单片机扩展存储器设计1考 小题
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19 I/O7 18 I/O6 17 I/O5 16 I/O4 15 I/O3
存储器的连接
这是重点内容 译码方法同样适合I/O端口
存储芯片的连接与扩展
存储芯片的数据线 存储芯片的地址线 存储芯片的片选端 存储芯片的读写控制线
每个存储单元存放一位 需要8个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址
DRAM芯片4116
存储容量为16K×1
16个引脚：
7根地址线A6～A0 1根数据输入线DIN 1根数据输出线DOUT 读写控制WE*
VBB 1 DIN 2 WE* 3
RAS* 4
A0 5 A2 6 A1 7 VDD 8
16 VSS 15 CAS*
14 DOUT 13 A6 12 A3 11 A4 10 A5 9 VCC
只读存储器
MROM：掩膜型ROM，其中的信息是厂家根 据给定的程序和数据对芯片进行二次光刻制 成，造价很高；
PROM：可编程ROM，每个基本电路由1个 三极管和串接在射极上的熔丝组成。出厂时， 每位上存储的信息均为1，写入0时，产生大 电流将熔丝烧断完成。由于熔丝烧断后不能 恢复，所以只能编程一次。
① 存储体
注意：存储器芯片的存储容量与地址、 数据线的位数有关： 芯片的存储容量＝2n×m ＝存储单元数×存储单元的位数 n： 芯片的地址线根数 m：芯片的数据线根数
② 地址译码电路
③ 片选和读写控制逻辑
片选端CS*或CE*
有效时，可以对该芯片进行读写操作
读RD*或OE*
控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线
数 据 缓 冲 DB
① 存储体
存储体是由大量的位存储单元按矩阵方式排 列的组合体。每个位存储单元只能存储1位 二进制信息。
存储一个字节的容量被称为1个存储单元。 每个存储单元被赋予一个惟一的编号，即该 单元的地址。
存储单元的容量与地址线位数有关： 2n ＝ N n：地址线位数 N：存储单元的容量
28 Vcc 27 WE* 26 NC 25 A8 24 A9 23 NC 22 OE* 21 A10 20 CE* 19 I/O7 18 I/O6 17 I/O5 16 I/O4 15 I/O3
EEPROM芯片2864A
NC 1
存储容量为8K×8
28个引脚：
13根地址线A12～A0 8 根 数 据 线 I/O7 ～
11根地址线A10～Fra Baidu bibliotek0 8根数据线D7～D0 片选CS* 读写W*、E*
动态RAM
DRAM的基本存储单元是单个场效应管 及其极间电容（记忆元件）；
必须配备“读出再生放大电路”进行刷新； 每次同时对一行的存储单元进行刷新； 每个基本存储单元存储二进制数一位； 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵； DRAM一般采用“位结构”存储体：
存储容量为4K×8 24个引脚：
12根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CE* 读 写 OE*/ 编 程 电 压
VPP
EEPROM
用加电方法，进行在线（无需拔下，直 接在电路中）擦写（擦除和编程一次完 成）；
有字节擦写、块擦写和整片擦写方法； 并行EEPROM：多位同时进行； 串行EEPROM：只有一位数据线。
EEPROM芯片2817A
存储容量为2K×8
28个引脚：
11根地址线A10～A0 8 根 数 据 线 I/O7 ～
I/O0 片选CE*
读写OE*、WE*
NC 1 A12 2 A7 3 A6 4 A5 5 A4 6 A3 7 A2 8 A1 9 A0 10 I/O0 11 I/O1 12 I/O2 13 GND 14
只读存储器
EPROM：可擦除可编程ROM，信息的存储通过 电荷分布决定。刚出厂的芯片中没有电荷，所存 信息为1，写入0时通过加编程电压把电荷注入相 应的基本存储电路实现。当外部能源（紫外线光 源）加到芯片上时，聚集在电路中的电荷形成光 电流泄漏走，改变电荷分布，擦掉0，恢复原始 状态1。
