电子科技大学微固考研复试经验
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半导体集成电路
1.考试的总体要求
以CMOS集成电路为主线,重点考察CMOS集成电路的基本制造工艺、集成电路中MOS晶体管及其寄生效应、CMOS集成电路中的无源元件、MOS 反相器、MOS基本逻辑单元、存储器、模拟集成电路中的基本单元电路、集成电路设计方法等内容,各部分内容分值分布较均匀。
2.考试的形式与试卷结构
试卷分值:100分;
考试时间:120分钟;
答题方式:闭卷。
题型结构以及其它要求:题型包括名词解释、简答和计算题,可携带计算器。
3.参考书目
《半导体集成电路》朱正涌清华大学2000。
距离考研真正结束已经有快三个月了,好久没来逛论坛了,记得那时迷茫的我在论坛中一个个找帖子看,只要看到“微固”就一定会点进来看,找资料,请教学长……现在,终于告别了我的考研岁月~~~有辛酸,有汗水,更有一份份感动,这其中的滋味,只有走过这段路的人才能真正体会得到!我想说,走过这段路的战友,不管结果如何,你们是真正的英雄!当你选择这条路的时候,其实你应经成功的战胜了自己!说实话,我是二战过来的,第一年考的是苏州大学微电子,可惜败在了专业课上(虽然说专业课并不是很公平,自己复习的不好也是一个重要原因),之后就是毕业找工作,刚毕业出来什么都不懂,关键是工作又不是自己喜欢的,所以工作了三个月后我决定再考!八月份,又回到熟悉的学校,熟悉的图书馆,记得坐在图书馆的第一个晚上,环顾四周,曾经的战友都不在了,一幅幅陌生的面孔,晚上从图书馆出来我哭了,不知道是什么感觉,就是控制不住我的泪水,心里的委屈无法倾诉,熟悉的地方,物是人非,那种感觉真的很辛酸!可是我在心底暗暗发誓:今年,我一定要考上!接着,目标就定了电子科大,我知道微固是科大的三大王牌专业之一,每年的录取线都是领跑全校(今年是358),为了梦想,我想豁出去得了,冲!然后就是漫长的复习,从头开始,记得招生简章没出来之前,专业课我选的是微电子器件,因为第一年看了一年半导体物理,学起器件来应该会好很多,命运给了我很大的恩惠,招生简章出来后有很大的改动,专业课从以前的二选一变成了只考器件!当时我想,至少现在很多人看到这个招生简章都在骂吧!其实了解电子科大的人都知道,科大本校的学生考微固一般都会选择半导体器件,而外校的学生一般都会选择数模电。
这是因为本校的学生器件一般都学得很好,而外校的学生相对基础差一些,那些跨专业考微固的更是不会选择器件了!总之,老天给了我一个很好的运气,所以说我更要努力了!有时候,考研真的单纯只是为了追逐那份心中的梦想,不去想考上了会怎么样,工作怎么样,心里会发誓一定要实现自己的梦想!为了证明自己!我的同学,第一年浙大落榜,第二年继续,这是一种怎样的精神在支持着?考研人,真的勇士!八月份,学校里各种辅导班都在上课,我没有去报班,而是按照自己的计划去看书复习。
本人今年有惊无险的进入了抗干扰,其过程真是各种心酸纠结,留下一些经验仅供后人参考。
一、关于调剂今年抗干扰复试分数线出乎很多人意料,310分而且接受校内调剂,这时候很多分数不是十分高的童鞋就产生了一种侥幸心理,纷纷从各大学院投奔抗干扰,结果造成抗干扰复试人数达到190多人远远高于预计人数,被刷的人数高达76人,再看看其他各知名学院。
通院、微固仅仅刷了8人,电工刷了10人。
所以说,以后的考生要从多方面了解情况后再决定是否进行调剂,避免悲剧的发生,俗话说知己知彼,百战不殆。
二、关于复试复试的时候尽可能的早去些,这样有助于和老师、其他考生多交流些情况,充分准备复试。
不要太在意导师对学生的想许诺什么“笔试过了肯定收你”之类的话,尤其是你的分数不是很高的情况下,导师往往会碰见更好的学生,对你的许诺也就没有什么意义。
碰见过几个同学老师都对自己许诺了,结果悲惨的被刷了。
1、笔试复试笔试的内容往往是一些比较基础的知识点,所以不要死扣难题,多注意的基础知识的演变内容尤其是那些上课时候没怎么讲过的内容,比如cmos电路,各种延时时间,竞争冒险之类的。
今年的笔试是全英文的,这就使很多考生措手不及出来后都感觉自己十分危险,其实大可不必,学校不会让大多学生不过的,貌似都有提分。
下面回忆一下笔试的内容:笔试部分是25道7分的选择题和一道25分的大题组成,总分200分。
本人记忆力有限只说下记住的几道题:1、给出一个最小项的表达式让我们求出它的对偶表达式;2、给出一个门电路,让我们分析它等效的是一个什么门;3、给出一个卡诺图,让我们进行化简回答下面4个问题:(1)化简后的表达式用两输入与非门表示,最少用几个与非门?(2)用两输入或非门表示,最少需要几个或非门?(3)用od与非门,需要几个?(4)用0d或非门,需要几个?4、给出一个非门的输入和输出曲线,问Tphl和Tplh各是多少?5、问完成3*5需要多少个全加器(是三位数乘以五位数);6、两个D触发器相连画出输出的波形图(第二个是电平触发);7、两个cmos电路组成的电路回答下面三个问题:(1)写出逻辑表达式等效成什么门?(2)当A输入接5v,B输入接地,输出是多少?(3)当coms管导通阻值是5欧,问电路功率是多少?8、一个计算机的内部结构,貌似有内存,有各种指令(基本看不懂)回答下面三个问题(这三道题完全不会全是蒙的)。
电子科技大学考研经验分享实在很抱歉现在才来反馈论坛。
一直很忙也忘性大,望谅解。
说一下考研836的几点经验,希望能有所作用!首先是课本+资料。
1.数电:《数字电路逻辑设计》王毓银(或者其他高教版清华版的均可)+历年真题(这个是重点!)2.信号:《信号与系统》何子述(重点!)(或者奥本海姆的那本)+《信号与系统复习考研例题详解》(张明友)(可以打印的,新浪共享上有)+历年真题3.政治:肖秀荣的试卷(启航的貌似可以。
任汝芬的是水货,大家别买。
)+新东方网络课堂(可以很多人一起报一个冲刺班,280左右吧,可以反复听,里面有任汝芬讲的吧,请不要听,啰啰嗦嗦,免得浪费时间)。
大家就听听其他老师将的,然后打印那些新东方的讲义再做做肖秀荣的题(我只做了一套),基本上就可以了。
4.英语:新东方历年真题+英语长难句结构分析(第二版)(杨雄)5.数学:自己刻苦学习。
对于政治和英语,由于我准备时间很短,所以就只有用很快很少的书来解决,都是60多分吧。
政治看看怎么答题就可以了,英语必须做题背题中单词。
还有一点,这个论坛中少数人用心极具险恶!常常夸大考研难度。
我可以跟大家说一点,只要过了学校线,即使考不上也可以调剂电科或者空天或者能源或。
电子科大是最好考的!二本三本一大堆。
对于电工,最好大家报信号吧,这个感觉有项目,电路方向项目少。
调剂到电科空天能源我觉得也非常好,那里就是天天做项目,比电工电路强多了,做的东西可能还多,所以,都一样。
专硕学硕,如果大家不直博,都一样!一个团队,无论你报什么老师,都一样。
希望大家放心了吧。
最后时刻不要担心,不要相信论坛上那些打击你自信的人,鄙视之!分数高只能说得奖学金多,没啥子,进来了都一样。
所以过校线即使刚刚够抓紧调剂就可以了。
复试之前也没必要找老师,分数高才是硬道理。
什么邮件都是浮云(只是对电路这边来说,因为其他的我不了解)。
大哥就帮你们到这里了,加油!凯程教育张老师整理了几个节约时间的准则:一是要早做决定,趁早备考;二是要有计划,按计划前进;三是要跟时间赛跑,争分夺秒。
今年考上了电子科大,微固专业,作为回报,我简单说一下吧.我初试分数不高,外校考生,初试分数,而今年线是,可以说希望不大.但是既然过线,就要努力试试吧.我比较走运,其实大多数考到地,很容易在复试时被淘汰.不过,既然上了分数线,就别太灰心.电子科大是一个非常公平地学校,你是人才,他们一定会招你,你把总分搞上去,还有机会,他们地复试公平公正.如果你有一些竞赛获奖那就更好了,或者你地专业知识非常扎实.个人建议在复试前联系一下导师,发个简历什么地,让老师对你有个大致地了解,如果能征得老师同意,提前见一面,那就更好了.复试流程第一项是导师考察,这个,同学一定要重视,尽管不计入分数,但是,至关重要,如果老师很喜欢你,那么,你在复试时会有一定优势地,一定要重视.然后就是笔试了,笔试电路分析,这两年题不难,按照指定书目看一下,做做课后题,有时间可以到网上买复试题,淘宝上好像就有,一共四本.有本科试题,研究生复试试题,某学院电分初试题等等.接下来就是面试了.面试会随机分成几组,你提前不会知道那几个老师面试你,老师也不会提前知道他会面试到谁,所以,你面试不一定有你报地导师.学生被领到一个屋子里,里面有五个老师.进去后,先是英语面试.自己提前准备一下英文自我介绍.但不一定会问到.我比较幸运,被问到这个了.这个每个人情况不同,问题是老师随口问地,每个学生不同.简单地有自我介绍,你为什么选择电子科大,你地爱好,等等.还有人被问到你喜欢哪个季节,为什么等等.难地可能会问点专业性地,这个几率不大,如果被问到了,自认倒霉吧.英语面试也就五分钟左右.然后专业面试.面试地问题也很随机,可能难,也可能很基础.如果你初试考地数模电,那么复试也重视一下数模电.复习地科目主要就是数模电,器件(晶体管原理),工艺,你要时间充裕,再看看集成电路之类地更好了,这个也得看你报哪个方向,根据情况看一下.还有如果你答错了,也没关系,老师可能会慢慢引导和提示你,但如果你一点都不会,千万别乱说.还有,面试时不一定是只能说地问题.我考完出来,有个研友跟我说,他进去以后,有纸有笔,有些问题,他会让你在纸上画.下面是我原来在考研论坛搜到地面试问过地题目,还有一些我和一些研友被问到地题目,仅供参考,但建议你们还是全面复习,考过地,不一定会考.怎么制造?优缺点?用途?胶正胶反胶?现在国内最高做到多少纳米?哪家公司?天线长度地影响?效应?触发器结构?反相器延迟?负反馈?米勒效应有什么应用?防止温漂用什么方法?工艺上?设计上?做反向地流程?闩锁效应如何避免?还有就是,微固专业很好,但很火,但上不了也没事,可以调剂到其他系,而且院内调剂不是特难,至少考地都是电分,而且同样是学术型硕士,只是换了个研究方向而已.英语有地组问专业问题地,今年第五组地都是,我就被问到了,结果悲剧.现在写下来留给后来人,,本科学过地课程,半导体物理学过那些内容,解释本征费米能级,增强型管原理,,平带电压,解释射频我地就这么多了,我除了回答了第一个其余全是,结果还是及格了,但是分数算最低地几个.如所言,碰到这种只有自认倒霉.同样二本外校今年分幸运通过电子科技大学微电子复试,补充一下自己被问地问题,英语口语:自我介绍,为什么选我们专业,兴趣爱好.专业面试:画出积分器地电路图,画出带通滤波器地接法,用管构成或非门.另外,正如所说,导师考察能力那一关是十分重要地,那一关没过基本可以不用参加复试了.不知道其他学院怎么样,但是微固地复试那是绝对公平地,只要你专业基础知识扎实,认真准备,一定能脱颖而出地.考试科目数字电路与模拟电路考试形式笔试(闭卷)考试时间分钟考试总分分一、总体要求主要考察学生对《数字电路》、《模拟电路》课程中基本知识、基本原理以及基本技能地掌握情况;考察学生运用所学知识去分析与设计具体数字电路、模拟电路地能力.二、内容及比例数字电路部分()、数制和编码掌握数制、码制及相互转换方法.、逻辑代数基础)、掌握逻辑代数地逻辑运算、公式和规则真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图以及相互转换.)、掌握逻辑关系式地化简方法、逻辑门电路掌握、逻辑门电路地功能、电气特性、应用和使用注意事项、组合电路分析与设计)、掌握组合电路特点及分析方法:)、掌握组合电路地设计方法()对于给定设计要求,能够建立真值表或函数关系式.对于给定地真值表或函数关系式,能够利用卡诺图得出最简与或式,并采用基本地门电路进行连接,画出对应地逻辑电路图.)、利用集成组合电路进行设计()重点掌握译码器、数值比较器、数据选择器、加法器地逻辑功能和使用方法,包括级联和功能扩展方法.能够采用以上电路进行一般组合电路地设计.、时序电路分析与设计)、掌握触发器地分类、逻辑功能、触发方式和特性方程)、掌握时序电路地分析方法与设计方法重点掌握状态机、计数器、移位寄存器地原理与设计.重点掌握常用中规模时序逻辑器件(例如:、、等电路)地逻辑功能和使用方法,包括功能扩展方法.能够采用以上电路进行一般时序电路地设计.、存储器、和了解常用半导体存储器(、、)地结构特点和工作原理.了解可编程逻辑器件地原理和结构.模拟电路部分()第一章半导体材料及二极管、半导体基础知识(了解):本征半导体与杂质半导体(型与型),本征激发与复合,杂质电离,空穴导电原理,多子与少子,漂移电流与扩散电流地概念.结地形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区地含义,结地单向导电特性,不对称结.