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第六章 温度传感器
第四节 第三节
半导体温度传感器 非接触式温度传感器
第四节 半导体温度传感器 半导体温度传感器以半导体P-N结的正向压降或反向压降 保持不变时,正向电流和反向电流都随着温度的变化而变化, 而当正向电流保持不变时,P-N结的正向压降随温度的变化近 似于线性变化,大约以-2mV/℃的斜率随温度变化。 因此,利用P-N结的这一特性,可以对温度进行测量。 半导体温度传感器利用晶体二极管和晶体三极管作为感温 元件,二极管感温元件利用P-N结在恒定电流下,其正向压降与 温度之间的近似线性来实现,测量误差较大。 三极管能较容易地解决这一问题。
第六章 温度传感器 三、比色温度传感器
第三节
非接触式温度传感器
用此法进行测量时,仪表显示的温度为“比色温度”。
定义为:非黑体辐射的两个波长λ1、λ2的亮度L λ1T和L λ2T 之比值等于绝对黑体相应的亮度L λ1T和L λ2T之比值时,绝对 黑体的温度称为该非黑体的比色温度,以Tp表示,它与非 黑体的真实温度T的关系为:
R0
R0
第六章 温度传感器
第三节
非接触式温度传感器
3.图示为一种测温范围为0℃~100℃的测温电路,其中Rt=10 (1+0.02t)KΩ为感温热电阻;R0、 Rs均为常值电阻, n为正整数,E为工作电压,M、N两点的电位差为输出电压, 问: (1)如果t= 0℃时,输出电压为0, Rs应取多少? (2)给出该测温电路的输出特征方程。
第六章 温度传感器
第三节
非接触式温度传感器
2.一种测温电路的测温范围为0℃~200℃,其电路图如下。 图中Rt=10(1+0.005t)KΩ为感温热电阻;R0= 10KΩ,工作 电压E=10V,M、N两点的电位差为输出电压UMN。 (1)写出UMN的数学表达式; (2)求0℃到100℃时,测量电路的灵敏度。 Rt R0
第六章 温度传感器
第四节 第三节
半导体温度传感器 非接触式温度传感器
电流输出型IC温度传感器原理图如下图所示。
v
U be U be 4 U be 2
kT I1 R ln q
VT1 I1 VT2 UT R
VT3 I1 VT4
图8.20 电流输出型IC温度传感器原理图
第六章 温度传感器 •
半导体温度传感器 非接触式温度传感器
集成(IC)温度传感器(如AD590,美国模拟器件公司 ) • 集成电路(IC)温度传感器是近期开发的,把温度传感器 与后续的放大器等用集成化技术制作在同一基片上而成的,集 传感与放大为一体的功能器件。这种传感器输出特性的线性关 系好,测量精度也比较高,使用起来方便,越来越受到人们的 重视。它的缺点是灵敏度较低。 • IC温度传感器的设计原理是,对于集电极电流比一定的两 个晶体管,其UBE之差ΔUBE与温度有关。
第三节
非接触式温度传感器
见课本图6-14
第六章 温度传感器 WGG2型光学高温计
第三节
非接触式温度传感器
第六章 温度传感器 WGG2型光学高温计
ห้องสมุดไป่ตู้
第三节
非接触式温度传感器
测量范围:700 ~ 2000 ℃
可用于冶 金、化工和机 械等工业生产 过程中,测量 冶炼、烧铸、 轧钢、玻璃熔 窖、锻打、热 处理的温度。
第六章 温度传感器 二极管温度传感器
第四节 第三节
半导体温度传感器 非接触式温度传感器
简单、价廉,可制成半导体温度计,测温范围0~50℃ 三极管温度传感器 精度高、测温范围宽,在(-50~150)℃之间,可用于工业、 医疗等领域的仪器或系统
第六章 温度传感器
第三节
非接触式温度传感器 习题
1.下图给出了一种测温电路,其中RT=2R0(1+0.01t)(KΩ) 为感温热电阻,RB为可调电阻,U为工作电压。(其中G为 检流计) (1)基于该测温电路的工作机理,请给出调节电阻RB随温度 变化的关系。 (2)若测温范围为20~40℃,R0=10 KΩ,试计算RB的变化 范围。
