外延生长法

分子束外延生长方法
1.2 这个方法啊，有个很大的特点，就是能实现原子层级别的精确控制。

这可不得了，就像我们做精细的手工活，每一个小细节都能把握得死死的。

在微观世界里，原子就是最小的“建筑单元”，能精确控制原子的排列和堆积，就像搭积木，想怎么搭就怎么搭，这样就能制造出具有特殊性能的材料。

2.1 说到设备，分子束外延设备那可是相当精密的家伙。

它有分子束源，就像一个个小仓库，储存着各种要用到的分子或者原子。

还有超高真空系统，这就像是为分子束外延生长创造了一个超级纯净的“工作室”，没有杂质来捣乱。

操作这个设备可不容易，就像驾驶一艘高科技的宇宙飞船，每个按钮、每个参数都得小心翼翼地调整。

2.2 在操作过程中，温度控制是个关键因素。

就像做饭一样，火候掌握不好，饭就做砸了。

不同的材料在生长的时候需要不同的温度，这个温度得拿捏得恰到好处。

还有分子束的流量，多了少了都不行，得像涓涓细流一样，不多不少地流到基底上。

这就好比浇花，水浇多了会淹死，浇少了会渴死，分子束流量也是这么个理儿。

2.3 另外呢，基底的选择也很重要。

基底就像是土壤，不同的植物（材料）需要不同的土壤才能茁壮成长。

有的基底适合生长半导体材料，有的适合生长金属材料。

这得根据我们想要生长的材料的特性来选择合适的基底，不然就像把热带植物种到寒带的土壤里，肯定长不好。

一种晶圆外延生长系统及晶圆外延生长方法随着半导体技术的不断发展，晶圆外延生长技术在半导体制造工艺中扮演着越来越重要的角色。

晶圆外延生长技术是指通过在晶圆表面上沉积一层单晶薄膜，从而制备出复杂的半导体器件。

在晶圆外延生长过程中，需要使用一种晶圆外延生长系统，以及相应的晶圆外延生长方法。

本文介绍的是一种晶圆外延生长系统及晶圆外延生长方法。

该系统包括基板夹持装置、传送装置、加热装置、反应室和气体通道。

其中，基板夹持装置用于夹持晶圆，传送装置用于将晶圆从基板夹持装置传送到反应室中，加热装置用于加热晶圆，反应室用于生长晶体，气体通道用于输送反应气体。

在晶圆外延生长过程中，首先需要将晶圆放置在基板夹持装置中。

然后，通过传送装置将晶圆传送到反应室中。

在反应室中，通过加热装置加热晶圆，使其达到生长晶体的温度。

同时，通过气体通道向反应室中输入反应气体，以便在晶圆表面上生长出单晶薄膜。

最后，将晶圆从反应室中取出，即可得到所需的单晶薄膜。

该晶圆外延生长系统具有以下优点。

首先，基板夹持装置可以夹持各种类型的晶圆，可以适应不同的生长要求。

其次，传送装置可以将晶圆快速、准确地传送到反应室中，提高了生长效率。

再次，加热装置可以快速升温，使得晶圆达到生长晶体的温度，从而缩短了生长时间。

最后，气体通道可以控制反应气体的流量和压力，保证了生长过程的稳定性和可控性。

除了晶圆外延生长系统外，本文还介绍了一种晶圆外延生长方法。

该方法包括以下步骤：首先，在基板夹持装置中夹持晶圆。

然后，通过传送装置将晶圆传送到反应室中。

在反应室中，通过加热装置加热晶圆，使其达到生长晶体的温度。

同时，通过气体通道向反应室中输入反应气体，以便在晶圆表面上生长出单晶薄膜。

最后，将晶圆从反应室中取出，即可得到所需的单晶薄膜。

该晶圆外延生长方法具有以下优点。

首先，生长过程中温度、气体流量等参数可以进行精确控制，从而得到高质量、均匀的单晶薄膜。

其次，生长时间短，生长效率高。