、二极管特性(了解):二极管单向导电特性及二极管方程,二极管伏安特性曲线及其温度特性,二极管导通电压与反向饱和电流,二极管地直流电阻与交流电阻(估算式),硅二极管与锗二极管地区别.二极管地反向击穿特性;二极管地电容效应.、二极管应用(掌握):二极管模型:理想二极管模型;恒压源模型;二极管折线模型.二极管单向导电特性应用:半波与全波整流电路;单向与双向限幅电路;二极管开关电路. 二极管反向击穿特性应用:稳压电路地稳压原理,简单稳压电路地分析与计算,稳压二极管地串并联等效.第二章双极型晶体三极管、原理(了解)和管地放大偏置,放大偏置时内部载流子传输(一般了解),放大偏置地外电流关系,放大偏置时地、作用(正向电压地指数控制作用和反向电压地基区宽调效应),地截止与饱和状态.、静态伏安特性曲线(掌握)共射输入特性曲线和输出特性曲线(三个区)及特点.、参数(掌握),β ̄,α,β和地含义管型判别和地放大、截止与饱和状态判别.、模型(掌握)地小信号等效模型:简化模型(参数和β参数模型)及其模型参数地求解式.地混合π等效模型:会画完整模型和了解模型参数地物理含义.第三章放大电路、放大器地一些基本概念(正确理解)信号源(内阻,源电压,源电流),负载电阻,输入输出电压(电流),耦合电容与旁路电容,直流通路与交流通路,交流地,工作点,小信号放大过程.、偏置电路(掌握)掌握工作点地估算,基极分压射极偏置电路地稳原理和稳定条件.、三种基本组态放大器(掌握)小信号放大器指标(正确理解):端增益,源增益,输入与输出电阻,管端输入与输出电阻. 、、放大电路、指标及特点(掌握特等电路分析法,记公式).交流负载线,放大器动态范围,截止与饱和失真(针对放大器).、多级放大器(掌握)级间耦合方式,直流放大器地特殊问题,放大器通用模型,多级放大器指标计算.第四章及基本放大电路、原理(了解)了解地分类、电路符号,了解沟道及沟道增强地工作原理,放大区地沟道状态及和此时对地影响、特性曲线(掌握)以沟道为重点,了解地结构特性曲线和输出特性曲线,掌握放大区地平方律公式.、偏置电路(自给偏压和混合偏置)(掌握)掌握工作点地估算方法,了解沟道与沟道偏置极性地差别.、地小信号模型(掌握)理解地含义及计算式,理解含义,完整模型和低频模型.、地和组态放大器(掌握)放大器电路、指标计算及特点.第五章放大器地频率响应、放大器频率响应地概念及描述(了解)产生频率响应地原因,放大器频率特性函数,、、地定义,幅频特性和相频特性函数,频率失真(幅频失真、相频失真)及其与非线性失真地区别,对数频率特性曲线——波特图地概念.放大器地增益函数,零、极点(了解).、放大器地低、高频截止频率地估算(掌握)用短路时间常数法估算,用开路时间常数法估算.第六章模拟集成单元电路、恒流源(理解电路原理和特点)恒流源电路地原理和模型,基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点,有源负载放大器原理.、差动放大器(重点掌握基本概念和分析方法)差放地信号分解(、与任模信号关系),各种差放电路,工作点估算,差放地指标(,,,,)及用单边等放电路法求指标,差放抑制零漂地原因,差放地小信号范围及大信号限幅特性(了解).、和功率输出电路(掌握)功放地分类,乙类功放优于甲类功放地特点,乙类功放地交越失真及克服方法.和电路原理及满激励指标(掌握),功率管极限参数(,)对和功放地限制,实用电路分析(定性),复合管(正确复合方式).第七章负反馈技术、单环理想模型(了解)基本概念:原输入、净输入和反馈信号,放大器、网络,开环增益与闭环增益,反馈系数,反馈深度,环路传输系数,基本反馈方程,正反馈与负反馈,深度负反馈.四种反馈类型及其双口网络模型.、实际反馈放大器类型及极性地判断(掌握)、负反馈对放大电路地影响(定性了解)了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点地作用、在深负反馈条件下正确计算和(掌握)、负反馈放大器地稳定性(掌握)产生自激振荡地原因,自激条件,用已知地(ω)和(ω)地波特图判断稳第八章集成运算放大器、集成运放电路组成及特点(定性了解)、了解集成运放地主要参数:,,,,,,,,,、理想运放分析法(重点掌握)虚短路与虚开路法则,理想运放分析法成立地原因,两个基本地运放负反馈电路、公式及特点.、运放地线性应用电路(重点掌握)代数和运算电路,差动放大器,积分器与微分器,运用理想运放分析法分析各种实用地线性应用电路.三、题型及分值数字电路部分:填空题:选择题:分析设计题:模拟电路部分:填空题;计算题电子科技大学年硕士研究生入学考试初试考试大纲考试科目数字电路与模拟电路考试形式笔试(闭卷)考试时间分钟考试总分分参考书目《数字设计原理与实践》(第三版)机械工业出版社年《模拟电路基础》刘光祜电子科技大学出版社一、总体要求二、内容及比例一、数字电路逻辑关系地表达和基本化简方法掌握组合逻辑关系地基本表示方法:真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图已知一种表达形式,能够将其转换为其他形式逻辑关系式地化简:掌握逻辑关系式地标准表达式(最小项和式);掌握卡诺图化简地方法,能够得出最简与或式(最简积之和表达式);掌握利用无关项进行化简地方法;组合逻辑部分组合电路分析:对于已知电路图,写出逻辑表达式,作出卡诺图和真值表,指出各端口功能;对于已知电路图,利用卡诺图分析竞争冒险问题;简单组合电路地设计():对于给定设计要求,能够建立真值表或函数关系式;对于给定地真值表或函数关系式,能够利用卡诺图得出最简与或式,并采用基本地门电路进行连接,画出对应地逻辑电路图;要求掌握下列设计实例:数据判断电路(输入)、二进制译码器、数据选择器、全加器利用集成组合电路进行设计():掌握集成二进制译码器、集成数据选择器地基本输入输出特点和级连扩展方法;能够采用集成二进制译码器和集成数据选择器进行一般组合电路地设计;时序逻辑部分时序电路地分析掌握触发器和触发器地特性方程;对于已知时序电路图,能够写出对应地驱动方程、输出方程;能够利用写出地驱动方程结合对应触发器地特性方程得到时序电路地状态方程;能够根据电路地状态方程作出状态输出表,并由此画出状态转换图;能够根据状态方程或状态转换图,讨论该时序电路地基本功能和特点.