封装中的材料

  • 格式:ppt
  • 大小:1.87 MB
  • 文档页数:14

下载文档原格式

  / 14
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
料匹配好
价格昂贵
陶瓷封装 金属底座 与封装环
3. 耐腐蚀性好
1. 机械强度高 1. 与非金属材 差
料匹配好 2.
抗弯强度稍 陶瓷封装 塑料封装
导热性差
1. 导热性能高 1. 机械强度低 塑料封装
2. 电镀性能好 2. 线膨胀系数较
3. 低价

Institute of Microelectronics
化学特性
吸潮、抗腐蚀,… …
其它
密度、可焊性、毒性,… …
Institute of Microelectronics
4
电子封装材料
Solder Bump Underfill
Substrate
Solder Joint
Chip Molding Compound
Wire
Leadframe Solder Joint
Institute of Microelectronics
39
42 Alloy
具有与Kovar合金类似性能的框 架材料(封接材料)
采用Ni的添加取代Co 去应力退火 线膨胀系数与Kovar合金相近
Institute of Microelectronics
40
铜合金
导电特性好 引入第二相弥散强化,提高强度 常用有Cu-Fe-P,Cu-Cr,CuZn,Cu-Zr等等 机械加工性能好 热膨胀系数与塑料封装匹配
滑石和镁橄榄石
用于厚膜电路 低介电常数 低强度 低价
玻璃、石英、蓝宝石
Institute of Microelectronics
55
主要陶瓷基板材料基本性能
内引线键合材料的特性
电性能 热性能 机械性能
参考讲义128-133
Institute of Microelectronics
8
金丝键合系统
消费类电子产品中最常用的键合方式 金丝-铝键合区 金丝-镀金键合区 掺杂的金丝 金丝:软 Be,5-10ppm;Cu,30-100ppm
Institute of Microelectronics

