光电材料与器件实验指导书
光电材料与器件实验指导书

《光电材料与器件》实验指导书 何宁编 桂林电子科技大学信息与通信学院 2008年12月 实验一光电池及LED光源特性测试 一.实验目的 1 理解光电池的光电转换机理及主要特性参数。 2 理解LED光源的电光转换机理、驱动方式及主要特性参数。

2020-06-06
光电子低维结构材料和器件的发展
光电子低维结构材料和器件的发展

单电子效应量子点n=3单电子效应 e2 kT 2C ー Vg静电能量+n=2 n=1单电子晶体管电子数控制和超低耗电晶体管存储器件发展情况1012电流控制电子数控制256G 64G 16G1094G 1G 64M 16M 4M 1M1存储

2024-02-07
光电子材料与器件PPT课件
光电子材料与器件PPT课件

.18应用和发展应用: 1、景观照明 2、激光打标、焊接、开孔(直径最小0.2mm)、采血:波长:2.70um, 单脉冲输出,脉冲宽度0.4ms 脉冲能量:500mJ 激光光斑尺寸:直径0.3mm 开孔深度:2mm应用和发展3、高帧频CMO

2020-07-14
光电子材料与器件 课后习题答案
光电子材料与器件 课后习题答案

3.在未加偏置电压的条件下,由于截流子的扩散运动,p 区和n 区之间的pn 结附近会形成没有电子和空穴分布的耗尽区。在pn 结附近,由于没有电子和空穴,无法通过电子-空穴对的复合产生光辐射。加上正向偏置电压,驱动电流通过器件时,p 区空穴向

2020-03-29
光电子材料与器件课后习题答案
光电子材料与器件课后习题答案

3.在未加偏置电压的条件下,由于截流子的扩散运动,p 区和n 区之间的pn 结附近会形成没有电子和空穴分布的耗尽区。在pn 结附近,由于没有电子和空穴,无法通过电子-空穴对的复合产生光辐射。加上正向偏置电压,驱动电流通过器件时,p 区空穴向

2024-02-25
光电子材料与器件-2 MOCVD growth
光电子材料与器件-2 MOCVD growth

5IntroductionWhy MOCVD ?❖ Very high quality of grown layers (high growth rate and doping uniformity/reproducibility)❖ Hi

2024-02-07
光电子材料与器件题库
光电子材料与器件题库

《光电子材料与器件》题库 选择题: 1. 如下图所示的两个原子轨道沿z轴方向接近时,形成的分子轨道类型为( A ) (A) *σ(B) σ(C) π(D) *π 2. 基于分子的对称性考虑,属于下列点群的分子中不可能具有偶极矩的为(C)(A

2024-02-07
《光电子材料与器件》考试重点复习
《光电子材料与器件》考试重点复习

1、能带形成的原理孤立原子的电子占据一定的原子轨道,形成一系列分立的能级。如果一定数量的原子相互结合形成分子,则原子轨道发生分裂,形成的分子轨道数正比于组成分子的原子数。在包括半导体在内的固体中,大量原子紧密结合在一起,轨道数变得非常巨大,

2024-02-07
集成光电子器件与微纳制造方向课程介绍
集成光电子器件与微纳制造方向课程介绍

内容: 本课程将系统地介绍有关半导体发光二极管的制造方法及固体照明。内容详细丰富,包括固体照明概述,发光二极管光取出原 理及方法,高功率红光发光二极管,高功率蓝光及绿光发光二极 管,高功率紫外线及紫光发光二极管,白光发光二极管,发光二 极管

2024-02-07
《光电子材料与器件》-题库
《光电子材料与器件》-题库

《光电子材料与器件》题库 填空题 1. 金刚石与石墨烯均是由碳构成的共价化合物,但由于二者的电子杂化类型分 别为____sp3_____和___sp2_____ 杂化,因而表现出截然不同的性质。2. 离子晶体中阴阳离子的极化能力差别较大,其

2024-02-07
最新光电子材料与器件
最新光电子材料与器件

光电子材料与器件 光电子材料与器件 绪论 1 例举信息技术与光电子技术所涵盖的几大方面: 信息技术主要包括信息的产生、传输、获取、存储、显示、处理等六大方面;与之相对应的光电子技术主要包括光的产生与转化、光传输、光探测、光存储、光显示、光信

2024-02-07
集成光电子器件与微纳制造方向课程介绍
集成光电子器件与微纳制造方向课程介绍

二、《固态照明与显示技术》课程介绍吴志浩、王磊、陈长清➢ 课程主要分两大部分: 第一部分 LED照明及显示技术 第二部分 OLED显示应用技术(注:有机发光二极管 (OLED)是一

2024-02-07
光电子材料与器件 第二章 半导体的光电与发光现象 part1 (1)
光电子材料与器件 第二章 半导体的光电与发光现象 part1 (1)

图 8.20 (a) 同质结激光与 (b) 双异质结(DH)激 正向偏压下的能带图. 同质结激光的折射率变化小 化则约为5%. 最下面一行是光的约束情形半导体激光载流子与光学约束:

2024-02-07
光电材料与器件
光电材料与器件

光电材料与器件摘要:本文中主要介绍了光电材料与器件的基本概念,还有其发展的背景条件,和在相关领域的一些应用(通讯、光伏发电等),以及对新型光电材料的一些研究进展。从而使读者能够对光电材料与器件有一个初步了解,进而对其产生研究探索的兴趣。关键

2024-02-07
光电子材料和器件
光电子材料和器件

Page 14相对于CRT而言的,一般指 而言的, 相对于 而言的 平板显示:LOGO厚度小于屏幕对角线1/4的 厚度小于屏幕对角线 的 显示器。 显示器。优点:1、器件的核心层

2024-02-07
光电子材料与器件-3 探测器1
光电子材料与器件-3 探测器1

1 2D A f1 2W 15二、探测器噪声1.噪声表述it 特点:随机,不可预测;vt 统计平均值为0。表征:均方值(方均值)表述。ti2 N1 TTit02i平均 dtit v

2024-02-07
光电子材料和器件 ppt课件
光电子材料和器件 ppt课件

Page 11光电子 的应用及发展Page 12光电子的应用1、景观照明 2、激光打标,焊接,开孔 3、高帧频CMOS相机(爆炸、姿态) 4、光纤陀螺 5、星图定位 6、红外热成像

2024-02-07
《光电子器件》笔记
《光电子器件》笔记

光电子器件第一章1、 光电探测器输出信号电压或电流与单位入射光功率之比,即单位入射光功率作用下探测器输出信号电压或电流称为响应率.光谱响应率(R λ):光电器件在单色 (在波长λ附近一个很小的波长范围里) 辐射功率作用下产生的信号电压或信号

2024-02-07
光电子材料与器件第四章 GaAs基光电子材料与器件 part2
光电子材料与器件第四章 GaAs基光电子材料与器件 part2

Zn often has very high diffusion coefficient in solid, diffuses via interstitialsCarbontetrachloride CCl4 (p-dopant in G

2024-02-07
光电材料与器件
光电材料与器件

近五年情况总结一、承担的项目:1、“全固态准相位匹配绿紫激光器激光特性研究”,山东省科技发展计划(2002-2005),10万,负责。2、“双调Q脉冲波型的完全对称性及脉宽调控研究”,国家自然科学基金(2006-2008),22万,负责。3

2020-05-20