07 电子元器件的识别与测试
一、目的
1．了解常用电子元器件（如：电阻、电容、电感、变压器、二极管、三极管、单结管、晶闸管、数码管、接插件、开关、集成电路、电声器件等）的种类、结构、参数、性能等。
2．学会识别、选用、测量、安装各类电子元器件。
二、器材
1．数字万用表。
2．各种常用电子元器件。
3．电子元器件展板。
4．多媒体设备等。
三、电子元器件的识别与测试
特殊的元器件检测需要多种通用或专用测试仪器，一般性的技术改造和电子制作，利用万用表等普通仪表对元器件检测，也可满足制作要求。
1．电阻器
（1）根据电阻器上的标志识别电阻器的阻值。
（2）用万用表准确测量电阻器的阻值。
2．电位器
（1）用万用表测量电位器固定端的阻值。
（2）用万用表检测电位器活动端的性能。
3．电容器
（1）根据电容器的标志识别电容器的容量。
（2）用万用表（具有电容测量档的数字万用表）测量电容器的容量。
（3）小电容（C≤0.1μF）可测短路、断路、漏电故障。常用测电阻的方法：正常情况下，电阻为无穷大，若电阻接近或等于零，则电容短路；若为某一数值，则电容漏电。
（4）电解电容正负极性的判断
①引脚较长的一端为“+”极，引脚较短的一端为“?”极。
②标有“?”标志的一端为“?”极。
③用万用表判断：用红、黑表笔接触电容器的两引脚，记住漏电电流的大小。然后将电容器的正、负引脚短接一下，将红、黑表笔对调后，再测漏电电流，漏电电流小的一次，与黑表笔相接的引脚为“+”极。
（5）注意：由于电容器具有储存电荷的能力，因此，在测量或触摸大电解电容器时，要先将两个引脚短路一下（方法是：手拿带有塑料柄的螺丝刀，然后用金属部分将引脚短路），以将电容器中存储的电荷泻放，否则，可能会损坏测试仪表或出现电击伤人的意外情况。
4．电感器
（1）根据电感器的标志识别电感器的电感量。
（2）用万用表（具有电感测量档的数字万用表）测量电感器的电感量。
（3）电感线圈的测量：可用万用表的欧姆档测线圈的直流电阻，若电阻为零或接近零，则说明线圈短路或局部短路；若电阻为无穷大，则说明线圈断路。
（4）注意：在测电感器时，数字万用表的量程选择很重要，最好选择接近标称电感量的量程去测量；否则测试结果将会与实际值有很大的误差。
5．变压器
（1）初、次级绕组的判别：电源变压器的初级绕组引脚和次级绕组引脚通常是分别从两侧引出的，并且初级绕组多标有220V的字样，次级绕组则标出额定输出值，如：15V、24V、35V等。对于输出变压器，初级绕组电阻值通常大于次级绕组电阻值。
（2）线圈通/断的检测：用万用表检测变压器线圈绕组两个接线端子之间的电阻值，若某个绕组的电阻值为无穷大，则说明该绕组有断路性故障。
若电源变压器发生短路性故障时，主要现象是发热严重和次级输出电压失常。
（3）直流电阻的检测：可用万用表测量变压器绕组的电阻值。一般情况下，输入变压器的电阻值较大，初级多为百欧姆，次级多为1～200Ω。输出变压器的初级多为几十～上百欧姆，次级多为零点几～几欧姆。
6．二极管
（1）二极管简介
二极管（Diode）是常用半导体组件之一。二极管有正、负两个引脚。正端称为阳极A，负端称为阴极K。二极管内部由一个PN结构成，具有单向导电性，电流只能从阳极流向阴极。二极管种类很多，二极管的电路符号如图2-1所示。
图2-1 二极管的电路符号
（2）二极管的识别
①普通二极管：在电路中常用“VD”或“D”表示，有标记的一端为“?”极。
②稳压二极管：在电路中常用“ZD”表示，有标记的一端为“?”极。
③金属封装二极管：螺母部分通常为“?”极。
④发光二极管：通常用引脚长短来识别，长脚为“+”极，短脚为“?”极。还可以用内部电极来识别，一般来说，电极较小、个头较矮的一个为“+”极，电极较大的一个为“?”极。对于贴片发光二极管，有缺口的一端为“?”极。
（3）二极管的测试
①测试二极管的正向压降：用数字万用表的二极管档测试二极管时，红表笔接二极管的“+”极，黑表笔接二极管的“?”极，此时显示屏上即可显示二极管的正向压降值。不同材料的二极管，其正向压降值不同，一般锗管为0.15～0.30V，硅管为0.4～0.70V。
②用万用表的电阻档测试二极管的正、反向电阻值，可以判断二极管的极性和好坏。
③发光二极管LED的测试：将数字万用表拨至二极管档，红表笔接LED的正极，黑表笔接LED的负极，LED发光。也可以将数字万用表拨至H FE档，LED的正、负极分别插入NPN的C、E孔，LED发光。（注意：由于电流较大，点亮时间不要太长）。
7．三极管
（1）三极管简介
晶体三极管（Transistor）也称晶体管或三极管。晶体三极管是双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）的简称，是常用半导体组件之一，具有电流放大和开关作用。三极管种类很多，三极管的结构和电路符号如图2-2所示。
PNP 型三极管 NPN 型三极管
图2-2 三极管的结构和电路符号
（2）三极管引脚的识别
①三极管引脚的排列位置依其品种、型号及功能等不同而异。
②国产中、小功率金属封装三极管：一般在管壳上有一个小凸片，与该凸片相邻最近的引脚为“发射极”（或e ），中间引脚为“基极”（或b ），另一个引脚为“集电极”（或c ）。
③塑料封装三极管：通常的判别方法是三极管平的一面朝上，三个引脚朝向自己，从左到右，依次为e 、b 、c 。但不是所有塑封三极管都按照这种方法判别，其引脚的排列位置依其品种、型号等不同而异。还有一些塑封三极管，有时也会标出e 、b 、c 引脚的名称。
④大功率金属封装三极管：其外壳通常为集电极（或c ），另外两个电极为基极（或b ）和发射极（或e ）。
（3）三极管的测试
①用数字万用表判断三极管的电极：
将数字万用表拨至二极管档，红表笔固定任接某个引脚（假设三极管为NPN 型）用黑表笔依次接触另外两个引脚，测试PN 结的正向压降，如果两次显示值都小于1V ，则红表笔所接的引脚为“基极”（或b ）。其中数值较大的一次，黑表笔所接的为“发射极”（或e ），则另外一个管脚为“集电极”（或c ）。
若是PNP 型三极管，则将红表笔换成黑表笔，方法同上。
②用数字万用表鉴别硅管与锗管：
在①的测试中，若所测的PN 结正向压降值在0.2V 左右（或小于0.4V ），则该管为锗管。若所测的PN 结正向压降值在0.6V 左右，则该管为硅管。
③用数字万用表测量管子的共发射极电流放大系数h FE 或β值：
将万用表拨在h FE 档，可以测出该管的β值。
8．单结管
（1）单结管简介
单结管是单结晶体管（Unijunction Transistor ，UTJ ）的简称，又名双基极二极管，是由一个PN 结和三个电极构成的半导体器件。单结管的结构和电路符号，如图2-3所示。
