在平衡时，自由能为最小，即G ( n )Th TSckT[ln(Nn) lnn] 0故单质的肖特基缺陷在 T 时的平衡浓度C n exp( Gs )NkT对于正负离子成对出现的肖特基缺陷，空位浓度为;1. 弗仑克尔缺陷浓度的计算 AgBr晶

材料科学基础 第零章材料概论 该课程以金属材料、陶瓷材料、高分子材料及复合材料为对象，从材料的电子、原子尺度入手，介绍了材料科学理论及纳观、微观尺度组织、细观尺度断裂机制及宏观性能。核心是介绍材料的成分、微观结构、制备工艺及性能之间的关系。

23空位迁移也要克服一定的“势垒”，也即空位迁移能Qfv。 迁移速率为: j=zexp(Sc/k)exp(-Qfv/kT)金属熔点越高，空位形成能和迁移能越大。所以，在相 同条件下，高熔点金属形成的空位数比低熔点金属少。245.材料中空位的

点缺陷从一个平衡位置到另一个平衡位置的移动，必须 获得足够的能量来克服周围势垒的障碍，故称这一增大 的能量为点缺陷的迁移能 E 。mSm Em 0 Z exp( ) exp( ) kT k 0 为点缺陷周围原子的振动频率Z 为点缺陷

《材料科学基础》教学教案 导论 一、材料科学的重要地位 生产力发展水平，时代发展的标志 二、各种材料概况 金属材料 陶瓷材料 高分子材料 电子材料、光电子材料和超导材料 三、材料性能与内部结构的关系 原子结构、结合键、原子的排列方式、显微组

点缺陷（零维缺陷）--原子尺度的偏离.按 缺例：空位、间隙原子、杂质原子等陷 线缺陷（一维缺陷）--原子行列的偏离.的例：位错等几 何面缺陷（二维缺陷）--表面、界面处原子排列混乱.形例：表面、晶界、堆积层错、镶嵌结构等态 体缺陷（三维缺陷

4.6 点缺陷的类型及表示方法根据对理想晶格偏离的几何位置及成分分类 填隙质点原子（或离子）进入晶体中正常结点之间的间隙位置，成 为填隙原子（或离子）。 正常结点没有被原子或离子所占据，成为空结点。 空位 杂质质点由于外来杂质原子（或离子）

第三章 晶体缺陷Imperfections (defects) in Crystals材料A楼509BEmail: Tel: 34203763,1第三章 晶体缺陷Imperfections (defects) in Crystals“It

材料科学基础名词解释 第一章晶体学基础 空间点阵晶体中原子或原子集团排列的周期性规律，可以用一些在空间有规律分布的几何点来表示，这样的几何点集合就构成空间点阵。 （每个几何点叫结点；每个结点周围的环境相同，则都是等同点。） 晶格在三维空间内

③面缺陷（planar defect）：特征是在一个方面上尺寸很小,另外两个方面上很大，又称二 维缺陷，包括表面、晶界、亚晶界、相界、孪 晶界等。 ④体缺陷:在三维方向上缺陷尺寸都较大。如镶 嵌块、空洞等。 2、根据缺陷的形成原因 ①热缺陷

位错的攀移:在垂直于滑移面方向上运动. 攀移的实质:刃位错多余半原子面的扩大和缩小. 刃位错的攀移过程:正攀移,向上运动；负攀移, 向下运动。（1）攀移方式原子扩散离开（到）位错线—半原子面缩短（伸长）—正（负）攀移 空位扩散离开（到）位错

材料科学基础点缺陷怎样思想，就有怎样的生活ຫໍສະໝຸດ Baidu 41、学问是异常珍贵的东西，从任何源泉吸 收都不可耻。——阿卜·日·法拉兹42、只有在人群中间，才能认识自 己

缺陷陷，如Fe1－xO、Zn1+xO等晶体中的缺陷。特点：其化学组成随周围气氛的性质及其分压大小而变化。是一种半导体材料。4. 其它原因，如电荷缺陷，辐照缺陷等6第三3.1 点缺陷章1. 基本概念：如果在任何方向上缺陷区的尺寸晶体都远小于晶

第二部分简答题第一章原子结构1、原子间的结合键共有几种？各自的特点如何？【11年真题】答：（1）金属键：基本特点是电子的共有化，无饱和性、无方向性，因而每个原子有可能同更多的原子结合，并趋于形成低能量的密堆结构。当金属受力变形而改变原子之间

第四章4. 画图并叙述形变过程中位错增殖的机制。答：课本P341-342 F-R 增殖机制5. 位错具有较高的能量，因此它是不稳定的，除了位错之间能发生交互作用外，还常发生位错反应。请判断下列位错反应能否进行：（1）]111[3]211[6

在一定温度下，存在一个使系统自由能最低的空位浓度， 称为该温度下的空位平衡浓度。空位形成能UV愈小，空 位平衡浓度愈大；温度愈高，空位平衡浓度也愈大。例如 纯Cu在接近熔点1000℃时，空位浓度为10-4 ，而在常 温下(~20℃)空位浓度

18第3.2 位错三 章3.2.1 位错的基本类型和特征1. 位错的概念：位错是晶体的线性缺陷。晶体中晶某处一列或若干列原子有规律的错排。体• 意义：对材料的力学行为如塑性变形、强

83.1 点 缺 陷(a) 肖脱基空位－离位原子进入其它空位或迁移至界面。 (b)弗兰克尔空位－离位原子进入晶体间隙。 (c)间隙原子：位于晶体点阵间隙的原子。 (d)(e)置换原

2018/12/13《材料科学基础》CAI课件-李克11b. 螺型位错 screw dislocation位错线bb’：已滑移区和未滑移区的边界线特征：1）无额外半原子面， 原子错排是轴对称的 2）分左螺旋位错，符合左手法则；右螺旋位错 ，

晶体缺陷单晶体：是指在整个晶体内部原子都按照周期性的规则排列。多晶体：是指在晶体内每个局部区域里原子按周期性的规则排列，但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同，因此多晶体也可看成由许多取向不同的小单晶体（晶粒）组成点缺陷（Point de