电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由_

南通大学电气工程学院电力电子技术 题 库 第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由

德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 题号一二三四合计 分数 阅卷人得分 一、选择（每题1.5分，共60分） 1、晶闸管内部有（）个PN结。 A、1 B、2 C、3 D、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏

8、试说明 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。解：对 IGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表：器件优点缺点开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流 开 关 速 度 低 于 电 力IGB

电力电子技术试题 1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。 2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功

《电力电子技术》试卷A 一、填空（每空1分，36分） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称： 电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是 MOSFET 和GTR的复合管。

考试试卷十 一、填空题：（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、同一晶闸管，维持电流I H 与掣住电流I L 在数值大小上有I L ______I H 。 2、常用的晶闸管有 式、 式两种。 3、单相半控桥整流电路，带大电感性负载，晶闸管

电 力 电 子 复 习 姓名：*** 电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。

、填空题（每空 1 分， 34 分） 1、实现有源逆变的条件为和。 2、在由两组反并联变流装置组成的直流电机的四象限运行系统中，两组变流装置分别工作在正组状态、状态、反组状态、状态。 3、在有环流反并联可逆系统中，环流指的是只流经而不流经

8.对于三相半波可控整流电路，换相重迭角的影响，将使用输出电压平均值__下降_。9.电容滤波单相不可控整流带电阻负载电路中，空载时，输出电压为__ _，随负载加重Ud逐渐趋近于_0.9U2_，通常设计时，应取RC≥_1.5-2.5_T，此时

一、填空题 1、普通晶闸管内部有PN结,，外部有三个电极，分别是极极和极。 1、两个、阳极A、阴极K、门极G。 2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。 2、正向、触发。 3、、晶闸管的工作状态有正向状态，

第1章绪论习题 第1部分：填空题 1.电力电子技术是使用________器件对电能进行________的技术。 2. 电能变换的含义是在输入与输出之间，将________、________、________、________、_______

电力电子技术试题（第一章） 一、填空题 1、普通晶闸管内部有 PN结,，外部有三个电极，分别是极极和极。 1、两个、阳极A、阴极K、门极G。 2、晶闸管在其阳极与阴极之间加上电压的同时，门极上加上电压，晶闸管就导通。 2、正向、触发。 3、

考试试卷一、填空题（本题共17小题，每空1分，共20分）1、晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的外形有与。2、选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以。3、晶闸管的导通条件是。4、晶闸管的断态不重复峰值电压U DSM与转折电

学习-----好资料德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1・5分，共60分）1、晶闸管内部有（）个PN结。A、1B、2C、3D、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（）越好。A、越大B、越小C、不

最全电力电子技术试题及答案1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的

1、 晶闸管两端并联 R、C 吸收回路的主要作用有哪些？其中电阻 R 的作用是什么？R、C 回路的作用是：吸收晶闸管瞬间过电压，限制电流上升率，动态均压作用。R 的作用为：使 L、C 形成阻尼振荡，不会产生振荡过电压，减小晶闸管的开通电流上

考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、电子技术包括_____信息电子技术_____和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在