图2-3 单结管的结构和电路符号
c
b e
c
b
e b 1
b 2
（2）单结管引脚的识别与测试
①金属封装单结管：一般在管壳上有一个小凸片，与该凸片相邻最近的引脚为“发射极”（或e ），中间引脚为“第一基极”（或b 1），另一个引脚为“第二基极”（或b 2）。
②用数字万用表判别单结管的管脚极性：将数字万用表拨至二极管档，红表笔固定任接某个引脚，用黑表笔依次接触另外两个引脚，测试PN 结的正向压降，如果两次显示值都在1V 左右，则红表笔所接的引脚为“发射极”（或e ）。其中数值较大的一次，黑表笔所接的为“第一基极”（或b 1），则另外一个管脚为“第二基极”（或b 2）。
也可用万用表的电阻档判别b 1和b 2极，将数字万用表拨至电阻档，红表笔接e 极，黑表笔依次接触另外两个引脚，分别测试e 极对b 1、b 2极的正向电阻，其中电阻值较大的一次，黑表笔所接的为b 1，则另外一个管脚即为b 2。注意在实际测试时，有时会出现相反的结果，若输出脉冲有特别要求时，可将b 1、b 2极对调使用；若无特别要求时，不需将b 1、b 2极对调。
9．晶闸管
（1）晶闸管简介
晶闸管是晶体闸流管（Thyristor ）的简称，是一种大功率开关型半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。晶闸管具有硅整流器件的特性，能在高电压、大电流条件下工作，且其工作过程可以控制，故被广泛应用在可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变及变频等电子电路中。
晶闸管在电路中常用“SCR”加数字表示，其结构和电路符号如图2-4所示。
图2-4 晶闸管的结构和电路符号
（2）晶闸管引脚的识别与测试
①不同公司生产的单向晶闸管的引脚排列通常不一致，而双向晶闸管的引脚多数是按T2、G 、T1的顺序从左至右排列（电极引脚向下，面对由字的一面）。对于螺栓型封装的晶闸管，通常螺栓是其阳极。
②用数字万用表判别单向晶闸管电极：将数字万用表拨至二极管档，红表笔固定任接某个引脚，用黑表笔依次接触另外两个引脚。如果在两次测试中，一次显示值小于1V ；另一次显示溢出符号，则表明红表笔接的引脚是阴极K 。显示值小于1V 时的一次，红表笔接的引脚是控制极G ，则另一个引脚是阴极K 。
10．开关和连接器
用测量小电阻的方法，可检测开关和连接器的好坏和性能，接触电阻越小越好，接触电阻通常小于1Ω。用高阻档可检测开关和连接器的绝缘性能。
四、内容及步骤
1．用色环标志法识别6只电阻的阻值和误差，并用万用表测试这6只电阻的阻值。
2．识别并测试3只不同类型的电位器。
A G K A G K N N P P
3．识别并测试6只无极性电容和3只电解电容。4．识别并测试6只不同类型的电感器。
5．识别并测试2只变压器。
6．识别并测试6只普通二极管、3只发光二极管。7．识别并测试6只不同类型的三极管。
8．识别并测试3只单结管。
9．识别并测试3只晶闸管。
10.识别并测试3只不同类型的开关。
实验二：常用电力电子器件特性测试 （一）实验目的 （1）掌握几种常用电力电子器件（SCR、GTO、MOSFET、IGBT）的工作特性；（2）掌握各器件的参数设置方法，以及对触发信号的要求。 （二）实验原理 图1.MATLAB电力电子器件模型 MATLAB电力电子器件模型使用的是简化的宏模型，只要求器件的外特性与实际器件特性基本相符。MATLAB电力电子器件模型主要仿真了电力电子器件的开关特性，并且不同电力电子器件模型都具有类似的模型结构。 模型中的电阻Ron和直流电压源Vf分别用来反映电力电子器件的导通电阻和导通时的门槛电压。串联电感限制了器件开关过程中的电流升降速度，模拟器件导通或关断时的动态过程。MATLAB电力电子器件模型一般都没有考虑器件关断时的漏电流。 在MATLAB电力电子器件模型中已经并联了简单的RC串联缓冲电路，在参数表中设置，名称分别为Rs和Cs。更复杂的缓冲电路则需要另外建立。对于MOSFET模型还反并联了二极管，在使用中要注意，需要设置体内二极管的正向压降Vf和等效电阻Rd。对于GTO和IGBT需要设置电流下降时间Tf和电流拖尾时间Tt。 MATLAB的电力电子器件必须连接在电路中使用，也就是要有电流的回路，
但是器件的驱动仅仅是取决于门极信号的有无，没有电压型和电流型驱动的区别，也不需要形成驱动的回路。尽管模型与实际器件工作有差异，但使MATLAB电力电子器件模型与控制连接的时候很方便。MATLAB的电力电子器件模型中含有电感，因此具有电流源的性质，所以在模块参数中还包含了IC即初始电流项。此外也不能开路工作。 含电力电子模型的电路或系统仿真时，仿真算法一般采用刚性积分算法，如ode23tb、ode15s。电力电子器件的模块上，一般都带有一个测量输出端口，通过输出端m可以观测器件的电压和电流。本实验将电力电子器件和负载电阻串联后接至直流电源的两端，给器件提供触发信号，使器件触发导通。 （三）实验内容 （1）在MATLAB/Simulink中构建仿真电路，设置相关参数。 （2）改变器件和触发脉冲的参数设置，观察器件的导通情况及负载端电压、器件电流的变化情况。 （四）实验过程与结果分析 1．仿真系统 Matlab平台 2．仿真参数 （1）Thyristor参数设置： 直流源和电阻参数：
常用电子元器件检 测方法
电子技术实用知识 ( .6.1由朱昌平在网上收集) 常见电子元器件检测方法 元器件的检测是家电维修的一项基本功, 如何准确有效地检测元器件的相关参数, 判断元器件的是否正常, 不是一件千篇一律的事, 必须根据不同的元器件采用不同的方法, 从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说, 熟练掌握常见元器件的检测方法和经验很有必要, 以下对常见电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。 一、电阻器的检测方法: 1固定电阻器的检测。A将两表笔(不分正负)分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提高测量精度, 应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系, 它的中间一段分度较为精细, 因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置, 即全刻度起始的20％～80％弧度范围内, 以使测量更准确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5％、 ±10％或±20％的误差。