电源工程师习题

电源工程师习题
一、稳定性与补偿
1、在波特图中增益裕度是指
单位增益与相位180°时之间的增益差
2、在波特图中，穿越频率是指（）的频率点
单位增益曲线为零分贝时
3、环路分析仪可以测量小信号下的控制系统波特图，其本质上是
矢量网络分析仪
4、工程上根据波特图判断反馈系统稳定性的判据是
增益裕量在-6dB到-12dB之间，且相位裕量在45°到60°之间
5、测量闭环反馈系统稳定性的基本原理是
注入不同频率的小信号
5、增益曲线在0db轴时穿越频率小于-2，则相位裕度会大于
45°
6、测试小信号动态性能的仪器为
环路分析仪
二、电阻
1、贴片电阻(SMT)在选择时，不同封装大小与什么有关？
功率
耐压等级
散热
以上都是
2、电阻作为电源中最常用的电子元件，如下哪种不是电阻的功能？
变频
3、电阻用于开机浪涌抑制时，主要考虑电阻的哪些参数？
功率
耐压等级
4、电阻失效时，如下哪种是其常见失效现象？
短路
开路
阻值变化
以上都是
5、一般场合下，电阻并联的目的是?
提高功率
6、在低功率电源中，保险丝电阻经常在前端输入级用到，以下哪个不是其优点？
熔断特性好
7、在常规的电源输出反馈中，一般采用TL431作为反馈基准，并利用电阻分压网络实现输出电压的调节，此电阻分压网络中的电阻需要考虑哪些因素？
温度系数
耐压等级
精度
8、反激电路输出二极管一般采用电阻和电容一般组成RC缓冲吸收电路，其一般作用为？
减少dv/dt
减少di/dt
减少二极管的反向耐压
减小器件的开关损耗
9、电阻用于电流采样时，需要考虑电阻的哪个参数？
功率
精度
温度系数
以上都是
10、如下哪种阻值不属于E24标准系列中的值？
1.05
三、电容
1、下列哪种材质不能作为电容的介质？
金属
2、下列哪种电容的ESR最大？
电解电容
3、在谐振电路中，一般采用金属薄膜电容来实现谐振，此时需要考虑哪些参数?
dv/dt值
RMS值
频率
以上都是
4、电解电容的寿命受温度影响很大，所以在一些低压输出场合，越来越多的用MLCC陶瓷电容来代替，此时需要考虑哪些方面？
容量
电压等级
ESR
以上都是
5、安规电容在使用时需要考虑哪些参数？
容量
电压等级
认证类型
以上都是
6、电容的ESR与哪些因素相关
频率
容值
温度
电压
7、在MLCC应用时，需要特别注意其应用场合，以下哪些场合对于MLCC的容值产生较大
影响？
施加的电压
8、一般缓冲吸收电路中的电容，可以选择？
薄膜电容
陶瓷电容
9、用于交流工频阻容降压电路，一般选择何种电容？
薄膜电容
10、陶瓷电容由于压电效应，在一定的频率下会产生噪声，所以一般有哪些方法可以解决？
采用低噪声电容
器件对称排列对消掉噪声
减少纹波大小
以上都是
四、二极管
1、二极管的导通压降与下列哪些参数有关？
温度
正向电流
反向耐压
以上都是
2、开关电源的输出整流二极管，一般需要考虑哪些参数？
最大反向电压
反向恢复时间
最大正向电流
正向导通电压
3、用于工频输入整流桥的二极管，主要考虑哪些参数？（没有对的答案）
最大反向电压
恢复时间
最大正向电流
最大脉冲电流
4、二极管的极限参数,包括
最大反向电压
最大工作温度
最大正向电流
最大脉冲电流
5、稳压二极管中,一般需要考虑哪些参数
最大稳定电流
稳压精度
功耗
以上都是
6、下列关于二极管的漏电流和其反向电压的叙述,正确的是
反向电压不超过某一范围时,反向电压越大,漏电流也越高
7、SiC二极管相比于硅二极管，有哪些优势
有利于小型化
无反向恢复时间
效率高
以上都是
8、二极管的应用受环境温度影响很大，主要影响有
正向导通电压
反向漏电流
以上都是
9、APFC中使用的二极管，需要考虑哪些参数
反向恢复时间
正向导通电压
浪涌电流
以上都是
10、同一电压等级的肖特基二极管，和普通快恢复二极管的主要区别在哪?
