模拟电子技术 课后习题答案 康华光等编

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模拟电子技术习题答案

第二章

2.4.1D 和 V o 的值;(2)在室温(300K )的情况下,利用二极管的小信号模型求v o 的变化范围。

解(1)求二极管的电流和电压

(2)求v o 的变化范围

当r d1=r d2=r d 时,则

O v 的变化范围为)(~)(O O O O v V v V ∆-∆+,即1.406V ~1.394V 。

2.4.3AO 。设二极管是理想的。

解 图a :将D 断开,以O 点为电位参考点,D 的阳极电位为-6 V ,阴极电位为-12 V ,故 D 处于正向偏置而导通,V AO =–6 V 。

图b :D 的阳极电位为-15V ,阴极电位为-12V ,D 对被反向偏置而截止,VAO =-12V 。 图c :对D 1有阳极电位为 0V ,阴极电位为-12 V ,故D 1导通,此后使D 2的阴极电位为 0V ,而其阳极为-15 V ,故D 2反偏截止,V AO =0 V 。

图d :对D 1有阳极电位为12 V ,阴极电位为0 V ,对D 2有阳极电位为12 V ,阴极电位为 -6V .故D 2更易导通,此后使V A =-6V ;D 1反偏而截止,故V AO =-6V 。

2.4.4

解图a:将D断开,以“地”为电位参考点,这时有

D被反偏而截止。

图b:将D断开,以“地”为参考点,有

D被反偏而截止。

图c:将D断开,以“地”为参考点,有

D被正偏而导通。

2.4.71,D2为硅二极管,当v i=6 sinωtV时,试用恒压降模型和

折线模型(V th=0.5 V,r D=200Ω)分析输出电压v o的波形。

解(1)恒压降等效电路法

当0<|V i|<0.7V时,D1、D2均截止,v o=v i;当v i≥0.7V时;D1导通,D2截止,v o=0.7V;当v i≤0.7V时,D2导通,D1截止,v o=-0.7V。v i与v o

=0.5V,r D=200Ω。当0<|V i|<0.5 V时,D1,D 2均截止,v o=v i;v i≥0.5V时,th

D1导通,D2截止。v i≤-0.5 V时,D2导通,D1 截止。因此,当v i≥0.5V时有

同理,v i≤-0.5V时,可求出类似结果。

v i与v o波形如图解2.4.7c所示。

2.4.8二极管电路如图题2.4.8a所示,设输入电压v I(t)波形如图b所示,在0<t <5ms的时间间隔内,试绘出v o(t)的波形,设二极管是理想的。

解v I(t)<6V时,D截止,v o(t)=6V;v I(t)≥6V时,D导通

电路如图题2.4.13所示,设二极管是理想的。(a)画出它的传输特性;(b)若输入电压v I =v i=20 sinωt V,试根据传输特性绘出一周期的输出电压v o的波形。

解(a)画传输特性

0<v I<12 V时,D1,D2均截止,v o=v I;

v I≥12 V时,D1导通,D2截止

-10V<v I<0时,D1,D2均截止,v o=v I;

v I≤-10 V时,D2导通,D1截止

传输特性如图解2.4 13中a所示。

(b)当v o=v I=20 sinωt V时,v o波形如图解2.4.13b所示。

2.5.2两只全同的稳压管组成的电路如图题2.5.2所示,假设它们的参数V2和正向特性的V th、r D为已知。试绘出它的传输特性。

解当| v I |<(Vz+V th)时,D zl、D Z2均截止,v o=v I;

| v I |≥(Vz+V th)时,D zl、D Z2均导通

传输特性如图解2.5.2所示。

第三章

3.1.1 测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电位分别为V A=-9 V,V B=一6 V,Vc=6.2 V,试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c,并说明此BJT是NPN管还是PNP管。

解由于锗BJT的|V BE|≈0.2V,硅BJT的|V BE|≈0.7V,已知用BJT的电极B的V B=一6 V,电极C的Vc=–6.2 V,电极A的V A=-9 V,故电极A是集电极。又根据BJT 工作在放大区时,必须保证发射结正偏、集电结反偏的条件可知,电极B是发射极,电极C 是基极,且此BJT为PNP管。

3.2.1试分析图题3.2.1所示各电路对正弦交流信号有无放大作用。并简述理由。(设各电容的容抗可忽略)

解图题3.2.la无放大作用。因R b=0,一方面使发射结所加电压太高,易烧坏管子;另一方面使输人信号v i被短路。

图题3.2.1b有交流放大作用,电路偏置正常,且交流信号能够传输。

图题3.2.lc无交流放大作用,因电容C bl隔断了基极的直流通路。

图题3.2.id无交流放大作用,因电源V cc的极性接反。

3.3.2 测量某硅BJT各电极对地的电压值如下,试判别管子工作在什么区域。

(a)V C=6 V V B=0.7 V V E=0 V

(b )V C =6 V V B =2 V V E =1.3 V

(c )V C =6 V V B =6V V E =5.4 V

(d )V C =6 V V B =4V V E =3.6 V

(。)V C =3.6 V V B =4 V V E =3. 4 V

解(a )放大区,因发射结正偏,集电结反偏。

(b )放大区,V BE =(2—l .3)V =0.7 V ,V CB =(6-2)V =4 V ,发射结正偏,集电结反偏。

(C )饱和区。

(d )截止区。

(e )饱和区。

3.3.5 设输出特性如图题 3.3.1所示的 BJT 接成图题 3.3.3所示的电路,具基极端上接V BB =3.2 V 与电阻R b =20 k Ω相串联,而 Vcc =6 V ,R C =200Ω,求电路中的 I B 、I C 和 V CE 的值,设 V BE =0.7 V 。

解 mA R V V I b

BE BB B 125.0=-== 由题3.3.1已求得β=200,故

3.3.6 图题3.3.6画出了某固定偏流放大电路中BJT 的输出特性及交、直流负载线,试求: