一、实验目的
熟悉软件使用，了解Cadencee等软件的设计过程。掌握电流镜的相关知识和技术，设计集成电路实现所给要求。
二、实验要求
1 低输出电压高输出电阻的电流镜设计。
2、电流比1：1。
3、输出电压最小值0.5V。
4、输出电流变化范围5～100UA
三、实验内容
确定电路拓扑结构
中：
MOSFET 的衬底都接地，(W/L)1=(W/L)2; (W/L)3=(W/L)4.
通过大信号直流工作点分析和小信号等效电路分析（对不起，这部分分析是电路设计的基础，希望大家看相关的资料，这里就不详细展开了。），可以知道该电路的特点如下： 1.小信号输入电阻低（～1/gm1） 2.
输入端工作电压低（11T MAX T V V V +?=
3.小信号输出电阻高（23333[1()]out ds m mb ds ds r r g g r r =+++）
4.输出端最小工作电压低（43~2(@2)MAX T MAX V V V V ?=+?）
设计变量初始估算
1 确定(W/L)1、（W/L ）2
为了计算设计变量，我们有必要了解电路MOSFET 的工作状态，为了使输出端最小工作电压小于0.5V, 令：MN3管工作于临界饱和区（即：33OUTMIN G T V V V =-=0.5V ），而MN1、MN2管随着输入电流in I 从5UA 变到100UA 的过程中先工作在过饱和区最终工作在临界饱和区，同时令：当MN1、MN2工作在临界饱和区时120.252
OUTMIN
DS DS V V V V ===。为了使MN1、MN2工作在饱和区，则必须：(以MN2为例计算)
222DS GS T V V V ≥-
22
OUTMIN DS V
V ?
=
626222
22210010(/)26123.010/0.25()
2
INMAX OUTMIN N I A W L V A V V KP --???≥=?? ,
为了后面HSPICE 仿真时能够深刻地体会到调整W/L 的必要性,这里取：(W/L)1=(W/L)2=27。 2 确定(W/L)3、（W/L ）4
从MN3管3GS V 的角度来考虑问题，当in I ＝100UA 时，为了使MN2管工作在临界饱和区，3GS V 的电压降不可以过大，即：
332
OUTMIN
GS G V V V ≤-
又MN3管工作于临界饱和区，则：
3332
OUTMIN
GS D T V V V V ?≤+-
332
OUTMIN T OUTMIN T V
V V V ?≤+-
2
OUTMIN V
?
≤
636222
22210010(/)26123.010/0.25()
2
INMAX OUTMIN N I A W L V A V V KP --???≥=??
为了后面HSPICE 仿真时能够深刻地体会到调整W/L 的必要性,这里就取：(W/L)3=(W/L)4=27。 3确定(W/L)B
为了节省面积，和设计的方便，取(W/L)B=1 4确定IB
在确定IB 前要先计算3T V ,根据衬偏效应可以得到
:
1/2300.64310.630.72T TN V V V V V
γ=+=+
因为MN3工作在临界饱和区，所以：
333G D T V V V =+
又MNB 管工作于MOS 二极管状态：
3G DSB GSB TB V V V V ===
231
()(/)2G TB B B IB V V KP W L ?=
- 2331
()(/)2D T TB B B IB V V V KP W L ?=+-
2301
()(/)2
OUTMIN T TN N B IB V V V KP W L ?=+-
2620.5(0.50.720.6431)123.010/120IB V V V A V UA -?=?+-???
5 确定沟道长度L
对沟道长度的约束有： 1．out r
233332311()(1)out ds ds m mb m OUT OUT r r r g g g I I ηλλ+=
+=
+
一定的OUT I 下，要使out r 较大，则λ要取较小的值，即L 要取较大的值。 2．短沟效应，要求L 取较大的值。 3．沟道调制效应，要求L 取较大的值。 4．匹配性，要求L 取较大的值。 5．可生产性，要求L 取较规整的值。 6．寄生性，要求L 取较小的值。
7．最小的版图面积，要求L 取的较小的值。 8．工业界的经验要求：L>=5倍的特征尺寸。 综上所述，版图设计中取3L uM = 验证直流工作点
1. MNB ：二极管连接确保它工作于饱和区。
2. MN3：工作于临界饱和工作区。
3. MN1、MN2：当100IN I uA =,它们工作于临界饱和区；当IN I 减小时，12GS V 、减小且12DS V 、增大，使它 们工作在过饱和区。
4. MN4：要使MN4管工作于饱和区，则：
444ds gs T V V V >- 444d g T V V V ?>-
134gs OUTMIN T V V VT V ?>+-
1T OUTMIN V V V ?+?>
而10.6431,0.5T OUTMIN V V V V ==,显然上式成立。即MN4工作于饱和区。 HSPICE 仿真验证
1旨在调整设计变量的仿真： 1、电路拓扑结构节点命名：
其中：每个MOSFET 的衬底都接地，(W/L)1=(W/L)2; (W/L)3=(W/L)4. 2、按初始估算设计变量仿真
采用初始估算的设计变量，即：(W/L)1=(W/L)2=(W/L)3=(W/L)4=81UM/3UM; (W/L)B=3UM/3UM;IB=20UA ，同时调整RL ＝44.7KOHM ，使MN3进入临界饱和。 仿真输入：该电路的HSPICE 仿真网表文件为：cascode_current_mirror_01.sp,文本如下： 仿真输出：静态工作点分析的结果在cascode_current_mirror_01.lis 文件中，其中可以看到如下的内容：
可见MN1～4管都工作在饱和区，可是输出端(5节点)电压约为0.535V 超过指标要求，因此需要进一步更为重要的调整和仿真。 3、调整设计变量仿真 1.调整步骤一：
根据333OUTMIN G T TB T V V V V V =-=，要减小OUTMIN V ，可以减小B I 或增
大(/)B W L ，为了版图设计的方便，保持(/)B W L 初始估算的值，而把B I 调小到17UA 。这时，(W/L)1=(W/L)2＝ (W/L)3=(W/L)4=81UM/3UM; (W/L)B=3UM/3UM; IB=17UA ，同时调整RL ＝45.2KOHM ，使MN3进入临界饱和。 2.调整步骤二： 根据MOS 管的工作原理可知，要使MN1、MN2进入饱和区，应该减小