反向恢复时间
正向导通电压
五、MOSFET
1、开关电源中, MOSFETI的损耗包括
开通损耗
关断损耗
导通损耗
以上都是
2、MOSFET的各项参数中,哪些是正温度系数
Rdson
3、MOSFET作为开关器件,一般工作于哪个区
截止区
可变电阻区
4、相比于普通硅基MOSFET, GAN MOSFET的优势有
更低的米勒效应
更小的反向恢复时间
更低的损耗
以上都是
5、相比于普通硅基MOSFET, SIC MOSFETI的优势有
SiC- MOSFET体二极管的正向特性V比Si- MOSFET大
SiC-MOSFET体二极管的反向恢复更快，与Si-MOSFET相比可大幅降低恢复损耗
SiC的输入输出电容要小
以上都是
6、一般用品质因数来衡量MOSFET的品质，它主要包括哪几个参数
Rdson
Qg
7、MOSFET栅极电荷的包含有
总栅极电荷
栅极至源极电荷
栅极至漏极（米勒）电荷
以上都是
8、同步整流可以大大提高电源的效率，那么在选择同步整流MOSFET时需要考虑哪些参数
电压和电流等级
体二极管反向恢复时间
Rdson
9、相比于BJT开关器件，MOSFET的优势在于
高输入阻抗,电压控制的器件,易于驱动
单极器件，多数载流子器件，开关速度
广泛的安全工作区(SOA)
以上都是
10、反激变换器设计时，对MOSFET进行选型时，需要考虑
最大漏极－源极间电压（Vds）
峰值电流
导通电阻的损耗
封装最大容许损耗
六、电感
1、电感的损耗主要包括哪些？
直流阻抗带来的损耗
交流损耗
涡流损耗
以上都是
2、下列关于锰锌系铁氧体材料优点的说法，正确的
具有高的初始磁导率
较高的饱和磁感应强度
在中频或低频范围有低的损耗
是在1KHz~1MHz频段磁性能最优良的铁氧体材料
3、当电感饱和时，电感量会下降到零，所以设计电感时必须限制其磁通密度，以下哪些量与磁通密度有关
电感量
峰值电流
磁芯有效载面积
匝数
4、在电源设计中，铁粉芯材料经常作为电感的主要材料，以下哪个不是铁粉芯材料的特点
高频损耗小
5、在电源设计中，电感的作用有哪些
限流
滤波
振荡
以上都是
6、在电源输入端的EMI滤波器中，共模电感的特点有
高初始导磁率
高饱和磁感应强度
灵活的频率特
以上都是
7、高频电感器磁芯通常采用软磁铁氧体材料，这类材料的主要特点是初始磁导率高、矫顽力低、高频损耗小，常用的是什么材料
镍锌
锰锌
镁锌
以上都可以
8、下在开关电源中，能作为于大电流储能电感器的材料是
功率铁氧体材料
9、一个DC-DC降压电路，其电感的设计需要考虑哪些方面？
工作频率
峰值电流
平均稳态电流
体积尺寸
七、变压器
1、在电源应用中，变压器的二个主要功能是
隔离
2、如果发现反激式电源中变压器有出现饱和的迹象，如下办法可以予以解决
更换材质更好的磁芯
更换更大体积的磁芯
3、变压器在工作过程中容易产生EMI的原因是
由于变压器的线圈带有高频电流，容易产生天线效应
由于部分线圈有摆动电压，因此实际上它们也成为接收电磁场的天线
初级及次级线圈之间的寄生电容可以将噪声传送到绝缘层之外。

由于次级线圈的接地通常都与底板连在一起，因此这些噪声又会通过这个接地面传送回来，成为共模噪声以上均是
4、高频变压器与工频变压器的区别有(百度ABC但没答案)
A、变压器所用的铁芯不同
B、工作频率的差别
C、应用方面的差别
D、体积上不同
5、实际设计中，反激电源中变压器通过如下设计可以减少EMI
由于场效应晶体管的漏极产生摆动电压，因此最好将初级线圈的这一端尽量埋藏在最底的一层，即应该属于底层绕线的第一层
变压器中间层加入法拉第屏蔽铜片
最外层增加屏蔽层(磁通带)
以上均是
6、变压器的铜损包括哪几个部分
直流损耗
7、变压器的铁损包括哪几个部分
磁滞损耗
8、如果要降低变压器绕组的直流损耗，可以
采用电阻率小的导体来绕制变压器
在变压器窗口面积允许的情况下，尽量用大一点的等效截面积的漆包线
适当减少绕组匝数
以上均可
9、反激式变压器的缺点有
变压器在电流连续(CCM)模式下工作时,有较大的直流分量,易导致磁芯饱和,所以必须在磁路中加入气隙,从而造成变压器体积变大.
