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bjt晶体管放大器设计仿真实验报告实验目的：通过仿真和设计实验掌握BJT晶体管放大器的特性，了解放大器的基本结构和原理，使用Multisim进行模拟电路的设计和验证。
实验器材：电脑、Multisim软件实验原理：BJT晶体管放大器BJT晶体管放大器是工程中常用的放大器之一，其结构简单，易于实现，所以被广泛应用。
BJT晶体管的放大器基本参数有增益、输入阻抗、输出阻抗等，这些参数与负载、元器件选型等有关。
BJT晶体管放大器包括三个区域：基区、发射区、集电区。
当正向偏置（即基极正向，发射极负向，集电极正向）时，电子从发射区向基区注入，由于集电区厚度较大，电子大量扩散到集电区，形成电流放大效应。
由于收集极为多数载流子的主要地方，所以放大器的电流一般从集电极注入。
实验步骤1. 设计放大器的电路图，包括输入端、BJT晶体管、输出端、偏置电路等。
2. 选择合适的电阻值，偏置电压、负载等元器件参数。
3. 使用Multisim软件按照电路图布局放置元器件，并将元器件的参数输入Multisim 中。
4. 设置测量点，并对电路进行仿真分析。
5. 分析仿真结果，调整电路参数，优化电路。
6. 记录仿真结果并写出实验报告。
实验内容1. 设计一个以晶体管为核心的放大电路，要求两个输出端之间的放大系数应不小于100，放大器的直流通路电路使用以2mA为中心的工作点，增益、输入阻抗、输出阻抗等参数要求在电阻值误差的5%以内。
2. 使用Multisim仿真软件模拟电路。
3. 优化电路参数，得出满足实验要求的电路。
实验步骤及结果1. 电路设计根据实验要求，我们设计了以下电路图：其中，RE1、RE2为两个发射极稳流器。
根据放大器的基本公式，我们可以计算出电路中各电阻的取值：R1=261ΩR2=1.1kΩR3=121kΩR4=6.5kΩR5=8.2kΩR6=39kΩR7=360ΩR8=4.7kΩ在仿真时，我们将R1、R2看作是一个整体R1//R2=228.1Ω，R6与R8也是一个整体，即R6//R8=8.81kΩ。
实验七 小信号放大器性能分析与仿真一、实验名称：小信号放大器性能分析与仿真 二、实验目的：1、仿真分析各种小信号放大器的结构，参数及特性，如电压增益、输入阻抗、输出阻抗、频率响应等等。
2、掌握实验中的小信号放大器的等效电路及其工作原理。
三、实验原理：小信号放大器是电子线路的重要组成部分之一，由于它工作在晶体管的线性区域之内，因此又称为线性放大器。
晶体管存在等效电路，常见的三极管等效电路有：低频h 参数、共基极T 型高频等效电路、混合π型高频等效电路。
共发射极h 参数的等效电路：适用于对低频放大器进行分析。
共基极T 型高频等效电路：适用于分析共基极高频放大电路，工作频率可以高达100MHz 以上。
混合π型高频等效电路：适应于分析共射极高频放大电路，在较宽的频率范围之内，等效电路的参数与工作频率无关。
四、实验内容：1、晶体三极管的等效电路常见的晶体三极管等效电路有：低频h 参数、共基极T 型高频等效电路、混合型高频等效电路，它们经常用于分析各种小信号晶体管放大器的特性。
共发射极h 参数的等效电路如图所示，它适用于对低频放大器进行分析。
另外，还存在着一种简化的h 参数等效电路，其中忽略晶体管内部的电压反馈系数h 。
共发射极的h 参数与各电压电流的关系为⎥⎦⎤⎢⎣⎡⎥⎦⎤⎢⎣⎡=⎥⎦⎤⎢⎣⎡c b oe fe re iec b v i h h h h i v共基极T 型高频等效电路如下左图所示，它适用于对共基极高频放大电路进行分析，工作频率可高达100MHz 以上。
混合π型高频等效电路如下图右所示，它适用于分析共发射极高频放大电路。
在较宽的频率范围内，等效电路的参数与工作频率无关。
另外还存在着简化的混合型高频等效电路，其中rb'e 和rce 处于开态。
2、共发射极放大电路共发射极放大电路是一种使用广泛的电路，其电压和电流增益都比较高。
自定义M 函数amplif.m 来仿真共发射极放大电路，使用它计算放大器的直流参数和交流参数（频率在1000HZ 左右的中间频率）。