123GS GS GS V V V 、、和4GS V ,
又GS T V V =,所以应该把(W/L)1~4调大。当
(W/L)1=(W/L)2=(W/L)3=(W/L)4=93UM/3UM; (W/L)B=3UM/3UM; IB=17UA ，同时调整RL ＝45.2KOHM ，使MN3进入临界饱和。
可见MN1～MN4均工作在饱和区，输出电流和输入电流（100UA ）相近，输出电压约为0.487V 符合指标要求。
为了进一步验证设计变量是否适合，我们把IN I 减小到50UA 和5UA 的再进行仿真，只
要在cascode_current_mirror_03.sp文件中把*IIN VD 1 DC 100UA分别改为：*IIN VD 1 DC 50UA和*IIN VD 1 DC 5UA，并适当的调整RL使MN3刚好进入临界饱和
即可。通过仿真可以得到下表的一组数据：
注：仿真时电路中的每个MOSFET均处于饱和区)
总之，设计变量调整到目前为止，该电路的直流大信号静态工作点已经比较合适。我们
可以暂时确定设计变量如下：
(W/L)1=(W/L)2=(W/L)3=(W/L)4=93UM/3UM;(W/L)B=3UM/3UM;IB=17UA。
版图设计
四、总结
通过共源共栅电流镜设计这个实验，让我更加熟悉了电流镜的相关知识，对整个实验的
总体过程有了初步了解，为以后的工作积累了经验，获得了更多实践的经验实验的结果往往
不是最重要的，过程才是我们在做实验中最宝贵的。希望自己在以后的工作学习中能够开拓
思维，继续努力。
开关电源拓扑电压模式与电流模式的比较 作者：罗伯特.曼诺 Unitrode公司的IC公司拥有自成立以来一直活跃在前沿的发展控制电路来实现国家的最先进的级数在电源技术。在多年来许多新产品已推出使设计人员能够在易于应用新的创新电路拓扑结构。由于每一种新的拓扑声称提供改进过的这以前是可用的，它是合理的期望一些混乱将与引进的UCC3570的生成 - 一种新的电压模式控制器介绍我们告诉了近10年后世界上目前的模式是这样的优越方法。 但事实却是，没有一个统一的拓扑结构是最适合所有的应用程序。此外，电压模式控制如果更新了现代化的电路和工艺的发展 - 大有作为今天的高性能用品的设计师和是一个可行的竞争者为电源设计人员的重视。要回答的问题是，它的电路拓扑结构最好是为一个特定的应用程序时，必须从的每一种方法的两个优点和缺点的认识。下面的讨论尝试这样做以一致的方式为这两个电源的控制算法。 电压模式控制这是用于在第一开关的方法调节器的设计和它服务的行业以及为多年本电压模式配置。这种设计的主要特点是:有一个单一的电压反馈路径，以脉冲宽度调制，通过比较所执行的以恒定的倾斜波形电压误差信号。电流限制必须分开进行。 电压模式控制的优点有： 1．单个反馈回路更易于设计和分析。 2．大振幅锯齿波为一个稳定的调制过程提供良好的噪声容限。 3. 低阻抗功率输出为多路输出电源提供更佳交叉调整。 电压模式控制的缺点： 1.任何改变线路或负载必须首先被检测作为输出的变化，然后由校正反馈回路。 这通常意味着响应速度慢。 2.输出滤波器将两个极点的控制循环要求无论是占主导地位的极低频滚降在误 差放大器或在补偿加零。 3.补偿是通过进一步复杂化，即环增益随输入电压而变化。 电流模式控制上述的缺点是相对显著，因为，设计师们在它的介绍非常积极地考虑所有被缓解电流模式控制这种拓扑结构。如可以看到的从图2中，基本电流模式的图 控制使用振荡器只能作为一个固定频率时钟和斜坡波形被替换为从输出电感电流产生的信号。 而这种控制技术提供的优点包括以下内容： 1. 由于电感电流上升与输入电压 - 武定一个斜坡，这个波形会回应马上到线电压的变化，消除双方的延迟反应和增益变化与输入电压变化。 2. 由于误差放大器现在用命令的输出电流而不是电压，输出电感的影响被最小化现在的过滤器只提供一个单极到反馈回路（至少在感兴趣的正常区域）。这允许在可比的电压模式电路更简单补偿和更高的增益带宽。 3. 电流模式电路额外的好处包括固有的脉冲逐脉冲限流仅仅通过钳位误差放大器的命令，当多个功率单元并联共享以及提供方便的负荷。 而改进提供了电流模式令人印象深刻的是，这项技术在设计过程中还带有其独特的一套必须解决的问题。一些这些清单已概述如下：
电流对人体的危害 1 电流对人体的伤害电流通过人体时，对人体伤害的严重程度与通过人体的电流的大小、电流通过人体的持续时间、电流通过人体的途径、电流的频率以及人体状况等多种因素有关。而且各种因素之间，有着十分密切的关系。1.1 伤害程度与电流大小的关系电流通过人体，人体会有麻、痛等感觉，更严重者会引起颤抖、痉挛、心脏停止跳动及至死亡。通过人体的电流越大，人体的生理反应越明显，人的感觉越强烈。对于工频交流电，按照通过人体电流大小的不同，以及人体所呈现的不同状态，可将电流划分为以下三级：1.1.1 感知电流感知电流是人能感觉到的最小电流。实验资料表明，对不同的人，感知电流也不相同：成年男性平均感知电流约为1.1mA；成年女性约为0.7mA。1.1. 2 摆脱电流摆脱电流是人触电以后能自主摆脱电流的最大电流。实验资料表明，对于不同的人，摆脱电流也不相同：成年男性的平均摆脱电流约为16mA；成年女性约为10.5mA。成年男性的最小摆脱电流约为9mA；成年女性的最小摆脱电流约为6mA。1.1. 3 致命电流致命电流是指在较短时间内危及生命的最小电流。在电流不超过数百毫安的情况下，电击致死的主要原因是电流引起心室颤动或窒息造成的。因此，可以认为引起心室颤动的电流即是致命电流。心室颤动电流与通过时间有关，如通电时间超过心脏搏动周期时，心室颤动电流仅数十毫安。如通电时间小于心脏搏动周期，但超过10ms，并发生在心脏搏动周期的特定时刻时，心室颤动电流在数百毫安以上。工频电流经由手一躯干一手的途径，对人体产生作用时，成年男性的感觉情况，见表1。表1 工频电流对人体作用的实验资料 感觉情况被试者百分数5%50%95%手表面有感觉0.71.21.7手表面有麻痹似的连续针刺感1.02.03.0手关节有连续针刺感1.52.53.5手有轻度颤动，关节有压迫感2.03.24.4前肢部有强力压迫的轻度痉挛2.54.05.5上肢部有轻度痉挛3.25.27.2手硬直有痉挛，但能伸开，已感到有轻度疼痛4.26.28.2上肢部、手有剧烈痉挛，失去感觉，手的前表面有连续针刺感4.36.68.9手的肌肉直到肩部全面痉挛，但还可能摆脱带电体7.011.015.0
