

C、D、

22、(1-1,难)用万用表测量小功率二极管极性时,应选用。

A、直流电压挡量程5V

B、直流电流挡量程100mA

C、交流电压挡量程10V

D、电阻挡量程R×100

23、(1-1,中)当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时,获得的结果差异较大,这是因为。

A、该管已坏

B、万用表各挡有差异

C、二极管的电阻可变

D、二极管的伏安特性是非线性

24、(1-1,难)二极管在反向截止区的反向电流。

A、随反向电压升高而升高

B、随反向电压升高而急剧升高

C、基本保持不变

D、随反向电压升高而减少

25、(1-1,中)某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时,则该二极管。

A、正常

B、已被击穿

C、内部短路

D、内部开路

26、(1-1,难)已知输入正弦波Ui,欲获取图示输出波形Uo,应选取的合适电路是。

A、B、