热导率、热膨胀系数、热稳定性、 … …
物理
表面平整度、表面光洁度
化学
化学稳定、低孔隙率、高纯度
Institute of Microelectronics
52
氧化铝(Al2O3)陶瓷
良好的介电性能、高的机械强度、 高热稳定性、高化学稳定性
应用最广 90-99% Al2O3 性能与Al2O3含量相关 添加剂 (黑色、紫色、棕色)瓷
阻挡层的应用
TiW
高质量的键合丝
可靠的键合工艺
等离子体清洗
Institute of Microelectronics
19
Institute of Microelectronics
20
模塑料
Institute of Microelectronics
21
模塑的基本工艺
模塑料通常 为热固性塑料
热固性:在 加热固化后不 会再次受热软 化
6
1
常见引线键合材料
引线键合常用于芯片与载体(或基板) 或引线框架之间的互连
常用的引线材料有Au、Al、Cu(包括用于 TAB)、AlSi(1%)丝
键合的模式主要有球焊(金丝)和楔形 焊(铝丝)
金丝用于塑料封装,铝丝用于陶瓷和金 属封装?
Institute of Microelectronics
7
电子封装材料相关问题
蔡坚 jamescai@tsinghua.edu.cn
Institute of Microelectronics
1
概要
电子封装材料 封装中涉及到的主要材料
内引线材料 模塑料 引线框架材料 芯片粘接材料 封装基板与外壳材料 焊接材料 ……
Institute of Microelectronics
35
引线框架材料的要求
热匹配 良好的机械性能 导热性能好 使用过程无相变 材料中杂质少 低价 加工特性和二次性能好
Institute of Microelectronics
36
6
常见引线框架材料及应用
材料 Kovar合金 Fe-29Ni17Co
42合金 Fe-42Ni
铜合金
优点
缺点
使用场所
1. 机械强度高 1. 2. 与非金属材
Institute of Microelectronics
17
键合丝的要求
表面洁净光滑 长丝、单层、单根密绕 严格包装和储存
10-15°C,20-50%RH
Institute of Microelectronics
18
3
提高键合可靠性
无论何种键合,键合表面特性是至关重 要的。
洁净度(等离子体清洗) 表面粗糙度 表面镀层的厚度
热塑性:在 加热塑化后如 果再次受热还 会再次软化
Institute of Microelectronics
22
Institute of Microelectronics
23
模塑料的基本构成
基体(1030%)
(高分子化合物树脂)
环氧树脂 硅酮树脂 1,2-聚丁二烯酯树 脂
添加剂(6090%)
固化剂 催化剂
33
引线框架的功能
电连接 对内依靠键合实现芯片与外界的信号
连接 依靠焊点与电路板连接
机械支撑和保护 对芯片起到支持 与外壳或模塑料实现保护
散热 散热通道
Institute of Microelectronics
34
不同封装的引线框架
陶瓷封装和塑料封装 (没有金属封装?)
Institute of Microelectronics
导电率(%IACS) 4
3
65
弹性模量(kg/mm2 ) I1n3s4ti0tu0te of Micr1o5e0le0c0tronics 12000
38
比重(g/cm3 )
8.17
8.12
8.9
Kovar合金
Kovar合金(4J29)属于定膨胀合金 Co 带材与丝材 去应力退火 线膨胀系数与陶瓷、玻璃匹配
26
性能检测与相关标准
讲义38
Institute of Microelectronics
27
模塑料的类型(p.32)
普通型
快速固化型 无后固化型 高热导型 低应力型 低辐射型 低膨胀型 低翘曲型
Institute of Microelectronics
28
普通型模塑料
结晶二氧化硅型 热导率高、线膨胀系数大、成本低 分立器件、LSI
熔融二氧化硅型 线膨胀系数小、热导率低、成本较
高 VLSI、大尺寸分立器件
Institute of Microelectronics
29
低应力型模塑料
固化过程产生的收缩应力 温度变化时的热应力
热应力导致失效 开裂
温度变化时的热应力 弹性模量 线膨胀系数 玻璃化转变温度
Institute of Microelectronics
机械强度、化学性能稳定、导电、导 热、热匹配、低固化温度、可操作性
Institute of Microelectronics
46
几种基本的芯片键合类型
银浆粘接技术 低熔点玻璃粘接技术 导电胶粘接技术 环氧树脂粘接技术 共晶焊技术
Institute of Microelectronics
47
环氧树脂粘接技术
Printed Circuit Board
Chip
Pin Thru. Hole
Package
(Substrate or leadframe)
Encapsulation
PCB
Institute of Microelectronics
5
内引线键合材料
Institute of Microelectronics
30
5
考核与命名
讲义40-42
Institute of Microelectronics
31
模塑料的发展
模塑料随微电子技术和封装技术 而发展
WHY?
高纯度 低应力 低辐射
Institute of Microelectronics
32
引线框架材料
Institute of Microelectronics
引线键合区
几何尺寸、表面涂敷、引线扭曲、平整 度、共面性
芯片粘接区
几何尺寸、表面涂敷、粗糙度
Institute of Microelectronics
44
芯片粘接材料
Institute of Microelectronics
45
芯片粘接的基本概念
Chip Attachment/Bonding,通常采用粘 接技术实现管芯(IC Chip)与底座 (Chip Carrier)的连接
Al-OFHC Cu Al-Ag plated LF Al-Ni
>75um Al can be used for power devices.
Institute of Microelectronics
16
Cl-的影响 “白毛”
Al(OH)3 + Cl- Al(OH)2 + OHAl + 4Cl- Al(Cl)42AlCl4- + 6H2O 2Al(OH)3 + 6H+ + 8Cl-
Institute of Microelectronics
41
引线框架的成型
冲压型 蚀刻型
Institute of Microelectronics
42
7
表面处理
表面电镀 Ni/Au Ag Sn or Solder
铜引线的预氧化
Institute of Microelectronics
43
引线框架的质量标准
9
引线键合的优缺点
优点 细间距,高速自动键合,高导电, 铝键合区 缺点 金属间化合物 Kirkendall效应 电流限制
Institute of Microelectronics
10
Au-Al金属间化合物
300°C以上的使用环境,容易发现“紫斑”; 125°C,可能产生一系列的金属间化合物。
Institute of Microelectronics
填充剂(SiO2) 阻燃剂 脱模剂
染色剂
Institute of Microelectronics
24
4
树脂特性
讲义27
Institute of Microelectronics
25
主要生产厂家
日本
住友 日东 日立化成
美国
Plaskon Hysol(Cookson)
中国
中科院化学所
Institute of Microelectronics
Institute of Microelectronics
53
其它陶瓷基板材料
氧化铍(BeO)
热导率8倍于氧化铝,用于功率器件 贵 毒
氮化铝(AlN)
高热导率,用于替代氧化铍 与Si相近的热膨胀系数 低价(与氧化铍比较)
54
Institute of Microelectronics
9
其它陶瓷基板材料
37
引线框架材料的主要物理性能
4J29
4J42
194 Alloy
抗弯强度(kg/mm2 ) 53
软化温度(°C)
---
65
45
650
400
熔点(°C)
1450
1427
1090
线膨胀系数(10-6 / 4.5-5.5 °C,20-350°C)
导热系数(W/cm°C) 0.19
4.4-5.6 0.15
16.3 2.63
工艺简单、成本低廉 适合于大规模生产,质量上已经接 近Au-Si共晶焊水平 可以分为两类:
导电、导热胶—“导电胶” 导热、电绝缘胶
Institute of Microelectronics
48
8
导电胶粘接技术
环氧 树脂
粘接剂
金属粉 粒
(银) 减少欧姆接 触
改善导热性
Institute of Microelectronics
2
封装材料的范围
能源、环境、材料、信息 微电子的发展 微电子封装材料 同时涉及系统组装的材料
简单的分类:金属、陶瓷、塑料
Institute of Microelectronics
3
电子封装材料的性能
电特性 绝缘性质、击穿、表面电阻,… …
热特性 玻璃化转化温度、热导率、热膨胀系数,… …
机械特性
扬氏模量、泊松比、刚度、强度,… …
Cu3Au,AuCu,Au3Cu:200-350°C
Au-Ag
无金属间化合物产生
Au-Au
最好的键合 高温应用
Institute of Microelectronics
15
Байду номын сангаас
铝(硅铝)丝键合系统
Pure aluminum is too soft. So alloyed with 1% Si or 1% Mg to provide a solid-solution strengthening mechanism.
49
固化条件
一般固化温度在150°C左右,固化 时间约1hr
固化前:“导电胶”不导电 固化后:溶剂挥发、银粉相互紧密接触形成 导电链
Institute of Microelectronics
50
封装基板与外壳材料
Institute of Microelectronics
51
基板材料的性能

介电常数、功耗、电阻、… …
11
Institute of Microelectronics
12
2
Institute of Microelectronics
13
Kirkendall效应
异种金属之间的互扩散 不同的扩散速度
温度、结构、… …
Institute of Microelectronics
14
金丝与其他介面的键合
Au-Cu