【学术型】 080900电子科学与技术 方向 01(全日制)物理电子学 02(全日制)电路与系统 03(全日制)微电子学与固体电子学 04(全日制)电磁场与微波技术 考试科目 (1) 思想政治理论 (2) 英语一 (3) 数学一 (4) 804材料科学基础或 810电路或 812固体物理或 815信号与系统(含数字信号处理) 或 822普通物理学或 849半导体物理与器件 复试科目 电子科学与技术系含01、02、03、04方向，复试科目在以下科目中任选一门：电磁场理论或光电子学或电介质物理或半导体物理；微电子学院含02、03方向，复试科目：CMOS集成电路设计，要求初试时选择849科目；信息与通信工程系含04方向，复试科目在以下科目中任选一门：电磁场与波或通信原理，要求初试时选择815科目 电子科学与技术 849半导体物理与器件：（微电子学院） 1.半导体中的电子状态 2.半导体中杂质和缺陷能级 3.半导体中载流子的统计分布 4.半导体的导电性 5.非平衡载流子 6.金属和半导体接触 7.半导体表面和MIS结构 8.异质结的基础概念 9.半导体的光学性质 10.霍耳效应 11.PN结 12.MOSFET直流特性
13.小信号模型 14.短沟道效应（小尺寸效应） CMOS集成电路设计考试范围： （CMOS数字集成电路） 1.CMOS反相器的静态特性和动态特性，反相器功耗； 2.CMOS传输门； 3.CMOS组合逻辑电路； 4.CMOS时序逻辑电路(RS触发器、锁存器、边沿触发的D触发器)； 5.动态CMOS逻辑电路(预充电-求值（PE）逻辑、多米诺逻辑)； 6.数字集成电路连线模型、延时、寄生参数； 7.数字集成电路设计流程、设计方法 （CMOS模拟集成电路） 8.单级放大器、差动放大器、无源与有源电流镜； 9.运算放大器结构与设计; 10.模拟集成电路中的反馈； 11.放大器的频率特性与频率补偿 085209集成电路工程 (微电子学院) 考试科目 (1)思想政治理论 (2)英语二 (3)数学二 (4)910 CMOS集成电路设计 复试科目 半导体物理与器件 硕士生考试科目 910 CMOS集成电路设计考试范围： （CMOS数字集成电路） 1.CMOS反相器的静态特性和动态特性，反相器功耗； 2.CMOS传输门； 3.CMOS组合逻辑电路； 4.CMOS时序逻辑电路(RS触发器、锁存器、边沿触发的D触发器)； 5.动态CMOS逻辑电路(预充电-求值（PE）逻辑、多米诺逻辑)； 6.数字集成电路连线模型、延时、寄生参数； 7.数字集成电路设计流程、设计方法
电流对人体有两种类型的伤害，即电击和电伤。 电击是指电流通过人体内部，破坏人的心脏、肺部及神经系统的正常工作，及致使人处于假死或丧失生命。在低压系统，在通电电流较小，通电时间不长的情况下，电流引起人的心室颤动是电击致死的主要原因； 在通电电流更小，通电时间较长的情况下，窒息必会成为电击致死的原因。 绝大部分触电死亡事故是电击造成的，通常所说的触电事故基本上都是指电击而言的。分：单相触电、两相触电、跨步电压触电（人在接地点周围，两脚之间出现的电压称为跨步电压，由此引起的触电叫跨步电 压触电）。 电伤是指电流的热效应、化学效应或机械效应对人体造成的伤害。电伤多见于机体外部而且往往在机体上 留下伤痕。 电弧伤最常见，也是最严重的电伤。电烙印也是电伤的一种 电流对人体的伤害 人由于不慎触及带电体，将产生触电事故。根据触电事故对人体伤害程度的不同，可分为电击和电伤两种： 电击是指电流通过人体，使内部器官组织受到伤害。如果触电者不能迅速脱离带电体，则最后会造成死亡事故。 电伤是指在电弧作用下或熔断器熔丝熔断时，对人体外部的伤害，如灼伤，金属溅伤等 。防止触电的技术措施 为了达到安全用电的目的，必须采用可靠的技术措施，防止触电事故发生。绝缘、安全间距、漏电保护、安全电压、遮栏及阻挡物等都是防止直接触电的防护措施。保护接地、保护接零是间接触电防护措施中最基本的措施。所谓间接触电防护措施是指防止人体各个部位触及正常情况下不带电，而在故障情况下才变为带电的电器金属部分的技术措施。 专业电工人员在全部停电或部分停电的电气设备上工作时，在技术措施上，必须完成停电、验电、装设接地线、悬挂标示牌和装设遮栏后，才能开始工作。 一、绝缘 1．绝缘的作用 绝缘是用绝缘材料把带电体隔离起来，实现带电体之间、带电体与其他物体之间的电气隔离，使设备能长期安全、正常地工作，同时可以防止人体触及带电
电压、电位、电动势及其参考方向 1.电压的一般含义 金属导体中有许许多多的自由电子，在没有外加电场作用时，这些自由电子的运动时无规则的，则不能形成电流。要使自由电子作有规则的运动必须要有外加电场，电场力使自由电子作有规则的定向运动而形成电流。电场力移动电荷就对电荷做了功。它所释放出来的能量转化为其他形式的能量。为了衡量电场力对电荷做功的能力，引入电压这个物理量。 电压的定义为：电场力把单位正电荷从电路中的a 点移到b 点做的功称为a 、b 两点之间电压。电压通常用U 表示。 设正电荷Q 由a 点移至b 点电场力做的功为ab W 则 Q W U ab ab = （1-3） 式中 ab W ——电场力所做的功，单位为焦耳，J ； Q ——被移动正电荷的电量，单位为库仑，C ； ab U ——电路中a 、b 两点间的电压，单位为伏特，V 。 它的大小可以这样理解：如果1库仑正电荷从一点移到另一点所做的功为1J ，则该两点的电压为1V 。 电压的单位有：伏特（V ）、千伏（kV ）、毫伏（mV ）、微伏（μV ）。它们之间的关系为： 3110kV V =， 3110mV V -=， 6110V V μ-= 与电流一样，把大小、方向不随时间变化的电压称为恒定电压或直流电压，用大写字母“U ”表示；把实际方向随时间变化的电压称为交表电压，用小写字母“u ”表示。 2.电位 在电路中可取任一点为参考点，如选择0点为参考点，则由某点a 到参考点0的电压u a0，称为a 点的电位，用Va 表示。电位参考点可以任意选取，一般选择大地、设备外壳或接地点作为参考点并规定参考点电位为零。在一个电路中，一旦参考点确定后，电路中其余各点的电位也就确定了。电位的SI 单位也是伏特。 电压和电位的关系为：a 、b 两点之间的电压等于a 、b 两点之间的电位差，即 ab a b U V V =- （1-4） 由式（1-4）可知，如果ab U >0，当Q >0时ab W >0，电场力做正功，电荷减少能量。所以正电荷由a 点移到b 点，即减少能量，则a 点为高电位，b 点为低电位；反之，如果增加或获得能量，则a 点为低电位，b 点为高电位。正电荷在电路中移动时，电能的增或减反映电位的升高或降低，即电压升或电压降。
