雷清泉院士电介质中的空间电荷效应ppt课件
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q:电子电荷;V:外加电压;k:波尔兹曼常数;n:理想因子;I s:饱和电流;J s=I s/Aεr :相对介电常数;ε:真空介电常数;L:阴阳两极间距离()()1122222exp2q V dm mdααϕϕ-⎛⎫⎪⎝⎭*3232*42()exp83FNmSmqEhm hqEϕπϕ⎛⎫-⎪⎪⎝⎭理解薄膜中电荷的输运机制对于分子电子器件的应用具有重要意义,例如分子二极管、分子晶体管和分子存储元件等。
因此,关于金属电极薄膜中电荷的输运机制的研究已成为纳米材料研究中倍受关注的热点课题。
电荷在金属电极-薄膜-金属电极结构中的输运机制主要有直接隧穿、Fowler –Nordheim 隧穿、Schottky 发射效应、Poole-Frankel 效应、跳跃传导(Hopping conduction )及空间电荷限制(SCLC )效应六种,各种输运机制的能带示意图,电流特性公式及电流对温度、电压的依赖关系如表1所示。
直接隧穿和Fowler –Nordheim 隧穿属于非共振遂穿,电流大小均和温度无关,其中直接隧穿适用于小电压范围(eV φ<),电流和电压呈线性关系;Fowler –Nordheim 隧穿适用于较高电压范围(eV φ>),()2ln I V 和1V 呈线性关系。
在小电压范围,美国耶鲁大学Reed G7研究组利用直接隧穿模型研究了饱和烷硫醇自组装薄膜器件在变温条件下的电荷输运机制,并推算出势垒高度φ及衰减系数β。
清华大学陈培毅教授G8等也对烷基硫醇饱和分子结中的电荷输运进行了研究,证实了隧穿为饱和分子结中的主要电荷输运机制。
中国科学技术大学王晓平G9研究组研究了自组装硫醇分子膜输运特征的压力依赖性,分析表明自组装硫醇分子膜输运特征的压力依赖性也主要源于电荷在分子膜中的链间隧穿过程。
在较高电压范围,韩国光州科学研究院Lee G10等观察到饱和烷硫醇自组装薄膜器件电流输运机制由直接隧穿转变为Fowler –Nordheim 隧穿,并研究了不同条件下过渡电压的变化规律。