半导体集成电路的分类
- 格式:doc
- 大小:36.00 KB
- 文档页数:2
半导体集成电路的分类
半导体集成电路的分类方法有很多种,其中一种是以集成度的高低作为分类标准。所谓集成度是指单片集成电路上所集成的元器件数目,巨大规模集成电路或称极大规模集成电路(GLSI)是这种分类方法下目前集成度最高的一类电路的总称,GLSI的集成度大于109。
1948年美国贝尔实验室的W.Shockley等发明了晶体管,使元器件小型化和高集成化得以迅速发展。自1958年第一块半导体集成电路诞生以来,集成电路的发展进程甚为迅速,从整体来看,可以分为这几个阶段:
小/中规模集成电路(SSI/MSI)阶段;
大规模集成(LSI)阶段。这阶段的主流工艺为MOS工艺;
超大规模集成电路(VLSI)。这个阶段的工艺从3μm NMOS发展到1μm CMOS;
甚大规模集成电路(ULSI)。在这个阶段,工艺从CMOS转向BICMOS,DRAM达到兆位,特征尺寸发展到0.15μm,从亚微米进入到深亚微米直至纳米;
巨大规模集成电路或称极大规模集成电路(GLSI)。特征尺寸达到65~45nm,集成度超过109。下表为集成电路规模的划分规则。