1-半导体器件复习练习题(二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放)

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半导体基本知识和

半导体器件(二极管、三极管、场效应管、集成运放)

一、选择题:

1、PN结外加正向电压时,其空间电荷区()。

A.不变

B.变宽

C.变窄

D.无法确定

2、PN结外反正向电压时,其空间电荷区()。

A.不变

B.变宽

C.变窄

D.无法确定

3、当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流I s将增大,是因为此时PN结内部的()

A. 多数载流子浓度增大

B.少数载流子浓度增大

C.多数载流子浓度减小

D.少数载流子浓度减小

4、PN结反向向偏置时,其内电场被()。

A.削弱

B.增强

C.不变

D.不确定

5、在绝对零度(0K)和没有外界激发时,本征半导体中( ) 载流子。

A.有

B.没有

C.少数

D.多数

6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以()。

A.减小温漂B. 增大放大倍数

C. 提高输入电阻

D. 减小输出电阻

7、以下所列器件中,()器件不是工作在反偏状态的。

A、光电二极管

B、发光二极管

C、变容二极管

D、稳压管

8、当晶体管工作在放大区时,()。

A. 发射结和集电结均反偏

B.发射结正偏,集电结反偏

C. 发射结和集电结均正偏

D.发射结反偏,集电结正偏

9、稳压二极管稳压时,其工作在( ),

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区 D.不确定

10、抑制温漂(零漂)最常用的方法是采用()电路。

A.差放

B.正弦

C.数字

D.功率放大

11、在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V,-10 V,-9.3 V,则这只三极管是()。

A.NPN 型硅管 B.NPN 型锗管Array

C.PNP 型硅管

D.PNP 型锗管

12、某场效应管的转移特性如右图所示,该管为()。

A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.N沟道耗尽型MOS管

13

A.输入电阻高 B.输出电阻低

C.共模抑制比大

D.电压放大倍数大

14、如右图所示复合管,已知V1的β1 = 30,V2的β2 = 50,则复合后的β约为()。

A.1500 B.80 C.50 D.30

15、发光二极管发光时,工作在( )。

A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区D.不确定

16、当温度升高时,二极管反向饱和电流将()

A. 增大

B. 减小

C. 不变

D. 等于零

17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的()。

A. 非饱和区

B. 饱和区

C. 截止区

D. 击穿区

18、稳压二极管稳压时,其工作在( )。

A .正向导通区

B .反向截止区

C .反向击穿区 D.饱和区

19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ( )

A. 可获得较高增益

B. 可使温漂变小

C. 在集成工艺中难于制造大电容

D. 可以增大输入电阻

20、测得BJT 各电极对地电压为:V B=4.7V ,V C=4.3V ,V E =4V ,则该BJT 工作在( )

状态。 A.截止 B.饱和 C.放大 D. 无法确定

21、FET 是( )控制器件。

A. 电流

B.电压

C.电场

D.磁场

22、通常要求运算放大器带负载能力强,在这里,负载的大小是指负载( )。

A.电阻大

B. 功率大

C. 电压高

D.功率小

23、二极管的电流方程是( )。

A .u S e I B.T V u S e I C.)1(-T V u

S e I D. T V S e I

24、FET 是( )控制器件。

A . 电流

B .电压

C .电场

D .磁场

25、三极管工作在饱和状态的条件是( )。

A.发射结正偏,集电结正偏

B.发射结正偏,集电结反偏

C.发射结反偏,集电结反偏

D.发射结反偏,集电结正偏

26、测得工作在放大状态的BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ,-0.2V ,-3V ,

则1、2、3脚对应的三个极是( )。

A.ebc

B.ecb

C.cbe

D.bec

27、稳压二极管是利用PN 结的( )。

A.单向导电性

B.反向击穿性

C.电容特性

D.正向特性

28、测得工作在放大状态的BJT 三个管脚1、2、3对地电位分别为0V ,-0.2V ,-3V ,

则1、2、3脚对应的三个极是( )。

A .ebc

B .ecb

C .cbe D.bec

29、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于( )。

A.反向偏置击穿状态

B.反向偏置未击穿状态

C.正向偏置导通状态

D.正向偏置未导通状态

30、 当超过下列哪个参数时,三极管一定被击穿( )

A .集电极最大允许功耗PCM

B .集电极最大允许电流ICM

C .集-基极反向击穿电压U(BR)CBO D. U(BR)CE O

31、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为

( )。

A. 正、反向电阻相等

B. 正向电阻大 ,反向电阻小

C. 反向电阻比正向电阻大很多倍

D. 正、反向电阻都等于无穷大

32、电路如下图所示,设二极管D 1,D 2,D 3 的正向压降忽略不计,则输出电压u O =

( )。

A . -2V B. 0V C. 6V D. 12V

33、半导体稳压二极管正常稳压时,应当工作于( )。