1 (U 1 U 2 U 3 U 4 ) U H U E 霍尔电压的测量结果为: 4 即: U U U U UH UH UE 1 2 3 4 4 返回目录页 操作指南 • 实验装置 • 实验方法与操作 返回目录页 实验装置 返回 实验内容 1、研究霍尔效应及霍尔元件特性 (1)研究UH — IS之间的关系 (2)研究UH — IM之间的关系 (3)测量KH 返回目录页 实验目的 1、了解霍尔效应法测量磁场的原理和方法 2、学习用“异号法”消除副效应产生的系 统误差 3、测绘霍尔元件特性 4、测量磁感应强度B及磁场分布 返回目录页 实验原理 •霍尔效应 •霍尔元件中的附加效应 返回目录页 霍尔效应 当电流垂直于外磁场方向通过导体时,在垂直于 磁场B和电流方向IS的导体的两个端面之间出现电势 差的现象称为霍尔效应,该电势差称为霍尔电势差 (霍尔电压UH)。 B 3. 验证UH与B间的正比关系。 工作电流IS调至6.00mA,调节励磁电流IM由100 至500mA,数据间隔50mA,改变励磁电流和工作 电流的方向,记录U与IM填入数据草表。 下页 实验方法与步骤 4、 测量霍尔灵敏度KH 调节励磁电流为500mA,工作电流为10.00mA, 可测量出B的大小为0.150T,分别测出U1、U2、 U3、U4计算KH 5、测量电磁铁气隙中B的大小及分布情况 (1)将霍尔元件置于气隙中心 (25,15) ,调节 IM=500mA,IS=10.00mA,测量相应的UH (2)水平方向移动霍尔元件由0mm到50mm每次间 隔5mm,记录U,利用公式 U H K H I S B 计算各点B 的大小,并绘出水平方向B-X图形,显示出B的分 布状态。 2、测量电磁铁气隙中磁感应强度B的大小 分布 3、作图 (1) UH — IS关系曲线 (2) UH — IM关系曲线 (3) B—X 曲线 实验方法与步骤 1. 按仪器面板提示连接电路,打开仪器电源,将霍 耳元件调至电磁铁气隙内的中心位置 2. 验证UH与IS间的正比关系。 励磁电流IM调至500mA,调节工作电流IS由2.00 至10.00mA,数据间隔1.00mA,改变励磁电流和 工作电流的方向,记录U与IS填入数据草表。 霍尔效应原理 + + + + + l V d _ _ _ _ _ L fE UH fL Is 示意图如右示。 工作电流 霍尔效应 霍尔电压UH与工作电流IS和磁感应强度B及元 件的厚度d的关系: IS B U H RH d 式中RH为霍尔系数,它与载流子浓度n和载流子电 量q的关系: 1 RH nq 若令霍尔灵敏度KH=RH/d,则 返回 “异号法”消除系统误差 由 U H K H I S B 可知,只要已知KH, 用仪器测出IS和UH,则可求出磁感应强度B的 大小。 为了减小附加效应对测量霍耳电压UH的 影响,我们采用异号法,即将IS和B正反两个 方向组合出四种情况,B的方向决定于励磁 电流IM的方向: “异号法”消除系统误差 返回目录页 大学物理实验 霍尔效应法 测量磁场 主要内容 实验背景 实验原理 操作指南 实验目的 误差消除 基本要求 实验背景 霍尔效应是一种磁电效应,是德国物理学家霍尔 1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。 根据霍尔效应,人们用半导体材料制成霍尔元件, 它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、 输出电压变化大和使用寿命长等优点,因此,在测量、 自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。 通过该实验可以了解霍尔效应的物理原理以及把物 理原理应用到测量技术中的基本过程。 UH KH IS B 返回 霍尔元件中的附加效应 在霍尔效应建立的同时还会伴有其它附加效 应的产生,在霍尔元件上测得的电压是各种附加 电压叠加的结果。 附加电压:不等位电势U0、爱廷豪森效应UE、 能斯脱效应UN和里纪-勒杜克效应US,它们相应的 电压的正负与工作电流IS和磁感应强度B的方向有 关。(详细内容见补充讲义或教材P182-183) 当+IM,+IS时,U1 U H U 0 U E U N U S 当+IM,-IS时,U 2 U H U 0 U E U N U S 当-IM,-IS时,U 3 U H U 0 U E U N U S 当-IM,+IS时, U 4 U H U 0 U E U N U S 返回 基本要求 • 数据记录 • 思考与作业 返回目录页 数据记录 1.请按照实验报告册(乙)自画草 表记录数据 2.实验数据测试完整后由实验老师 检查签字后方可离开实验室 返回 思考与作业 • 根据测量数据分别绘出UH~IS、 UH~IM 的关系图,并用作图法求出磁感应B 的大小 • 判断半导体霍尔元件的导电类型P、N • 由测量百度文库KH计算霍尔元件的载流子浓 度n