变压器有直流电流成份
由于反激式电源可能会同时会工作于CCM / DCM两种模式,故变压器在设计时较困难以上都是
10、反激式变压器，和正激式变压器相比，有
容易饱和
需要气隙
磁芯不需要额外复位绕组
八、IGBT
1、IGBT在高频运行时会受到如果因素的限制，主要是因为
产生擎住效应或动态擎住效应
过高的di/dt会通过igbt和缓冲电路之间的线路电感引起开关时的电压过冲
在开通和关断瞬间开关器件的状态运行会超出反向安全工作区
二极管反向恢复时的dv/dt和igbt关断时的浪涌电压会在开关时产生过流
2、IGBT对驱动要求较高，一般的有
要求驱动电路为IGBT提供一定幅值的正反向栅极电压
要求驱动电路具有隔离的输入、输出信号功能
驱动电路内部信号传输无延时或延时很小
要求在栅极回路中必须串联合适的栅极电阻
3、IGBT发生过热损坏，可能是由如下哪些引发的
发生短路
通过的电流过大
门极驱动电压过低
以上均是
九、线性调压器与LDO
1、一般LDO的数值表征为：
rop out 电压小于0.5V
2、以下关于线性稳压器与LDO的关系正确的是：
线性稳压器包含LO
LO为线性稳压器中rop out 电压低于0.5V的部分
3、最新型的LDO的Drop out电压满载时候最低可以达到：
小于0.1V
4、线性稳压器与LDO的主要缺点为：
设计复杂
高压差时候功耗大
静态电流大
5、线性稳压器与LDO的工作原理我们可以等效为在输入与输出之间加入一个：
可变串联电阻
6、以下描述正确的是：LDO的Drop out电压比线性稳压器低
True
7、Drop out电压的正确描述是：
为了维持稳压所需要的最小压降
8、线性稳压器与LDO的主要优点为：
外围器件少
输出噪音低
静态电流小
十、线性调压器与LDO的拓扑结构
1、PFET结构的LDO优点为：
可实现非常低的Drop out电压
非常低的静态电流
地脚电流与负载无关
2、下面关于NFET结构的LDO描述正确的有：
超低Drop out电压
不需要偏置电压驱动
非常小的静态电流D
几乎不需要环路补偿
3、CMOS结构LDO的Drop电压一定比PNP低
FALSE
4、Quasi-LDO结构的LDO优点为：
对输出电容要求较低
Drop out比PNP结构更低
具有比NPN更好的负载调整率
噪音低
5、以下描述正确的为：
PNP结构的Drop out比NPN结构的要小
C、Quasi-LDO的Drop out比NPN的要小
D、Quasi-LDO的Drop out比PNP结构的要大
6、下列关于NPN结构线性稳压器与PNP结构LDO的描述，正确的有：
PNP结构比NPN结构具有更低的Drop out电压
十一、DC参数
1、下面不属于线性稳压器与LDO的关键DC参数有：
PSRR
噪音
2、下面属于线性稳压器与LDO的关键DC参数有：
精度
Dropout 电压
3、LDO的效率相比开关电源有哪些特点？
全负载范围是稳定的效率值
低Dropout条件下LDO的效率会比一般开关电源更高
轻载条件下LDO的效率往往比开关电源高
4、下面那些关于Dropout电压描述是正确的？
Dropout电压是为了维持稳压所需要的最小压降
只有在输入电压逐渐接近输出电压时候才能看到Dropout电压
LDO不能再调节输出当Vin<(Vout + Vdropout)
5、下面那些关于LDO的描述是正确的？
不同封装热阻决定了LDO的安全工作范围
设计上要以结温最大值作为确定LDO工作区域的重要指标
6、下面描述是否正确：线性稳压器与LDO的精度描述包含反馈电阻等外部器件导入的容差