0 <ελ< 1,
∵
∴
测到的亮度温度总是低于物体真实温度的,即
Ts < T 。
第六章 温度传感器 二、亮度式温度传感器 常用的亮度传感器: 灯丝隐灭式亮度传感器 光电式亮度传感器
第三节
非接触式温度传感器
第六章 温度传感器 二、亮度式温度传感器 常用的亮度传感器: 灯丝隐灭式亮度传感器 光电式亮度传感器
第六章 温度传感器 亮度温度:
第三节
非接触式温度传感器
在波长为λ的单色辐射中,若物体在温度 T 时的亮度 Lλ和全 辐射体在温度 Ts 时的亮度 L0λ相等,则把 Ts 称为被测物体 在波长λ时的亮度温度。 被测物体实际温度 T 和亮度温度 Ts 之间的关系:
L(T) L0(Ts)
1 1 1 ln TS T C 2
第六章 温度传感器 一、全辐射式温度传感器
第三节
非接触式温度传感器
T r TT
4
4
则T TF 4
1
T
所以知道了物体的全辐射系数εT(查表)和用辐射温 度计测得辐射温度Tr,根据上式可得到物体的真实温 度T。
黑体 r 1 ε
灰体0 r 1 ε Tr T
第六章 温度传感器 一、全辐射式温度传感器 被测物的辐射能量经物镜 聚焦到热电堆的靶心铂片 上,将辐射能转化为热能, 再由热电堆变成热电动势, 再由显示仪表显示出热电 动势的大小,由热电动势 数值可知所测温度的大小。
dU BE k IE a ln 常数 dT q I se
第六章 温度传感器 ②温度特性
第四节 第三节
半导体温度传感器 非接触式温度传感器
图8.13为硅半导体晶体管的基极—发射极间电压UBE和集电极电流 IC关系的温度特性。UBE具有大约-2.3mV/ ℃的温度系数,利用这一现 象可以制成高精度、超小型的温度传感器,测温范围为-50-200 ℃左右。 •
第三节
非接触式温度传感器
这种传感器适用于远距离,不能 直接接触的高温物体,其测温 范围为(100~2000)℃
第六章 温度传感器 二、亮度式温度传感器 测温原理
第三节
非接触式温度传感器
亮度式温度传感器利用物体的单色辐射亮度随温度变化的 原理,并以被测物体光谱的一个狭窄区域内的亮度与标准辐 射体的亮度进行比较来测量温度。
第四节 第三节
半导体温度传感器 非接触式温度传感器
IC设计时,取V2发射极面积为V4发射极面积的8倍,于是 根据式(8.17)得电阻R上的电压输出为
kT UT ln8 0.1792mV / K q
图中集电极电流由UT/R决定,电路中流过的电流 为流过R的电流的2倍。取R=358Ω,则可获得灵敏度为 1μA/K的温度传感器。
第六章 温度传感器
第四节 第三节
半导体温度传感器 非接触式温度传感器
• ①原理:根据晶体管原理,处于正向工作状态的晶体三极管,其 发射极电流和发射结电压能很好地符合下面关系
I E I se (e
流。
qU BE kT
1)
式中,IE为发射极电流,UBE为发射结压降,Ise为发射结的反向饱和电 因为在室温时,kT/q=26mV左右,因此,在一般发射结正向 偏置的条件下,都能满足UBE>>kT/q的条件,这时上式可 qU BE 以近似为
第六章 温度传感器
第三节
非接触式温度传感器
根据所采用测量方法的差异,非接触式温度传感器可分为: 全辐射式温度传感器 亮度式温度传感器
比色式温度传感器
第六章 温度传感器 一、全辐射式温度传感器
第三节
非接触式温度传感器
全辐射温度传感器利用物体在全光谱范围内总辐射能量与 温度的关系测量温度。
能全部吸收投射到它表面的辐射能量的物体称为黑体; 能全部反射的物体称为镜体; 能全部透过的物体称为透明体; 能部分反射、部分吸收的物体称为灰体。
ln( 1 2 ) 1 1 T Tp C2 (1 1 1 2 )
第六章 温度传感器 三、比色温度传感器
第三节
非接触式温度传感器
ln( 1 2 ) 1 1 T Tp C2 (1 1 1 2 )
若比色温度计所选波长 1和2很接近,则单色辐射黑度系数