如不相符, 超出误差范围, 则说明该电阻值变值了。B注意: 测试时, 特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时, 手不要触及表笔和电阻的导电部分; 被检测的电阻从电路中焊下来, 至少要焊开一个头, 以免电路中的其它元件对测试产生影响, 造成测量误差; 色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定, 但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。 2水泥电阻的检测。检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。 3熔断电阻器的检测。在电路中, 当熔断电阻器熔断开路后, 可根据经验作出判断: 若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦, 可断定是其负荷过重, 经过它的电流超过额定值很多倍所致; 如果其表面无任何痕迹而开路, 则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断, 可借助万用表R×1挡来测量, 为保证测量准确, 应将熔断电阻器一端从电路上焊下。若测得的阻值为无穷大, 则说明此熔断电阻器已失效开路, 若测得的阻值与标称值相差甚远, 表明电阻变值, 也不宜再使用。在维修实践中发现, 也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象, 检测时也应予以注意。 4电位器的检测。检查电位器时, 首先要转动旋柄, 看看旋柄转动是否平滑, 开关是否灵活, 开关通、断时”喀哒”声是否清脆, 并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音, 如有”沙沙”声, 说明质量不好。用万用表测试时, 先根据被测电位器阻值的大小, 选择好万用表的合适电阻挡位, 然后可按下述方法进行检测。 A用万用表的欧姆挡测”1”、”2”两端, 其读数应为电位器的标称阻值, 如万用表的指针不动或阻值相差很多, 则表明该电位器已损坏。 B检测电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。用万用表的欧姆档测”1”、”2”(或”2”、”3”)两端, 将电位器的转轴按 逆时针方向旋至接近”关”的位置, 这时电阻值越小越好。再顺时针慢慢旋转轴柄, 电阻值应逐渐增大, 表头中的指针应平稳移动。当轴柄旋至极端位置”3”时, 阻值应接近电位器的标称值。如万用表的指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象, 说明活动触点有接触不良的故障。 5正温度系数热敏电阻(PTC)的检测。检测时, 用万用表R×1挡, 具体可分两步操作: A常温检测(室内温度接近25℃); 将两表笔接触PTC热敏电阻的两引脚测出其实际阻值, 并与标称阻值相对比, 二者相差在±2Ω内即为正常。实际阻值若与标称阻值相差过大, 则说明其性能不良或已损坏。B加温检测; 在常温测试正常的基础上, 即可进行第二步测试—加温检测, 将一热源(例如电烙铁)靠近PTC热敏电阻对其加热, 同时用万用表监测其电阻值是否随温度的升高而增大, 如是, 说明热敏电阻正常, 若阻值无变化, 说明其性能变劣, 不能继续使用。注意不要使热源与PTC热敏电阻靠得过近或直接接触热敏电阻, 以防止将其烫坏。 6负温度系数热敏电阻(NTC)的检测。 (1)、测量标称电阻值Rt 用万用表测量NTC热敏电阻的方法与测量普通固定电阻的方法相同, 即根据NTC热敏电阻的标称阻值选择合适的电阻挡可直接测出Rt的实际值。但因NTC热敏电阻对温度很敏感, 故测试时应注意以下几点: A Rt是生产厂家在环境温度为25℃时所测得的, 因此用万用表测量Rt时, 亦应在环境温度接近25℃时进行, 以保证测试的可信度。B测量功率不得超过规定值, 以免电流热效应引起测量误差。C注意正确操作。测试时, 不要用手捏住热敏电阻体, 以防止人体温度对测试产生影响。 (2)、估测温度系数αt 先在室温t1下测得电阻值Rt1, 再用电烙铁作热源, 靠近热敏电阻Rt, 测出电阻值RT2, 同时用温度计测出此时热敏电阻RT 表面的平均温度t2再进行计算。 7压敏电阻的检测。用万用表的R×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻, 均为无穷大, 否则, 说明漏电流大。若所测电阻很小, 说明压敏电阻已损坏, 不能使用。 8光敏电阻的检测。A用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住, 此时万用表的指针基本保持不动, 阻值接近无穷大。此值越大说明光敏电阻性能越好。若此值很小或接近为零, 说明光敏电阻已烧穿损坏, 不能再继续使用。B将一光源对准光敏电
电器元件符号大全 序号元件名称新符号旧符号 1 继电器K J 2 电流继电器KA LJ 3 负序电流继电器KAN FLJ 4 零序电流继电器KAZ LLJ 5 电压继电器KV YJ 6 正序电压继电器KVP ZYJ 7 负序电压继电器KVN FYJ 8 零序电压继电器KVZ LYJ 9 时间继电器KT SJ 10 功率继电器KP GJ 11 差动继电器KD CJ 12 信号继电器KS XJ 13 信号冲击继电器KAI XMJ 14 继电器KC ZJ 15 热继电器KR RJ 16 阻抗继电器KI ZKJ 17 温度继电器KTP WJ 18 瓦斯继电器KG WSJ 19 合闸继电器KCR或KON HJ 20 跳闸继电器KTR TJ 21 合闸继电器KCP HWJ 22 跳闸继电器KTP TWJ 23 电源监视继电器KVS JJ 24 压力监视继电器KVP YJJ 25 电压继电器KVM YZJ 26 事故信号继电器KCA SXJ 27 继电保护跳闸出口继电器KOU BCJ 28 手动合闸继电器KCRM SHJ 29 手动跳闸继电器KTPM STJ 30 加速继电器KAC或KCL JSJ 31 复归继电器KPE FJ 32 闭锁继电器KLA或KCB BSJ 33 同期检查继电器KSY TJJ 34 自动准同期装置ASA ZZQ 35 自动重合闸装置ARE ZCJ 36 自动励磁调节装置A VR或AA VR ZTL 37 备用电源自动投入装置AA TS或RSAD BZT 38 按扭SB AN 39 合闸按扭SBC HA 40 跳闸按扭SBT TA 41 复归按扭SBre或SBR FA 42 试验按扭SBte Y A
