10.复合斩波电路中，电流可逆斩波电路可看作一个_升压_斩波电路和一个__降压_斩波电路的组合；SPWM脉宽调制型变频电路的基本原理是：对逆变电路中开关器件的通断进行有规律的调制，使输出端得到等高不等宽脉冲列来等效正弦波。第4章 交流—交流

电力电子技术选择题 Company number：【0089WT-8898YT-W8CCB-BUUT-202108】 1、三相全控桥整流电路的同一相上下两个桥臂晶闸管的触发脉冲依次应 相差180度 2、α为30度时，三相半波可控整流电路，电

南通大学电气工程学院电力电子技术 题 库 第二章电力电子器件 一、填空题 1、若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为100A。若该晶闸管阳、阴间电压为60sinwtV，则其额定电压应为60V。（不考虑晶闸管的电流、电压安全裕量。） 2

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高 时，功率损耗主要为__开关损耗__。 3.电力电子器件组成的系统，一般由

电力电子技术选择题 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差度。 A、180°， B、60°，c、360°，D、120° 2、α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。

考试试卷( 1 )卷 一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分） 1、电子技术包括______________和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属 于前者。 2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工

1.在型号为KP10-12G中,数字12表示(C )。 A、额定电压12V B、额定电流12A C、额定电压1200V D、额定电流1200A 2.下列电路中,不可以实现有源逆变得有(B )。 A、三相半波可控整流电路 B、三相桥式半控整流

电力电子技术复习2011 一、选择题（每小题10分,共20分） 1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差A度。 A、180°， B、60°， c、360°， D、120° 2、α为C度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的

1、三相全控桥整流电路的同一相上下两个桥臂晶闸管的触发脉冲依次应相差180度 2、α为30度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。 3、可实现有源逆变的电路为（三相半波可控整流电路，）。 4、在一般可

1、三相全控桥整流电路的同一相上下两个桥臂晶闸管的触发脉冲依次 应相差180度 2、α为30度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形， 处于连续和断续的临界状态。 3、可实现有源逆变的电路为（三相半波可控整流电路，）。 4、在一

德州科技职业学院机电系14级机电专业 期末考试试题 《电力电子技术》试卷 题号一二三四合计 分数 阅卷人得分 一、选择（每题1.5分，共60分） 1、晶闸管内部有（）个PN结。 A、1 B、2 C、3 D、4 2、晶闸管在电路中的门极正向偏

电力电子技术选择题-标准化文件发布号：（9456-EUATWK-MWUB-WUNN-INNUL-DDQTY-KII 1、三相全控桥整流电路的同一相上下两个桥臂晶闸管的触发脉冲依次应相 差180度 2、α为30度时，三相半波可控整流电路，电阻

电力电子技术作业题 一、选择题（每题20分） 1．（）晶闸管额定电压一般取正常工作时晶闸管所承受峰电压的( B )。 A. 1～2倍 B. 2～3倍 C. 3～4倍 D. 4～5倍 2．（）选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少

Rd==≈48Ω 当α=0°时晶闸管与整流管的电流有效值才最大为 ITm=IDm===3.2A 选择晶闸管和整流管的型号 IT(AV)=(1.5～2)=(1.5～2)=34A 取5A(电流系列值) UTn=(2～3)UTM=(2～3)×22

电力电子技术试题 第1章电力电子器件 1.电力电子器件一般工作在开关状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。 3.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、_驱动电路_、

电力电子技术习题集 习题一 1. 试说明什么是电导调制效应及其作用。 2. 晶闸管正常导通的条件是什么，导通后流过的电流由什么决定？晶闸管由导通变为关断的条件是什么，如何实现？ 3. 有时晶闸管触发导通后，触发脉冲结束后它又关断了，是何原因

德州科技职业学院机电系14级机电专业期末考试试题《电力电子技术》试卷一、选择（每题1.5分，共60分） 1、晶闸管内部有（ ）个PN 结。A 、1B 、2C 、3D 、42、晶闸管在电路中的门极正向偏压（ ）越好。A 、越大B 、越小C 、

电力电子技术试题及答案-(1)电力电子技术试题1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO ；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET 和GTR 的复合管。2、晶闸管对触发脉

电力电子技术选择题1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差度。A、180°，B、60°， c、360°， D、120°2、α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。A，0度， B，60

1.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET 。2.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（