模拟电子技术基础习题第一章半导体二极管及其应用电路第二章半导体三极管及其放大电路第三章场效应晶体管及其放大电路第四章集成运算放大器第六章运放应用电路第七章功率放大电路第八章波形发生和变换电路第九章直流稳压电源第五章负反馈放大电路第十章晶闸管及其应用第十一章～第二十一章应用篇第一章半导体二极管及其应用电路一、填空：1．半导体是导电能力介于_______和_______之间的物质。
2．利用半导体的_______特性，制成杂质半导体；利用半导体的_______特性,制成光敏电阻，利用半导体的_______特性,制成热敏电阻。
3．PN 结加正向电压时_______，加反向电压时_______，这种特性称为PN 结的_______ 特性。
4．PN 结正向偏置时P 区的电位_______N 区的电位。
导体绝缘体掺杂光敏热敏单向导电截止高于导通5．二极管正向导通的最小电压称为______电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_______电压.6．二极管最主要的特性是，使用时应考虑的两个主要参数是和_。
7．在常温下，硅二极管的死区电压约_______V ，导通后在较大电流下的正向压降约_______V 。
死区单向导电击穿最大整流电流最大反向工作电压0.50.78．在常温下，锗二极管的死区电压约为_______V ，导通后在较大电流的正向压降约为_______V 。
9．半导体二极管加反向偏置电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的_______性能越好。
10．稳压管工作在伏安特性的________区，在该区内的反向电流有较大变化，但它两端的电压_ ______。
0.1V 0.3单向导电反向击穿基本不变11．理想二极管正向电阻为________，反向电阻为_______，这两种状态相当于一个_______。
12．当温度升高时，二极管的正向特性曲线将________，反向特性曲线将_______。
13．当温度升高时，二极管的正向电压降_______，反向击穿电压________，反向电流________。
0无穷大开关左移下移减小减小增大14.整流电路的作用是______ __，核心元器件是_______。
15.滤波电路的作用是________，滤波电路包含有_______元件。
16.单相半波整流，单相桥式整流相比，脉动比较大的是_______，整流效果好的是_______。
17.在单相桥式整流电路中，如果任意一个二极管反接，则________，如果任意一只二极管脱焊，则_______。
将交流电变成脉动的直流电二极管降低输出直流电中的脉动成分储能单相半波单相桥式电源短路成为半波整流二、选择题：1.二极管的导通条件是( )。
A. B. 死区电压 C.击穿电压。
2.硅二极管的正向电压在0.7V 的基础上增加10％，它的电流( )。
A.基本不变B.增加10％C.增加10％以上3.硅二极管的正向电压在0.3V 的基础上增大10％，它的电流( )。
A.基本不变B.增加10％C.增加10％以上4.用万用表的档和档分别测量一个正常二极管的正向电阻，两次测量值分别为和，则与的关系为( )。
A. B. C.0>D U >D U >D U Ω⨯100R Ω⨯K R 11R 2R 1R 2R 21R R 〉21R R =21R R 〈5.当温度为时，二极管的导通电压为0.7V ，若其他参数不变，当温度升高到时，二极管的导通电压将( )。
A.等于0.7VB.小于0.7VC.大于0.7V6.如图所示，二极管均为理想元件，则VD 1、VD 2、VD 3的工作状态为( )。
A. VD 1导通，VD 2、VD 3截止B. VD 2导通，VD 1、VD 3截止C. VD 3导通，VD 1、VD 2截止C ︒20C ︒408.电路如图所示,VD 1～VD 3为理想二极管,A 、B 、C 白炽灯泡额定功率相同，其中最亮的灯是_______。
A. BB. CC. A7 .在图示电路中稳压管VD Z1的稳定电压为9V ，VD Z2的稳定电压为15V ，输出电压等于( )。
A ．15VB ．9VC ．24VO U9．理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中，二极管承受的最大反向电压为_______。
A ．小于 B.等于C.大于，小于 D.等于10．单相桥式整流电容滤波电路，当满足（3～5）时，负载电阻上的平均电压为_______。
A.1.1U 2B. 0.9U 2C. 1.2 U 2D. 0.45U 222U 22U 22U 222U 222U C R L 2T11．所示电路图中，（忽略导通压降）用示波器观察的波形正确的是_______。
)(sin 10V t u i ω=ou12.有三个整流电路A、B、C，变压器副边电压，负载电压的波形如图所示，符合该波形的电路是_______。
三、判断题1. 在二极管的反向截至区，反向电流随反向电压增大而增大。
（）2. 如果稳压管工作电流则管子可能被损坏。
（）3. 指针式万用表的红表笔（正端）接二极管的正极，黑表笔（负端）接二极管的负极，测得的是二极管的正向电阻。
（）4.桥式整流电路中，流过每个二极管的平均电流相同，都只有负载电流的一半。
（）5.当变压器中心抽头式全波整流电路和桥式整流电路的输入电压相同时，它们的输出电压波形相同，每个二级管承受的反向电压相同。
（）×××√×四、分析计算：1.判断下列电路中二极管的工作状态。
VD1导通，VD2截止VD 截止2.图所示，设二极管导通压降为0.7V ，判断二极管是否导通，并求输出电压。
截止0V O U 导通+11.3V 截止+6V导通+0.7V 导通-12.7V3.图所示，设二极管导通压降为0.7V ，判断二极管是否导通，并求输出电压。
O U V U O 7.0导通= VDVD VD VD VD 4321导通 截止，截止，导通，VU O 3.7=4.图所示，设二极管导通压降为0.7V ，判断二极管是否导通，并求输出电压。