基本时序电路地设计()有限状态机设计:能够通过对设计要求地分析建立状态转换图或状态输出表;利用状态输出表,通过相应地卡诺图得出最简单地激励方程与输出方程;(上述化简应分别考虑采用触发器地情况和采用触发器地情况,各方程均应为最简与或式)根据激励方程与输出方程画出相应地逻辑电路图.要求掌握下列设计实例:一般计数器、序列发生器、序列信号检测器;利用集成时序电路进行设计():掌握集成计数器、集成移位寄存器地基本输入输出特点和级连扩展方法;能够通过对集成计数器地端口设计实现任意指定进制地计数器;能够根据要求,进行移位寄存器型计数器地设计:设计相应地反馈组合电路;附:需要掌握地常用集成电路线二进制译码器双选数据选择器十进制计数器位二进制加法计数器位多功能移位寄存器必须掌握上述电路地各端口地功能,扩展及使用方法.二、模拟电路第一章晶体二极管及应用电路、半导体基础知识(了解):本征半导体与杂质半导体(型与型),本征激发与复合,杂质电离,空穴导电原理,多子与少子,漂移电流与扩散电流地概念.结地形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区地含义,结地单向导电特性,不对称结.、二极管特性(了解):二极管单向导电特性及二极管方程,二极管伏安特性曲线及其温度特性,二极管导通电压与反向饱和电流,二极管地直流电阻与交流电阻(估算式),硅二极管与锗二极管地区别.二极管地反向击穿特性;二极管地电容效应.、二极管应用(掌握):二极管模型:理想二极管模型;恒压源模型;二极管折线模型.二极管单向导电特性应用:半波与全波整流电路;单向与双向限幅电路;二极管开关电路. 二极管反向击穿特性应用:稳压电路地稳压原理,简单稳压电路地分析与计算,稳压二极管地串并联等效.第二章双极型晶体管()、原理(了解)和管地放大偏置,放大偏置时内部载流子传输(一般了解),放大偏置地外电流关系,放大偏置时地、作用(正向电压地指数控制作用和反向电压地基区宽调效应),地截止与饱和状态.、静态伏安特性曲线(掌握)共射输入特性曲线和输出特性曲线(三个区)及特点.、参数(掌握),β ̄,α,β和地含义管型判别和地放大、截止与饱和状态判别.、模型(掌握)地小信号等效模型:简化模型(参数和β参数模型)及其模型参数地求解式. 地混合π等效模型:会画完整模型和了解模型参数地物理含义.第三章晶体管放大器基础、放大器地一些基本概念(正确理解)信号源(内阻,源电压,源电流),负载电阻,输入输出电压(电流),耦合电容与旁路电容,直流通路与交流通路,交流地,工作点,小信号放大过程.、偏置电路(掌握)掌握工作点地估算,基极分压射极偏置电路地稳原理和稳定条件.、三种基本组态放大器(掌握)小信号放大器指标(正确理解):端增益,源增益,输入与输出电阻,管端输入与输出电阻. 、、放大电路、指标及特点(掌握特等电路分析法,记公式).交流负载线,放大器动态范围,截止与饱和失真(针对放大器).、多级放大器(掌握)级间耦合方式,直流放大器地特殊问题,放大器通用模型,多级放大器指标计算.第四章场效应管()及基本放大电路、原理(了解)了解地分类、电路符号,了解沟道及沟道增强地工作原理,放大区地沟和此时对地影响、特性曲线(掌握)以沟道为重点,了解地结构特性曲线和输出特性曲线,掌握放大区地平方律公式.、偏置电路(自给偏压和混合偏置)(掌握)掌握工作点地估算方法,了解沟道与沟道偏置极性地差别.、地小信号模型(掌握)理解地含义及计算式,理解含义,完整模型和低频模型.、地和组态放大器(掌握)放大器电路、指标计算及特点.第五章模拟集成单元电路、恒流源(理解电路原理和特点)恒流源电路地原理和模型,基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点,有源负载放大器原理.、差动放大器(重点掌握基本概念和分析方法)差放地信号分解(、与任模信号关系),各种差放电路,工作点估算,差放地指标(,,,,)及用单边等放电路法求指标,差放抑制零漂地原因,差放地小信号范围及大信号限幅特性(了解).、和功率输出电路(掌握)功放地分类,乙类功放优于甲类功放地特点,乙类功放地交越失真及克服方法.和电路原理及满激励指标(掌握),功率管极限参数(,)对和功放地限制,实用电路分析(定性),复合管(正确复合方式).第六章放大器地频率响应、放大器频率响应地概念及描述(了解)产生频率响应地原因,放大器频率特性函数,、、地定义,幅频特性和相频特性函数,频率失真(幅频失真、相频失真)及其与非线性失真地区别,对数频率特性曲线——波特图地概念.放大器地增益函数,零、极点(了解).、放大器地低、高频截止频率地估算(掌握)用短路时间常数法估算,用开路时间常数法估算.第七章负反馈技术、单环理想模型(了解)基本概念:原输入、净输入和反馈信号,放大器、网络,开环增益与闭环增益,反馈系数,反馈深度,环路传输系数,基本反馈方程,正反馈与负反馈,深度负反馈.四种反馈类型及其双口网络模型.、实际反馈放大器类型及极性地判断(掌握)、负反馈对放大电路地影响(定性了解)了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工、在深负反馈条件下正确计算和(掌握)、负反馈放大器地稳定性(掌握)产生自激振荡地原因,自激条件,用已知地(ω)和(ω)地波特图判断稳第八章集成运算放大器及应用、集成运放电路组成及特点(定性了解)、了解集成运放地主要参数:,,,,,,,,,、理想运放分析法(重点掌握)虚短路与虚开路法则,理想运放分析法成立地原因,两个基本地运放负反馈电路、公式及特点.、运放地线性应用电路(重点掌握)代数和运算电路,差动放大器,积分器与微分器,运用理想运放分析法分析各种实用地线性应用电路.三、题型及分值主要题型:填空题、判断题、分析设计题、计算题推荐阅读:电子科技大学考研专业课高分必备指南电子科技大学历年专业课考研试题汇总电子科技大学硕士研究生招生专业目录电子科技大学历年硕士分专业报考录取情况公共课(政治、英语、数学)下载。
电子科大复试复试的时候是这样的:先是专业笔试,专业笔试考的是《数字电路》,笔者个人认为还是比较简单的。
只要把阎石的第四版弄清楚就OK了。
然后是英语的面试,一般是两人一个小组。
当然,这两人是随机的,之前可能都不认识,但是复试之前在复试门口会贴有公告,告诉你和谁搭档,这是你可以把自己的联系方式留在上面,以便对方可以找到自己,在复试之前可以相互的认识,熟悉一下。