设计共源共栅电流镜 1、课程设计的目的 熟悉软件使用，了解Cadence、Hspice等软件的设计过程。掌握电流镜的相关知识和技术，设计集成电路版图实现所给要求。 2、课程设计题目及要求 2、1课程设计题目： 低输出电压高输出电阻的电流镜设计。 2、2课程设计要求： 1、电流比1：1。 2、输出电压最小值0.5V。 3、输出电流变化范围5～100UA 3、课程设计报告的内容 3、1确定电路拓扑结构
其中：每个MOSFET 的衬底都接地，(W/L)1=(W/L)2; (W/L)3=(W/L)4. 通过大信号直流工作点分析和小信号等效电路分析（对不起，这部分分析是电路设计的基础，希望大家看相关的资料，这里就不详细展开了。），可以知道该电路的特点如下： 1.小信号输入电阻低（～1/gm1） 2. 输入端工作电压低（11T MAX T V V V +?= 3.小信号输出电阻高（23333[1()]out ds m mb ds ds r r g g r r =+++） 4.输出端最小工作电压低（43~2(@2)MAX T MAX V V V V ?=+?） 3、2 设计变量初始估算 3、2、1 确定(W/L)1、（W/L ）2 为了计算设计变量，我们有必要了解电路MOSFET 的工作状态，为了使输出端最小工 作电压小于0.5V, 令：MN3管工作于临界饱和区（即：33OUTMIN G T V V V =-=0.5V ），而MN1、 MN2管随着输入电流in I 从5UA 变到100UA 的过程中先工作在过饱和区最终工作在临界饱和区，同时令：当MN1、MN2工作在临界饱和区时120.252 OUTMIN DS DS V V V V ===。为了使MN1、MN2工作在饱和区，则必须：(以MN2为例计算) 222DS GS T V V V ≥- 22 OUTMIN DS V V ? ≤= 626222 22210010(/)26123.010/0.25() 2 INMAX OUTMIN N I A W L V A V V KP --???≥= ??, 为了后面HSPICE 仿真时能够深刻地体会到调整W/L 的必要性,这里取：(W/L)1=(W/L)2=27。 3、2、2 确定(W/L)3、（W/L ）4 从MN3管3GS V 的角度来考虑问题，当in I ＝100UA 时，为了使MN2管工作在临界饱和区，3GS V 的电压降不可以过大，即： 332 OUTMIN GS G V V V ≤- 又MN3管工作于临界饱和区，则： 3332 OUTMIN GS D T V V V V ?≤+-
电流对人体的作用 电对人体有三种类型的伤害，即电击、电伤和电磁场生理伤害。 电击是指电流通过人体内部，破坏人的心脏、肺部以及神经系统的工作。 电伤是电流的热效应、化学效应或机械效应对人体的伤害，其中主要是间接或直接的电弧烧伤，或熔化金属溅出烫伤等。 电磁场生理伤害是指在高额电磁场的作用下，使人呈现头晕、乏力、记亿力减退、失眠、多梦等神经系统的症状。 通常所说的触电事故基本上是指电击而言的。绝大部分触电死亡事故是电击造成的。电流对人体伤害的严重程度与下列因素有关： 1. 流经人体的电流强度； 2. 电流通过人体的持续时间； 3. 电流通过人体的途径；
4. 电流的频率； 5. 人体健康状况等。 通过人体的电流越大，人体的生理反应越明显，人的感觉越强烈，引起心室颤动所需的时间越短，致命的危险超大。工频交流1mA或直流5mA的电流通过人体就引起麻或痛的感觉，但自己能够摆脱电源。而当通过人体的电流，工频交流超过20~25mA或直流超过80mA时，会使人感觉麻痹或剧痛，并且呼吸困难，自己不能摆脱电源，有生命危险。随着通过人体电流的增加，致死的时间越短。100mA的工频交流电通过人体只要很短的时间就会使呼吸窒息，心脏跳动停止，失去知觉而死亡。一般说来，10mA以下的工频交流电或50mA以下的直流电通过人体时，人还可以摆脱电源，可以看作是安全电流。但是，所谓安全电流长时间通过人体，还是有危险的。 通常通过人体的电流是不可能事先计算出来的，因此为确定安全条件，不按安全电流而按安全电压来估算。由于在不同环境条件下人体电阻相差很大，而电对人体的作用是以
电流大小来衡量，使得不同环境条件下的安全电压各不相同。 对于比较干燥而触电危险较大的环境，人体电阻可按1000~1500Ω考虑，通过人体的电流可按不引起心室颤动的最大电流30mA考虑，则安全电压V＝30×10-3×1000~1500＝30~45V。我国原规定为36 V。凡危险及特别危险环境里的局部照明灯、危险环境里的手提灯、危险及特别危险环境里的携带式电动工具，均应采用36 V安全电压。 对于潮湿而又触电危险性较大的环境，人体电阻应按650Ω考虑，通过人体的电流仍按30mA考虑，则安全电压V ＝30×10-3×650＝19.5V。我国原规定为12 V。凡特别危险环境里以及金属容器、矿井、隧道里的手提灯，均应采用12 V安全电压。 对于在水下或其他由于触电会导致严重二次事故的环境，人体电阻应按650Ω考虑，通过人体的电流应按不引起强烈痉挛的电流5mA考虑，则安全电压V＝5×10-3×650＝3.25V。我国原无规定，国际电工标准会议规定为2.5V以下，
2011年《大规模集成电路分析与设计》复习提纲 第2章MOSFET 的工作原理及器件模型分析 重点内容： ＊ CMOS 模拟集成电路设计分析的最基本最重要的知识：MOS 器件的三个区域的判断，并且对应于各个区域的I D 表达式，和跨导的定义及表达式。 ＊ 体效应的概念，体效应产生的原因，及体效应系数γ。 ＊ 沟道调制效应的概念，沟长调制效应产生的原因，沟道电阻 D o I r λ1= ，λ与沟道长度成反比。 ＊ MOS 管结构电容的存在，它们各自的表达式。 ＊ MOS 管完整的小信号模型。 MOSFET 的I-V 特性 1. TH GS V V <,MOS 管截止 2. TH GS V V ≥,MOS 管导通 a.TH GS DS V V V -<,MOS 管工作在三极管区; ?? ? ???--=221)(DS DS TH GS ox n D V V V V L W C I μ 当)(2TH GS DS V V V -<<时,MOS 工作于深Triode 区,此时