O U VD VD 21 3.5 导通截止，O V U =VD 3.11导通O V U -=5.电路如图所示，设，，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出的波形。
VE6=)(sin Vtuiω12=1ou5.电路如图所示，设，，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出的波形。
VE6=)(sin Vtuiω12=2ou5.电路如图所示，设，，二极管的正向压降忽略不计，试在图中分别画出的波形。
VE6=)(sin Vtuiω12=3ou6．图示电路中，已知2CW5的参数如下：稳定电压，最大稳定电流，若流经电压表V 的电流可忽略不计。
求：1)开关S 合上时，电压表V 、电流表A 1和电流表A 2的读数为多少？2)开关S 打开时，流过稳压管的电流为多少？3)开关S 合上，且输入电压由原来30 V 上升到33 V 时，此时电压表V 、电流表A 1和电流表A 2的读数为多少？V U Z 12=mA I ZM 20=V ：12V A 1：12mA A 2：6mAI Z ：12mAV ：12VA 1：14mAA 2：6mA7.电路如图所示，试估算输出电压和，并标出输出电压对地极性。
1o U 2o U -+-45V+9V8．电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示( V )试求：（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；（2）正常工作时，U o =？（3）若电容脱焊，U o=？（4）若R L 开路，U o =？（5）若其中一个二极管开路，U o =？t u ωsin 2102=12V 9V 14V 10V9.电容滤波桥式整流电路及输出电压极性如图所示，( V )试求：（1）画出图中4只二极管和滤波电容（标出极性）；（2）正常工作时，U o =？（3）若电容脱焊，U o=？（4）若R L 开路，U o =？（5）若其中一个二极管开路，U o =？t u ωsin 2202=28V 18V24V20V10. 试分析图示电路的工作原理，标出电容电压的极性和数值，并标出电路能输出约多少大的输出电压和极性。
约22222423222U U U U 、、、＋＋＋＋第二章半导体三极管一、填充题1.三极管从结构上看可以分成＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿两种类型。
2.晶体三极管工作时有＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿两种载流子参与导电，因此三极管又称为＿＿＿＿＿＿晶体管。
3.设晶体管的压降不变，基极电流为20μA 时，集电极电流等于2mA ，则=____。
若基极电流增大至25μA ，集电极电流相应地增大至2.6mA ，则=____。
CE U ββ100120NPN PNP 自由电子空穴双极型4.三极管的电流放大作用是指三极管的＿＿＿＿＿电流约是＿＿＿＿＿电流的倍，即利用＿＿＿＿＿电流，就可实现对＿＿＿＿＿电流的控制。
5.某三极管的发射极电流等于1mA ，基极电流等于20μA ，穿透电流Iceo=0则其集电极电流等于____，电流放大系数β等于____。
6.当三极管工作在＿＿＿＿区时，关系式I C ≈βI B 才成立，发射极＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。
7.当三极管工作在＿＿＿＿区时，I C ≈0；发射极＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿偏置。
集电极基极基极集电极0.98mA 49放大正向反向截止零或反向反向8.当三极管工作在＿＿＿＿区时，U CE ≈0。
发射极＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。
9.当NPN 硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，＿＿＿＿极和＿＿＿＿极电位差等于＿＿＿＿。
10.当PNP 锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，U BE 等于＿＿＿＿。
11.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为,试判断三极管的类型是＿＿＿＿，材料是＿＿＿＿。
V V V V VV 5.1,2.1,4321-=-=-=集电饱和正向发射基0.7V 正向发射发射集电-0.3V PNP锗12.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为，,三个电极分别1为＿＿＿＿＿＿，2为＿＿＿＿＿＿，3为＿＿＿＿＿＿。
13.温度升高时，三极管的电流放大倍数β将＿＿＿＿；穿透电流I CEO 将＿＿＿＿；发射极电压U BE 将＿＿＿＿。
14.温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将____移，输出特性曲线将____移，而且输出特性曲线之间隔将变____。
V V V V V V 5.1,2.1,4321-=-=-=C E B 增大增大减小左上宽15. 查阅电子器件手册，了解下列常用三极管的极限参数，并记录填写在下表中16.某放大电路，当输入电压为10mV 时，输出电压为7V ，当输入电压为15mV 时，输出电压为6.5V 。
![《模拟电子技术基础》A卷及答案[1]](https://img.taocdn.com/s1/m/ee09e0190b4e767f5acfce51.png)
