半导体器件试题库 常用单位： 在室温（T = 300K ）时，硅本征载流子的浓度为 n i = 1.5×1010/cm 3 电荷的电量q= 1.6×10-19C µn =1350 2cm /V s ⋅ µp =500 2

np (−xp ) = np0eV VT（ 3）与此类似，可以得到pn (xn ) = pn0eV VT（4）（ 3）、（ 4） 两 式 即 为 所 要 证 明 的 边 界 条 件 。2〔 15 分 〕 共基极连接双极结型晶体管（BJT）：

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一、 选择题：（含多项选择， 共30分，每空1分，错选、漏选、多选均不得分） 1．半导体硅材料的晶格结构是（ A ） A 金刚石 B 闪锌矿 C 纤锌矿 2．下列固体中，禁带宽度Eg 最大的是（ C ） Ａ 金属 Ｂ 半导体 Ｃ 绝缘体 3

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装订线 华南农业大学期末考试试卷（A卷）2017-2018学年第一学期考试科目：半导体物理 考试类型：（开卷）考试考试时间：120 分钟 学号姓名年级专业 题号一二三总分 得分 评阅人 一、选择题（本大题共20 小题，每小题 1 分，共20

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则no N D N A 11015 5 1014 5 1014个/cm 3POni 2 no2 1010 2 5 10148 105 个/cm 3（2 分） （2 分）（ 3）因为施 主和受 主相互 完全补 偿，杂 质的掺 杂不起 作用。因

第六章 金属-氧化物-半导体场效应晶体管6-3．在受主浓度为31610-cm 的P 型硅衬底上的理想MOS 电容具有0.1um 厚度的氧化层，40=K ，在下列条件下电容值为若干？（a ）V V G 2+=和Hz f 1=，（b ） VV

1．在半导体材料中， Si 、Ge 属于第一代半导体材料的，它们的晶格结构是典型的 金刚石 结构，能带结构属于 间接 带隙型的； GaAs 属于第二代半导体材料的，它们的晶格结构是典型的 闪锌矿 结构，能带结构属于 直接 带隙型的（直接或间

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一、填空题（共25分 每空１分） １、硼、铝、镓等 三族元素掺入到硅中，所形成的能级是 受主 （施主能级或受主能级）；砷、磷等五族元素掺入到硅中，所形成的能级是 施主 （同上）。 ２、平衡状态下，我们用统一的费米能级ＥＦ来标志电子填充能级的

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半导体器件物理(第二版)第二章答案2-1．P N +结空间电荷区边界分别为px -和nx ，利用2TV V i np n e =导出)(nnx p 表达式。给出N 区空穴为小注入和大注入两种情况下的)(nnx p 表达式。 解：在nx x

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