DS TH GS ox n D V V V L W C I )(-≈μ,DS D V I ~为直线关系. 导通电阻:) (1TH GS ox n D DS on V V L W C I V R -= ??=μ b .TH GS DS V V V -≥,MOS 管工作在饱和区; 2)(21TH GS ox n D V V L W C I -=μ 跨导g m ：是指在一定的V DS 下，I D 对V GS 的变化率。 饱和区跨导： ) (H T GS ox n const V GS D m V V L W C V I g DS -=??= =μ TH GS D D ox n H T GS ox n m V V I I L W C V V L W C g -= =-=22)(μμ 三极管区跨导：DS ox n m V L W C g μ= MOSFET 的二级效应 1. 体效应: 源极电位和衬底电位不同,引起阈值电压的变化. )22(0F SB F TH TH V V V φφγ-++= )22(0FP BS FP n TH THN V V V φφγ--+= )22(0FN FN BS P TH THP V V V φφγ---+=
电源变换器中电流模式和电压模式相互转化 adlsong 摘要摘要：：本文先简单的介绍了电流模式和电压模式的工作原理和这两种工作模式它们各自的优缺点；然后探讨了理想的电压模式利用输出电容ESR 取样加入平均电流模式和通过输入电压前馈加入电流模式的工作过程。也讨论了电流模式在输出轻载或无负载时，在使用大的电感或在占比大于0.5加入斜坡补偿后，系统会从电流模式进入电压模式工作过程。 关键词关键词：：电流模式，电压模式，转化，斜坡补偿 Mutual Variation between Current Mode and V oltage Mode in Power Supply Converter (AOS Semiconductor Co., Ltd., Shanghai 201203) Abstract: The operation principle and features of current mode and voltage mode are introduced in this paper. The converter at voltage mode will own good dynamic performances of current mode when current signal via ESR of output capacitance or input voltage forward feedback is imposed into control loop of voltage mode. The converter at current mode will go into cycle. Key words: 目前，电压模式和电流模式是开关电源系统中常用的两种控制类型。通常在讨论这两种工作模式的时候，所指的是理想的电压模式和电流模式。电流模式具有动态响应快、稳定性好和反馈环容易设计的优点，其原因在于电流取样信号参与反馈，抵消了由电感产生的双极点中的一个极点，从而形成单阶的系统；但正因为有了电流取样信号，系统容易受到电流噪声的干扰而误动作。电压模式由于没有电流取样信号参与反馈，系统也就不容易受到电流噪声的干扰。 然而，在实际的应用中，通常看似为电压模式的开关电源系统，即系统没有使用电流取样电阻检测电流信号，但也会采用其它的方式引入一定程度的电流反馈，从而提高系统动态响，如：利用输出电容ESR 取样加入平均电流模式，通过输入电压前馈加入电流模式。另一方面，看似为电流模式的开关电源系统，在输出轻载或无负载时，系统会从电流模式进入电压模式。在使用大的电感时，或在占比大于0.5加入斜坡补偿后，系统会从电流模式向电压模式过渡。本文将讨论这些问题，从而帮助工程师在遇到系统不稳定的时候从理论上分析，找到解决问题的办法。 1 电压模式的工作原理电压模式的工作原理 电压模式的控制系统如图1所示。反馈环路只有一个电压环，电压外环包括电压误差放大器，反馈电阻分压器和反馈补偿环节。电压误差放大器的同相端接到一个参考电压Vref，反馈电阻分压器连接到电压误差放大器反相端V FB ，反馈环节连接到V FB 和电压误差放大器的输出端V C 。输出电压微小的变化反映到V FB 管脚，V FB 管脚电压与参考电压的差值被电压误差放大器放大，然后输出，输出值为V C 。
文件编号：TP-AR-L7907 In Terms Of Organization Management, It Is Necessary To Form A Certain Guiding And Planning Executable Plan, So As To Help Decision-Makers To Carry Out Better Production And Management From Multiple Perspectives. （示范文本） 编订：_______________ 审核：_______________ 单位：_______________ 电流对人体作用的机理 (正式版)
电流对人体作用的机理(正式版) 使用注意：该安全管理资料可用在组织/机构/单位管理上，形成一定的具有指导性，规划性的可执行计划，从而实现多角度地帮助决策人员进行更好的生产与管理。材料内容可根据实际情况作相应修改，请在使用时认真阅读。 人体阻抗的大小与哪些方面有关? 人体阻抗主要与电流路径、皮肤潮湿程度、接触 电压、电流持续时间、接触面积、接触压力、温度以 及频率等有关。 什么是交流电流的电击效应? 心室纤维性颤动是电击致死的主要原因。一个心 动周期由产生兴奋期、兴奋扩展期和兴奋复原期所组 成。在兴奋复原期内有一个相对较小的部份称为易损 期，在易损期内，心肌纤维处于兴奋的不均匀状态， 如果受到足够幅度电流的刺激，心室纤维发生颤动和 血压降低，如电流足够大将导致死亡。
什么叫感觉阈值? 当电流流过人体时，人身所察觉到的最小电流值称为感觉阈值。对于15～100Hz交流电流为 0．5mA。 106．什么叫摆脱电流? 人握电极能摆脱的电流最大值称为摆脱电流，对于15-100Hz交流电流为10mA。 高频交流电的电击效应是怎样的? 在工业企业和民用建筑中，有不少电气设备的使用频率超过100Hz，例如有些电动工具和电焊机，可用到450Hz；电疗设备大多数使用4000— 5000Hz；开关方式供电的设备则为20kHz-1MHz；微波及无线电设备还有使用更高的频率的。对于这些100Hz以上交流电流，人体皮肤的阻抗，在数十伏数量级的接触电压下，大致与频率成反比，例如 500Hz 时皮肤阻抗，仅约为50Hz时皮肤阻抗的1／