电路板老化标准 为了达到满意的合格率，几乎所有产品在出厂前都要先藉由老化。制造商如何才能够在不缩减老化时间的条 件下提高其效率？本文介绍在老化过程中进行功能测试的新方案，以降低和缩短老化过程所带来的成本和时间问题。 在半导体业界，器件的老化问题一直存在各种争论。像其它产品一样，半导体随时可能因为各种原因而出现故障，老化就是藉由让半导体进行超负荷工作而使缺陷在短时间内出现，避免在使用早期发生故障。如果不藉由老化，很多半导体成品由于器件和制造制程复杂性等原因在使用中会产生很多问题。 在开始使用后的几小时到几天之内出现的缺陷(取决于制造制程的成熟程度和器件总体结构)称为早期故障，老化之后的器件基本上要求100%消除由这段时间造成的故障。准确确定老化时间的唯一方法是参照以前收集到的老化故障及故障分析统计数据，而大多数生产厂商则希望减少或者取消老化。 老化制程必须要确保工厂的产品 满足用户对可靠性的要求，除此之外， 它还必须能提供工程数据以便用来改 进器件的性能。 一般来讲，老化制程藉由工作环 境和电气性能两方面对半导体器件进 行苛刻的试验使故障尽早出现，典型 的半导体寿命曲线如右图。由图可见， 主要故障都出现在器件寿命周期开始 和最后的十分之一阶段。老化就是加 快器件在其寿命前10%部份的运行过 程，迫使早期故障在更短的时间内出 现，通常是几小时而不用几月或几年。 不是所有的半导体生 产厂商对所有器 件都需要进行老化。普通器件制造由 于对生产制程比较了解，因此可以预先掌握藉由统计得出的失效预计值。如果实际故障率高于预期值，就需要再作老化，提高实际可靠性以满足用户的要求。 本文介绍的老化方法与 10 年前几乎一样，不同之处仅仅在于如何更好地利用老化时间。提高温度、增加动态信号输入以及把工作电压提高到正常值以上等等，这些都是加快故障出现的通常做法；但如果在老化过程中进行测试，则老化成本可以分摊一部份到功能测试上，而且藉由对故障点的监测还能收集到一些有用信息，从总体
常用电子元器件检测方法与技巧
民常用电子元器件检测方法与技巧元器件的检测是家电维修的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件的正常与否。特别对初学者来说，熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要，以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。 一、电阻器的检测方法与经验： 1固定 1固定电容器的检测 A检测10pF以下的小电容 因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。B检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。应注意的是：在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。C对于001μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。 2电解电容器的检测 A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。 B将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度(对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大)，接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。C对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是
一、外观质量检查 拿到一个电子元器件之后，应看其外观有无明显损坏。比如变压器，要看其所有引线有否折断，外表有无锈蚀，线包、骨架有无破损等。又如三极管，要看其外表有无破损，引脚有无折断或锈蚀，还要检查一下器件上的型号是否清晰可辨。对于电位器、可变电容器之类的可调元件，还要检查在调节范围内，其活动是否平滑、灵活，松紧是否合适，无机械噪声，手感好，并保证各触点接触良好。 各种不同的电子元器件都有自身的特点和要求，爱好者平时应多了解一些有关各元件的性能和参数、特点，积累经验。 二、电气性能的筛选 要保证试制的电子装置能够长期稳定地通电工作，并且经得起应用环境和其他可能因素的考验，这是对电子元器件的筛选必不可少的一道工序。所谓筛选，就是对电子元器件施加一种应力或多种应力试验，暴露元器件的固有缺陷而不破坏它的完整性。筛选的理论是：如果试验及应力等级选择适当，劣质品会失效，而优良品则会通过。人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件，在刚投入使用的时候，一般失效率较高，叫做早期失效，经过早期失效后，电子元器件便进入了正常的使用期阶段，一般来说，在这一阶段中，电子元器件的失效率会大大降低。过了正常使用阶段，电子元器件便进入了耗损老化期阶段，那将意味着寿终正寝。这个规律，恰似一条浴盆曲线，人们称它为电子元器件的效能曲线。 电子元器件失效，是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺措施不当而引起的。元器件的早期失效十分有害，但又不可避免。因此，人们只能人为地创造早期工作条件，从而在制成产品前就将劣质品剔除，让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段，减少失效，增加其可靠性。 在正规的电子工厂里，采用的老化筛选项目一般有：高温存储老化；高低温循环老化；高低温冲击老化和高温功率老化等。其中高温功率老化是给试验的电子元器件通电，模拟实际工作条件，再加上＋80℃～＋180℃的高温经历几个小时，它是一种对元器件多种潜在故障都有检验作用的有效措施，也是目前采用得最多的一种方法。对于业余爱好者来说，在单件电子制作过程中，是不太可能采取这些方法进行老化检测的，在大多数情况下，采用了自然老化的方式。例如使用前将元器件存放一段时间，让电子元器件自然地经历夏季高温和冬季低温的考验，然后再来检测它们的电性能，看是否符合使用要求，优存劣汰。对于一些急用的电子元器件，也可采用简易电老化方式，用一台输出电压可调的脉动直流电源，使加在电子元器件两端的电压略高于元件额定值的工作电压，调整流过元器件的电流强度，使其功
各种常用电子元件符号 二极管变容二极管 表示符号:D 表示符号:D 双向触发二极管稳压二极管 表示符号:D 表示符号:ZD,D 稳压二极管桥式整流二极管表示符号:ZD,D 表示符号:D
