奥氏体的线生长 速度包括向两侧 的推移速度 28 如果忽略铁素体与渗碳体的浓度梯度,则奥 氏体长大时的界面推移速度为 v dC DC dx K C C r v C 形核率N 线生长速度v 有核相变的 形成速度 奥氏体 相变 等温条件下,N和v均可近似为常数 24 一、形核率 临界形核半径 临界形核功 均匀形核率 r* 2 Gv Gs 16 3 G* 3( G V G s )2 N Ce Gm ' kT e
G* kT 25 奥氏体形成温度T升高时 共析碳钢奥氏体形核率N与加热温度的关系 转变温 度 oC 740 760 780 800 形核率N [1/mm3s] 2280 11000 51500 616000 T↑→ N↑↑ 原 因 26 16 3 G* 3( G V G s )2 N C 'e