电流对人体的作用 电流对人体的作用指的是电流通过人体内部对于人体的有害作用，如电流通过人体时会引起针刺感、压迫感、打击感、痉挛、疼痛乃至血压升高、昏迷、心律不齐、心室颤动等症状。电流通过人体内部，对人体伤害的严重程度与通过人体电流的大小、持续时间、途径、种类及人体的状况等多种因素有关，特别是和电流大小与通电时间有着十分密切的关系。 （1）电流大小通过人体的电流大小不同，引起人体的生理反应也不同。对于工频电流，按照通过人体的电流大小和人体呈现的不同反应，可将电流划分为感知电流、摆脱电流和致命电流。 ①感知电流就是引起人的感觉的最小电流。人对电流最初的感觉是轻微麻抖和轻微刺痛。经验表明，一般成年男性为 1.1mA，成年女性约为0.7mA。 ②摆脱电流是指人体触电以后能够自己摆脱的最大电流。成年男性的平均摆脱电流为16mA，成年女性约为10.5mA，儿童的摆脱电流比成年人要小。应当指出，摆脱电流的能力是随着触电时间的延长而减弱的。这就是说，一旦触电后不能摆脱电源时，后果将是比较严重的。
③致命电流是指在较短的时间内危及人的生命的最小电流。电击致死是电流引起的心室颤动造成的。故引起心室颤动的电流就是致命电流。100mA为致命电流。 （2）电流持续时间电流通过人体的持续时间愈长，造成电击伤害的危险程度就愈大。人的心脏每收缩扩张一次约有0.1s的间隙，这0.1s 的间隙期对电流特别敏感，通电时间愈长，则必然与心脏最敏感的间隙重合而引起电击；通电时间愈长，人体电阻因紧张出汗等因素而降低电阻，导致通过人体的电流进一步增加，可引起电击。 （3）电流通过人体的途径电流通过心脏会引起心室颤动或使心脏停止跳动，造成血液循环中断，导致死亡。电流通过中枢神经或有关部位均可导致死亡。电流通过脊髓，会使人截瘫。一般从手到脚的途径最危险，其次是从手到手，从脚到脚的途径虽然伤害程度较轻，但在摔倒后，能够造成电流通过全身的严重情况。 （4）电流种类直流电、高频电流对人体都有伤害作用，但其伤害程度一般较25~300Hz的交流电轻。直流电的最小感知电流，对于男性约为5.2mA，女性约为3.5mA；平均摆脱电流，对于男性约为76mA，女性约为51mA。高频电流的电流频率不同，对人体的伤害程度也不同。
第一章 ●微电子：在电子电路和系统的超小型化和微型化过程中逐渐形成和发展起来的学科。 ●集成电路：用半导体工艺把电路的有源器件、无源器件以及互连布线以相互不可分离的状态制作在半导体或绝 缘材料基片上，最后封装在一个管壳内，构成一个完整的、具有特定功能的电路、组件或系统。 ●集成度：在单块晶片上或单个封装中构成的IC所包含的最大元器件数量（包括有源器件和无源器件）。 ●特征尺寸：器件中最小线条宽度（最小线条宽度与线条间距之和的一半）。 ●摩尔定律：集成电路芯片的集成度每两年增加一倍。 ●集成电路的几种主要分类方法：按照集成度的不同分类（SSI/MIS/LSI/VLSI/GSI）；按照电路功能和所处理信号 的不同分类（数字IC/模拟IC）；所采用的晶体管的不同（双极型IC/MOS IC） ●了解微电子集成电路技术的发展趋势：继续沿着摩尔定律前进、开发片上系统SOC、研发量子器件和纳米器件。 ●提高集成度的主要途径有：提高微细加工技术、增大芯片面积、使用大圆片晶圆、简化电路结构、。 ●IC（integrated circuit）、VLSI（very large scale-integration）、ULSI（ultra large scale-integration）、SOC （system-on-chip）、IP（intellectual property）、MEMS（micro-electronic-mechanical system）、CD（critical dimension）、SIP（system in package）。 ●定比例缩小定律：CE（等比例缩小器件的尺寸，增加跨导、减小电容，电源电压同时缩小相同倍数，但是阈值 电压不可能缩得太小，漏源耗尽区宽度不可能按比例缩小，电源电压的标准改变会带来很大的不便）、CV（保 倍）。 持电源电压不变）、QCE（器件尺寸缩小K倍，而电源电压只缩小K 第二章 ●饱和型逻辑IC：关态对应截止态，开态对应饱和态。输出电平稳定、逻辑摆幅大、电路结构简单、功耗较低、 使用方便，但是饱和时基区少子存在存储效应，开关速度慢。主要包括各类TTL电路（STTL/LSTTL/ASTTL） ●非饱和型逻辑IC：关态对应截止态，开态对应线性区域。无少子存储效应，工作速度快，但是功耗较大，逻辑 摆幅较小，电路结构复杂，主要包括ECL/CTL/NTL/DYL电路。 ●集成NPN晶体管中的有源寄生效应：在原有npn上，寄生了一个pnp，npn的B极对应pnp的E极，npn的 C极对应pnp的B极。在npn处于饱和和反向工作时，pnp进入放大状态。 抑制措施：在npn集电区下面加设n+埋层，增加基区宽度。外延层使用掺金工艺，引入深能级杂质，降低少子寿命。使npn管基区外侧和隔离框保持足够的距离。 ●集成NPN晶体管的无源寄生效应：寄生了7个电容和5个电阻。 无源寄生效用使得BJT在高频时的放大倍数下降。 抑制措施：深n+集电极接触，同时可使电阻rcs降低、等平面隔离技术、U型槽隔离技术。 ●标准TTL电路工作原理：实际上是一个与非门电路。 4个特点：多发射极输入，T1对T2有很强的反抽取作用，使得恢复时间减小，输入端借反偏二极管，使得电路抗反向脉冲干扰能力提高，输出采用推挽结构，输出部分交替工作，相当于CMOS的无比电路，功耗降低，速度提高，输出低电平时，T5管饱和，在向高电平转换时，基区少子存储电荷只能通过R3泻放，上升时间较长。 针对“速度不够快”这一不足，必须设法将晶体管的BC结钳位，迫使晶体管不进入饱和区。由此产生了非饱和TTL电路（STTL）和抗饱和TTL电路（LSTTL）。 ●STTL电路抗饱和原理：肖特基二极管（SBD）导通时主要靠半导体多子导电，高频特性好。 其电路的工作原理：凡是可能工作在饱和区或者反向工作区的晶体管（即除T4管以外）均加SBD钳位。针对