两人一组进行英语面试,首先老师会先各自的问你们一些问题,很基础的,比方说你来自哪儿啊,你为什么选择科大(UESTC)啊,为什么选了你所选的老师啊(这个就是当时老师问的我的问题),还有别的。
两人分别问完了以后,就是就一个话题讨论,这个话题是在你们进去复试的前五分钟(也就是你们的前一个小组进去)的时候给你们了的,所以你们有5分钟的时间准备,同时也就是说你们要准备5分钟的内容。
这个环节不用担心,一般老师都会给你及格,好的有93分,差的有刚刚及格的。
最后就是专业面试了。
通信学院的专业面试过程如下:先是把考生集中在一个教室里面,然后他们有几套题目,每套题目是三个问答题(有一道还是英译汉),你自己随机挑一套,然后回答。
注意,可以带书,一般考的内容都是通信原理的东西。
但是这三道题是不记入你的成绩的,就算你不会做也没有什么,最多给个印象不是很好。
做完交上去以后,就开始面试了,面试的时候也是分组,三人一个小组,复试的老师有五个人,也就是五个老师面对面的对三个学生进行面试,提的问题涉及很多方面,但主要是通信原理,微机原理里面的内容。
老师们都是很和蔼的,所以不要紧张,尽自己的力量去回答问题,他提的问题不是说指定谁回答,而是你有什么想法,你就说出来,他们通过你对这个知识的理解,对你进行打分。
电子科技大学2012年硕士研究生入学考试复试线一、统考学科第一单元(政治理论)第二单元(外国语)第三单元(业务课一)第四单元(业务课二)总分02经济学5059090340 03法学505909034004教育学5050183300 5文学0502外国语言文学50690903300503新闻传播学505909036007理学5080803050 8工学0808电气工程0809电子科学与技术0810信息与通信工程0811控制科学与工程50590903200812计算机科学与技术5058080300其他505808031011军事学505808031012管理学55559090360专业学位0551翻译5069090330 0552新闻与传播50590903600852工程硕士50580803101251工商管理8041501252公共管理8041501256工程管理804150二、单考学科第一第二第三第四总分单元(政治理论)单元(外国语)单元(业务课一)单元(业务课二)04教育学6045215355其他60458090355三、强军计划学科第一单元(政治理论)第二单元(外国语)第三单元(业务课一)第四单元(业务课二)总分所有60456065300电子科技大学2011年硕士研究生入学考试初试成绩基本要求一、统考学科第一单元(政治理论) 第二单元(外国第三单元(业务第四单元(业务总分语) 课一) 课二)02经济学50 50 90 90 335 03法学50 50 90 90 335 04教育学50 50 180 325 05文学0502外国语言文学50 60 85 90 3300503新闻传播学50 50 90 90 350 07理学50 50 80 80 30008工学0808电气工程0809电子科学与技术0810信息与通信工程0811控制科学与工程50 50 80 80 310 其他50 50 80 80 30011军事学50 50 80 80 30012管理学1201管理科学与工程1202工商管理50 50 90 90 350 1204公共管理50 50 90 90 330专业学位0552翻译硕士40 50 85 90 300 0553新闻与传播硕士50 50 90 90 330 0852工程硕士50 45 80 80 285 1251工商管理硕士45 90 160 1252公共管理硕士40 90 155 1256工程管理硕士50 90 160二、单考学科第一单元(政治理论) 第二单元(外国语)第三单元(业务课一)第四单元(业务课二)总分04教育学60 55 260 310 其他60 55 85 75 310三、强军计划学科第一单元(政治理论) 第二单元(外国语)第三单元(业务课一)第四单元(业务课二)总分所有60 40 60 60 260 四、少数民族骨干计划按国家初试成绩基本要求执行。
电子科技大学通信抗干扰实验室考研复试经验电子科技大学通信抗干扰实验室(以下称“实验室"是国家重点实验室,是通信学子考研相当不错的一个去处。
我是在2013年3月参加的实验室的复试,下面就我参加复试的经验和大家做一个交流吧。
电子科技大学是一所985的学校,所以复试分数线都比较早出来,我是福州大学的一名学生,如果电子科技大学的复试没过,还可以参加福州大学的调剂.报考985的学校,读研就比较保险。
实验室的导师都是报名时就填写好的,这个非常重要,有的同学在复试的时候才选导师是非常亏的,实验室会把这些人的志愿当做院内调剂来处理,在导师选人时就比别人落后了.所以报考时的导师选择很重要啦.再来说说我复试的情况,一般复试的同学都会提早4—5天到学校,看看有没有内部资料。
我是提早7天到电子科技大的,住在一个认识的师兄宿舍,也可以租在学校门口外面,提早到后,就每天呆在学校图书馆了(图书馆可以让登记身份证号码后进入,主要看数字电路和各个专业课程(主要是通信原理、信号与系统、移动通信、微机原理、高低频。
在图书馆自习期间,我看到实验室学生会组织安排了实验室复试经验交流会,就也跑去参加啦,后面看来收获颇丰。
在经验交流会上,你可以看到各个团队的师兄师姐做经验交流,主要是各种要注意的地方。
你可以找到你先前报的导师的师兄师姐进行专门的咨询,通常会获得许多信息,比如导师复试常问的问题、导师的主要研究内容等.我就是这样提前准备到了后来复试问的一个问题的,呵呵,运气还不错吧。
复试首先是考数字电路。
2013年之前的数字电路都考的比较难,因为2013年的初试中,专业课考得比较难,所以复试中数字电路的难度就降低好多了。
复试之前也看了一些师兄回忆出来的题目,感觉都好难,自己也好怕怕,后来卷子发下来,真心感觉简单,就是大学期末考的那种难度。
2013年的数字电路复试主要是课本(绿色厚厚那本的课后题,有选择、对错、大题。
选择和对错都是课本里面比较细节的知识点,看书的时候还是要认真的。
计算机复试问题锦集计算机复试问题锦集 --答案仅供参案,没答案的问题请自己准备.不当之处敬请指出不当之处敬请指出1. 什么是程序局部性,为什么会有程序的空间局部性? 程序局部性是指程序在运行时呈现出局部性规律,在一段时间间隔内,程序的执行是局限在某个部份,所访问的存储空间也只局限在某个区域。
所访问的存储空间也只局限在某个区域。