1 02
35 38 3 5.8 K 30 0 25 5.2 .5 22 3.3
10
IC / A
12 4 .7
1 0-2 1 0-4 1 0-6 0
0 .2
0 .4
17 6.8
0 .6 UBE / V
0 .8
77 .5
1 .0
1 .2
图8.13 UBE与IC的温度特性
第六章 温度传感器
第四节 第三节
第六章 温度传感器
第三节
非接触式温度传感器
辐射式温度传感器是利用物体的辐射能随温度变化的原 理制成的。是一种非接触式测温方法,只要将传感器与被测 对象对准即可测量其温度的变化。
第六章 温度传感器
第三节
非接触式温度传感器
与接触式温度传感器相比,具有以下特点:
1)传感器与被测对象不接触,不会干扰被测对象的温度场, 故可测量运动物体的温度,且可进行遥测。 2)由于传感器与被测对象不在同一环境中,不会受到被测 介质性质的影响,所以可以测量腐蚀性、有毒物体、带 电体的温度,测温范围广,理论上无测温上限限制。 3)在检测时传感器不必和被测对象进行热量交换,所以测 量速度快,响应时间短,适于快速测温。 4)由于是非接触测量,测量精度不高,测温误差大。
第六章 温度传感器 一、全辐射式温度传感器
第三节
非接触式温度传感器
绝对黑体的全辐射能与温度的关系为:
E ( , T ) T
4
热力学温度
波尔兹曼系数
灰体的全辐射能与温度的关系为 :
E
T
( , T ) T E ( , T ) T T
4
若灰体在某一温度T时的全辐射能跟绝对黑体在温 度TF时全辐射能相等,则TF称为该灰体的辐射温度。
I E I see
U BE
kT
•
对上式取对数,得
kT I E ln q I se
第六章 温度传感器
第四节 第三节
半导体温度传感器 非接触式温度传感器
k IE 令a ln 常数,则 q I se
U BE aT
由上式可知,温度T与发射结压降UBE有对应关系,我们可根据 这一关系通过测量UBE来测量温度T值,且在温度不太高的情况下, 两者近似成线性关系,其灵敏度为
第六章 温度传感器 二、亮度式温度传感器 特点:
第三节
非接触式温度传感器
这种传感器量程较宽,有较高的测量精度,一般用于测量 (700~3200)℃范围的浇铸、轧钢、锻压、热处理时的温 度
第六章 温度传感器 三、比色温度传感器 测温原理:
第三节
非接触式温度传感器
当温度变化时,物体的最大单色辐射出射度将向波长增大 或减小的方向移动。使两个固定波长λ1和λ2下的光谱辐射 出射度比值变化。 因此,测出两者比值即可知被测温度。 由于是比较两个波长的亮度,故称之为“比色测温法”
ε 和ε 也十分接近,所测比色温度近似等于真实温度, λ1 λ2
这是比色高温计很重要的优点。
第六章 温度传感器
I 1 R2 R4 第三节 R 非接触式温度传感器 R R
x
R2
1
I 2
3
第六章 温度传感器 三、比色温度传感器
第三节
非接触式温度传感器
比色高温计比其它辐射式高温计的测温准确度高。 因为中间介质(水蒸气、CO、CO2等)的吸收,对单色辐射 强度比值的影响较小; 因比色温度接近于实际温度,如对被测物体无法得知其全辐射 系数时,当然用比色温度来代替实际温度比其它方法更准
第六章 温度传感器
第三节
非接触式温度传感器
物体在波长λ下的亮度Lλ和它的光谱辐射出射强度Eλ成正比。
L CE C C1 e
全辐射体: 实际物体:
5 ( C2 T )
L0 CE0 CC1 e
5 ( C2 Ts )
5 ( C2 T )
L CE C C1 e
第六章 温度传感器
第三节
非接触式温度传感器
辐射温度传感器是利用斯蒂芬〃彼尔兹曼全辐射定理 研制出的。其数学表达式为:
全波长辐 射能力
E0 T
斯蒂芬〃彼 尔兹曼常数
4
物体的绝 对温度
由上式可知,物体温度越高,辐射功率就越大,只要 知道物体的温度,就可以计算出它所发射的功率,反之, 如果测量出物体所发射出来的辐射功率,就可利用上式 确定物体的温度。