SIC外延生长法的工艺流程SIC外延生长法的工艺流程序号：1SIC外延生长法是一种重要的半导体材料生长技术，被广泛应用于功率电子、射频器件和光电子器件等领域。

它通过在SIC衬底上连续沉积SiC晶体层，实现了对SiC材料的高质量控制和大面积生长。

在本文中，我们将深入探讨SIC外延生长法的工艺流程，以帮助读者更好地理解和学习该技术。

序号：2SIC外延生长法的基本原理是在惰性气体气氛中，通过化学气相沉积（CVD）的方法，将硅和碳源气体分解成SiC气体，然后在SIC衬底上沉积成SIC晶体层。

在整个工艺过程中，需要控制好气氛、温度和气体流量等参数，以保证SIC晶体层的质量和厚度的一致性。

序号：3具体而言，SIC外延生长法的工艺流程可以分为以下几个关键步骤：a. 衬底准备：选择合适的SIC衬底，并进行表面处理，以去除杂质和缺陷。

通常使用化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）等方法来制备合适的SIC衬底。

b. 热解预处理：将SIC衬底放置在高温炉中，通过热解预处理，去除表面的氧化物和其它杂质。

这一步骤也有助于提高SIC晶体层的生长质量。

c. 生长条件控制：在热解预处理后，将SIC衬底放置在CVD反应室中。

控制好反应温度、压力和气体流量等参数，以实现SiC晶体层的均匀和连续生长。

通常，选择适当的碳源和硅源气体，如甲烷（CH4）和四氯化硅（SiCl4），作为SIC生长的原料气体。

d. 控制生长时间：根据所需的SIC晶体层厚度和生长速率，控制生长时间。

通过调整反应室中的反应气体流量和温度，可以有效控制SIC晶体层的生长速率。

e. 冷却和退火：在SIC晶体层生长完成后，将SIC衬底从反应室中取出，并进行冷却和退火处理。

这一步骤有助于提高晶体层的结晶质量、降低残余应力，并改善界面的质量。

序号：4总结回顾：SIC外延生长法是一种关键的半导体材料生长技术，其工艺流程包括衬底准备、热解预处理、生长条件控制、控制生长时间以及冷却和退火等关键步骤。

外延生长的方法有哪些外延生长是指材料沉积在晶体表面基础上的一种生长方式，也称为自下而上的生长方式。

在外延生长过程中，新形成的晶体层沿着晶体的晶面方向生长，从而使整个晶体薄片的尺寸逐渐增大。

外延生长技术广泛应用于半导体行业，例如用于制造集成电路和发光二极管等器件。

下面将介绍几种常见的外延生长方法。

1. 液相外延生长方法液相外延生长是一种基于溶液的生长方法，通过将溶液中的材料沉积在晶体衬底表面来实现生长。

在生长过程中，溶液中的材料原子逐渐结晶并沉积在衬底上。

这种方法可以用于生长多种材料，包括硅、镓、锗等。

通过改变溶液的成分、温度和压力等参数，可以控制晶体生长的形状、尺寸和取向等属性。

2. 气相外延生长方法气相外延生长是一种基于气体的生长方法，通过在预定温度和压力条件下使材料从气态沉积在晶体衬底上，实现晶体的生长。

这种方法常用于生长复杂的硅化物、氮化物和磷化物等材料。

在气相外延生长过程中，材料原子从气态通过化学反应、物理吸附或气体分解等方式沉积在晶面上。

这种方法可以控制晶体生长的取向和形貌，是制备高质量晶体的一种重要方法。

3. 分子束外延生长方法分子束外延生长是一种在超高真空条件下生长薄膜的方法。

在生长过程中，通过利用分子束砷化炉、分子束外延装置等设备，使材料原子经过加热和蒸发的过程，以超高速度沉积在晶体表面上。

这种方法可以控制材料的镉蒸汽压、晶体衬底温度和反应室的压力等参数，从而实现晶体的精确生长和纯度控制。