FALSE
7、线性稳压器与LDO的效率等于Vo/Vin，是否正确？
FALSE
8、下面那些关于静态电流的描述是正确的？
静态电流是无载情况所需要维持自身正常运作的电流
静态电流可以通过测试GND管脚得到
静态电流会影响效率
十二、AC参数
1、LDO的噪声来源主要为：
and gap参考电压源
误差放大器
2、LDO的总积分噪声用uV/√Hz表示
FALSE
3、下面那些关于PSRR的描述是正确的？
PSRR一般只用于线性稳压器与LDO的规格里面
主要表征线性稳压器对于输入电压纹波的抑制能力
4、PSRR值为对输出纹波除以输入纹波的商取LOG，再乘以20
FALSE
5、LDO的噪声谱密度曲线中，噪声与频率的关系用uV/√Hz表示
TRUE
十三、LDO的设计选择
1、当LDO进入Dropout影响区域的时候，以下哪些描述是错误的：
PSRR变小但依然能起一定作用
效率变低
2、以下哪些为LDO设计时候正确的事项：
确定LDO封装热阻是否满足应用要求
选择对应的满足系统要求的PSRR与噪声等指标
3、数据手册中MOS型LDO的Dropout电压最大值指的是125度条件的测试值，典型值指的是25度条件的测试值
TRUE
4、工程上评估带宽内总积分噪声可以通过噪声谱密度曲线来得到
TRUE
5、温升的计算方法为：DT = PD x qJA，DT 为最大容许的温升（125 oC – TA ），PD = VOUT x Iq + (VIN - VOUT) x ILOAD，Iq是稳压器的地管脚电流
FALSE
十四、输出电容影响
1、以下哪项不是LDO震荡的主要原因：
1~10uF的陶瓷bypass电容
2、以下描述正确的是：输出电容的选型不会引起LDO的震荡。

FALSE
3、高ESR会使得输出电容的零点（）
移动到较低频率
4、如图所示，增大输出电容的ESR，会导致：
环路带宽提升，增加PPWR极点对0dB出相位的影响
5、以下描述正确的是：通常电解电容在低温的时候也会有比较大的ESR
TRUE
十五、LDO的频率响应
1、以下说法正确的是：
NPN线性稳压器具有较低的输出阻抗，其功率级本身会产生一个高频极点
2、下列说法正确的是：
A只要环境温度低于LDO推荐最大结温，LDO就可以正常工作
B当Iq《ILoad，LDO的损耗与环境温度有关
D、A，B，C均不正确
3、quasi-LDO对ESR补偿的要求更高。

FALSE
4、NPN线性稳压器一般采用主极点补偿法：
TRUE
5、在PNP LDO对ESR进行补偿的过程中，输出电容的ESR将会为环路系统引入一个（），并（）相位的负向偏移。

零点，减少
6、通常而言，NPN线性稳压器和PNP LDO相比，具有更高的输出阻抗
FALSE
十六、满足稳定条件的ESR范围
1、如图通过ESR引入零点的目的在于：
抵消相位负向偏移
2、增大输出电容ESR后，系统波特图如下图所示。

下列说法正确的是：
随着ESR增加，其引入的零点将向低频段移动
随着ESR增加，系统穿越频率增加
系统功率级产生的极点PPWR对穿越频率点的相位影响将大大增加
3、减小输出电容ESR后，系统波特图如下图所示。

下列说法正确的是：
随着ESR减小，系统穿越频率减小
零点的相位偏移的补偿效果，将不能在穿越频率处体现
十七、LDO热设计的考量
1、下列说法正确的是：
D、A，B，C均不正确
2、已知LDO Vin=1.2V，Vout=0.9V，ILoad=2A，Iq<
86
3、下列描述正确的是：
热阻的单位是℃/W
ΨJB相比于ΘJB更加便于用户的计算
