下载文档原格式
模拟电子技术课后习题答案康华光等编Document number【SA80SAB-SAA9SYT-SAATC-SA6UT-SA18】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为－6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有D被反偏而截止。
图b：将D断开，以“地”为参考点，有D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有D被正偏而导通。
，D2为硅二极管，当 vi＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（Vth ＝ V，rD＝200Ω）分析输出电压 vo的波形。
解（1）恒压降等效电路法当0＜|Vi |＜时，D1、D2均截止，vo＝vi；当vi≥时；D1导通，D2截止，vo＝0.7V；当vi ≤时，D2导通，D1截止，vo＝－0．7V。
vi与voth ＝0．5V，rD＝200Ω。
当0＜|Vi|＜0．5 V时，D1，D2均截止，vo=vi； vi≥0．5V时，D 1导通，D2截止。
模拟电子技术课后习题答案康华光等编Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为－6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有D被正偏而导通。
，D2为硅二极管，当 v i＝ 6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（V th＝ V，r D＝200Ω）分析输出电压 v o的波形。
解（1）恒压降等效电路法当0＜|V i|＜时，D1、D2均截止，v o＝v i；当v i≥时；D1导通，D2截止，v o＝0.7V；当v i≤时，D2导通，D1截止，v o＝－0．7V。
v i与v o＝0．5V，r D＝200Ω。
当0＜|V i|＜0．5 V时，D1，D 2均截止，v o=v i； v i≥0．5V th时，D1导通，D2截止。
第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压mA A VR v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==（2）求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即1.406V ～1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？ 解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
精心整理模拟电子技术习题答案第二章2.4.1D 和V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压 （2）求v o 的变化范围 图题2.4.1T ＝300K 。
当r d1=r d2O v 2.4.3AO 解图a V AO =–6V 图b ：图c 15V ，故D 2图d －6V ．故2.4.4解图a D 图b ：将D 图c D 2.4.71，解（1当0＜|V i 0. 7V （2D 2均截止，v o=v i ；v i ≥0．5V 时，D 1导通，D 2截止。
v i ≤－0.5V 时，D 2导通，D 1截止。
因此，当v i ≥0．5V 时有 同理，v i ≤－0.5V 时，可求出类似结果。
v i 与v o 波形如图解2．4．7c 所示。
2.4.8二极管电路如图题2．4．8a 所示，设输入电压v I （t ）波形如图b 所示，在0＜t ＜5ms 的时间间隔内，试绘出v o （t ）的波形，设二极管是理想的。
解v I （t ）＜6V 时，D 截止，v o （t ）＝6V ；v I （t ）≥6V 时，D 导通 电路如图题2．4．13所示，设二极管是理想的。
（a ）画出它的传输特性；（b ）若输入电压v I =v i =20sin ωtV ，试根据传输特性绘出一周期的输出电压v o 的波形。
解（a ）画传输特性0＜v I ＜12V 时，D 1，D 2均截止，v o ＝v I ； v I ≥12V 时，D 1导通，D 2截止－10V ＜v I ＜0时，D 1，D 2均截止，v o ＝v I ； v I ≤－10V 时，D 2导通，D 1截止传输特性如图解2．413中a 所示。
（b ）当v o ＝v I =20sin ωtV 时，v o 波形如图解2．4．13b 所示。
2.5.2两只全同的稳压管组成的电路如图题2．5．2所示，假设它们的参数V 2和正向特性的V th 、r D 为已知。
第二章2.4.1电路如图题2.4.1所示。
（1）利用硅二极管恒压降模型求电路的I D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压mA A V R v V I D DD D 6.8106.8101)7.0210(233=⨯=Ω⨯⨯-=-=- V V V V D O 4.17.022=⨯==（2）求v o 的变化范围图题2.4.1的小信号模型等效电路如图解2.4.l 所示，温度 T ＝300 K 。
Ω≈==02.36.826mAmV I V r D T d 当r d1=r d2=r d 时，则mV V r R r V v d d DDO 6)02.321000(02.32122±=Ω⨯+Ω⨯⨯±=+∆=∆O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即1.406V ～1.394V 。