4. 水热合成外延生长方法水热合成外延生长是一种在高温高压水溶液中生长晶体的方法。

在生长过程中，通过溶液中的化学反应和矿物物质的转移来实现晶体生长。

水热合成外延生长常用于合成高质量的纳米晶体和纳米材料。

通过调节溶液的成分、温度和压力等参数，可以控制材料的尺寸、形状和结构等属性。

5. 熔体外延生长方法熔体外延生长是一种在熔体中生长晶体的方法。

在生长过程中，通过将材料的熔融物质以超低速度沉积在晶体衬底上。

石墨烯外延生长法
石墨烯是一种新型的纳米材料，具有极高的导电性、热导性和机械强度等特点，被广泛应用于电子、能源、生物医学等领域。

石墨烯的制备方法有多种，其中外延生长法是一种较为有效的方法。

石墨烯外延生长法是指在金属衬底上通过化学气相沉积方法，将碳源分子分解并沉积在衬底表面，形成石墨烯晶体的过程。

这种方法可以制备出大面积、高质量的石墨烯，且具有可控性、晶格匹配性好等优点。

石墨烯外延生长法的关键技术包括衬底选择、衬底表面处理、碳源选择、沉积参数控制等。

目前，金属衬底的选择主要包括铜、镍、铂等，其中铜是最常用的衬底材料。

衬底表面处理可以通过化学处理、物理处理等方法进行。

碳源选择主要包括甲烷、乙烯等。

石墨烯外延生长法的研究和应用已经取得了很大进展，但是仍然存在一些问题，如晶格缺陷、控制方法不够成熟等。

未来，需要进一步完善石墨烯外延生长法的相关技术，以推动其在各个领域的广泛应用。

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外延生长在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，故称外延生长。

外延生长技术发展于50年代末60年代初。

当时，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。

外延生长的新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。

外延工艺还广泛用于集成电路中的PN结隔离技术（见隔离技术）和大规模集成电路中改善材料质量方面。

原理生长外延层有多种方法，但采用最多的是气相外延工艺。

图1为硅(Si)气相外延的装置原理图。

氢(H2)气携带四氯化硅(SiCl4)或三氯氢硅(SiHCl3)、硅烷(SiH4)或二氯氢硅(SiH2Cl2)等进入置有硅衬底的反应室，在反应室进行高温化学反应，使含硅反应气体还原或热分解，所产生的硅原子在衬底硅表面上外延生长。

其主要化学反应式为硅片外延生长时，常需要控制掺杂，以保证控制电阻率。

N型外延层所用的掺杂剂一般为磷烷(PH3)或三氯化磷(PCl3);P型的为乙硼烷(B2H6)或三氯化硼(BCl3)等。

外延生长过程气相外延生长常使用高频感应炉加热，衬底置于包有碳化硅、玻璃态石墨或热分解石墨的高纯石墨加热体上，然后放进石英反应器中。

此外，也有采用红外辐照加热的。

为了制备优质的外延层，必须保证原料的纯度。

对于硅外延生长，氢气必须用钯管或分子筛等加以净化,使露点在-70℃以下，还要有严密的系统，因微量水汽或氧的泄漏会产生有害的影响；为获得平整的表面，衬底必须严格抛光并防止表面有颗粒或化学物质的沾污；在外延生长前，反应管内在高温下用干燥氯化氢、溴或溴化氢进行原位抛光，以减少层错缺陷;为减少位错须避免衬底边缘损伤、热应力冲击等;为得到重复均匀的厚度和掺杂浓度分布，还须控制温度分布和选择合适的气流模型。

