向电流大，说明管子的单向导电性差，IR受温度的影 响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小， 锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。半导体二极管和三极管结论：1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴 极接负 ）时， 二极管处于
正向特性64正向特性200 –100 –502– 80 – 400 0.4 0.8 U / V– 0.1–0.1 0 0.4 0.8 U / V–0.2反向击 穿特性– 0.2 死区电压反向特性硅管的伏安特性锗管的伏安特性1.3.3 二极管
UD1 = 6V，UD2 =12V∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通， D1截止。若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V流过D2的电流为ID212 3D1承受反向电压为－6 V4mA在这里， D2 起 钳位作用， D1起 隔
SiSi空穴BS–iSi硼原子 接受一个 电子变为 负离子P型半导体的形成过程动画演示1.1.3 PN结的形成及特性1. PN结的形成 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有扩散运动。1.1.3 PN结的形成及特性 1.
硅原子+4空穴+4硼原子+4电子空穴对空穴+4 +4P型半导体－ － －－+3 +4－ － －－－ － －－+4 +4受主离子多数载流子—— 空穴 少数载流子——自由电子杂质半导体的示意图多子—空穴多子—电子P型半导体N型半导体－ － －－
(1-15)二、P 型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时， 空穴产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，+4+4使得硼
图2.4 光电三极管的等效电路与电路符号图2.5 光电耦合器电路符号2．光电耦合器3．晶闸管 （1）单向晶闸管A. 内部结构B. 工作原理 A A χχχG KKA GGK（a）(b)(c)图2.6a单向晶闸管外形及电路符号•IR5••1
第7章半导体二极管和三极管 7.1 半导体的基本知识 7.2 PN结 7.3 半导体二极管 7.4 稳压二极管 7.5 半导体三极管 第7章半导体二极管和三极管 本章要求： 一、理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和 电流放大作用； 二
杂质半导体有两种一、 N 型半导体N 型半导体 P 型半导体在硅或锗的晶体中掺入少量的 5 价杂质元素，如 磷、锑、砷等，即构成 N 型半导体(或称电子型半导 体)。常用的 5 价杂质元素有磷、锑、砷等。本征半导体掺入 5 价元素后，原来晶
例如，当受外界热和光的作用时，它的导 电能力将明显变化——热激发。又例如，往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的载流子数量大大的增加，半导体的导电能力也大大的改变——掺杂。而掺杂可大大增加导电率正是半导体能制成各种电子器件的基础。整理ppt
半导体二极管和三极管2. N型半导体当在硅或锗的晶体中掺入微量磷(或其它五价元素) 时，磷原子与周围的四个硅原子形成共价键后，磷 原子的外层电子数将是 9 ，比稳定结构多一个价电 子。SiSi+SPiSiSiSi多余P电子半导体二极管和三极
第4章半导体二极管及其应用电子电路区别于以前所学电路的主要特点是电路中引入各种电子器件。电子器件的类型很多，目前使用得最广泛的是半导体器件——二极管、稳压管、晶体管、绝缘栅场效应管等。由于本课程的任务不是研究这些器件内部的物理过程，而是讨论
▪ 半导体的导电能力 ▪ 半导体的特性 ▪ 什么是本征半导体 ▪ 什么是本征激发、复合 ▪ 半导体内部存在几种导电方式 ▪ 杂质半导体可以分为几种 ▪ 半导体器件的核心 ▪ PN结
有利于漂移运动，形成漂移电 流。由于电流很小，故可近似 认为其截止。多数载流 子的扩散阻挡层 少数载流建立子漂移动态平衡总结：多数载流子的扩散形成空间电荷区，空间 电荷区（阻挡层）
第十五章 半导体二极管和三极管§15.1 半导体的导电特性半导体：导电能力介乎导体和绝缘体之间，如 锗、硅、硒以及大多数金属氧化物和硫化物都 是半导体。半导体的导电机理不同于其它物
例6.3: 图中电路，输入端A的电位VA=+3V，B 的电位VB=0V，求输出端Y的电位VY。电阻R接负 电源-12V。解： DA优先导通， DA导通后， DB上加的是&#
• 14.6 光电器件第14章 半导体二极管和三极管本章要求：• 理解PN结的单向导电性，三极管的电流分配和电 流放大作用； • 了解二极管、稳压管和三极管的基本构造、工作 原理和特性曲线，理解主要参数的意义； • 会分析含有二极管的电路。
P内电场 外电场N–+总目录 章目录 返回 上一页 下一页2. PN 结加反向电压（反向偏置） P接负、N接正PN 结变宽－－－ － －－ －－－ － －－ －－－－ －