2.4.3二极管电路如图2.4.3所示，试判断图中的二极管是导通还是截止，并求出AO 两端电压V AO 。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，V AO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
2.4.4 试判断图题 2.4.4中二极管是导通还是截止，为什么？ 解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有V V k k V A 115)10140(10=⨯Ω+Ω=V V k k V k k V B 5.315)525(510)218(2=⨯Ω+Ω+⨯Ω+Ω=D 被反偏而截止。
模拟电子技术习题答案第二章和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压 （2）求v o 的变化范围 当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即～。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
解 图a ：将D 断开，以“地”为电位参考点，这时有 D 被反偏而截止。
图b ：将D 断开，以“地”为参考点，有 D 被反偏而截止。
图c ：将D 断开，以“地”为参考点，有 D 被正偏而导通。
，D 2为硅二极管，当 v i ＝ 6 sin ωtV 时，试用恒压降模型和 折线模型（V th ＝ V ，r D ＝200Ω）分析输出电压 v o 的波形。
解 （1）恒压降等效电路法当0＜|V i |＜时，D 1、D 2均截止，v o ＝v i ；当v i ≥时；D 1导通，D 2截止，v o ＝ 0. 7V ；当v i ≤时，D 2导通，D 1截止，v o ＝－0．7V 。
v i 与v oth ＝0．5V ，r D ＝200Ω。
当0＜|V i |＜0．5 V 时，D 1，D 2均截止，v o=v i ； v i ≥0．5V 时，D 1导通，D 2截止。
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ，而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流 大于 漂移电流，耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时，扩散电流 小于 漂移电流，耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中，电子为多数载流子， 空穴 为少数载流子。
二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。
（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。
（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。
（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。
（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。
（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。
（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。
（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594TV T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TV V >>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。
资料范本本资料为word版本，可以直接编辑和打印，感谢您的下载模电课后(康华光版)习题答案4,5,6,8习题地点：__________________时间：__________________说明：本资料适用于约定双方经过谈判，协商而共同承认，共同遵守的责任与义务，仅供参考，文档可直接下载或修改，不需要的部分可直接删除，使用时请详细阅读内容第四章部分习题解答4．1．3 某BJT的极限参数ICM=100mA，PCM=150mW，V（BR）CEO=30V，若它的工作电压VCE=10V，则工作电流IC不得超过多大？若工作电流IC=1mA，则工作电压的极限值应为多少？解: BJT工作时，其电压和电流及功耗不能超过其极限值，否则将损坏。
当工作电压VCE确定时，应根据PCM及ICM确定工作电流IC，即应满足ICVCE≤PCM及IC≤ICM。
当VCE=10V时，此值小于ICM=100mA，故此时工作电流不超过15mA即可。
同理，当工作电流Ic确定时，应根据ICVCE≤PCM及VCE≤V（BR）CEO确定工作电压VCE的大小。
当IC=1mA时，为同时满足上述两个条件，则工作电压的极限值应为30V。
4．3．3 若将图题3.3.1所示输出特性的BJT接成图题3.3.3所示电路，并设VCC=12V，R C=1kΩ，在基极电路中用VBB=2.2V和Rb=50kΩ串联以代替电流源iB。
求该电路中的IB、IC和VCE的值，设VBE=0.7V。