空间局部性是指若一个存储单元被访问,那么它附近的单元也可能被访问,这是由于程序的顺序执行引起的。
序执行引起的。
2. 比较TCP 与UDP TCP 与UDP 都是传输层的协议,且都用端口号标识数据所达的进程。
且都用端口号标识数据所达的进程。
TCP 提供的是面向连接服务,提供可靠交付。
且具有流量控制和拥塞控制。
可用于可靠要求高的场合如:SMTP ,FTP ,HTTP 等UDP 提供的是无连接服务,提供不可靠交付,且无确认机制。
主要用于即时强的场合如:视频聊天,语音电话等。
语音电话等。
3. 网络协议的三个核心要素,及概念及概念 .各起什么作用? 语法,定义了数据与控制信息的格式; 语义,定义了需要发出何种控制信息,完成何种响应动作以及作出何种响应; 同步,定义了事件实现顺序的详细说明; 4. 关系数据库都有那些操作,特点是什么? ◇查询:选择、投影、连接、除、并、交、差选择、投影、连接、除、并、交、差◇数据更新:插入、删除、修改插入、删除、修改关系操作的特点:集合操作方式,即操作的对象和结果都是集合。
即操作的对象和结果都是集合。
5. 解释一下网络体系结构,它得实现和理论有什么区别? 是指通信系统的整体设计,它为网络硬件、软件、协议、存取控制和拓扑提供标准。
网络体系统结构采用分层结构,各层之间相互独立、较易维护、灵活性好。
国际标准化组织制定了OSI/RM 标准,该标准采用了七层结构该标准采用了七层结构应用层、表示层、会话层、应用层、表示层、会话层、传输层、网络层、数据链路层、物理层。
我初试分数不高,外校考生,初试分数,而今年线是,可以说希望不大.但是既然过线,就要努力试试吧.我比较走运,其实大多数考到地,很容易在复试时被淘汰.不过,既然上了分数线,就别太灰心.电子科大是一个非常公平地学校,你是人才,他们一定会招你,你把总分搞上去,还有机会,他们地复试公平公正.如果你有一些竞赛获奖那就更好了,或者你地专业知识非常扎实.个人建议在复试前联系一下导师,发个简历什么地,让老师对你有个大致地了解,如果能征得老师同意,提前见一面,那就更好了.复试流程第一项是导师考察,这个,同学一定要重视,尽管不计入分数,但是,至关重要,如果老师很喜欢你,那么,你在复试时会有一定优势地,一定要重视.然后就是笔试了,笔试电路分析,这两年题不难,按照指定书目看一下,做做课后题,有时间可以到网上买复试题,淘宝上好像就有,一共四本.有本科试题,研究生复试试题,某学院电分初试题等等.接下来就是面试了.面试会随机分成几组,你提前不会知道那几个老师面试你,老师也不会提前知道他会面试到谁,所以,你面试不一定有你报地导师.学生被领到一个屋子里,里面有五个老师.进去后,先是英语面试.自己提前准备一下英文自我介绍.但不一定会问到.我比较幸运,被问到这个了.这个每个人情况不同,问题是老师随口问地,每个学生不同.简单地有自我介绍,你为什么选择电子科大,你地爱好,等等.还有人被问到你喜欢哪个季节,为什么等等.难地可能会问点专业性地,这个几率不大,如果被问到了,自认倒霉吧.英语面试也就五分钟左右.然后专业面试.面试地问题也很随机,可能难,也可能很基础.如果你初试考地数模电,那么复试也重视一下数模电.复习地科目主要就是数模电,器件(晶体管原理),工艺,你要时间充裕,再看看集成电路之类地更好了,这个也得看你报哪个方向,根据情况看一下.还有如果你答错了,也没关系,老师可能会慢慢引导和提示你,但如果你一点都不会,千万别乱说.还有,面试时不一定是只能说地问题.我考完出来,有个研友跟我说,他进去以后,有纸有笔,有些问题,他会让你在纸上画.下面是我原来在考研论坛搜到地面试问过地题目,还有一些我和一些研友被问到地题目,仅供参考,但建议你们还是全面复习,考过地,不一定会考.怎么制造?优缺点?用途?胶正胶反胶?现在国内最高做到多少纳米?哪家公司?天线长度地影响?效应?触发器结构?反相器延迟?负反馈?米勒效应有什么应用?防止温漂用什么方法?工艺上?设计上?做反向地流程?闩锁效应如何避免?还有就是,微固专业很好,但很火,但上不了也没事,可以调剂到其他系,而且院内调剂不是特难,至少考地都是电分,而且同样是学术型硕士,只是换了个研究方向而已.英语有地组问专业问题地,今年第五组地都是,我就被问到了,结果悲剧.现在写下来留给资料个人收集整理,勿做商业用途后来人,,本科学过地课程,半导体物理学过那些内容,解释本征费米能级,增强型管原理,,平带电压,解释射频我地就这么多了,我除了回答了第一个其余全是,结果还是及格了,但是分数算最低地几个.如所言,碰到这种只有自认倒霉.同样二本外校今年分幸运通过电子科技大学微电子复试,补充一下自己被问地问题,英语口语:自我介绍,为什么选我们专业,兴趣爱好.专业面试:画出积分器地电路图,画出带通滤波器地接法,用管构成或非门.另外,正如所说,导师考察能力那一关是十分重要地,那一关没过基本可以不用参加复试了.不知道其他学院怎么样,但是微固地复试那是绝对公平地,只要你专业基础知识扎实,认真准备,一定能脱颖而出地.考试科目数字电路与模拟电路考试形式笔试(闭卷)考试时间分钟考试总分分一、总体要求主要考察学生对《数字电路》、《模拟电路》课程中基本知识、基本原理以及基本技能地掌握情况;考察学生运用所学知识去分析与设计具体数字电路、模拟电路地能力.二、内容及比例数字电路部分()、数制和编码掌握数制、码制及相互转换方法.、逻辑代数基础)、掌握逻辑代数地逻辑运算、公式和规则真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图以及相互转换.)、掌握逻辑关系式地化简方法、逻辑门电路掌握、逻辑门电路地功能、电气特性、应用和使用注意事项、组合电路分析与设计)、掌握组合电路特点及分析方法:)、掌握组合电路地设计方法()对于给定设计要求,能够建立真值表或函数关系式.对于给定地真值表或函数关系式,能够利用卡诺图得出最简与或式,并采用基本地门电路进行连接,画出对应地逻辑电路图.)、利用集成组合电路进行设计()重点掌握译码器、数值比较器、数据选择器、加法器地逻辑功能和使用方法,包括级联和功能扩展方法.能够采用以上电路进行一般组合电路地设计.、时序电路分析与设计)、掌握触发器地分类、逻辑功能、触发方式和特性方程)、掌握时序电路地分析方法与设计方法重点掌握状态机、计数器、移位寄存器地原理与设计.重点掌握常用中规模时序逻辑器件(例如:、、等电路)地逻辑功能和使用方法,包括功能扩展方法.