微机原理及应用
微型计算机系统概述
第一讲和第二讲
0.2
0.8
1
画出微型计算机应用硬件基本组成框图。
微机原理及应用
变量及伪指令
第18讲
0.8
0.8
10
设变量var1的逻辑地址为0100：0000，画出下列语句定义的变量的存储分配图。
VAR1 DB 12H,0A5H,18+20,50/3,0，－1
VAR2 DW 12H,0
VAR3 DD 12345678H
VAR4 DB ‘ABC’
DW ‘AB’
VAR5 DB ?,?
VAR6 DB 4 DUP(0FFH,?)
VAR7 DB 3 DUP(55H, 2 DUP(77H))
微机原理及应用 总线结构与时序 第42~44讲 0.8 0.8 8
CPU 执行一条指令的时间称为指令周期。画出一个基本总线周期时序。
CLK
微机原理及应用
总线结构与时序
第42~44讲
0.8
0.8
10
利用74LS373数据锁存器设计系统地址总线A19～A0形成电路。
解：根据AD15～AD0、A19/S6、A18/S5、A17/S4、A16/S3和ALE信号功能以及74LS373芯片引脚功能，设计的系统地址总线A19～A0形成电路如下图所示。
微机原理及应用
总线结构与时序
第42~44讲
0.8
0.8
10
利用74LS245数据双向缓冲器设计系统数据总线D15～D0形成电路。
解：根据AD15～AD0、DEN和R
DT信号功能以及74LS245芯片引脚功能，设计的系
/
统数据总线D15～D0形成电路如下图所示。
15 ~ D 8
7 ~ D 0
微机原理及应用 总线结构与时序 第42~44讲 0.8 0.8 10
画出8086CPU 工作在最小方式时的系统总线读时序图。
A 19/S 6 ~ A 16S 3
AD 15 ~ AD 0
ALE M/IO 地址，BHE 输出
地址输出
数据输入
状态输出BHE/S 7
低为I/O 读，高为存储器读
RD
微机原理及应用 总线结构与时序 第42~44讲 0.8 0.8 10
画出8086CPU 工作在最小方式时的系统总线写时序图。
AD 15 ~ AD 0
ALE M/IO DT/R DEN
地址，BHE 输出
地址输出
数据输入
状态输出BHE/S
7
低为I/O 写，高为存储器写
WR
A 19/S 6 ~ A 16S 3
微机原理及应用 总线结构与时序 第42~44讲 0.8 0.8 10
画出8086CPU 的BHE 和A0的不同组合状态。
微机原理及应用 总线结构与时序 第42~44讲 0.8 0.8 10
画出8086CPU 工作在最大方式时的系统总线读时序图。
地址/BHE/S 7地址/数据(AD 15 ~ AD 0ALE
MRDC 或IORC
DT/R DEN
8288输出
输入数据D 15~D 0
S 2~S
微机原理及应用 总线结构与时序 第42~44讲 0.8 0.8 10
画出8086CPU 工作在最小方式时的系统总线写时序图。
地址/BHE/S 7地址/数据(AD 15 ~ AD 0ALE
AMWC 或AIOWC MWTC 或IOWC
8288输出
输出数据D 15~D 0
S 2~S 0
微机原理及应用 总线结构与时序
第42~44讲
0.8
0.8
15
画出8086CPU工作在最小方式时的系统总线结构。
系统总线
微机原理及应用
总线结构与时序
第42~44讲
0.8
0.8
15
画出8086CPU工作在最大方式时的系统总线结构。
系统总线
微机原理及应用
存储器设计
第47~50讲
0.8
0.8
10
说明计算机中内存储器的分类。
内存贮器
掩膜MROM
可编程PROM
紫外线擦除可编程EPROM 电擦除可编程E 2PROM
快速电擦写存储器Flash Memory 非易失性NVRAM
只读存储器ROM
动态DRAM
静态SRAM
随机存取存储器RAM
微机原理及应用 存储器设计 第47~50讲 0.8 0.8 10
在8088 CPU 工作在最大方式组成的微机应用系统中，扩充设计8kB 的SRAM 电路，SRAM 芯片用Intel 6264。若分配给该SRAM 的起始地址为62000H ，片选信号（CS1）为低电平有效。请用全地址译码方法设计该SRAM 存储器的片选信号形成电路。
解：因为Intel 6264的片容量为8k ×8b(8kB)，因此只需要1片Intel 6264存储器芯片。 由于Intel 6264片内地址线有13根，所以8088 CPU 系统地址总线的低13位A 12～A 0
直接与Intel 6264的片内地址引脚A 12～A 0相连接，作片内寻址，来选择片内具体的存储单元。
由于采用全地址译码，所以8088 CPU 系统地址总线的高7位A 19～A 13全部参加译码，其译码输出作为存储器芯片的片选信号CS1。当CS1有效时，对应的存储器地址范围为62000H ～63FFFH 连续的8kB 存储区域。