图题3.3.1图题 3.3.3解: 由题3.3.1已求得β=200，故IC=βIB=200×0.03mA=6mA VCE=VCC-ICRc=6V4.3.5 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT的输出特性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压VCC，静态电流IB、IC和管压降VCE的值；（2）电阻Rb、Re的值；（3）输出电压的最大不失真幅度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？图题3.3.6解:（1）由图题3.3.6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即VCC值的大小，故VCC=6V。
模拟电子技术习题答案第二章2.4.1D 和 V o 的值；（2）在室温（300K ）的情况下，利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。
解（1）求二极管的电流和电压（2）求v o 的变化范围当r d1=r d2=r d 时，则O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+，即1.406V ～1.394V 。
2.4.3AO 。
设二极管是理想的。
解 图a ：将D 断开，以O 点为电位参考点，D 的阳极电位为－6 V ，阴极电位为－12 V ，故 D 处于正向偏置而导通，V AO =–6 V 。
图b ：D 的阳极电位为－15V ，阴极电位为－12V ，D 对被反向偏置而截止，VAO ＝－12V 。
图c ：对D 1有阳极电位为 0V ，阴极电位为－12 V ，故D 1导通，此后使D 2的阴极电位为 0V ，而其阳极为－15 V ，故D 2反偏截止，V AO =0 V 。
图d ：对D 1有阳极电位为12 V ，阴极电位为0 V ，对D 2有阳极电位为12 V ，阴极电位为 －6V ．故D 2更易导通，此后使V A ＝－6V ；D 1反偏而截止，故V AO ＝－6V 。
2.4.4解图a：将D断开，以“地”为电位参考点，这时有D被反偏而截止。
图b：将D断开，以“地”为参考点，有D被反偏而截止。
图c：将D断开，以“地”为参考点，有D被正偏而导通。
2.4.71，D2为硅二极管，当v i＝6 sinωtV时，试用恒压降模型和折线模型（V th＝0.5 V，r D＝200Ω）分析输出电压v o的波形。
解（1）恒压降等效电路法当0＜|V i|＜0.7V时，D1、D2均截止，v o＝v i；当v i≥0.7V时；D1导通，D2截止，v o＝0.7V；当v i≤0.7V时，D2导通，D1截止，v o＝－0．7V。
v i与v o＝0．5V，r D＝200Ω。
当0＜|V i|＜0．5 V时，D1，D 2均截止，v o=v i；v i≥0．5V时，thD1导通，D2截止。
v i≤－0.5 V时，D2导通，D1 截止。
因此，当v i≥0．5V时有同理，v i≤－0.5V时，可求出类似结果。
v i与v o波形如图解2．4．7c所示。
2.4.8二极管电路如图题2．4．8a所示，设输入电压v I（t）波形如图b所示，在0＜t ＜5ms的时间间隔内，试绘出v o（t）的波形，设二极管是理想的。
解v I（t）＜6V时，D截止，v o（t）＝6V；v I（t）≥6V时，D导通电路如图题2．4．13所示，设二极管是理想的。
（a）画出它的传输特性；（b）若输入电压v I =v i=20 sinωt V，试根据传输特性绘出一周期的输出电压v o的波形。
解（a）画传输特性0＜v I＜12 V时，D1，D2均截止，v o＝v I；v I≥12 V时，D1导通，D2截止－10V＜v I＜0时，D1，D2均截止，v o＝v I；v I≤－10 V时，D2导通，D1截止传输特性如图解2．4 13中a所示。
（b）当v o＝v I=20 sinωt V时，v o波形如图解2．4．13b所示。
2.5.2两只全同的稳压管组成的电路如图题2．5．2所示，假设它们的参数V2和正向特性的V th、r D为已知。
试绘出它的传输特性。
解当| v I |＜（Vz＋V th）时，D zl、D Z2均截止，v o＝v I；| v I |≥（Vz＋V th）时，D zl、D Z2均导通传输特性如图解2．5．2所示。
第三章3.1.1 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为V A＝－9 V，V B＝一6 V，Vc＝6．2 V，试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此BJT是NPN管还是PNP管。
解由于锗BJT的|V BE|≈0.2V，硅BJT的|V BE|≈0．7V，已知用BJT的电极B的V B＝一6 V，电极C的Vc＝–6．2 V，电极A的V A＝－9 V，故电极A是集电极。
又根据BJT 工作在放大区时，必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知，电极B是发射极，电极C 是基极，且此BJT为PNP管。
3.2.1试分析图题3．2．1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。
并简述理由。
（设各电容的容抗可忽略）解图题3．2．la无放大作用。
因R b=0，一方面使发射结所加电压太高，易烧坏管子；另一方面使输人信号v i被短路。
图题3．2．1b有交流放大作用，电路偏置正常，且交流信号能够传输。
图题3．2．lc无交流放大作用，因电容C bl隔断了基极的直流通路。
图题3．2．id无交流放大作用，因电源V cc的极性接反。