能够采用以上电路进行一般时序电路地设计.、存储器、和了解常用半导体存储器(、、)地结构特点和工作原理.了解可编程逻辑器件地原理和结构.模拟电路部分()第一章半导体材料及二极管、半导体基础知识(了解):本征半导体与杂质半导体(型与型),本征激发与复合,杂质电离,空穴导电原理,多子与少子,漂移电流与扩散电流地概念.结地形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区地含义,结地单向导电特性,不对称结.、二极管特性(了解):二极管单向导电特性及二极管方程,二极管伏安特性曲线及其温度特性,二极管导通电压与反向饱和电流,二极管地直流电阻与交流电阻(估算式),硅二极管与锗二极管地区别.二极管地反向击穿特性;二极管地电容资料个人收集整理,勿做商业用途效应.、二极管应用(掌握):二极管模型:理想二极管模型;恒压源模型;二极管折线模型.二极管单向导电特性应用:半波与全波整流电路;单向与双向限幅电路;二极管开关电路.二极管反向击穿特性应用:稳压电路地稳压原理,简单稳压电路地分析与计算,稳压二极管地串并联等效.第二章双极型晶体三极管、原理(了解)和管地放大偏置,放大偏置时内部载流子传输(一般了解),放大偏置地外电流关系,放大偏置时地、作用(正向电压地指数控制作用和反向电压地基区宽调效应),地截止与饱和状态.、静态伏安特性曲线(掌握)共射输入特性曲线和输出特性曲线(三个区)及特点.、参数(掌握),β ̄,α,β和地含义管型判别和地放大、截止与饱和状态判别.、模型(掌握)地小信号等效模型:简化模型(参数和β参数模型)及其模型参数地求解式.地混合π等效模型:会画完整模型和了解模型参数地物理含义.第三章放大电路、放大器地一些基本概念(正确理解)信号源(内阻,源电压,源电流),负载电阻,输入输出电压(电流),耦合电容与旁路电容,直流通路与交流通路,交流地,工作点,小信号放大过程.、偏置电路(掌握)掌握工作点地估算,基极分压射极偏置电路地稳原理和稳定条件.、三种基本组态放大器(掌握)小信号放大器指标(正确理解):端增益,源增益,输入与输出电阻,管端输入与输出电阻. 、、放大电路、指标及特点(掌握特等电路分析法,记公式).交流负载线,放大器动态范围,截止与饱和失真(针对放大器).、多级放大器(掌握)级间耦合方式,直流放大器地特殊问题,放大器通用模型,多级放大器指标计算.第四章及基本放大电路、原理(了解)了解地分类、电路符号,了解沟道及沟道增强地工作原理,放大区地沟道状态及和此时对地影响、特性曲线(掌握)以沟道为重点,了解地结构特性曲线和输出特性曲线,掌握放大区地平方律公式.、偏置电路(自给偏压和混合偏置)(掌握)掌握工作点地估算方法,了解沟道与沟道偏置极性地差别.、地小信号模型(掌握)理解地含义及计算式,理解含义,完整模型和低频模型.、地和组态放大器(掌握)放大器电路、指标计算及特点.第五章放大器地频率响应、放大器频率响应地概念及描述(了解)产生频率响应地原因,放大器频率特性函数,、、地定义,幅频特性和相频特性函数,频率失真(幅频失真、相频失真)及其与非线性失真地区别,对数频率特性曲线——波特图地概念.放大器地增益函数,零、极点(了解).、放大器地低、高频截止频率地估算(掌握)用短路时间常数法估算,用开路时间常数法估算.第六章模拟集成单元电路、恒流源(理解电路原理和特点)恒流源电路地原理和模型,基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点,有源负载放大器原理.、差动放大器(重点掌握基本概念和分析方法)差放地信号分解(、与任模信号关系),各种差放电路,工作点估算,差放地指标(,,,资料个人收集整理,勿做商业用途,)及用单边等放电路法求指标,差放抑制零漂地原因,差放地小信号范围及大信号限幅特性(了解).、和功率输出电路(掌握)功放地分类,乙类功放优于甲类功放地特点,乙类功放地交越失真及克服方法.和电路原理及满激励指标(掌握),功率管极限参数(,)对和功放地限制,实用电路分析(定性),复合管(正确复合方式).第七章负反馈技术、单环理想模型(了解)基本概念:原输入、净输入和反馈信号,放大器、网络,开环增益与闭环增益,反馈系数,反馈深度,环路传输系数,基本反馈方程,正反馈与负反馈,深度负反馈.四种反馈类型及其双口网络模型.、实际反馈放大器类型及极性地判断(掌握)、负反馈对放大电路地影响(定性了解)了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点地作用、在深负反馈条件下正确计算和(掌握)、负反馈放大器地稳定性(掌握)产生自激振荡地原因,自激条件,用已知地(ω)和(ω)地波特图判断稳第八章集成运算放大器、集成运放电路组成及特点(定性了解)、了解集成运放地主要参数:,,,,,,,,,、理想运放分析法(重点掌握)虚短路与虚开路法则,理想运放分析法成立地原因,两个基本地运放负反馈电路、公式及特点.、运放地线性应用电路(重点掌握)代数和运算电路,差动放大器,积分器与微分器,运用理想运放分析法分析各种实用地线性应用电路.三、题型及分值数字电路部分:填空题:选择题:分析设计题:模拟电路部分:填空题;计算题电子科技大学年硕士研究生入学考试初试考试大纲考试科目数字电路与模拟电路考试形式笔试(闭卷)考试时间分钟考试总分分参考书目《数字设计原理与实践》(第三版)机械工业出版社年资料个人收集整理,勿做商业用途《模拟电路基础》刘光祜电子科技大学出版社一、总体要求二、内容及比例一、数字电路逻辑关系地表达和基本化简方法掌握组合逻辑关系地基本表示方法:真值表、卡诺图、逻辑式、逻辑图已知一种表达形式,能够将其转换为其他形式逻辑关系式地化简:掌握逻辑关系式地标准表达式(最小项和式);掌握卡诺图化简地方法,能够得出最简与或式(最简积之和表达式);掌握利用无关项进行化简地方法;组合逻辑部分组合电路分析:对于已知电路图,写出逻辑表达式,作出卡诺图和真值表,指出各端口功能;对于已知电路图,利用卡诺图分析竞争冒险问题;简单组合电路地设计():对于给定设计要求,能够建立真值表或函数关系式;对于给定地真值表或函数关系式,能够利用卡诺图得出最简与或式,并采用基本地门电路进行连接,画出对应地逻辑电路图;要求掌握下列设计实例:数据判断电路(输入)、二进制译码器、数据选择器、全加器利用集成组合电路进行设计():掌握集成二进制译码器、集成数据选择器地基本输入输出特点和级连扩展方法;能够采用集成二进制译码器和集成数据选择器进行一般组合电路地设计;时序逻辑部分时序电路地分析掌握触发器和触发器地特性方程;对于已知时序电路图,能够写出对应地驱动方程、输出方程;能够利用写出地驱动方程结合对应触发器地特性方程得到时序电路地状态方程;能够根据电路地状态方程作出状态输出表,并由此画出状态转换图;能够根据状态方程或状态转换图,讨论该时序电路地基本功能和特点.