4、ΘJA是结到周围环境的热阻，其数值会随着周围环境温度的升高的变大
FALSE
十八、测试注意事项
1、下列有关LDO环路测试的说法正确的是：
LDO环路具有非常高的增益
LDO环路测试需要高精度的设备来做测试
2、可以通过不同方式对LDO环路的相位裕量进行交叉验证
TRUE
3、闭环测试可以准确的推算出LDO环路的开环相位裕量
FALSE
4、用于DC/DC环路测试的变压器可以直接用于LDO环路测试
FALSE
十九、lDO
1、LDO PSRR测试时，注入纹波不能太小，否则测量精度将变低
TRUE
2、如下图所示，该LDO PSRR的测试结果为：黄色波形：输入电压，25mV/div；红色波形：输出电压，10mV/div"
20
3、下列关于LDO PSRR测试说法正确的是：
PSRR测试可以把LDO看作是一个滤波器
二十、升压变换工作原理
1、升压变换后半周电感里是:
电流减少，能量减少
2、电感电流可以瞬变
否
3、输出电容上的电压是：
直流电压上叠加了周期性的纹波
二十一、功率器件选型
1、电感量的选择方法：
计算出电感电流纹波，设计电感电流纹波为平均值的30%～40%
参考升压变换器IC规格书，根据规格书建议值选择
2、电感的DCR有什么影响：
一般而言，DCR小，电感损耗小
3、选择陶瓷电容需要关注哪些参数:
标称电容值和有效电容值
温度范围
耐压值
二十二、PCB布板
1、电感与SW之间的走线长有什么后果
SW上的噪声容易干扰其他电路
2、如何才能获得满意的PCB布板
分析关键节点和路径，按照先关键器件，后非关键器件的放置和连线原则，多次调整获得满意结果
3、Boost电路中首先被放置的器件是哪个？
反馈电阻
输出电容
4、BOOST电路那些路径的电流是断续的？
输出电容与开关器件之间
从SW开关节点到地之间
5、电感与输入电压VIN之间的走线长有什么后果
增加走线上的损耗
6、SW节点的尖峰电压过高有什么后果
控制芯片损坏
7、BOOST 电路中以下哪个节点最容易被干扰？
FB节点
EN使能节点
8、BOOST电路中哪个节点容易干扰其他信号？
SW节点
二十三、电气参数
1、为什么要设置欠压输入保护点
保护供电电源，特别是电池供电
2、导通损耗与那些因素相关:abcd
电感的DCR
开关器件的导通阻抗
电流有效值
3、变换器的损耗来自哪里：
导通损耗
开关损耗
驱动损耗
控制电路的损耗
4、一般通过检测那个开关器件获得谷值电流信号：
电感
5、静态电流在实际应用的作用：
对重负载效率有显著影响
减小电路在待机状态下的损耗
6、升压电路的开关损耗与那些因素相关：
开关频率
开关器件开通和关断速率
电压和电流幅值
7、在升压芯片欠压保护电路中，输入开启电压（输入电压上升沿）为什么要大于关断电压（电压下降沿）。

防止错误的多次开通和关断
8、为什么要设定最高输出电压限定
保护控制IC
过高的输出电压可能损坏开关器件
9、变换器效率如何定义：
输出功率/输入功率
二十四、PWM控制原理
1、实现峰值电流控制需要如下哪些电路：
电流采样电路
误差放大器EA
比较器和触发器
2、FB点的电压和输出电压有什么关系
FB电压不可能高于输出电压
3、EA电路的作用是什么:abcd
获得输出电压与参考电压之间的误差
对误差信号进行比例放大与积分
4、峰值电流控制电路可以采样哪个路径的电流：
电感电流
下开关管电流
5、输出电压小于设定的输出电压，EA输出如何变化
升高
6、输出电压高于设定的输出电压，EA输出如何变化
减小
7、理想升压电路的输出电压和哪些参数相关
输入电压
占空比