《模拟集成电路设计原理》期末考试 一．填空题（每空1分，共14分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按____比例____缩小，CMOS电路被证明具有_ 较低__的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来 表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较小___（较大、较小）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成___恒定电流源_。 6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输 出的改变。 7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制 沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。 8、为方便求解，在一定条件下可用___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。 9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容C in为__ C F（1－A）__。 10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反比__（正比、反比）。 二．名词解释（每题3分，共15分） 1、阱 解：在CMOS工艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同一衬底上，其中某一类器件要做在一个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。 2、亚阈值导电效应 解：实际上，V GS=V TH时，一个“弱”的反型层仍然存在，并有一些源漏电流，甚至当V GS 华 伟 1965年生,1990 年获北京工业大学功率半 导体器件专业工学硕士学位,副教授,从事新型电力电子器件应用及开关功率变换器的教学和科研工作。 设计与研究 30k W 电流模式PWM 控制的 DC DC 功率变换器 北方交通大学(北京100044) 华 伟 摘 要:新型30k W 电流模式P WM 控制的功率变换器采用N PT -IGBT 器件,无需串联隔直防偏磁电容,使用有源斜坡补偿技术,效率达到90%,具有极好的动态响应、过流保护及模块均流并联性能,是一种具有极大功率扩容(可达到100k W )潜力并易于工程化实现的IGBT 功率变换器。 关键词:电流模式 IGBT 全桥拓扑 开关模式整流器 变换器 收修改稿日期:1999203215 30k W curren t m ode P WM con trolled DC DC power converter N o rthern J iao tong U n iversity (B eijing 100044) Hua W e i Abstract :P resen ted in the paper is a novel 30k W cu rren t mode P WM con tro lled pow er converter .T he converter ,of w h ich the efficiency reaches 90%,app lies N PT -IGBT device and an active slope compen sati on techno logy w ith no need to series connect a DC b lock ing and b ias 2p roof capacito r .It featu res excellen t dynam ic respon se ,over 2cu rren t p ro tecti on ,parallel modu le cu rren t equalizati on ,very h igh pow er expan si on po ten tial (as h igh as 100k W )as w ell as easy engineering realizati on . Key words :cu rren t mode ,IGBT ,fu ll 2b ridge topo logy ,S M R ,converter . 近年来,随着新型电力电子器件的飞速发展, 10k W 以上的直流功率变换器已从SCR 的低频相控整流器方式发展为IGB T 的高频DC DC 开关功率变换器方式。国外的DW A 、GEC -AL STON 、AD tranz 、ABB [1] 等公司也于近年研制出各自的IGB T DC DC 充电机,主要用于高速电气化列车及地铁列车。IGB T DC DC 充电机的重量、 体积大幅度减小,性能明显改善,但要实现15k W ～200k W 的DC DC 高频开关功率变换,存在许多技术问题需要解决。下面根据30k W IGB T DC DC 充电机的研制情况,对有关技术问题进行分析研究。 1 主电路及控制方案 (1)主电路原理图 不同的DC DC 功率变换器拓扑及PWM 控制方法可以构成许多不同的主电路及控制方案[2]。根据技 术的成熟程度、工程化实现难度、装置的性能要求、系列化功率扩容考虑、长期可靠性要求等,在设计30k W IGB T DC DC 充电机时,选择了电流模式PWM 控制 的全桥拓扑(无隔直电容)功率变换器方案。功率变换器的工作频率约为20kH z 。主电路原理如图1所示。 其中C 2为母线单电容型snubber 电路,CT 为检测一次侧电流用的电流互感器。此一次侧电流信号用作电流模式PWM 反馈控制 。 图1 IGBT DC DC 充电机用功率变换器主电路原理图 (2)控制系统原理方框图 控制系统原理如图2所示。这是一个由110V 输出电压控制的电压外环及电流互感器CT 所检测的一次侧电流内环构成的双闭环反馈系统。斜坡补偿电路是电流模式PWM 控制的大占空比双端开关电源电路是为防止次谐波振荡所必需的。反馈补偿网络用以控制电压反馈闭环的稳定性。A 、B 两路驱动信号分别提供给图1中的两路对角线IGB T V 1、V 3和V 2、V 4。 1999年第5期机 车 电 传 动№5,1999 1999年9月10日EL ECTR I C DR I V E FOR LOCOM O T I V E Sep .10,1999 《模拟集成电路分析与设计》课程教学大纲课程名称：模拟集成电路分析与设计 英文名称：Analysis and Design of Analog Integrated Circuits 课程编号： 学时/学分：32学时/ 2学分 适用专业：电子科学与技术 一、课程的目的和任务 本课程的授课对象是电子科学与技术专业本科生，属电子科学与技术专业必修课。 