3.3.2 测量某硅BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域。
（a）V C＝6 V V B＝0.7 V V E＝0 V（b ）V C ＝6 V V B ＝2 V V E ＝1.3 V（c ）V C ＝6 V V B ＝6V V E ＝5.4 V（d ）V C ＝6 V V B ＝4V V E ＝3.6 V（。
）V C ＝3.6 V V B ＝4 V V E ＝3. 4 V解（a ）放大区，因发射结正偏，集电结反偏。
（b ）放大区，V BE ＝（2—l ．3）V ＝0．7 V ，V CB ＝（6－2）V ＝4 V ，发射结正偏，集电结反偏。
（C ）饱和区。
（d ）截止区。
（e ）饱和区。
3.3.5 设输出特性如图题 3．3．1所示的 BJT 接成图题 3．3.3所示的电路，具基极端上接V BB ＝3．2 V 与电阻R b ＝20 k Ω相串联，而 Vcc ＝6 V ，R C ＝200Ω，求电路中的 I B 、I C 和 V CE 的值，设 V BE ＝0．7 V 。
解 mA R V V I bBE BB B 125.0=-== 由题3．3．1已求得β＝200，故3.3.6 图题3．3．6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线，试求：（1）电源电压V CC ，静态电流I B 、I C 和管压降V CE 的值；（2）电阻R b 、R C 的值；（3）输出电压的最大不失真幅度；（4）要使该电路能不失真地放大，基极正弦电流的最大幅值是多少？解 （1）由图3．3．6可知，直流负载线与横坐标轴的交点即Vcc 值的大小，故Vcc= 6 V 。
由Q 点的位置可知，I B ＝20μA ，I C ＝1 mA ，V CE ＝3 V 。
（2）由基极回路得： Ω=≈k I V R BCC b 300 由集－射极回路得 Ω=-==k I V V R C CE CC C 3 （3）求输出电压的最大不失真幅度由交流负载线与输出特性的交点可知，在输人信号的正半周，输出电压v CE 从3V 到0．8V ，变化范围为2.2V ；在输入信号的负半周，输出电压v CE 从3V 到4．6V ，变化范围为1．6V 。
综合起来考虑，输出电压的最大不失真幅度为1．6V 。
（4）基极正弦电流的最大幅值是20 μA 。
3.4.13.4.2β＝50。
（1）估算Q 点；（2）画出简化 H 参数小信号等效电路；（3）估算 BJT 的朝人电阻 r be ；（4）如输出端接入4 k Ω的电阻负载，计算i O V V V A &&&=及SO VS V V A &&&=。
解（1）估算Q 点（3）求r be（4）116)||('0-≈-=-==be L C be L iV r R R r R V V A ββ&&& 3.4.51、C 2、C 3对交流信号可视为短路。
（1）写出静态电流Ic 及电压V CE 的表达式；（2）写出电压增益VA &、输人电或Ri ．和输出电阻Ro 的表达式；（3）若将电容C 3开路，对电路将会产生什么影响？解（1）Ic 及V CE 的表达式（2）VA &、Ri ．和Ro 的表达式 （3）C 3开路后，将使电压增益的大小增加同时Ro 也将增加，32R R R O +≈。
3.5.2t 具有负温度系数、问能否起到稳定工作点的作用？3.5.4β＝100，试求：（1）Q 点；（2）电压增益s o V V V A &&&11=和so V V V A &&&22=；（3）输入电阻Ri ；（4）输出电阻R O1和R O2、解 （1）求Q 点(2)求r be 及Ri（3） 79.0)1(01011-≈+⋅++-=⋅==s i i e be c si i s V R R R R r R V V V V V V A ββ&&&&&&& （4）求R O1和R O2、压增∞==L s R R ,0100，＝β。
试确定电路的电益、输入电阻和输出电阻。
解 Ω≈++=k I mV r r Ebb be 8.226)1('β 其中 I E ＝1.01mA 。
Ω=≈k R R c 5.70。
3.7.1某放大电路中A V 的数幅频特性如图题3．7．1所示。
（1）试求该电路的中频电压增益|A |VM&，上限频率f H ，下限频率f L ；（2）当输人信号的频率 f ＝f L 或 f ＝f H 时，该电路实际的电压增益是多少分贝？解 （1）由图题3．7．1可知，中频电压增益|A |VM&＝1000，上限频率人f H ＝108HZ ，下限频率f L ＝102HZ 。
（2）当f ＝f L 或 f ＝f H 时，实际的电压增益是57 dB 。
3.7.3 一放大电路的增益函数为试绘出它的幅频响应的波特图，并求出中频增益、下限频率f L 和上限频率f H 以及增益下降到1时的频率。
解 对于实际频率而言，可用f j s π2=代人原增益传递函数表达式，得由此式可知，中频增益|A M |＝10，f ＝10 HZ ，f H ＝1063.7.6一高频BJT ，在Ic ＝1.5mA 时，测出其低频H 参数为：r be ＝1.1K Ω，βo ＝50，特征频率T f ＝100MHz ，pF C c b 3='，试求混合∏型参数e b b b e b m C r r g '''、、、。
3.7.8 电路如图3．5．1所示（射极偏置电路），设在它的输人端接一内阻 Rs= 5K Ω的信号源．电路参数为：R b1= 33K Ω，R b2＝22K Ω。
Re ＝3．9K Ω，Rc ＝4．7K Ω，R L＝ 5．1K Ω，Ce ＝ 50μF （与Re 并联的电容器）．Vcc ＝5V ．I E ≈0.33mA ，β0＝120，及r ce ＝300 K Ω，Ω='50b b r ，f T =700 MHZF C c b p 1='。