8、为什么需要调节占空比D
稳定的输出电压
9、补偿网络中电容的作用：
对误差信号进行积分
使得FB电压等于参考电压VREF
没有这个电容，输出电压与设定值将有较大误差
10、增加补偿网络积分电阻，减小积分电容，有什么影响
电路响应变快
二十五、稳定性评估
1、穿越频率和动态响应波形的关系
提高穿越频率有利减小电压跌落或者超调
如果波形发生震荡，震荡频率等于穿越频率
2、为了升压电路稳定并有足够的裕量，相位裕量如何选址
大于45o
3、负载动态特性波形需要关注哪些参数
电压跌落或者超调的幅值
电压恢复过程中是否震荡
4、为了升压电路稳定并有足够的裕量，增益裕量如何选择
大于6dB
5、如何评估升压电路稳定性
测试负载动态响应
测试波特图
6、如何评估升压电路输出电压负载动态特性
负载跳变，观察输出电压波形
7、相位裕量的定义
使用专门仪器测试出开关电源的波特图后，增益等于0dB时，相位的值8、增益裕量的定义
使用专门仪器测试出开关电源的波特图后，相位等于零时，增益的绝对值9、相位裕量与动态响应波形的关系
相位为60，响应波形基本看不到震荡
相位为20，响应波形有严重震荡
10、穿越频率的定义
波特图，增益为0dB对应的频率点
二十六、PFM介绍
1、本视频中，Burst模式的定义
PFM控制中的一种
每个周期，下关开通和关断多次
2、Burst 模式有什么优势
控制简单
功耗小，轻载效率高
3、在burst模式下，输出电压纹波有什么变化
相对更高
4、在burst模式下，负载大小对工作状态的影响
负载越小，频率越低
5、负载大于一定值后，为什么要进入定频的PWM模式
限制最高开关频率，有利于优化效率
6、在burst模式的控制方法
输出电压低于一定值，电路工作，输出电压上升
输出电压高于一定值，电路停止，输出电压跌落
7、在PFM模式下，哪些控制方法可以提高效率
减小控制电路的耗电
减小开关频率
8、Boost在小负载条件下进入PFM可以带来什么好处？
减小升压电路损耗
9、PFM模式下，开关频率和负载有什么关系？
频率随着负载减小而减小
二十七、降压直流开关变换器基础
基本工作原理
1、对于相同的buck线路，同样输出和开关频率，轻载断续的占空比和满载连续的占空比，哪个更大
满载断续
2、理想情况下，固定输出，负载电流越大，电压纹波不变
是
3、判断：降压变换器的最大占空比不能为1
否
4、降压变换器SW的平均电压=
Vo
5、降压变换器基本输入输出关系
Vo=D*Vin
Vo=Ton*Vin/T
6、对于同一个电感和开关频率，12V输入，6V的电流纹波大还是8V的电流纹波大
8V
7、buck电感断续时的电流的平均值等于
Io
8、降压直流开关变换器由哪些被动器件组成abcd abd
电容
电感
9、下图的电感电流时断续还是连续
断续
10、开关管Q1导通时间为200ns, 开关周期是1us，请问占空比是多少？
0.2
二十八、外围元器件的选择
1、在轻载模式下，异步buck工作在DCM，同步buck工作在FCCM，若占空比，输入电压下相同，请问哪个输出电压高
FCCM
2、20Vin, 3.8V 2A输出，二极管导通压降时0.5V，损耗是
0.81W
3、以下哪个电容的容值最为3.3V输出电容时，容量最大（）,最小是哪个（）
1206 16V 2.2uF，0603 6.3V 2.2uF
4、二极管整流的buck的电感纹波与下列哪项有关
输入电压
输出电压
输出电流
开关频率
5、电感饱和后，电感量（）标称电感量，造成电流纹波（）
小于，增大