EEPROM：电可擦可编程ROM，在﹢5V电源下 就可在线编写和擦除，是一种特殊的可读写的存 储器。
A7 1 A6 2 A5 3 A4 4 A3 5 A2 6 A1 7 A0 8 DO0 9 DO1 10 DO2 11 Vss 12
24 VDD 23 A8 22 A9 21 VPP 20 OE*
19 A10 18 CE*/PGM
17 DO7 16 DO6 15 DO5 14 DO4 13 DO3
EPROM芯片2732
写WR*
控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线
静态RAM
SRAM的基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 SRAM一般采用“字结构”存储矩阵：
外部电路较简单； 功耗较大。
SRAM芯片6116
存储容量为2K×8 24个引脚：
EPROM
顶部开有一个圆形的石英窗口，用 于紫外线透过擦除原有信息；
一般使用专门的编程器（烧写器） 进行编程；
编程后，应该贴上不透光封条； 出厂未编程前，每个基本存储单元
都是信息1； 编程就是将某些单元写入信息0。
EPROM芯片2716
存储容量为2K×8
24个引脚：
11根地址线A10～A0 8根数据线DO7～DO0 片选/编程CE*/PGM 读写OE* 编程电压VPP
I/O0 片选CE*
读写OE*、WE*
A12 2 A7 3 A6 4 A5 5 A4 6 A3 7 A2 8 A1 9 A0 10 I/O0 11 I/O1 12 I/O2 13 GND 14
28 Vcc
27 WE*
26 NC
25 A8 24 A9 23 A11 22 OE*
21 A10 20 CE*
内部存储器的组成
半导体存储器的分类： 按制造工艺
双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低
按使用功能
随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失
半导体存储器芯片的结构
地地
读
址址 寄译
存储体
写 电
AB 存 码
路
控制电路 RD WR CS
存储器的连接
这是重点内容 译码方法同样适合I/O端口
存储芯片的连接与扩展
存储芯片的数据线 存储芯片的地址线 存储芯片的片选端 存储芯片的读写控制线
每个存储单元存放一位 需要8个存储芯片构成一个字节单元 每个字节存储单元具有一个地址
DRAM芯片4116
存储容量为16K×1
16个引脚：
7根地址线A6～A0 1根数据输入线DIN 1根数据输出线DOUT 读写控制WE*
VBB 1 DIN 2 WE* 3
RAS* 4
A0 5 A2 6 A1 7 VDD 8
16 VSS 15 CAS*
14 DOUT 13 A6 12 A3 11 A4 10 A5 9 VCC
只读存储器
MROM：掩膜型ROM，其中的信息是厂家根 据给定的程序和数据对芯片进行二次光刻制 成，造价很高；
PROM：可编程ROM，每个基本电路由1个 三极管和串接在射极上的熔丝组成。出厂时， 每位上存储的信息均为1，写入0时，产生大 电流将熔丝烧断完成。由于熔丝烧断后不能 恢复，所以只能编程一次。
① 存储体
注意：存储器芯片的存储容量与地址、 数据线的位数有关： 芯片的存储容量＝2n×m ＝存储单元数×存储单元的位数 n： 芯片的地址线根数 m：芯片的数据线根数
② 地址译码电路
③ 片选和读写控制逻辑
片选端CS*或CE*
有效时，可以对该芯片进行读写操作
读RD*或OE*
控制读操作。有效时，芯片内数据输出 该控制端对应系统的读控制线
数 据 缓 冲 DB
① 存储体
存储体是由大量的位存储单元按矩阵方式排 列的组合体。每个位存储单元只能存储1位 二进制信息。
存储一个字节的容量被称为1个存储单元。 每个存储单元被赋予一个惟一的编号，即该 单元的地址。
存储单元的容量与地址线位数有关： 2n ＝ N n：地址线位数 N：存储单元的容量