石墨烯碳化硅表面外延生长法说起石墨烯啊，那可真是令人兴奋的材料，好比科技界的明星，处处都是热议。

我就见过用石墨烯研究的那些实验室，大家各显神通，尝试各种方法。

不过，制作高质量的石墨烯啊，那可不容易。

就像碳化硅表面外延生长法，看似简单，里面的门道多了去了。

首先呢，选材就很重要。

我们得用高纯度的碳化硅，这就像做菜要用好食材一样，马虎不得。

那么，如何将石墨烯像是那层轻薄的金箔一样，覆盖上去呢？加热是第一步，温度得控制得当。

就像小张，第一次弄差了，温度过高，结果石墨烯就一塌糊涂了。

经历多次尝试后，他才慢慢掌握了那个恰到好处的火候。

接下来就是等温生长，这一步讲究的是时间把控。

像熬汤那样，要把控好火候。

温度维持在一定范围，让碳原子在碳化硅表面整齐排列，形成单层石墨烯。

小李是个新人，对这环节还不太熟悉，我就告诉他：“别急，在科学研究中慢工出细活，守住时间，才能有好结果。

”他说着点点头，然后看着那些数值，一点点调整。

这石墨烯的生长也离不开观察与调整。

我们得时刻监控生长过程中的变化，就像一路爬山，时刻注意路况。

有时候，外延生长过程中会出现缺陷，这就需要我们用拉曼光谱之类的技术去检查，就像是装备了一台望远镜，随时观察星象的变化。

发现问题后，咱们还得立即调整参数，每一步都得精益求精。

科学生产哪能没有激励呢？我们实验室也制定了一个激励制度。

每次成功完成优质石墨烯外延生长的小组，都会给予一定的奖励和荣誉。

我跟大家伙儿说：“要想在科技之林中拔得头筹，得有点拼搏精神。

”果然，大家一听说有奖励，尤其是能在业界发布成果，那干劲儿更是十足了。

当然，良好的实验氛围也特别重要。

我时常组织大家一起开研讨会，头脑风暴一下，各自分享新方法和心得，就像一起讨论怎么把一道菜做好。

在这一过程中，不仅能激发出新的灵感，还能让大家的工作稍微放松。

听着大家你一言我一语，把实验室弄得热闹非凡，我心里也是特别满意。

这石墨烯碳化硅表面外延生长法，就得从技术、时间、监测、激励和氛围全方位下手。

外延工艺的生长方法外延工艺呀，这可真是个神奇又有趣的领域呢！你看啊，它就像是一位神奇的园丁，在半导体的花园里精心培育着各种奇妙的“晶体花朵”。

想象一下，外延工艺就像是在半导体的基底上一层一层地搭建起高楼大厦。

它可不是随随便便就能做好的哦，这需要极高的技巧和耐心呢！就好像我们盖房子，得先打好地基，然后一砖一瓦地往上垒，稍有偏差可能就前功尽弃啦。

外延工艺中的各种条件就像是不同的建筑材料，温度啦、压力啦、气体成分啦等等，都得调配得恰到好处。

这可不是一件容易的事儿呀！要是温度太高了，那“晶体花朵”可能就被烤焦啦；要是压力不合适，那“高楼大厦”可能就歪歪扭扭的啦。

而且呀，外延工艺的过程就像是一场精彩的魔术表演。

在那神秘的反应室里，各种元素和物质相互作用，就像魔术师手中的道具一样，变幻出令人惊叹的成果。

你说神奇不神奇？外延生长的方法也有很多种呢，就像我们有不同的盖房子的方式一样。

有的方法就像是慢悠悠地砌砖，一层一层稳稳当当；而有的方法则像是快速搭建的钢结构，高效又迅速。

再说说外延工艺的重要性吧，那可真是不容小觑啊！没有它，我们的电子设备怎么能变得越来越小巧、越来越强大呢？就像没有好的建筑工人，我们怎么能住上漂亮坚固的房子呢？它可是推动科技进步的重要力量呢！在这个领域里，研究人员们就像是一群勇敢的探险家，不断地探索着新的方法和技术。

他们不怕困难，不怕失败，一次又一次地尝试，只为了能让外延工艺更加完美。

这是多么令人敬佩呀！外延工艺啊，你真是让人又爱又恨。

爱你的神奇和魅力，恨你的复杂和高深。

但正是因为有了你，我们的科技世界才变得如此丰富多彩。

所以呀，我们可得好好研究你，好好利用你，让你为我们的生活带来更多的惊喜和便利。

总之呢，外延工艺就是这样一个充满挑战和机遇的领域。

它就像一座等待我们去攀登的高峰，虽然路途艰难，但山顶的风景一定无比美丽。

让我们一起加油，去探索外延工艺的奥秘吧！原创不易，请尊重原创，谢谢!。

第六章 外延生长（epitaxy growth）§6.1引言6.1.1外延生长外延生长实质上是一种材料科学的薄膜加工方法，其含义是：在一个单晶的衬底上，定向地生长出与基底晶态结构相同或类似的晶态薄层。

外延生长过程中，一般要求能控制生长的结晶取向和杂质的含量，是产生具有特殊物理性质的半导体薄膜层的重要方法。

在硅IC集成技术中，与扩散方法相比，它不需很长的扩散时间，还能产生均匀的掺杂层。

在GaAs等新IC和集成光学技术中，它更是产生特殊的纳米厚度多层结构，包括异质结、超晶格、量子阱等的重要手段。

下图为外延生长技术制备的单量子阱和多量子阱激光器的结构原理图例。

图6.1 外延技术形成的单量子阱和多单量子阱结构根据外延生长物质的来源，外延分汽相外延与液相外延两种。

在微电子与光电子技术中，以汽相外延为主。

又可根据汽相外延过程的性质，分为以物理过程为主的（典型例子是分子束外延－MBE ），和以基于化学反应过程的化学汽相外延（典型例子是金属有机物化学汽相外延生长－MOVPE ）。