肖特基二极管隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管 发光二极管双色发光二极管 表示符号：LED 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极管单结晶体管（双基极二极管）表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT
复合三极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT PNP型三极管PNP型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT NPN型三极管带阻尼二极管NPN型三极管表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型三极管 表示符号：Q,VT 表示符号：Q,VT
带阻尼二极管IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 电子元器件符号图形 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS
电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表示符号：R 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 电位器可调电阻 表示符号:VR，RP,W 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻二脚消磁电阻 表示符号：RT 表示符号：RT 压敏电阻表示符号：RZ,VAR 热敏电阻表示符号：RT
光敏电阻电容（有极性电容）CDS 表示符号： 电容（有极性电容）可调电容 表示符号：C 表示符号：C 电容（无极性电容）四端光电光电耦合器 表示符号：C 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 电子元器件符号图形
老化测试老化试验 老化检测是可靠性检测的一部分，是模拟产品在现实使用条件中涉及到的各种因素对产品产生老化的情况进行相应条件加强实验的过程。 主要通过使用各种环境试验设备模拟气候环境中的高温、低温、高温高湿以及温度变化等情况，加速激发产品在使用环境中可能发生的失效，来验证其是否达到在研发、设计、制造中的预期的质量目标，从而对产品整体进行评估，以确定产品可靠性寿命。老化检测正是可靠性测试的重要部分。 一、主要的测试范围包括： 材料寿命推算 冷热冲击 盐雾测试 快速温变 老化检测气候老化（自然气候暴晒试验，人工气候老化） 紫外老化检测 臭氧老化检测 老化试验湿热老化检测 氙灯老化检测 碳弧灯老化检测 二、重点检测项目 1、紫外老化检测 采用荧光紫外灯为光源（有UVA,UVB不同型号灯源），通过模拟自然阳光中的紫外辐射和冷凝，对材料进行加速耐气候性试验，以获得材料耐候性的结果。 紫外老化测试，可以再现阳光、雨水和露水所产生的破坏。设备通过将待测材料曝晒放在经过控制的阳光和湿气的交互循环中，同时提高温度的方式来进行试验。试验设备采用紫外线荧光灯模拟阳光，同时还可以通过冷凝或
喷淋的方式模拟湿气影响。用来评估材料在颜色变化、光泽、裂纹、起泡、催化、氧化等方面的变化。 紫外老化试验机并不模拟全光谱太阳光，但是却模拟太阳光的破坏作用。通过把荧光灯管的主要辐射控制在太阳光谱的紫外波段来实现。这种方式是有效的，因为短波紫外线是造成户外材料老化的最主要因素。 2、盐雾老化检测 盐雾试验是一种主要利用盐雾试验设备所创造的人工模拟盐雾环境条件来考核产品或金属材料耐腐蚀性能的环境试验。 盐雾试验分为：天然环境暴露试验；人工加速模拟盐雾环境试验。 人工模拟盐雾试验： 包括中性盐雾试验、醋酸盐雾试验、铜盐加速醋酸盐雾试验、交变盐雾试验。 3、臭氧老化检测 臭氧老化就是将试样暴露于密闭无光照的含有恒定臭氧浓度的空气和恒温的试验箱中，按预定时间对试样进行检测，从试样表面发生的龟裂或其它性能的变化程度，以评定试样的耐臭氧老化性能。 臭氧老化分为静态拉伸测试和动态拉伸测试，在这个测试中臭氧浓度、温度、试样定伸比是非常重要的三个参数。 4、湿热老化检测 湿热老化检测适用于可能在温暖潮湿的环境中使用的产品，湿度试验、恒定湿热、交变湿热，是可靠性测试的一种。 试验的目的：检验产品对温暖潮湿的环境的适应能力。对塑性材料、PCB、PCBA多孔性材料或成品等而言,各种不同材料对温度与湿气有不同形态之物理反应，温度所产生效应多为塑性变形或产品过温或低温启动不良等等,多孔性材料在湿度环境下会应毛细孔效应而出现表面湿气吸附,渗入、凝结等情形，在低湿环境中会因静电荷累积效应诱发产品出现失效。 常见湿度效应：物理强度的丧失、化学性能的改变、绝缘材料性能的退化、电性短路、金属材料氧化腐蚀、塑性的丧失、加速化学反应、电子组件的退化等现象。
文字符 仪表P 电流表 PA 电压表 PV 有功电度表 PJ 无功电度表 PJR 频率表 PF 相位表 PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF 有功功率表 PW 无功功率表 PR 无功电流表PAR 信号灯H 声信号 HA 光信号 HS 指示灯 HL 红色灯 HR 绿色灯 HG 黄色灯 HY 蓝色灯 HB 白色灯 HW 连接X 连接片 XB 插头 XP 插座 XS 端子板 XT 母线W 电线,电缆,母线 W 直流母线 WB 插接式(馈电)母线 WIB 电力分支线 WP 照明分支线 WL 应急照明分支线 WE 电力干线 WPM 照明干线 WLM 应急照明干线 WEM 滑触线 WT 合闸小母线 WCL 控制小母线 WC 信号小母线 WS 闪光小母线 WF 事故音响小母线 WFS 预告音响小母线 WPS 电压小母线 WV 事故照明小母线 WELM 熔断F 避雷器 F 熔断器 FU 快速熔断器 FTF 跌落式熔断器 FF 限压保护器件 FV 电容C 电容器 C 电力电容器 CE 接触开关S 正转按钮 SBF 反转按钮 SBR 停止按钮 SBS 紧急按钮 SBE 试验按钮 SBT 复位按钮 SR 限位开关 SQ 接近开关 SQP 手动控制开关 SH 时间控制开关 SK 液位控制开关 SL 湿度控制开关 SM 压力控制开关 SP 速度控制开关 SS 温度控制开关,辅助开关 ST 电压表切换开关 SV 电流表切换开关 SA 整流U 整流器 U 可控硅整流器 UR 控制电路有电源的整流器 VC 变频器 UF 变流器 UC 逆变器 UI 电机M 电动机 M 异步电动机 MA 同步电动机 MS 直流电动机 MD 绕线转子感应电动机MW鼠笼型电动机 MC 执行器Y 电动阀 YM 电磁阀 YV 防火阀 YF 排烟阀 YS 电磁锁 YL 跳闸线圈 YT 合闸线圈 YC 气动执行器 YPA,YA 电动执行器 YE 电阻R 电阻器,变阻器 R 电位器 RP 热敏电阻 RT 光敏电阻 RL 压敏电阻 RPS 接地电阻 RG 放电电阻 RD 启动变阻器 RS 频敏变阻器 RF 限流电阻器 RC 电感L 感应线圈,电抗器 L 励磁线圈 LF 消弧线圈 LA 滤波电容器 LL 电热E