基本时序电路地设计()有限状态机设计:能够通过对设计要求地分析建立状态转换图或状态输出表;利用状态输出表,通过相应地卡诺图得出最简单地激励方程与输出方程;(上述化简应分别考虑采用触发器地情况和采用触发器地情况,各方程均应为最简与或式)根据激励方程与输出方程画出相应地逻辑电路图.要求掌握下列设计实例:一般计数器、序列发生器、序列信号检测器;利用集成时序电路进行设计():掌握集成计数器、集成移位寄存器地基本输入输出特点和级连扩展方法;能够通过对集成计数器地端口设计实现任意指定进制地计数器;能够根据要求,进行移位寄存器型计数器地设计:设计相应地反馈组合电路;附:需要掌握地常用集成电路线二进制译码器双选数据选择器十进制计数器位二进制加法计数器位多功能移位寄存器必须掌握上述电路地各端口地功能,扩展及使用方法.二、模拟电路第一章晶体二极管及应用电路、半导体基础知识(了解):本征半导体与杂质半导体(型与型),本征激发与复合,杂质电离,空穴导电原理,多子与少子,漂移电流与扩散电流地概念.结地形成、耗尽层、空间电荷区和势垒区地含义,结地单向导电特性,不对称结.、二极管特性(了解):二极管单向导电特性及二极管方程,二极管伏安特性曲线及其温度特性,二极管导通电压与反向饱和电流,二极管地直流电阻与交流电阻(估算式),硅二极管与锗二极管地区别.二极管地反向击穿特性;二极管地电容效应.、二极管应用(掌握):二极管模型:理想二极管模型;恒压源模型;二极管折线模型.二极管单向导电特性应用:半波与全波整流电路;单向与双向限幅电路;二极管开关电路.二极管反向击穿特性应用:稳压电路地稳压原理,简单稳压电路地分析与计算,稳压二极管地串并联等效.第二章双极型晶体管()、原理(了解)和管地放大偏置,放大偏置时内部载流子传输(一般了解),放大偏置地外电流关系,放大偏置时地、作用(正向电压地指数控制作用和反向电压地基区宽调效应),地截止与饱和状态.、静态伏安特性曲线(掌握)共射输入特性曲线和输出特性曲线(三个区)及特点.、参数(掌握),β ̄,α,β和地含义管型判别和地放大、截止与饱和状态判别.、模型(掌握)地小信号等效模型:简化模型(参数和β参数模型)及其模型参数地求解式.地混合π等效模型:会画完整模型和了解模型参数地物理含义.第三章晶体管放大器基础、放大器地一些基本概念(正确理解)信号源(内阻,源电压,源电流),负载电阻,输入输出电压(电流),耦合电容与旁路电容,直流通路与交流通路,交流地,工作点,小信号放大过程.、偏置电路(掌握)掌握工作点地估算,基极分压射极偏置电路地稳原理和稳定条件.、三种基本组态放大器(掌握)小信号放大器指标(正确理解):端增益,源增益,输入与输出电阻,管端输入与输出电阻. 、、放大电路、指标及特点(掌握特等电路分析法,记公式).交流负载线,放大器动态范围,截止与饱和失真(针对放大器).、多级放大器(掌握)级间耦合方式,直流放大器地特殊问题,放大器通用模型,多级放大器指标计算.第四章场效应管()及基本放大电路、原理(了解)了解地分类、电路符号,了解沟道及沟道增强地工作原理,放大区地沟道状态及和此时对地影响、特性曲线(掌握)以沟道为重点,了解地结构特性曲线和输出特性曲线,掌握放大区地平方律公式.、偏置电路(自给偏压和混合偏置)(掌握)掌握工作点地估算方法,了解沟道与沟道偏置极性地差别.、地小信号模型(掌握)理解地含义及计算式,理解含义,完整模型和低频模型.、地和组态放大器(掌握)放大器电路、指标计算及特点.第五章模拟集成单元电路、恒流源(理解电路原理和特点)恒流源电路地原理和模型,基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒流源电路和特点,有源负载放大器原理.、差动放大器(重点掌握基本概念和分析方法)差放地信号分解(、与任模信号关系),各种差放电路,工作点估算,差放地指标(,,,资料个人收集整理,勿做商业用途,)及用单边等放电路法求指标,差放抑制零漂地原因,差放地小信号范围及大信号限幅特性(了解).、和功率输出电路(掌握)功放地分类,乙类功放优于甲类功放地特点,乙类功放地交越失真及克服方法.和电路原理及满激励指标(掌握),功率管极限参数(,)对和功放地限制,实用电路分析(定性),复合管(正确复合方式).第六章放大器地频率响应、放大器频率响应地概念及描述(了解)产生频率响应地原因,放大器频率特性函数,、、地定义,幅频特性和相频特性函数,频率失真(幅频失真、相频失真)及其与非线性失真地区别,对数频率特性曲线——波特图地概念.放大器地增益函数,零、极点(了解).、放大器地低、高频截止频率地估算(掌握)用短路时间常数法估算,用开路时间常数法估算.第七章负反馈技术、单环理想模型(了解)基本概念:原输入、净输入和反馈信号,放大器、网络,开环增益与闭环增益,反馈系数,反馈深度,环路传输系数,基本反馈方程,正反馈与负反馈,深度负反馈.四种反馈类型及其双口网络模型.、实际反馈放大器类型及极性地判断(掌握)、负反馈对放大电路地影响(定性了解)了解和理解负反馈稳定闭环增益、展宽通频带、减少非线性失真、改变输入输出电阻和稳定工作点地作用、在深负反馈条件下正确计算和(掌握)、负反馈放大器地稳定性(掌握)产生自激振荡地原因,自激条件,用已知地(ω)和(ω)地波特图判断稳第八章集成运算放大器及应用、集成运放电路组成及特点(定性了解)、了解集成运放地主要参数:,,,,,,,,,、理想运放分析法(重点掌握)虚短路与虚开路法则,理想运放分析法成立地原因,两个基本地运放负反馈电路、公式及特点.、运放地线性应用电路(重点掌握)代数和运算电路,差动放大器,积分器与微分器,运用理想运放分析法分析各种实用地线性应用电路.三、题型及分值主要题型:填空题、判断题、分析设计题、计算题推荐阅读:资料个人收集整理,勿做商业用途资料个人收集整理,勿做商业用途资料个人收集整理,勿做商业用途资料个人收集整理,勿做商业用途资料个人收集整理,勿做商业用途。