28 Vcc 27 WE* 26 NC 25 A8 24 A9 23 NC 22 OE* 21 A10 20 CE* 19 I/O7 18 I/O6 17 I/O5 16 I/O4 15 I/O3
EEPROM芯片2864A
NC 1
存储容量为8K×8
28个引脚：
13根地址线A12～A0 8 根 数 据 线 I/O7 ～
11根地址线A10～Fra Baidu bibliotek0 8根数据线D7～D0 片选CS* 读写W*、E*
动态RAM
DRAM的基本存储单元是单个场效应管 及其极间电容（记忆元件）；
必须配备“读出再生放大电路”进行刷新； 每次同时对一行的存储单元进行刷新； 每个基本存储单元存储二进制数一位； 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵； DRAM一般采用“位结构”存储体：
存储容量为4K×8 24个引脚：
12根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CE* 读 写 OE*/ 编 程 电 压
VPP
EEPROM
用加电方法，进行在线（无需拔下，直 接在电路中）擦写（擦除和编程一次完 成）；
有字节擦写、块擦写和整片擦写方法； 并行EEPROM：多位同时进行； 串行EEPROM：只有一位数据线。
EEPROM芯片2817A
存储容量为2K×8
28个引脚：
11根地址线A10～A0 8 根 数 据 线 I/O7 ～
I/O0 片选CE*
读写OE*、WE*
NC 1 A12 2 A7 3 A6 4 A5 5 A4 6 A3 7 A2 8 A1 9 A0 10 I/O0 11 I/O1 12 I/O2 13 GND 14
只读存储器
EPROM：可擦除可编程ROM，信息的存储通过 电荷分布决定。刚出厂的芯片中没有电荷，所存 信息为1，写入0时通过加编程电压把电荷注入相 应的基本存储电路实现。当外部能源（紫外线光 源）加到芯片上时，聚集在电路中的电荷形成光 电流泄漏走，改变电荷分布，擦掉0，恢复原始 状态1。
EEPROM：电可擦可编程ROM，在﹢5V电源下 就可在线编写和擦除，是一种特殊的可读写的存 储器。
A7 1 A6 2 A5 3 A4 4 A3 5 A2 6 A1 7 A0 8 DO0 9 DO1 10 DO2 11 Vss 12
24 VDD 23 A8 22 A9 21 VPP 20 OE*
19 A10 18 CE*/PGM
17 DO7 16 DO6 15 DO5 14 DO4 13 DO3
EPROM芯片2732
写WR*
控制写操作。有效时，数据进入芯片中 该控制端对应系统的写控制线
静态RAM
SRAM的基本存储单元是触发器电路 每个基本存储单元存储二进制数一位 许多个基本存储单元形成行列存储矩阵 SRAM一般采用“字结构”存储矩阵：
外部电路较简单； 功耗较大。
SRAM芯片6116
存储容量为2K×8 24个引脚：
EPROM
顶部开有一个圆形的石英窗口，用 于紫外线透过擦除原有信息；
一般使用专门的编程器（烧写器） 进行编程；
编程后，应该贴上不透光封条； 出厂未编程前，每个基本存储单元
都是信息1； 编程就是将某些单元写入信息0。
EPROM芯片2716
存储容量为2K×8
24个引脚：
11根地址线A10～A0 8根数据线DO7～DO0 片选/编程CE*/PGM 读写OE* 编程电压VPP
I/O0 片选CE*
读写OE*、WE*
A12 2 A7 3 A6 4 A5 5 A4 6 A3 7 A2 8 A1 9 A0 10 I/O0 11 I/O1 12 I/O2 13 GND 14
28 Vcc
27 WE*
26 NC
25 A8 24 A9 23 A11 22 OE*
21 A10 20 CE*
内部存储器的组成
半导体存储器的分类： 按制造工艺
双极型：速度快、集成度低、功耗大 MOS型：速度慢、集成度高、功耗低
按使用功能
随机存取存储器RAM：可读可写、断电丢失 只读存储器ROM：正常只读、断电不丢失
半导体存储器芯片的结构
地地
读
址址 寄译
存储体
写 电
AB 存 码
路
控制电路 RD WR CS