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固体物理第四章 晶体的缺陷与缺陷运动
固体物理第四章 晶体的缺陷与缺陷运动
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若晶体中的空位与填隙原子的数目相等,这样的热缺 陷称为弗仑克尔(Frenkel)缺陷。(P148图4-7) 弗仑克尔缺陷——空位和填隙原子可以成对地产生的点缺陷。 特点:1)空位和填隙原子数目相等。 2)一定温度下,缺陷的产生和复合
过程达到平衡。
若脱离格点的原子变成填隙原子,经过扩散跑到晶体表 面占据正常格点位置,则在晶体内只留下空位,而没有填 隙原子,仅由这种空位构成的缺陷称之为 肖特基(Schottky) 缺陷。(P149图4-2) 肖特基缺陷——晶体内只有空位。
第四章
晶体的缺陷与缺陷运动
晶体的主要特征是其中原子(或分子)的规则排列, 但实际晶体中的原子排列会由于各种原因或多或少地偏离 严格的周期性, 于是就形成了晶体的缺陷。
缺陷——偏离了晶体周期性排列的局部区域。
晶体中缺陷的种类很多,它影响着晶体的力学、 热学、 电学、光学等各方面的性质。本章主要介绍晶体中的三类缺 陷(点缺陷、线缺陷及面缺陷)的物理特征及其运动形式。
1)刃型位错
在晶体的上半部分有半个多余的晶面,它像用刀劈
柴那样,挤入一组平行晶面之间,而位错线正好处于所插
入晶面的刀刃上。(断处的边沿就是刃型位错 )
过 b 点垂直于纸面的这条线 向右滑移了一个原子间距,位 错线过D点垂直纸面向里。
位错线垂直于滑移的方向的位错, 称为刃位错。
2)螺旋位错 位错线平行于滑移的方向的位错,称为螺旋位错。
的排列。
2)堆积缺陷——层错
层错是由于晶面堆积顺序发生错乱而引入的面缺陷,
又称堆垛层错。
以立方密积结构(面心立方)为例 在[111]方向上各晶面按照ABCABC...的顺序排列:
如果排列顺序发生错乱,便产生层错。例如在外延生长过 程中,晶体沿着[111]方向生长时,原子层排列顺序在某一区 域出现反常的情况,如少了一层B,而变成按ACABCABC... 的顺序排列(图一 );
或者按ABCBACBA...的次序排列(图二 域逐渐扩大。 ),而且这个区
由于立方密积结构中原子是按照上图中正四面体的排 列方式生长的,于是错排了的区域就以正四面体的形式逐 步向外扩展,因此该区域在晶体表面上的边界一般呈正三 角形。
§4.2 热缺陷数目的统计
由于原子热运动的缘故,热缺陷不固定在某一位置上, 而是处于不断的运动中。 空位可由一处向另一处作无规则运动;填隙原子也可 由一个填隙位置跳到另一个位置上。 若填隙原子遇到一个空位,落入空位,使两者消失,这 个过程称为复合。
极化子——外来电子+周围晶格的极化畸变。
二、线缺陷
线缺陷ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ—当晶格周期性的破坏发生在晶体内部一条线
的周围则称为线缺陷,通常又称之为位错。
它是由于应力超过弹性限度而使晶体发生范性形变 所产生的,从晶体内部看,它就是晶体的一部分相对于 另一部分发生滑移,以致在滑移区的分界线上出现线状
缺陷。位错的基本类型有刃型位错和螺旋位错两种。
§4.1 缺陷的类型 一、点缺陷
点缺陷——发生在一个或 几个晶格常数范围内的缺 陷。 如:空位、填隙原子、杂 质原子等。 这些空位、填隙原子是由热 起伏原因而产生的,所以又 称为热缺陷。
几种点缺陷:
1)弗仑克尔缺陷和肖脱基缺陷 原子(或离子)在格点平衡位置附近振动,由于非 线性的影响,使得当粒子能量大到某一程度时,原子就 会脱离格点,而到达邻近的原子空隙中,当它失去多余 动能后,就会被束缚在那里,这样产生一个暂时的空位 和一个暂时的填隙原子,当又经过一段时间后,填隙原 子会与空位相遇,并同空位复合;也有可能跳到较远的 间隙中去。
2)替位式杂质原子(离子)和填隙式杂质原子(离子)
在低温下离子晶体的导电性可以用掺杂的办法来提高。 如: NaCl是单价离子晶体,如果用双价杂质(例如:钙离子) 进行掺杂,实验证明掺杂后的离子晶体的导电性与钙离 子的浓度成正比。
原因是为保持电中性,对应于每一个钙离子,离子晶体 中会另外产生一个空位。空位在电场下移动而产生电流。 这是点缺陷的一种运用。
点缺陷还可以改变离子晶体的颜色 。 离子晶体在碱金属蒸气中加热产生间隙原子。比较大数 量的点缺陷会改变能级,使第一激发态与基态的能级差减小, 从而使某种频率的可见光可以被吸收,即改变了离子晶体的
颜色。这种缺陷称为色心。(P150)
3)极化子 当一个电子被引入到离子晶体时,它会使原来的周期 性势场发生畸变,这个畸变区域构成点缺陷。 由于这种局部畸变会随电子从晶体的一处移到另一处, 所以把携带着周围晶格畸变的电子看成是一个准粒子,称为 极化子。
由波尔兹曼公式:
S kB ln W
W——体系的微观状态数
平衡时,自由能达到极小值,
F ( )T 0 n1
假设:
1)空位的出现并不影响原来的振动状态; (不考虑杂质膜)
2)产生每一个空位所需能量相等。
(两个空位出现在一 起的几率很小) 产生n1 个空位后,F的变化量为
F n1u1 kBT (lnW ln W0 )
在一定温度下,新产生的热缺陷数目等于复合的热缺陷 数目,及产生数和复合数达到平衡。
为了计算方便,分别考虑空位和填隙原子的数目。
设有N个原子的晶体,平衡时的空位数为n1 ,每产生一 个空位需要的能量为u1 ,产生n1 个空位需要的能量为n1u1 , ∵ 体系的自由能F可写成 U——内能 S——熵
F U TS
n1 由于N个位置之中有n1 个空位,即空位共有C N 排 列,每一种排列的微观状态数都为W0 (假设1)
∴ 总状态数
在晶体中沿AB切
开,AB的左边下移, 右边上移,使得左右 两边沿垂直于AB方 向滑移一个原子间距。 DC为位错线。 晶体的滑移矢量 垂直于AB方向,与位 错线平行。
当晶体中存在螺旋位错时,原来的一族平行晶面 就变成为以位错线为轴的螺旋面。
三、其他类型缺陷
1)小角晶界 晶界——晶粒与晶粒之间的边界成为晶界。 具有完整结构的晶体两部分彼此之间 的取向有着小角度θ的倾斜,在角θ里的部 分是由少数几个多余的半晶面所组成的过 渡区,这个区域称 小角晶界 如右图所示小角晶界是一种镶嵌结 构。显然小角晶界可以看成一些 刃位错
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