6、20Vin, 3.8V 2A, 同步整流管Rdson是50mohm, 不考虑电感纹波，损耗是
0.162W
7、哪种类型的电容，ESR最小
陶瓷电容
8、二极管整流buck输出电压纹波与下面哪几项有关
fsw
Cout
Lout
Io
二十九、外围元器件的选择(2)
1、输入24Vin，TPS560430的buck的自举电容可否选择10V 0.1uF
可以
2、2.2.1 Vin=12V, Vo=3.3V Io=3A,Kind=0.8（电感电流纹波是输出电流的80%）电感电流的有效值是（）*输出电流*
1.03
3、Boot电容两端电压是5V，Vin=9V~12V, Boot对地的最大电压是
17V
4、SW点的snubber功耗和哪些因素有关abcd
snubber
Vin
Fsw
5、TPS560430的最大输入电压
36V
6、TPS56043X开关频率是1.1Mhz,最小关断时间100ns, 最大导通时间7.5us, 最大占空比可能在1.1Mhz开关频率下达到0.9吗？()2.2.6极限条件下的最大占空比可以到0.96以上吗？()
可以，不可以
7、SW的过冲，由以下哪些因素
SW节点的寄生电感
同步整流管寄生二极管的反向恢复电流
同步整流管的导通电阻
8、Buck的输入纹波，和下列哪些因素有关
Vin
Pout
fsw
Cin
9、输入12V，在SW两端并R C snubber，电容值是220pF, 电阻是4.9ohm，开关频率1.1Mhz，请问损耗是
0.017W
10、若FB的输入电流是0.1uA，FB的基准电压是0.8V，下列那几组参数可以得到范围在3.29V-3.33V输出
3.12M, 1M
三十、产品规格和特点(1)
1、芯片的占空比范围，取决于：
最大/最小导通时间
开关频率
频率折返模式
2、若芯片的最小导通时间是100ns, 能否在36V输入，输出3.3V，FPWM模式下，维持2.1Mhz 的开关频率
否
3、若芯片的最小关断时间是100ns, 能否在3.6V输入，输出3.3V，FPMW模式下，维持2.1Mhz的开关频率？
否
4、若芯片的规格相同,在空载时，PFM的开关频率() FPWM，在满载时，电感电流连续，PFM 的开关频率()FPWM
小于，等于
5、若芯片的规格相同，FPWM相对于PFM，在轻载时，其输入电流FPWM（）FPM, 满载时，其输入电流FPWM () FPM
大，相等
6、输入24V, 输出3.3V, fsw=1.1Mhz, 理论上，需要多少的导通时间()，同样开关频率,对于5.5V转5V, 理论上需要多少关断时间()
125ns，83ns
7、在频率折返模式中，芯片的最小导通时间越小，则其最高输入频率对应的输入电压点()，芯片的最小关断时间越小，其最小输入输出差越()。

高，低
三十一、产品规格和特点(2)
1、下图时TPS560430的Vin和EN的规格书，整个电路的开机点是6V, 请问分压电阻组合可以是
1k 3.88k
5k, 19.4k
2、若软起时间1ms(线性上升),输出的电容100uF, 输出电压从0V 上升到5V，输出负载恒定2A，电感的平均最大电流是
2.5A
3、同一芯片，过流保护的损耗，与下列哪些因素有关
Rson
输入电压
最小导通时间
过流保护模式（打嗝或者逐周期限流）
4、若下图Vo=3.3V Io=3A, 若效率是100%，Cin较小，Zin=200mohm, Vin开机点是5.2V，关机点是5V，请问设置是否合理
否
5、若buck变换器芯片采用峰值电流逐周期限流，则限流时的负载电流与下列哪些因素有关
输入电压
输出电压
输出电感
最小导通时间。