常用电子元件符号及用途 1、常用电子元件介绍(电源部份 电阻器、电解电容、陶瓷电容、整流二极管、三极管、发光二极管、保险管2、分类讲述 2.1 电阻器2.1.1表示符号: 2.1.2单位:Ω(欧姆 2.1.3产品分类:色环电阻、水泥电阻、贴片电阻、大功率绕线式电阻等等2.1.4阻值判断方法: 除色环电阻外,其它均可参照供应商印字或资料可判断出阻值及公差; 色环电阻阻值判断方法: 棕红橙黄绿兰紫灰白黑 1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 色环公差值表示法: 四色环:金±5% 银±10%(最后一位 五色环:棕±1% 红±2% 绿色±0.5% 兰色±0.25% 紫色±0.1%(最后一位 例:4色环 红红黄金
2 2 4(0的个数 ±5% 即:220000=220K±5% 例:5色环 黄紫绿棕棕 4 7 5 0的个数±1% 即:4750±1% 说明:4色环第一、二位为有效数值,第三位为0的个数,第4位为公差(金:±5% 银±10% 5色环第一、二、三位为有效数值,第四位为0的个数,第5位为公差(棕±1% 红±2% 绿色±0.5% 兰色±0.25% 紫色±0.1% 2.1.5用途:串联分流,并联分压 2.2 电解电容 2.2.1 表示符号 2.2.2 单位:F(法 uF(微法nF(呐法pF(皮法1F=106uF 1 uF=103 nF=106 pF 2.2.3 产品分类 按结构:固定电容,可变电容,微调电容 按介质:气体介质、液体介质、无机固体介质、有机固体介质 按极性:有极性、无极性 容量及耐压判别方法:直接识别本身标示
2.2.4 用途:隔直流通交流,常用于耦合,滤波去耦等等. 2.3陶瓷电容 2.2.1表示符号 2.2.2单位:同电解电容一样 2.2.3 产品分类:按容量及耐压不同而分类,由薄瓷片两面镀金属膜组成,其作用和电解电容相近2.4 整流二极管 2.4.1 表示符号 2.4.2 单位:以电流的电压来衡量,如多少伏电压,多少安培电流. 2.4.3 产品分类:按电流大小及耐压高低分类. 2.4.4 用途:交流电压转变为直流电压. 2.5 三极管 2.5.1表示符符号 (NPN型 (PNP型 2.5.2单位: 以电流的电压放大倍数(HFE来衡量 2.5.3产品分类
二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 隧道二极管 隧道二极管光敏二极管或光电接收二极 管 发光二极管 表示符号：LED 双色发光二极管 表示符号：LED
光敏三极管或光电接收三极管表示符号：Q,VT 单结晶体管（双基极二极管） 表示符号：Q,VT 复合三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型 三极管 表示符号：Q,VT IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应 管 表示符号：Q,VT
接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻表 示符号：R 电阻电阻器或固定电阻表 示符号：R 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻 表示符号:VR，RP,W 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻表示符号：RT 二脚消磁电阻 表示符号：RT 压敏电阻 表示符号：RZ,VAR 热敏电阻 表示符号：RT
光敏电阻CDS 电容（有极性电容） 表示符号： 电容（有极性电容） 表示符号：C 可调电容 表示符号：C 电容（无极性电容）表示符号：C 四端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 单向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 双向可控硅(晶闸管) 晶振石英晶体振荡器 表示符号：X
德信诚培训网 更多免费资料下载请进：https://www.doczj.com/doc/4612550261.html, 好好学习社区 电子元器件可靠性试验规范 目 录 4.1 高温反向偏压试验 ------------------------------------ 第4页 4.2 压力蒸煮试验 ------------------------------------ 第6页 4.3 正向工作寿命试验 ------------------------------------ 第7页 4.4 高温储存试验 ------------------------------------ 第8页 4.5 低温储存试验 ------------------------------------ 第9页 4.6 温度循环试验 ------------------------------------ 第10页 4.7 温度冲击试验 ------------------------------------ 第11页 4.8 耐焊接热试验 ------------------------------------ 第12页 4.9 可焊性度试验 ------------------------------------ 第13页 4.10 拉力试验 ------------------------------------ 第14页 4.11 弯曲试验 ------------------------------------ 第15页 4.12 稳态湿热试验 ------------------------------------ 第18页 4.13 变温变湿试验 ------------------------------------ 第20页 4.14 正向冲击电流(浪涌电流)试验 -------------------------- 第23页