通过本课程的讲授，旨在使学生了解和掌握各种模拟电路的基本概念和原理；分析和设计各种模拟集成电路的基本方法；了解模拟集成电路设计中遇到的新问题及电路技术的新发展；能够运用所授知识对简单模拟集成电路进行电路分析、仿真和设计。 二、课程的基本要求和特点 通过学习，学生能了解和掌握各种模拟集成电路的基本概念，分析和设计的基本方法，并能够运用所学知识对简单模拟集成电路进行分析、仿真和设计。 课堂讲授：运用电子课件的形象教学和适度的理论推导，讲清各种模拟电路的基本概念和原理；以启发式、互动式的综合性教学方法为主，注重学生对物理概念、基本原理和分析方法的理解和运用，注重培养学生了解具体设计参数要求与工艺、器件参数的联系，结合例题讲解和一定量的课外练习，使学生具有自我思考能力，具备分析和解决实际模拟集成电路设计问题能力。各章节及其中主要术语应给出英文翻译。由课程组每周安排一次答疑。 作业方面：布置一定量的作业，帮助学生掌握重点、培养自学和独立分析问题的能力。强调实际的电路分析与设计能力，提供一些具体的设计课题，提高了学生对电路设计的理解与兴趣。每次作业批改后，在课堂进行作业讲评，指出共性问题。重要内容可在课堂做少量练习，做后讨论和讲解。 三、本课程与其它课程的联系 本课程以《半导体器件》、《半导体工艺》和《模拟电子学》等课程为知识基础，第一次系统地学习模拟集成电路的结构和设计方法，为本专业学生从事模拟集成电路设计或进一步学习提供知识准备。这是一门本专业学生必修的基础课程。 四、课程的主要内容 理论部分：模拟电路设计绪论，MOS器件物理和器件模型，单级放大器，差动放大器，无源与有源电流镜，放大器的频率特性，噪声，运算放大器，稳定性和频率补偿，版图与封装等。 实验部分：Spice仿真分析（N/PMOS特性），Spice仿真分析（CMOS反相器特性），Spice仿真分析（单极放大器特性）。 1.模拟电路设计绪论 教学要求： 了解：CMOS模拟集成电路的重要性，电路设计的一般概念。 掌握：分析和设计各种模拟集成电路的基本方法。 教学要点： （1）模拟电路的重要性； （2）CMOS模拟集成电路的重要性； （3）电路设计的一般概念。 2013 集成电路分析与设计 试卷A 答案 一．填空题（每空2分，共20分） 1、与其它类型的晶体管相比，MOS 器件的尺寸很容易按比例__缩小_（缩小、增大），CMOS 电路被证明具有_较低_ （较低、较高）的制造成本。 2、放大应用时，通常使MOS 管工作在_饱和区_（饱和区、线性区），电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_（跨导、电导）来表示电压转换电流的能力。 3、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成_反比_（正比、反比）。 4、源跟随器主要应用是起到___电压缓冲器___（电压缓冲器、电平移动）的作用。 5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_（输出阻抗、输入阻抗）很高，因此可以做成___恒定电流源_（恒定电流源、恒定电压源）。 6、理想情况下，_电流镜_（电流镜、电流源）结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为__共源共栅电流镜__（共源共栅电流镜、低输出摆幅电流源）结构。 二．简答（每题4分，共20分） 1、什么是NMOS 管的沟道调制效应？写出NMOS 管的具有沟道调制效应漏极电流的计算公式。 答：在MOS 管工作于饱和状态时，MOS 管的导电沟道会发生夹断，且夹断点的位置随栅漏间的电压差的增加而向源极移动，既有效沟道、长度实际上是Vds 的函数。这一效应称为“沟道调制效应”。（2分） 该效应下，漏极电流的计算公式： （2分） 2、什么是体效应？体效应会对电路产生什么影响？ 答：理想情况下是假设晶体管的衬底和源是短接的，实际上两者并不一定电位相同，当V B 变得更负时，V TH 增加，这种效应叫做体效应。体效应会改变晶体管 21()(1) 2d n ox gs th ds W I C V V V L μλ≈-+ 电流对人体的危害？ 答：一般电流对人体的伤害分为电伤和电击伤两种：（1）电伤：指电流对人体外部造成局部伤害，如外部烧伤等。（2）电击伤：指电流通过人体内部、破坏人体的心脏、肺部以及神经系统的正常工作，乃至危及生命。人体触电大部分是电击伤。电击伤程度和通过人体的电流强度，持续时间，电压高低以及触电者电阻，身体健康等因素有关。（3）电流强度即通过电流的大小，按其人体生理反应分为以下几种：a感觉电流：使人体有感觉的最小电流称为感觉电流，一般男性为1.1毫安、女性约为0.7毫安，通常对人体无危害。B摆脱电流：发热和刺痛感觉较强，人体能自主摆脱电体时的最大电流称为摆脱电流。一般男性平均为16毫安，女性为10 .5毫安。致命电流：在较短时间里，危及人体生命的最小电流。即引起心室颤动或窒息的最小电流，称为致命电流。通常为50~100毫安。（4）电流对人体的危害与电流作用于人体时间的长短有关。时间越长，电流瞬间通过心脏与其最敏感的心跳间隙重合机会就愈多，因此给人的生命造成威胁就愈大。（5）当人体电阻一定时，作用于人体的电压愈高，通过人体的电流就愈大，而且随着作用于人体电流的增大，人体电阻急剧下降，致使电流更迅速增加，因此电压愈高，对人体威胁愈大。（6）频率偏离工频愈远，交流电对人体的伤害愈轻，常用的50~60赫的工频交流电对人体的伤害最为严重。在直流高频情况下，电流对人体威胁最小。（7）人的电阻值决定了一定电压情况呀电流通过人体的多少。人体电阻愈小，通过人体电流就愈大，就愈危险。否则相反。 人体电阻值不是固定不变的，它的数值随着电压的升高而下降。并与皮肤的干湿程度有关。不同类型的人其电阻值也不一样，一般认为人体电阻值为1000~2000欧姆。（8）电流通过人体的途径有：头痛、脊髓，中枢神经，心脏等有关部位，当电流通过心脏，呼吸系统和中枢系统时，危险性最大。30kW电流模式PWM控制的DCDC功率变换器
教学大纲_模拟集成电路分析与设计
2013集成电路分析与设计试卷A答案
电流对人体的危害
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