电力电子必胜 绪论 填空题： 1.电力电子技术是使用________器件对电能进行________的技术。 2.电能变换的含义是在输入与输出之间，将________、________、________、________、________中的
7、交—直—交电流型逆变器中间直流环节的储能元件是（ B）A 、大电容 B、大电感 C、蓄电池 D 、电动机8、无源逆变电路不能采用的换流方式是（ A ）A 、电网换流 B、负载换流 C、强迫换流 D、器件换流9、、电压型逆变电路的输出电压
电力电子复习考试含答案 ————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期： 诚信应考,考试作弊将带来严重后果！ 华南理工大学期末考试 《电力电子技术基
交通大学电力电子复习 一、 选择题 1、下列电力电子器件中，存在电导调制效应的是（ABD ） A 、GOT B 、GTR C 、power MOSFET D 、IGBT 2、单相桥式全控整流电路，阻感性负载R L 〉〉 ω 。设变压器二次侧
一、填空（每空1分） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称： 电力晶体管GTR；图形符号为； 可关断晶闸管GTO；图形符号为； 功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为； 绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是MOSFET
考试试卷( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为____电压型____和 _____电流型___两类。 2、电子技术包括__信息电子技术__
电力电子技术试题 1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功
电力电子技术复习题答 案 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】 第二章： 1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等， 若du/dt过大，就会使晶闸管
电 力 电 子 复 习 姓名：*** 电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
第一章复习题 1.使晶闸管导通的条件是什么？ 答：当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。 2．维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？ 答：（1）维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持
考试试卷(3)卷 一、填空题：（本题共7小题，每空1分，共20分） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称： 电力晶体管GTR ；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET??；绝缘栅双极型晶体管 IGBT ；IGBT是??MOSF
电力电子技术复习 一、选择题（每小题10分,共20分） 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形
电力电子技术复习2011 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
电力电子技术复习 一、选择题（每小题10分,共20分） 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形
第一章 填空题： 1.电力电子器件一般工作在_开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为_通态损耗_，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为_开关损耗。 3.电力电子器件组成的系统，一般由_主电路_、_驱动电路_、_控制电
一、填空题 、同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L得数值大小上有I L大于(或2~4)I H。 1．功率集成电路PIC分为二大类,一类就是高压集成电路,另一类就是_智能功率集成电路_。 2．晶闸管断态不重复电压U DSN与转折电压U
1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差 A 度。A、180°，B、60°，c、360°，D、120°2、α为 C 度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。A，0度，B，60度，C，30
一、填空（每空1分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；图形符号为；可关断晶闸管GTO；图形符号为；功率场效应晶体管MOSFET；图形符号为；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；图形符号为；IGBT是MOSFET 和GTR的
电力电子技术复习一、选择题（每小题10分,共20分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。A、180°，B、60°， c、360°， D、120°2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续