现代的外延生长主要是汽相生长。

在汽相外延生长过程中，汽相原子的凝结（淀积）与蒸发是相逆的两个环节。

沉积到固体表面的原子经历的不是一个简单的过程。

它可能被固体表面粘附、沿表面扩散和迁移，还可能从固体表面再蒸发出去。

如果一个原子入射到表面，并且没有足够的、向外运动的动量，它就停留在表面上，称为粘附。

否则，这个原子具有足够的能量和向外运动的动量，则发生再蒸发。

粘附的原子可能再蒸发，其间有一个停留时间。

在此时间范围，它可能迁徙运动到合适的晶格位置，自由粘附的原子才对薄膜的生长做出贡献。

粘附原子数目与入射原子的数目比值，称为粘附系数。

在温度高于某个临界的温度，或基片表面前汽相原子的密度低于某个临界值时，以再蒸发为主，就不可能淀积成膜。

临界温度和临界密度的关系是：()224.710exp 2800/c c n T =×−基片的温度低于临界温度，或蒸汽密度高于临界密度时，以凝结为主，但一般也不是100％凝结，有一个小于1的凝结（粘附）系数α。

sic外延生长法一、概述sic外延生长法（SIC epitaxial growth method）是一种用于制备氮化硅(SiC)晶体薄膜的方法。

该方法通过在硅衬底上以化学气相沉积的方式进行外延生长，可以制备具有高结晶质量的SiC薄膜，用于制造高功率电子器件和光电器件等。

二、生长机理sic外延生长法依赖于气相反应，其中最常用的方法是基于碳化硅(SiC)的体外延生长。

具体过程如下： - 在高温环境中，将硅衬底放置在SiC前驱体气氛中,例如，丙烷（C3H8）和二氧化硅(SiO2)混合气氛中。

- 通过加热硅衬底，使其表面活化。

- SiC前驱体气体分解，释放出碳元素，与活化的硅衬底表面反应，形成SiC薄膜。

- 薄膜的生长速率和晶面取向可以通过控制生长条件（温度、气氛成分、气压等）来调节。

三、生长条件控制sic外延生长法的生长条件对薄膜质量和性能影响显著。

以下是常用的生长条件控制方法： ### 1. 温度控制生长温度对SiC薄膜的生长速率和结晶质量有直接影响。

较高的生长温度有助于提高生长速率和晶格结晶度。

### 2. 气氛成分控制气氛成分中碳源气体和硅源气体的比例会影响SiC薄膜的生长速率和纯度。

适当调整混合气体的流量可以控制SiC薄膜的成分和缺陷密度。

### 3. 气压控制气压对SiC薄膜的生长速率和结晶度有影响。

增加气压可以提高生长速率，但过高的气压可能导致薄膜质量下降。

四、应用领域利用sic外延生长法制备的SiC薄膜可以应用于以下领域： ### 1. 功率电子器件SiC具有较高的电子能隙和电子饱和漂移速度，能够承受更高的电压和温度，适用于制造高功率电子器件，如功率MOSFET和Schottky二极管等。

### 2. 光电器件SiC薄膜可以用于制造高性能的光电器件，如光电检测器和激光二极管等。

其宽带隙和较高的载流子迁移率使得SiC器件具有更好的光电转换效率和工作稳定性。

### 3. 生物传感器 SiC薄膜用作生物传感器的敏感层可以实现对生物分子的高灵敏度检测。

sic外延生长法
Sic外延生长法是一种方法，在硅基底材料上制备外延Sic层。

这种方法可以生长出高质量、大尺寸、单晶Sic层，而且可以在制备SiC功率器件时使用，有助于提高功率器件的可靠性和性能。

Sic外延生长法的原理是利用气相沉积技术，在高温和高压下将SiC晶粒从SiC粉末中溶解出来，经过携带气相(如SiH4、C3H8、H2等)的运输，在Si衬底表面沉积形成Sic层。