常用电气元件文字符号表 发电机的缩写符号是什么？电压小母线的符号又是什么，通过下表即可了解，感谢开关114提供。
各种配电箱的符号 civilcn高压开关柜AH高压计量柜AM高压配电柜AA高压电容柜AJ低压电力配电箱柜AP低压照明配电箱柜AL应急电力配电箱柜APE应急照明配电箱柜ALE低压负荷开关箱柜AF低压电容补偿柜ACC或ACP直流配电箱柜AD 操作信号箱柜AS控制屏台箱柜AC继电保护箱柜AR计量箱柜AW励磁箱柜AE低压漏电断路器箱柜ARC双电源自动切换箱柜AT多种电源配电箱柜AM 刀开关箱柜AK电源插座箱AX建筑自动化控制器箱ABC火灾报警控制器箱AFC设备监控器箱ABC住户配线箱ADD信号放大器箱ATF分配器箱AVP 接线端子箱AXT这个定义很不错。 矿用铠装控制电缆； MKVV22,MKVV322*0.5,3*0.75,4*4,------37*1.5mm铠装控制电缆；KVV22,KVV32,KVVR222*0.5,3*0.75,4*4,------37*1.5mm铠装屏蔽控制电缆 KVVP-22,RVVP-22,KVVRP-22,KVVP2-22,KVVRP2-222*0.5,3*0.75,4* 4,------37*1.5mm铠装阻燃控制电 缆;ZR-KVV22,ZR-KVV32,ZR-KVVR222*0.5,3*0.75,4*4,------37*1.5 mm铠装阻燃屏蔽控制电 缆;ZR-KVVP22,ZR-KVVRP22,ZR-KVVP2-22,ZR-KVVRP2-222*0.5,3*0. 75,4*4,------37*1.5mm铠装通信电 缆;HYA22,HYA23,HYA53,HYV22,HYV23 5对,10对------2400 对,0.4-0.5-0.6-0.7-0.8-0.9线径铠装充油通信电 缆;HYAT22,HYAT23,NYAT53 5对,10对------800对 0.4-0.5-0.6-0.7-0.8-0.9线径铠装阻燃通信电 缆;ZR-HYA22,ZR-HYA23,ZR-HYA53,WDZ-HYA23,WDZ-HYA535对,10对------2400对,0.4-0.5-0.6-0.7-0.8-0.9线径矿用铠装阻燃通信电 缆;MHYA22,MHYV22,MHYA32,MHYV325对,10对------200 对,0.5-0.6-0.7-0.8-0.9-1.0线径铠装计算机电缆； DJYVP22,ZR-DJYVP22,DJYVRP22,DJYPV22,ZR-DJYPV22DJYPVR22DJ
电子元器件老化标准 YKK standardization office【 YKK5AB- YKK08- YKK2C- YKK18】
一、外观质量检查 拿到一个电子元器件之后，应看其外观有无明显损坏。比如变压器，要看其所有引线有否折断，外表有无锈蚀，线包、骨架有无破损等。又如三极管，要看其外表有无破损，引脚有无折断或锈蚀，还要检查一下器件上的型号是否清晰可辨。对于电位器、可变电容器之类的可调元件，还要检查在调节范围内，其活动是否平滑、灵活，松紧是否合适，无机械噪声，手感好，并保证各触点接触良好。 各种不同的电子元器件都有自身的特点和要求，爱好者平时应多了解一些有关各元件的性能和参数、特点，积累经验。 二、电气性能的筛选 要保证试制的电子装置能够长期稳定地通电工作，并且经得起应用环境和其他可能因素的考验，这是对电子元器件的筛选必不可少的一道工序。所谓筛选，就是对电子元器件施加一种应力或多种应力试验，暴露元器件的固有缺陷而不破坏它的完整性。筛选的理论是：如果试验及应力等级选择适当，劣质品会失效，而优良品则会通过。人们在长期的生产实践中发现新制造出来的电子元器件，在刚投入使用的时候，一般失效率较高，叫做早期失效，经过早期失效后，电子元器件便进入了正常的使用期阶段，一般来说，在这一阶段中，电子元器件的失效率会大大降低。过了正常使用阶段，电子元器件便进入了耗损老化期阶段，那将意味着寿终正寝。这个规律，恰似一条浴盆曲线，人们称它为电子元器件的效能曲线。 电子元器件失效，是由于在设计和生产时所选用的原材料或工艺措施不当而引起的。元器件的早期失效十分有害，但又不可避免。因此，人们只能人为地创造早期工作条件，从而在制成产品前就将劣质品剔除，让用于产品制作的元器件一开始就进入正常使用阶段，减少失效，增加其可靠性。 在正规的电子工厂里，采用的老化筛选项目一般有：高温存储老化；高低温循环老化；高低温冲击老化和高温功率老化等。其中高温功率老化是给试验的电子元器件通电，模拟实际工作条件，再加上＋80℃～＋180℃的高温经历几个小时，它是一种对元器件多种潜在故障都有检验作用的有效措施，也是目前采用得最多的一种方法。对于业余爱好者来说，在单件电子制作过程中，是不
电子元器件符号 电气符号大全 电路图符号大全 导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用?、K?、M?表示。 一、电阻的型号命名方法： 国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻 电子元器件基础知识（2）——电容 电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF 电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 电子元器件基础知识（3）——电感线圈 电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。 电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。 电感线圈的主要特性参数1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。 电子元器件基础知识（4）——半导体器件 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-
各种电子元件符号 普通的二极管 表示符号:D 变容二极管 表示符号:D 双向触发二极管 表示符号:D 稳压二极管 表示符号:ZD,D 稳压二极管注：单向型TVS 瞬态电压抑制二极管也是这 个符号表示符号:ZD,D 桥式整流二极管 表示符号:D 肖特基二极管隧道二极管隧道二极管 光敏二极管或光电接收二极 管 发光二极管 表示符号：LED 双色发光二极管 表示符号：LED 光敏三极管或光电接收三极 管 单结晶体管（双基极二极管） 表示符号：Q,VT 复合三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT
表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT PNP型三极管 表示符号：Q,VT NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管NPN型三极管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管及电阻NPN型 三极管 表示符号：Q,VT IGBT 场效应管 表示符号：Q,VT 带阻尼二极管IGBT 场效应 管 表示符号：Q,VT 双向型TVS瞬态电压抑制二 极管 接面型场效应管P-JFET 接面型场效应管N-JFET 场效应管增强型P-MOS 场效应管增强型N-MOS 场效应管耗尽型P-MOS 场效应管耗尽型N-MOS 电阻电阻器或固定电阻表电阻电阻器或固定电阻表
示符号：R 示符号：R 电位器 表示符号:VR，RP,W 可调电阻或微调电阻 表示符号:VR，RP,W 可调电阻或微调电阻 表示符号:VR，RP,W 电位器 表示符号:VR，RP,W 三脚消磁电阻 表示符号：RT 二脚消磁电阻 表示符号：RT 压敏电阻 表示符号：RZ,VAR 热敏电阻 表示符号：RT 光敏电阻 CDS 电容（有极性电容） 表示符号： 电容（有极性电容） 表示符号：C 可调电容 表示符号：C 电容器（无极性电容） 表示符号：C 四端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 六端光电光电耦合器 表示符号：IC，N 半导体放电管（固体放电管）
电子元件符号及字母表示 电流表 PA 电压表 PV 有功电度表 PJ 无功电度表 PJR 频率表 PF 相位表 PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF 有功功率表 PW 无功功率表 PR 无功电流表 PAR 声信号 HA 光信号 HS 指示灯 HL 红色灯 HR 绿色灯 HG 黄色灯 HY 蓝色灯 HB 白色灯 HW 连接片 XB 插头 XP 插座 XS 端子板 XT 电线,电缆,母线 W 直流母线 WB 插接式(馈电)母线 WIB 电力分支线 WP 照明分支线 WL 应急照明分支线 WE 电力干线 WPM 照明干线 WLM 应急照明干线 WEM 滑触线 WT 合闸小母线 WCL 控制小母线 WC 信号小母线 WS 闪光小母线 WF 事故音响小母线 WFS 预告音响小母线 WPS 电压小母线 WV 事故照明小母线 WELM
避雷器 F 熔断器 FU 快速熔断器 FTF 跌落式熔断器 FF 限压保护器件 FV 电容器 C 电力电容器 CE 正转按钮 SBF 反转按钮 SBR 停止按钮 SBS 紧急按钮 SBE 试验按钮 SBT 复位按钮 SR 限位开关 SQ 接近开关 SQP 手动控制开关 SH 时间控制开关 SK 液位控制开关 SL 湿度控制开关 SM 压力控制开关 SP 速度控制开关 SS 温度控制开关,辅助开关 ST 电压表切换开关 SV 电流表切换开关 SA 整流器 U 可控硅整流器 UR 控制电路有电源的整流器 VC 变频器 UF 变流器 UC 逆变器 UI 电动机 M 异步电动机 MA 同步电动机 MS 直流电动机 MD 绕线转子感应电动机 MW 鼠笼型电动机 MC 电动阀 YM 电磁阀 YV 防火阀 YF 排烟阀 YS 电磁锁 YL 跳闸线圈 YT 合闸线圈 YC 气动执行器 YPA,YA 电动执行器YE 发热器件(电加热) FH 照明灯(发光器件) EL 空气调节器 EV 电加热器加热元件 EE 感应线圈,电抗器 L 励磁线圈 LF 消弧线圈 LA 滤波电容器 LL
电子元器件的老化测试 为了达到满意的合格率，几乎所有产品在出厂前都要先藉由老化。制造商如何才能够在不缩减老化时间的条件下提高其效率？本文介绍在老化过程中进行功能测试的新方案，以降低和缩短老化过程所带来的成本和时间问题。在半导体业界，器件的老化问题一直存在各种争论。像其它产品一样，半导体随时可能因为各种原因而出现故障，老化就是藉由让半导体进行超负荷工作而使缺陷在短时间内出现，避免在使用早期发生故障。如果不藉由老化，很多半导体成品由于器件和制造制程复杂性等原因在使用中会产生很多问题。在开始使用后的几小时到几天之内出现的缺陷(取决于制造制程的成熟程度和器件总体结构)称为早期故障，老化之后的器件基本上要求100%消除由这段时间造成的故障。准确确定老化时间的唯一方法是参照以前收集到的老化故障及故障分析统计数据，而大多数生产厂商则希望减少或者取消老化。 老化制程必须要确保工厂的产品满足用户对可靠性的要求，除此之外，它还必须能提供工程数据以便用来改进器件的性能。一般来讲，老化制程藉由工作环境和电气性能两方面对半导体器件进行苛刻的试验使故障尽早出现，典型的半导体寿命曲线如右图。由图可见，主要故障都出现在器件寿命周期开始和最后的十分之一阶段。老化就是加快器件在其寿命前10%部份的运行过程，迫使早期故障在更短的时间内出现，通常是几小时而不用几月或几年。不是所有的半导体生产厂商对所有器件都需要进行老化。普通器件制造由于对生产制程比较了解，因此可以预先掌握藉由统计得出的失效预计值。如果实际故障率高于预期值，就需要再作老化，提高实际可靠性以满足用户的要求。本文介绍的老化方法与10年前几乎一样，不同之处仅仅在于如何更好地利用老化时间。提高温度、增加动态信号输入以及把工作电压提高到正常值以上等等，这些都是加快故障出现的通常做法；但如果在老化过程中进行测试，则老化成本可以分摊一部份到功能测试上，而且藉由对故障点的监测还能收集到一些有用信息，从总体上节省生产成本，另外，这些信息经统计后还可证明找出某个器件所有早期故障所需的时间是否合适。过去的老化系统进行老化的第一个原因是为了提高半导体器件的可靠性，目前为止还没有其它的替代方法。老化依然是在高温室(通常125℃左右)内进行，给器件加上电子偏压，大部份时候还使用动态驱动信号。很多公司想减少或者全部取消老化，但是他们又找不到其它可靠的替代方法能够在产品到达客户之前把有早期故障的剔除掉，所以看来老化还会长久存在下去。半导体生产厂商另外也希望藉由老化做更多的事，而不是浪费宝贵时间被动地等待组件送来做老化。过去的老化系统设计比较简单。10年以前，老化就是把一个器件插入老化板，再把老化板放入老化室，给老化板加上直流偏压(静态老化)并升高温度，168 个小时之后将器件取出进行测试。如果经100%测试后仍然性能完好，就可以保证器件质量可靠并将其发送给用户。如果器件在老化时出现故障，则会被送去故障分析实验室进行分析，这可能会需要几周的时间。实验室提供的数据将用来对设计和生产制程进行细微调节，但这也表明对可能出现的严