这个过程需要严密控制生长条件，并在高温下使晶体结构得到优化，以获得高质量、低缺陷的Sic外延层。

Sic外延生长法的优点是可以制备大尺寸的Sic层(直径最大可达4英寸)，生长过程对材料的污染小、成本低，而且可以进行堆叠生长，形成多层结构。

此外，这种方法还可以控制Sic层的厚度、掺杂和晶体结构，以适应不同的应用需求。

Sic外延生长法在制备Sic功率器件中具有重要应用。

可以使用这种方法将Sic层生长在Si衬底上，形成SiC-Si-SiC结构，用于制备高压、高温、高频率的Sic功率器件，如功率MOSFET、整流器、P-N结二极管、Bipolar Transistor等。

与传统的Si功率器件相比，这些Sic功率器件具有更低的漏电流、更高的开关速度、更高的耐压能力和更高
的工作温度，可广泛应用于电力电子、电动车、航空航天等领域。

总之，Sic外延生长法是一种重要的材料生长技术，在Sic功率器件的制备和应用中具有重要作用。

它可以生长高质量、大尺寸、低缺陷的Sic层，具有优异的电学和力学性能，适用于各种高端领域的应用。

液相外延法生长晶体液相外延法（Liquid Phase Epitaxy，简称LPE）是一种用于生长晶体的常用方法。

它是通过在溶液中使底物与溶液中的成分反应，使晶体逐渐沉积在底物上的过程。

液相外延法具有生长速度快、晶体质量高等优点，因此在半导体器件制造、光电子器件以及光纤等领域得到广泛应用。

液相外延法的基本原理是利用熔点较低的材料，在高温下将其溶解于溶剂中，形成溶液。

溶液中含有需要生长的晶体材料的离子或分子。

然后，将底物（通常是晶体片或玻璃片）放入溶液中，通过控制温度和浓度等参数，使溶液中的晶体材料逐渐沉积在底物表面，形成所需的晶体结构。

液相外延法的生长过程可以分为几个主要步骤。

首先是预处理步骤，即对底物进行清洗和表面处理，以保证底物表面的纯净度和光洁度。

然后，将底物放入外延炉中，控制炉内温度和压力，使溶液中的晶体材料在底物表面生长。

在生长过程中，可以通过改变温度、浓度和生长时间等参数，来控制晶体的生长速度和质量。

最后，将生长完毕的晶体进行冷却和固化处理，以获得完整而稳定的晶体结构。

液相外延法在半导体器件制造中有着广泛的应用。

例如，用于生长硅、镓、砷化镓、磷化镓等材料的外延片，可以用于制造各种类型的光电子器件，如LED、激光器等。

此外，液相外延法还可以用于生长光纤材料，用于制造通信领域所需的光纤器件。

液相外延法的优点之一是生长速度快。

由于溶液中的晶体材料可以快速沉积在底物表面，因此可以在较短的时间内得到较大尺寸的晶体。

此外，液相外延法还具有较高的生长温度范围，可以适应不同材料的生长需求。

然而，液相外延法也存在一些限制和挑战。

首先，由于生长过程中需要控制多个参数，如温度、浓度、生长时间等，因此操作相对复杂，需要经验丰富的操作人员。

其次，溶液中的杂质和缺陷会对晶体的生长和质量产生影响，因此需要对溶液进行精确的控制和纯化。

此外，液相外延法的生长速度受到物质扩散的限制，因此无法实现超高速的生长。

总结起来，液相外延法是一种常用的晶体生长方法，具有生长速度快、晶体质量高等优点。

写下晶体外延的意义，列举三种外延生长方法，并表明各自的优缺点。

得出光刻的促进作用，光铸有哪两种曝光方式。

答案：外延意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。

外延方法：液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长(1)液态生长：最简单最廉价的外延生长方法，但其外延层的质量不低(2)气相外延生长：技术明朗，能够较好地掌控薄膜厚度、杂质浓度和晶体完整性，但对外延层参杂情况的掌控比较容易。

(3)金属有机物气相外延生长：movpe与其它vpe不同之处是它就是一种冷壁工艺，只要将衬底掌控至一定温度就行了。

光刻作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。

曝光方式有接触与非接触两种。

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